NJW4814

- 1 - Ver.2015-04-07

昇圧スイッチング電源内蔵 デュアル・Hブリッジドライバ IC

■概 要 ■外 形 ■特 徴

●昇圧スイッチングレギュレータ部 出力スイッチ電圧 40V max. スイッチング電流 1.5A min. PWM制御方式

動作電圧範囲 2.7～5.5V 発振周波数 380k～1MHz ソフトスタート機能 48 ms typ. 過電流保護機能 過電圧保護機能

●Hブリッジドライバ部 Hブリッジを2ch搭載

独立した信号入力 過電流検出電流 300mA typ. 動作電圧範囲 7.0～35V スイッチング周波数 300kHz max. 出力シャットダウン機能 FAULT信号出力機能

●低電圧誤動作防止回路 ●過熱保護機能 ●スタンバイ機能 ●外形 NJW4814MLE : EQFN24-LE

NJW4814は、昇圧用スイッチングレギュレータを内蔵したデュアル・

Hブリッジドライバ ICです。Li-ionバッテリーや5V電源からの昇圧を行

い、２つのHブリッジドライバによりピエゾモータやピエゾスピーカー

を駆動することができます。 昇圧スイッチングレギュレータには、48 ms (typ.)のソフトスタート機

能を内蔵し、電源投入時の突入電流を制限します。 デュアル・Hブリッジドライバは、ch間で独立した信号入力に対応し、

マイコンからの制御性を向上しています。入力周波数は300kHzまで対応

し、異常時にはFAULT信号を出力することが可能です。

NJW4814MLE

NJW4814

- 2 - Ver.2015-04-07

■端子配列

<Top View>

NJW4814MLE

ピン配置 1. IN- 13. OUTA1 2. VDD_SW 14. PGND 3. STBYb 15. OUTB1 4. SHDNAb 16. VDD_HB 5. SHDNBb 17. VOVP 6. INA1 18. OUTB2 7. INA2 19. SW 8. INB1 20. PGND 9. INB2 21. RADJ

10. FLT 22. FB 11. PGND 23. RT 12. OUTA2 24. GND

Exposed PAD onbackside connect to GND

1

INA2

IN-

2 3 4 5 6

VDD

_SW

STBYb

SHD

NAb

SHD

NBb

INA1

INB1

INB2

FLT

PGND

OUTA2

7

8

9

10

11

12

131415161718

19

20

21

22

23

24GND

RT

FB

RADJ

PGND

SW

OU

TB2

VOVP

VDD

_HB

OU

TB1

PGN

D

OU

TA1

NJW4814

- 3 - Ver.2015-04-07

■ブロック図

High Side Gate Driver

Low Side Gate Driver

High Side Gate Driver

Low Side Gate Driver

Control Logic

VDD_HB

Control Logic

UVLO FLT

INA1

OUTA2

OUTA1

GND PGND

High Side Gate Driver

Low Side Gate Driver

High Side Gate Driver

Low Side Gate Driver

Control Logic

Control Logic

OCP

INB1 OUTB2

OUTB1

SHDNAb

INA2

INB2

VOVP

Thermal Shutdown

Buffer

SW

IN-

PWM ERR.AMP

FB

Soft Start

Standby ON/OFF

Vref 1.0V

Oscillator

RT

VDD_SW

STBYb

RADJ

UVLO

OVP OCP

SHDNBb

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- 4 - Ver.2015-04-07

■絶対最大定格 (Ta=25 C)

項 目 記 号 定 格 単 位 昇圧SW.REG.部

電源電圧 VDD_SW -0.3～+6 V SW 端子電圧 VSW -0.3～+40 V RADJ端子電圧 VRADJ -0.3～+6 (*1) V IN-端子電圧 VIN- -0.3～+6 (*1) V STBYb端子電圧 VSTBYb -0.3～+6 (*1) V VOVP端子電圧 (*2) VOVP -0.3～+40 V Hブリッジドライバ部

