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Nanofios SemicondutoresAplicações e Crescimento

PM – II

2012

Aplicações(nanofios de GaN)

(a) PL

Red – single n-GaN

Blue n-GaN/InGaN/p-GaN

(b) SEM - Nanowire device

Bar - 1µm

(c) Eletroluminescência, 4K, V = 12V

barra – 200 nm

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Estrutura e Crescimento

Como é o crescimento desses nanofios e qual sua estrutura?

GaN - MBE

GaN - MOCVD

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Quais são os modelos de cresciemnto?

Au-Ge

Modelo V-L-S

GaN

Modelo de crescimento espontâneo

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Por que os cristais crescem dessa

forma?

Como posso ter organização

regular das estruturas?

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Fundamentos

• Teorema de Wulff

γk – energia de superfície (k)Ak – área da superfície (k)

mínimaAk

k

k=∑γ

cter

k

k=

γ

Fundamentos

• Cinética

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Sc –sticking coefficient

SAG

Ar+

N2+, N

Anteparo

perfurado

Alvo (Ga)

Substrato

(Al2O3)

N2+, N

Plasma

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Concluindo:

Forma dos Cristais

• Teorema de Wulff (termodinâmica)

• Cinética