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  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

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    EL MOSFET DE POTENCIA

    UNIVERSIDAD NACIONAL TECNOLOGICA DE LIMA SUR

    DR. ING. LUIS MIGUEL VELASQUEZ MACHUCAELECTRONICA DE POTENCIA

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    El MOSFET (Metal Oxide Silicon Field EffectTransistor) es un dispositivo que controla unacorriente entre dos terminales (Source y Gate)

    utilizando un voltaje de contacto (VG). El dispositivo utiliza efectos superficiales para crear

    una regin n en un sustrato tipo p ( a la inversa).

    Hoy da, los MOSFET son ms comunes que los

    JFET y su funcionamiento es demasiado extensopara analizarlo con detalle.

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    El hallazgo inteligente fue darse cuenta de que, al

    interesarse slo por el campo elctrico entre la Gatey Drain, no haba necesidad de establecer unaconexin galvnica y que bastaba con una conexincapacitiva que tuviese el mismo efecto.

    Por ello, en los MOSFET existe una capa aisladoraentre el conector de Gate y el semiconductordopado tipo p.

    Los transistores de efecto de campo desemiconductores de metal-xido difieren bastante

    de los JFET y se presentan en una gama muyvariable. La funcin que los caracteriza es que lapuerta est acoplada con un condensador.

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    El transistor MOS de Efecto Campo (MOSFET)

    El transistor MOSFET presenta prestacionessimilares a las del JFET aunque su estructura yfuncionamiento son diferentes.

    Hay dos tipos: de acumulacin y de vaciamiento, decanal n o canal p.

    En el MOSFET de acumulacin se debe aplicar unpotencial positivo entre Gate y Source (VGS > 0) para

    que haya paso de corriente.

    En el de vaciamiento, slo si ese potencial es menorque un umbral negativo se bloquea el paso decorriente.

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    El transistor MOS de Efecto Campo (MOSFET)

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    La estructura de un MOSFET (Metal OxidoSemiconductor FET), consta de cuatro terminales:Drain (D), Source (S), Gate (G) y Body o Sustrato (B).

    En los NMOS (MOSFET de canal N), el sustrato esun semiconductor tipo p.

    Generalmente, el sustrato se conecta a la fuente.

    El Gate se halla aislada del sustrato por una fina

    capa de dixido de silicio y por el terminal de lacompuerta fluye una corriente despreciable.

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    Operacin del MOSFET

    Cuando se aplica en Gate una tensin positivarespecto a Source, los electrones se ven atrados ala regin situada bajo Gate, inducindose un canal

    de material de tipo n entre Drain y Source . Si se aplica entonces una tensin entre Drain y

    Source, fluir una corriente desde Source a Drain atravs del canal.

    La corriente de drenador est controlada por latensin aplicada en Gate.

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    Operacin del MOSFET

    Una vez creado el canal (VGS> VT) se aplica VDSconla polaridad adecuada para que pasen portadoresde la fuente al drenador.

    Para valores pequeos de VDSel MOS se comportacomo una resistencia, pero llegar un momento enque la tensin entre el terminal de puerta y la zonadel canal inmediata al drenador no supere la VTcon

    lo que desaparecen las cargas inducidas en esazona del canal por lo que la ID no sigueaumentando al aumentar VDSy se satura.

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    Ganancia de tensin

    Considerando el siguiente circuito:

    VGSVGG

    RG

    RL

    VDD

    IDS

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    Ganancia de tensin

    Dado que IG 0, Rin. Pero si la capa de xidotiene algunas impurezas, Rin100M[].Como :

    IDS= gm VGS (6.51)

    A su vez:

    |Vo| = IDSRL= gm VGSRL (6.52)

    De esta forma:

    (6.53)

    D

    Dm

    G V cte

    g

    V

    oV m L

    GS

    VA g R

    V

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    MOSFET de empobrecimiento

    MOSFET de empobrecimiento: Las construccionesde los MOSFET de empobrecimiento de canal n y decanal p se muestran en las figuras 1 y 2,respectivamente.

    En cada una de estas figuras se muestran laconstruccin, el smbolo, la caracterstica detransferencia y las caractersticas ID v/s VGS.

    El MOSFET de empobrecimiento se construye(como se muestra en la figura 1(a) para el canal ny en la figura 2(a) para el canal p con un canalfsico construido entre el drenaje y la fuente cuando

    se aplica una tensin, VDS.

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    MOSFET de empobrecimiento

    MOSFET de empobrecimiento de canal n

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    MOSFET de empobrecimiento

    Figura 2 MOSFET de empobrecimiento de canal p

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    MOSFET de empobrecimiento

    El MOSFET de empobrecimiento puede operar tantopara valores positivos como negativos de VGS.