電源電圧 VDD_HB -0.3～+40 V SHDNAb, SHDNBb 端子電圧

VSHDNAb VSHDNBb

-0.3～+6 (*1) V

INA1, INA2, INB1, INB2 端子電圧

VINA1 , VINA2 VINB1 , VINB2

-0.3～+6 (*1) V

総合

FLT端子電圧 VFLT -0.3～+6 V

消費電力 PD 910 (*3) 2,100 (*4) mW

接合部温度範囲 Tj -40～+150 C 動作温度範囲 Topr -40～+85 C 保存温度範囲 Tstg -40～+150 C

(*1): 電源電圧が6V以下の時は電源電圧と等しくなります (*2): VOVP端子とVDD_HB端子は、必ずショートしてご使用ください。 (*3): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つExposed Pad使用 (*4): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用 （4層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用） ■推奨動作条件

項 目 記 号 最 小 標 準 最 大 単 位 昇圧SW.REG部

動作電源電圧範囲 VDD_SW 2.7 － 5.5 V STBYb端子電圧 VSTBYb 0 – VDD_SW V タイミング抵抗 RT 68 100 200 k 発振周波数 fOSC 380 700 1,000 kHz Hブリッジドライバ部

動作電源電圧範囲 VDD_HB 7 – 35 V 出力スイッチ直流電流 IOM 0 20 – mA SHDNAb, SHDNBb 端子電圧

VSHDNAb VSHDNBb

0 – VDD_SW V

IN1A, IN1B, IN2A, IN2B 端子電圧

VINA1 , VINA2 VINB1 , VINB2

0 – VDD_SW V

FLT端子電圧 VFLT 0 – 5.5 V

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- 5 - Ver.2015-04-07

■電気的特性 昇圧SW.REG.部 (VDD_SW=VSTBYb=3.7V, RT=100k , Ta=25 C)

項 目 記 号 条 件 最小 標準 最大 単位 低電圧誤動作防止回路部

UVLO 解除電圧 VRUVLO_SW 2.1 2.4 2.7 V UVLO 動作電圧 VDUVLO_SW 2.0 2.2 2.5 V UVLO ヒステリシス電圧幅 ΔVUVLO_SW VRUVLO_SW - VDUVLO_SW – 0.2 – V ソフトスタート部

ソフトスタート時間 TSS VB=0.95V 34 48 60 ms 発振器部

発振周波数 fOSC RT=100k 630 700 770 kHz 周波数電源電圧変動 fDV VDD_SW=3.0V～5.5V – 1 – % 周波数温度変動 fDT Ta=-40 C～+85 C – 3 – % 誤差増幅器部

基準電圧 VB Short IN- and FB, Measuring IN- Pin -1.0% 1.00 +1.0% V

入力バイアス電流 IB VB=1.0V -0.1 – +0.1 A

IN-端子 クランプ電圧 VCLIN- VSTBYb=0V, VDD_SW=5.5V, ICLIN-=10 A 4.8 5.2 5.6 V

RADJ端子 FET ON抵抗 RON_RADJ IRADJ=10mA – 6 12 RADJ端子 FET リーク電流 ILEAK_RADJ VSTBYb=0V, VRADJ=3.3V – – 1 A PWM比較器部

最大デューティーサイクル MAXDUTY VIN-=0.9V 90 93 98 % 出力部

スイッチングFET ON抵抗 RON_SW ISW=100mA – 0.6 1.2 スイッチング電流制限 ILMT_SW 1.5 2 – A スイッチングFETリーク電流 ILEAK_SW VSTBYb=0V, VSW=40V – – 1 A 過電圧保護回路部

OVP動作電圧 VDOVP 36 38 40 V OVP解除電圧 VROVP 31 33 35 V OVPヒステリシス電圧幅 ΔVOVP VDOVP -VROVP – 5 – V

OVP端子入力電流1 IOVP1 VOVP= VDD_HB=35V, OVP解除時 – 60 120 A

OVP端子入力電流2 IOVP2 VOVP= VDD_HB=40V, OVP動作時 1,200 2,400 4,000 A

OVP端子リーク電流 IOVP_LEAK VSTBYb=0V, VOVP= VDD_HB=40V – – 1 A

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- 6 - Ver.2015-04-07

■電気的特性 Hブリッジドライバ部 (VDD_SW=VSTBYb=VSHDNAb=VSHDNBb=3.7V, VDD_HB=25V, RT=100k , Ta=25 C) INA1, INA2, INB1, INB2端子、OUTA1, OUTA2, OUTB1, OUTB2端子、SHDNAb, SHDNBb端子共通

項 目 記 号 条 件 最小 標準 最大 単位 低電圧誤動作防止(UVLO) 回路

UVLO 解除電圧 VRUVLO_HB 5.6 6.2 6.8 V UVLO 動作電圧 VDUVLO_HB 5.0 5.6 6.2 V UVLO ヒステリシス電圧幅 ΔVUVLO_HB VRUVLO_HB - VDUVLO_HB – 0.6 – V 入力部

IN端子 High電圧 VIHIN 1.0 – VDD_SW V IN端子 Low電圧 VILIN 0 – 0.4 V IN端子 流入電流 IIIN VIN = 3.3 V – – 1 A SHDNb端子 High電圧 （動作モード） VIHSHDNb 1.0 – VDD_SW V

SHDNb端子 Low電圧 （停止モード） VILSHDNb 0 – 0.4 V

SHDNb端子 プルダウン抵抗 RPDSHDNb VSHDNb=3.3V 210 300 390 k 出力部

ハイサイドSW ON抵抗 RDSH IOSOURCE=20mA 4.0 6.0 8.0 ローサイドSW ON抵抗 RDSL IOSINK=20mA 4.0 6.0 8.0 ハイサイド過電流検出電流 IDCTH High-Side 200 300 400 mA ローサイド過電流検出電流 IDCTL Low-Side 200 300 400 mA 出力立ち上がり時間 tr VIN=0 to 3.3V – 400 – ns 出力立ち下がり時間 tf VIN=0 to 3.3V – 340 – ns 立ち上がりデッドタイム Dtr VIN=0 to 3.3V – 200 – ns 立ち下がりデッドタイム Dtf VIN=0 to 3.3V – 180 – ns 立ち上がり遅延時間 td_ON VIN=0 to 3.3V – 310 – ns 立ち下がり遅延時間 td_OFF VIN=0 to 3.3V – 270 – ns 入力周波数 fIN – – 300 kHz ハイサイドSW OFF時リーク電流 IOLEAKOUTH VSTBYb=VSHDNb=0V, VOUT=0V – – 1 A

ローサイドSW OFF時リーク電流 IOLEAKOUTL VSTBYb=VSHDNb=0V, VOUT=25V – – 1 A

OUT端子–VDD端子間電位差 VPDOV VSTBYb=VSHDNb=0V, IORH=20mA – 0.7 1.0 V

GND端子–OUT端子間電位差 VPDGO VSTBYb=VSHDNb=0V, IORL=20mA – 0.7 1.0 V

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- 7 - Ver.2015-04-07

■電気的特性 総合特性 (VDD_SW=VSTBYb=VSHDNAb=VSHDNBb=3.7V, VDD_HB=25V, RT=100k , Ta=25 C) INA1, INA2, INB1, INB2端子、OUTA1, OUTA2, OUTB1, OUTB2端子、SHDNAb, SHDNBb端子共通

項 目 記 号 条 件 最小 標準 最大 単位 STBYb端子 High電圧 （動作モード） VIHSTBYb 1.0 – VDD_SW V

STBYb端子 Low電圧 （スタンバイモード） VILSTBYb 0 – 0.4 V

STBYb端子プルダウン抵抗 RPDSTBYb VSTBYb=3.3V 210 300 390 k FLT端子 Lowレベル出力電圧 VLFLT IFLT=500 A – 0.20 0.40 V FLT端子 OFF時リーク電流 IOLEAKFLT VFLT=5.5V – – 1 A 消費電流 （スイッチングレギュレータ） IQSW 無負荷 – 1.9 2.8 mA