    Sin embargo, como la compuerta est aislada del

    canal, la corriente de compuerta es sumamentepequea (10-12[A]) y VGS puede ser de cualquierpolaridad.

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    MOSFET de empobrecimiento

    Como se puede ver en las figuras 1(b) y 2(b), elsmbolo para el MOSFET posee un cuarto terminal,el sustrato.

    La flecha apunta hacia adentro para un canal n yhacia afuera para un canal p.

    El MOSFET de empobrecimiento de canal p, que semuestra en la figura 2, es igual que el de la figura 1,excepto que se invierten los materiales n y p al igualque las polaridades de las tensiones y corrientes.

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    MOSFET de empobrecimiento

    Curva caracterstica del MOSFET de empobrecimiento

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    MOSFET de enriquecimiento

    MOSFET de enriquecimiento: El MOSFET deenriquecimiento se muestra en la figura 3.

    Este difiere del MOSFET de empobrecimiento en

    que no tiene la capa delgada del material n sinoque requiere de una tensin positiva entre lacompuerta y la fuente para establecer un canal.

    Este canal se forma por la accin de una tensin

    positiva compuerta a fuente, VGS, que atraeelectrones de la regin del sustrato ubicada entre eldrenaje y la compuerta contaminados de tipo n.

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    MOSFET de enriquecimiento

    VGS> 0 provoca que los electrones se acumulen enla superficie inferior de la capa de xido.

    Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, VT,

    han sido atrados a esta regin los electronessuficientes para que se comporte como canal nconductor.

    No habr una corriente apreciableI

    Dhasta que VGSexcede VT.

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    MOSFET de enriquecimiento

    No existe un valor IDSS para el MOSFET deenriquecimiento, ya que la corriente de drenaje escero hasta que el canal se ha formado. IDSSes cero

    para VGS = 0. Para valores de VGS> VT, la corriente de drenaje en

    saturacin se puede calcular de la ecuacin:

    ID=k

    (VGS- VT)2

    (6.54)

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    MOSFET de enriquecimiento

    El valor de k depende de la construccin delMOSFET y, en principio, es funcin del largo yancho del canal. Un valor tpico para kes 0.3 m[A /

    V2

    ]. La tensin de umbral, VT, es especificada por elfabricante.

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    MOSFET de enriquecimiento

    MOSFET de enriquecimiento de canal n

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    MOSFET de enriquecimiento

    Como se puede ver, exhibe caractersticas similarespero opuestas a las del MOSFET de enriquecimientode canal n

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    MOSFET de enriquecimiento

    MOSFET de enriquecimiento de canal p

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    MOSFET de enriquecimiento

    Aunque se halla ms restringido en su intervalo deoperacin que el MOSFET de empobrecimiento, elMOSFET de enriquecimiento es til en aplicacionesde circuitos integrados debido a su tamaopequeo y su construccin simple.

    La compuerta para el MOSFET de canal n y de canalp es un depsito de metal en una capa de xido desilicio.

    La construccin comienza con un material desustrato (de tipo p para canal n; de tipo n para canalp) sobre el cual se difunde material del tipo opuestopara formar la fuente y el drenaje.

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    MOSFET de enriquecimiento

    Ntese que el smbolo para el MOSFET de

    enriquecimiento, que se ilustra en las ltimas dosfiguras, muestra una lnea quebrada entre fuente ydrenaje para indicar que no existe un canal inicial.

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    MOSFETde enriquecimiento

    A continuacin se presenta un ejemplo de la curvade un MOSFET de enriquecimiento canal n .

    Como se puede observar, el voltaje Drain Source

    (VDS) es de -15 [V], el voltaje Umbral (VT) es3 [V] yla corriente Drain (ID) es de 21m[A], esto paradistintos voltajes de GateSource (VGS).

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    MOSFET de enriquecimiento

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    Circuito equivalente de MOSFET

    En los circuitos basados en MOSFET el transistor seutiliza polarizado en la regin de saturacinutilizando la configuracin de Source comn.

    La seal alterna que se desea amplificar, vg, seintroduce superpuesta al voltaje de polarizacin deGate.

    Respecto al circuito de salida del circuitoequivalente, el MOSFET se comporta como unafuente de corriente continua.