消費電流 （Hブリッジドライバ） IQHB

fINA= fINB=10kHz antiphase 50% Duty Cycle – 1.0 2.0 mA

消費電流（スタンバイ時） IQSTBY VSTBYb=VSHDNb=0V VDD_HB=0V – 1.6 3.6 A

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- 8 - Ver.2015-04-07

■特性例（昇圧SW.REG.部）

600

620

640

660

680

700

720

740

760

780

800

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Osc

illat

ion

Freq

uenc

yfo

sc(k

Hz)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Oscillation Frequency vs. Temperature(VDD_SW=3.7V, RT=100kW)

0.96

0.97

0.98

0.99

1.00

1.01

1.02

1.03

1.04

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Ref

eren

ceVo

ltage

V B(V

)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Reference Voltage vs. Temperature(VDD_SW=3.7V)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Out

putO

NR

esis

tanc

eR

ON

_SW

(W)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Output ON Resistance vs. Temperature(VDD_SW=3.7V, ISW=100mA)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Switc

hing

Cur

rent

Lim

itI LM

T_SW

(A)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Switching Current Limit vs. Temperature(VDD_SW=3.7V)

300

400

500

600

700

800

900

1000

60 80 100 120 140 160 180 200

Osc

illat

ion

Freq

uenc

yf O

SC(k

Hz)

Timing Resistor RT (kW)

Oscillation Frequency vs. Timing Resistor(VDD_SW=3.7V, Ta=25ºC)

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- 9 - Ver.2015-04-07

■特性例（Hブリッジドライバ部）

0

2

4

6

8

10

12

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Hig

hSi

deSW

ON

Res

ista

nce

RD

SH(W

)

Ambient Temperature Ta (ºC)

High Side SW ON Resistance vs. Temperature(VDD_HB=25V, IOSOURCE=20mA)

0

2

4

6

8

10

12

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Low

Side

SWO

NR

esis

tanc

eR

DSL

(W)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Low Side SW ON Resistance vs. Temperature(VDD_HB=25V, IOSINK=20mA)

0

50

100

150

200

250

300

350

400

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Low

Side

Ove

rC

urre

ntD

etec

tion

I DC

TL(m

A)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Low Side Over Current Detection vs. Temperature(VDD_HB=25V)

0

50

100

150

200

250

300

350

400

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Hig

h Si

deO

ver

Cur

rent

Det

ectio

nI D

CTH

(mA

)

Ambient Temperature Ta (ºC)

High Side Over Current Detection vs. Temperature(VDD_HB=25V)

0

100

200

300

400

500

600

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Out

putR

ise

Tim

etr

(ns)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Output Rise Time vs. Temperature(VDD_HB=25V, VIN=0 to 3.3V)

0

100

200

300

400

500

600

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Out

putF

allT

ime

tf(n

s)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Output Fall Time vs. Temperature(VDD_HB=25V, VIN=0 to 3.3V)

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- 10 - Ver.2015-04-07

■特性例（総合特性）

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

2 3 4 5 6

Qui

esce

ntC

urre

ntI Q

SW(m

A)

Supply Voltage VDD_SW (V)

Quiescent Current vs. Supply Voltage(RT=100kW, No Load, Ta=25ºC)

Switching Regulator Block

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Stan

dby

Cur

rent

I QST

BY

(μA)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Standby Current vs. Temperature(VDD_SW=3.7V, VDD_HB=0V, VSTBYb=VSHDNb=0V)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0 50 100 150 200 250 300

Qui

ecen

t Cur

rent

IQ

HB

(mA

)

Input Frequency fIN (kHz)

Quiecent Current vs. Input Frequency(VDD_SW=3.7V, VDD_HB=25V, Ta=25˚C)

H-Bridge Driver Block

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Qui

esce

ntC

urre

ntI Q

SW(m

A)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Quiescent Current vs. Temperature(VDD_SW=3.7V, RT=100kW, No Load)