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    Circuito equivalente de MOSFET

    Id l b l t i t d Ef t d C d M t l id

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    El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal OxideSemiconductor Field Effect Transis tor (MOSFET)

    Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo

    de portador

    Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin

    G

    D

    SCanal N

    Conduccin debidaa electrones

    D

    GS

    Canal P

    Conduccindebida a huecos

    Los ms usados son los MOSFET de canal N

    La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor

    movilidad menores resistencias de canal en conduccin

    Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-xido-Semiconductor

    Id l b l MOSFET d l i

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    Curvas caractersticas del MOSFET

    ID[mA]

    VDS[V]

    4

    2

    42 60

    - Curvas de salida

    - Curvas de entrada:No tienen inters (puerta aislada del canal)

    VGS < VTH=2V

    VGS = 2,5VVGS = 3V

    VGS = 3,5V

    VGS = 4V

    VGS = 4,5V

    Referenc ias n orm alizadas

    +

    -

    VDS

    ID

    +-VGS

    G

    D

    S

    Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

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    VDS[V]

    ID[mA]

    4

    2

    84 120VGS = 2,5V

    VGS = 3V

    VGS = 3,5V

    VGS = 4V

    VGS = 4,5V

    VGS

    = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V

    Comportamiento resistivo

    VGS < VTH= 2V< 4,5V

    Comportamiento como circuito abierto

    10V

    +

    -

    VDS

    ID

    +

    -VGS

    2,5K

    G

    D

    S

    Zonas de trabajo

    Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

    Comportamiento como fuente de corriente(sin inters en electrnica de potencia)

    Id l b l MOSFET

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    G

    D

    S

    DS G

    +

    P-

    Substrato

    N+ N+

    Precauciones en el uso de transistores MOSFET

    - El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos

    - El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de

    los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin

    - Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET

    de enriquecimiento

    Ideas generales sobre los MOSFETs

    Estructura de los MOSFETs de Potencia

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    G

    D

    S

    Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

    posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)

    Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente

    Algunas celdas posibles

    Estructura de los MOSFETs de Potencia

    Puerta

    Drenador

    Fuente

    n+

    n-p

    n+ n+

    Estructura planar

    (D MOS)

    Estructura entrinchera

    (V MOS)

    Drenador

    n+

    n-pn+

    Puerta

    Fuente

    Encapsulados de MOSFETs de Potencia

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    En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

    encapsulados axiales)

    Existe gran variedadEjemplos: MOSFET de 60V

    Encapsuladosde MOSFETs de Potencia

    RDS(on)=9,4m, ID=12A RDS(on)=12m, ID=57A

    RDS(on)=9m, ID=93ARDS(on)=5,5m, ID=86ARDS(on)=1.5m, ID=240A

    Encapsulados de MOSFETs de Potencia

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    Otros ejemplos de MOSFET de 60V

    Encapsuladosde MOSFETs de Potencia

    RDS(on)=3.4m, ID=90A

    Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

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    Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

    1 -Mxima tensin drenador-fuente

    2 -Mxima corriente de drenador

    3 -Resistencia en conduccin

    4 -Tensiones umbral y mximas de puerta

    5 -Velocidad de conmutacin

    1 Mxima tensin drenador-fuente

    Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a

    la fuente) y el drenador.

    Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequeacirculacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)

    1 Mxima tensin drenador fuente

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    1 Mxima tensin drenador-fuente

    Baja tensin

    15 V30 V

    45 V

    55 V

    60 V

    80 V

    Media tensin

    100 V150 V

    200 V

    400 V

    Alta tensin

    500 V600 V

    800 V

    1000 V

    Ejemplo declasificacin

    La mxima tensin drenador-fuente de representa como VDSS

    o como V(BR)DSS

    Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

    2 Mxima corriente de drenador

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    2 Mxima corriente de drenador

    El fabricante suministra dos valores (al menos):

    - Corriente continua mxima ID

    - Corriente mxima pulsada IDM

    La corriente continua mxima IDdepende de la

    temperatura de la cpsula (moun t ing baseaqu)

    A 100C, ID=230,7=16,1A

    3 Resistencia en conduccin

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    3 Resistencia en conduccin

    Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET.

    Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo

    Se representa por las letras RDS(on)Para un dispositivo particular, crece con la temperatura

    Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de

    puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.