Switching Regulator Block

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Qui

esce

ntC

urre

ntI Q

HB

(mA

)

Ambient Temperature Ta (ºC)

Quiescent Current vs. Temperature(VDD_SW=3.7V, VDD_HB=25V, fIN1=fIN2=10kHz)

H-Bridge Driver Block

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

0 5 10 15 20 25 30 35 40

Qui

esce

ntC

urre

ntI Q

HB

(mA

)

Supply Voltage VDD_HB (V)

Quiescent Current vs. Supply Voltage(VDD_SW=3.7V, fINA=fINB=10kHz, Ta=25ºC)

H-Bridge Driver Block

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- 11 - Ver.2015-04-07

■Hブリッジドライバ部 端子動作表

Ach INPUT OUTPUT

SHDNAb INA1 INA2 OUTA1 OUTA2 Low * * Hi-Z Hi-Z High Low * Low * High High * High * High * Low * Low High * High * High

* Don’t Care

Bch INPUT OUTPUT

SHDNBb INB1 INB2 OUTB1 OUTB2 Low * * Hi-Z Hi-Z High Low * Low * High High * High * High * Low * Low High * High * High

* Don’t Care

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- 12 - Ver.2015-04-07

■タイミングチャート

図１ 出力立ち上がり/下がり時間、立ち上がり/下がり遅延時間

INA1, INA2, INB1, INB2

Highside SW Gate (IC internal)

Lowside SW Gate (IC internal)

ON

ON

ON

ON

ON OFF OFF

OFF OFF OFF

High

Low

VDD_HB

PGND

VDD_HB

PGND

Dead-time Dtr

Dead-time Dtf

Dead-time Dtr

Dead-time Dtf

Dead-time Dtr

Dead-time Dtf

90 %

10 % 90 %

10 %

tr tf

OUTA1, OUTA2, OUTB1, OUTB2

図２ Hブリッジドライバ部

10 %

10 %90 % 90 %

10 %

td_ON td_OFF

tr tf

IN1AIN1BIN2AIN2B

OUT1AOUT1BOUT2AOUT2B

90 %INA1 INA2 INB1 INB2 OUTA1 OUTA2 OUTB1 OUTB2

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- 13 - Ver.2015-04-07

■端子説明

端子名称 端子番号 機能

IN- 1 出力電圧を検出する端子です。 IN-端子電圧が基準電圧1.0V typ.となるように出力電圧を抵抗分割して入力します。

VDD_SW 2 SW.REG.への電源供給端子です。 電源供給のインピーダンスを下げるため、ICの近傍にバイパスコンデンサを接続し

てください。

STBYb 3 NJW4814の動作・停止を制御する端子です。 内部は300k typ.でプルダウンされています。 Highレベルで動作、Lowレベルまたはオープンでスタンバイモードとなります。

SHDNAb 4

HブリッジドライバAchの動作・停止を制御する端子です。 内部は300k typ.でプルダウンされています。 Highレベルで動作、LowレベルまたはオープンでHブリッジドライバ AchのFETはOFF(Hi-Z)となります。

SHDNBb 5 HブリッジドライバBchの動作・停止を制御する端子です。 機能は4pinと同様です。

INA1 6 HブリッジドライバAch (片側)の制御信号入力端子です。 ハイサイドSW を動作させるにはHigh レベル、ローサイドSW を動作させるには

Lowレベル信号を入力してください。

INA2 7 HブリッジドライバAch (片側)の制御信号入力端子です。 機能は6pinと同様です。

INB1 8 HブリッジドライバのBch (片側)の制御信号入力端子です。 機能は6pinと同様です。

INB2 9 HブリッジドライバBch (片側)の制御信号入力端子です。 機能は6pinと同様です。

FLT 10

異常時に信号を出力します。 オープンドレイン形式になっており、プルアップ抵抗を通じて、外部電源に接続し

てください。正常時はFETがOFFし出力電圧：Highレベル、異常時はFETがONし、出力電圧：Lowレベルになります。

PGND 11 HブリッジドライバのパワーGND端子（注１）

OUTA2 12 HブリッジドライバAch (片側)の出力端子です。 300mA typ.以上の電流が流れると、過電流検出機能によって動作を停止します。

OUTA1 13 HブリッジドライバAch (片側)の出力端子です。 機能は12pinと同様です。

PGND 14 HブリッジドライバのパワーGND端子（注１）

OUTB1 15 HブリッジドライバBch (片側)の出力端子です。 機能は12pinと同様です。

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- 14 - Ver.2015-04-07

■端子説明（続き）

端子名称 端子番号 機能

VDD_HB 16 Hブリッジドライバへの電源供給端子です。 電源供給のインピーダンスを下げるため、ICの近傍にバイパスコンデンサを接続し

てください。

VOVP 17 SW.REG.の過電圧検出端子です。 過電圧を検出するとVOVP端子は電流を吸い込み、出力電圧を放電します。 VOVP端子とVDD_HB端子は、必ずショートしてご使用ください。

OUTB2 18 HブリッジドライバBch (片側)の出力端子です。 機能は12pinと同様です。

SW 19 SW.REG.のFETスイッチ出力端子です。 PGND 20 SW.REG.のパワーGND端子（注１）

RADJ 21 スタンバイ時にRADJ端子はハイインピーダンスとなり、出力電圧設定抵抗に電流

が流れるのを防止します。

FB 22 SW.REG.のフィードバック設定端子です。 FB端子－IN-端子間にフィードバック抵抗・コンデンサを接続します。

RT 23 タイミング抵抗を接続して、SW.REG.の発振周波数を決める端子です。 発振周波数は、380k～1MHzの間で設定してください。

GND 24 GND端子（注１） Exposed

PAD – GND端子に接続されています。

（注１）GNDは、チップ内部でショートしています。

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- 15 - Ver.2015-04-07

■Hブリッジドライバ部 過電流保護回路 内蔵のハイサイドSW に IDCTH以上またはローサイドSW に IDCTL以上の電流が流れると、過電流保護機能が動作しま

す。過電流保護機能は次の3段階で動作します。 (1) 検出動作 ・スイッチングレギュレータパワーMOSFETをオフ ・HブリッジドライバのパワーMOSFETをオフ ・ソフトスタートをリセット ・FB端子電圧をリセット

・VOVP端子－GND端子間にダミーロードを接続

(2) 出力停止 過電流検出後、500 ms typ.の間、(1)に示した保護動作を継続します。

(3) 復帰動作

出力停止後、ソフトスタート動作を開始します。ソフトスタート完了後は、通常動作に移行します。

NJW4814

- 16 - Ver.2015-04-07

■アプリケーション回路例

＜注意事項＞

このデータブックの掲載内容の正確さには

万全を期しておりますが、掲載内容について

何らかの法的な保証を行うものではありませ

ん。とくに応用回路については、製品の代表

的な応用例を説明するためのものです。また、

工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴

うものではなく、第三者の権利を侵害しない

ことを保証するものでもありません。

STBYb

VIN VOUT

VDD_SW

IN-

FB

SW

D1

C1 10 F R2

240 k

L1 3.3 H

NJW4814Stand-by

RADJ

OUTA1

OUTA2

VDD_HB

PGNDGND

SHDNAb Shutdown (H-Bridge Driver Ach.)

INA1

FLT

INA1

FAULT

R6 100 k

Pull-Up

R1 10 k

C2 0.1 F

RON_RADJ

)V(0.25)V(1)k(10)k(2401V

RR1V B

1

2OUT

OUTB1

OUTB2

VOVP

INA2

INB1

INB2

INA2

INB1

INB2

C5 1,500 pF

R3 100

C4 22 nF

RT

R5 100 k

SHDNBb Shutdown (H-Bridge Driver Bch.)

R4 100

C6 0.1 F

C3 4.7 F