    Drain-source On Resistance, RDS(on)(Ohms)

    3 Resistencia en conduccin

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    3 Resistencia en conduccin

    Comparando distintos dispositivos de valores de IDsemejantes,

    RDS(on)crece con el valor de VDSS

    3 Resistencia en conduccin

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    3 Resistencia en conduccin

    En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores

    de RDS(on)en dispositivos de VDSSrelativamente alta (600-1000 V)

    MOSFET de los aos 2000

    MOSFET de 1984

    4 Tensiones umbral y mximas de puerta

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    4 Tensiones umbral y mximas de puerta

    La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que

    comience a haber conduccin entre drenador y fuente

    Los fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO)como la tensin

    puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA

    Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V

    4 Tensiones umbral y mximas de puerta

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    4 Tensiones umbral y mximas de puerta

    La tensin umbral cambia con la temperatura

    4 Tensiones umbral y mximas de puerta

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    e s o es u b a y as de pue ta

    La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es

    tpicamente de 20V

    5 Velocidad de conmutacin

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    Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos

    usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,

    IGBT, etc.)

    Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En

    ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento

    de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de

    eliminar para que el dispositivo deje de conducir

    La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidadesparsitas del dispositivo

    Hay, esencialmente tres:

    - Cgs, capacidad de lineal

    - Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante

    S

    D

    G

    Cdg

    Cgs

    Cds

    5 Velocidad de conmutacin

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    Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de

    tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

    - Ciss= Cgs+ Cgdcon Vds=0 (

    capacidad de entrada)- Crss= Cdg(capacidad Miller)

    - Coss= Cds + Cdg(capacidad de salida)

    Ciss

    Coss

    S

    D

    G

    Cdg

    Cgs

    CdsS

    D

    GS

    D

    G

    D

    GG

    CdgCdg

    CgsCgs

    CdsCdsS

    D

    G

    Cdg

    Cgs

    CdsS

    D

    GS

    D

    G

    D

    GG

    CdgCdg

    CgsCgs

    CdsCds

    5 Velocidad de conmutacin

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    Ejemplo de informacin de los fabricantes

    Ciss= Cgs+ CgdCrss= CdgCoss= Cds + Cdg

    5 Velocidad de conmutacin

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    V1 R

    C

    Carga y descarga de un condensador desde una resistencia

    ELMOSFETD

    EPOTENCIA

    La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan

    prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin

    de los MOSFET de potencia

    En la carga de C:- Energa perdida en R = 0,5CV12- Energa almacenada en C = 0,5CV

    1

    2

    En la descarga de C:- Energa perdida en R = 0,5CV12

    Energa total perdida:CV1

    2= V1

    QCV1

    Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las

    variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia

    entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de

    conmutacin

    5 Velocidad de conmutacin

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    Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:

    - Con carga inductiva

    - Con diodo de enclavamiento

    - Suponiendo diodo ideal

    Cdg

    Cgs

    CdsV1 R

    V2

    IL

    5 Velocidad de conmutacin

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    Situacin de partida:

    - Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin

    - Por tanto: vDG= V2, vDS= V2y vGS= 0iDT= 0 y iD= IL

    +

    -vDS

    vGS

    +

    -

    +

    -

    vDG

    Cdg

    Cgs

    CdsV1 R

    V2

    IL

    iDT

    iD

    B

    A

    - En esa situacin, el

    interruptor pasa de B a A

    +

    -

    +

    -

    5 Velocidad de conmutacin

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    iDT= 0 hasta que vGS= VGS(TO)

    vDS= V2hasta que iDT= IL

    +

    -vDS

    vGS

    +

    -

    +

    -

    vDG

    Cdg

    Cgs

    CdsV1 R

    V2

    IL

    iDT

    iD

    B

    A

    VGS(TO)

    vDS

    iDT

    vGSBA

    IL

    Pendiente determinadapor R, Cgsy por Cdg(V2)

    +-

    +-

    +

    -

    5 Velocidad de conmutacinL i t d V t d R

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    55/68

    La corriente que da V1a travs de R se

    emplea fundamentalmente en descargar

    Cdg prcticamente no circulacorriente porCgs vGS= Cte

    +

    -vDS

    vGS

    +

    -

    +

    -

    vDG

    Cdg

    Cgs

    CdsV1 R

    V2

    IL

    iDT

    B

    A

    VGS(TO)

    vDS

    iDT

    vGSBA

    IL

    +-

    +-

    +

    -

    5 Velocidad de conmutacin C y C se continan

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    56/68

    Cgsy Cdgse continan

    VGS(TO)

    vDS

    iDT

    vGSBA

    IL

    +

    -vDS

    vGS

    +

    -

    +

    -

    vDG

    Cdg

    Cgs

    CdsV1 R

    V2

    IL

    iDT

    B

    A

    +

    -

    V1Constante de tiempo determinadapor R, Cgsy por Cdg(V1)

    +

    -

    5 Velocidad de conmutacin

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    57/68

    Valoracin de prdidas entre t0y t2:

    - Hay que cargar Cgs(grande) y

    descargar Cdg(pequea) VMvoltios

    - Hay convivencia tensin corriente

    entre t1y t2iDT

    +

    -vDS

    vGS

    +

    -

    Cdg

    Cgs CdsV2

    +

    -

    +

    -

    +

    -

    iDT

    t0 t1 t2 t3

    VGS(TO)

    vDS

    iDT

    vGSBA

    IL

    V1VM

    PVI

    5 Velocidad de conmutacin

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    58/68

    Valoracin de prdidas entre t2y t3:

    - Hay que descargar Cdshasta 0 e

    invertir la carga de Cdgdesde V2-VM

    hasta -VM- Hay convivencia tensin corriente

    entre t2y t3

    V1VM

    t0 t1 t2 t3

    VGS(TO)

    vDS

    iDT

    vGSBA

    IL

    PVI

    iDT= IL

    +

    -vDS

    vGS

    +

    -

    Cdg

    Cgs Cds+-

    +

    -

    +

    - IL

    iCds

    iCdg+iCds+ILiCdg

    5 Velocidad de conmutacin

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    59/68

    Valoracin de prdidas a partir de t3:

    - Hay que acabar de cargar Cgsy Cdg

    hasta V1

    - No hay convivencia tensin

    corriente salvo la propia de las

    prdidas de conduccin

    t0 t1 t2 t3

    VGS(TO)

    vDS

    iDT

    vGSBA

    IL

    PVI

    V1VM

    iDT= IL

    +

    -vDS

    vGS

    +

    -

    Cdg

    Cgs Cds+-

    +

    -

    IL

    iCdg

    iL

    5 Velocidad de conmutacin

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    60/68

    Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la cargade puerta:

    - La corriente que da la fuente V1es aproximadamente

    constante entre t0y t3(comienzo de una exponencial,con IV1V1/R)- De t0a t2, la corriente IV1se ha encargado

    esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado unacarga elctrica Qgs

    - De t2a t3, la corriente Iv1se ha encargado en invertir la

    carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg- Hasta que VGS= V1se sigue suministrando carga. Qg

    es el valor total (incluyendo Qgsy Qdg)

    - Para un determinado sistema de gobierno (V1y R),cuanto menores sean Qgs, Qdgy Qgms rpido ser eltransistor

    - Obviamente t2-t0QgsR/V1, t3-t2QdgR/V1y PV1=V1QgfS, siendo fSla frecuencia de conmutacin

    vGS

    iV1

    t0 t2t3

    V1

    iV1 R

    Qgs

    Qdg

    Q

    g

    5 Velocidad de conmutacin

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    61/68

    Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:Informacin de los fabricantes

    IRF 540

    MOSFET de los aos 2000

    BUZ80 MOSFET de 1984

    5 Velocidad de conmutacin

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    62/68

    Otro tipo de informacin suministrada por losfabricantes: conmutacin con carga resistiva

    VDSV

    GS

    10%

    90%

    trtd on tftd off

    td on: retraso de encendidotr: tiempo de subida

    td off: retraso de apagado

    tf: tiempo de bajada

    +

    -vDS

    iDT

    +

    -

    vGS

    G

    D

    S+RG

    RD

    5 Velocidad de conmutacin

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    63/68

    Otro tipo de informacin suministrada por losfabricantes: conmutacin con carga resistiva

    IRF 540

    td on: retraso de encendidotr: tiempo de subida

    td off: retraso de apagado

    tf: tiempo de bajada

    +

    -vDS

    iDT

    +

    -

    vGS

    G

    D

    S+RG

    RD

    Prdidas en un MOSFET de potencia

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    64/68

    Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente

    vDS

    iDT

    vGS

    PVI

    Prdidas enconduccin

    Prdidas en conmutacin

    Pcond= RDS(on)iDT(rms)2

    Won

    Woff

    Pconm= fS(won+ woff)

    Prdidas en un MOSFET de potencia

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    65/68

    Prdidas en la fuente de gobierno

    vGS

    iV1

    t0 t2t3

    QgsQdg

    Qg

    PV1= V1QgfS

    V1

    iV1

    R

    Circuito terico

    V1

    iV1

    RB

    Circuito real

    El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    66/68

    El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre

    todo en MOSFETs de alta tensin

    G

    D

    S

    IRF 540

    El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    67/68

    El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin

    Caractersticas trmicasde los MOSFETs de potencia

  • 5/22/2018 Mosfet Pot.untecs

    68/68

    Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia

    Este fabricante denomina mou nt ing base a la cpsulay suministra informacin de la RTHja= RTHjc+ RTHca