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8/16/2019 Npcil Ques
1/17
Q P EC: EEE216B2 N : 1
1.
2.
3. R
1) 2) 3) 4)
8/16/2019 Npcil Ques
2/17
4.
5.
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3/17
6.
7. A
1) 2) I 3) 4)
8. T 0.8, 11%. T 0.8 1) A 20% 2) A 15%3) A 3% 4) A 30%
9. ,
1) D 2) E 3) 4)
10. T
1) 0.2/ 2) 1.5/3) 5.0/ 4) 100/
11. ?
1) 2) 3) 4)
12. T 3
1) 2) 3) B (A) (B) 4)
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13. FD 45 H 50 H .C 45 H, 50 H :
1) 45 H 2) 45 H 3) 4)
14. T :1) I 2) I 3) I 4) A
15. T :
1) 2) E
3) 4)
16. F , :
1) G 2) 3) D 4)
17. T :
1) 2) G3) G 4)
18. B
1) 2) 3) 4)
19. M
1) 2) 3) 4) A
20. L
1) 2) C 3) F 4)
21. R DC .
1) 2) C3) F 4) I
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22. A DC
1) D 2) I 3) 4)
23. T DC , :
1) 2) 3) C 4) D
24. T MOSFET
1) A 2) A 3) A 4) A
25. A BJT & MOSFET :
1) G 2) FC3) IGB 4) C
26. A AC 50 H 4 Ω & 12.73 H .T
1) 0 180 2) 45 1803) 90 180 4) 0 45
27. A . T SCR DC . T
1) B
2) B
3) AC
4) C , C
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28.
29.
1) I AC 2) I AC
3) I AC 4) I AC
30. ,
1) A 3 2) A
3) A 4) A &
31. A SCR
1) B 2) B 3) B 4) B
32. A SCR 650 PI. 2?
1) 325 2) 230 3) 459 4) 650
33. A 20,000. CMRR=80 B. T :
1) 2 2) 13) 1/2 4) 0
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34. A RLC 1.4 3.89 H 4.1 H.A 4 H, :
1) 2 2) 1
3) 1.4 4) 2.8 35. A 50, 1 Ω 2.5 Ω.T
0.2
1) 1/11 Ω 2) 1/5 Ω3) 5 Ω 4) 11 Ω
36. A 100 Ω 1 H . T () = 40+200 ω + 50 (3ω + 45) +15 (5ω+ 30), , ω = 105 /. T :
1) 17.3 2) 117.3 3) 100.0 4) 97.3
37.
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38.
39. A D.C. 90% 250 18 A . I D.C. 250 18 A,
1) 90% 2) 91.12%3) 88.88% 4) 87.12%
40. A D.C. D.C. . I ,
1) C 2) D
3) C 4) D
41. A D.C 1.8 200 . I 0.4 Ω 200 Ω . ?
1) 190 2) 196 3) 204 4) 210
42. A D.C. R R . A 1) 2)
3) 4)
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43. I H D.C. ,
1) 2) 3) 4)
44. F 1.25 Ω.E 1.5 0.2 Ω. T
1) 3.33 A 2) 23.33 A3) 5 A 4) 1 A
45. A D.C. 1140 . A , 5% 10%. T :
1) 1080 2) 12033) 1000 4) 1200
46. A 220 , D.C. 1 Ω. I 20 A, :
1) 20 2) 3) 40 4) 50
47. A 8, D.C. 32 6 . I 0.06 .T 250 . T :
1) 96 2) 192
3) 384 4) 768 48. A D.C. 230 , 1000 , 80 A. T 0.11 Ω 0.41 Ω.
I 20 A 0.4 , 20 A?
1) 2378 2) 2478 3) 2578 4) 2678
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49.
50. A
1) A 2) A
3) A
4) A
51.
52. I GH() , N G()H()=(π/)0.25
1) 0.25 2) 0.50
3) 1.00 4) 2.00
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53. ? T
1) 40 B/ 2) 12 B/3) 6 B/ 4) 3 B/
54. T R'
1) C 2) 3) 4)
55. ?
1) 2) H
3) 4)
56. A SCR
1) 2) B
3) 4) B
57. ?
1) 2) 3) 4)
58. I , :
1) /2 2) /2 3) / 2 4) /2
59. A . T .
1) C 2) B3) 4)
60. A R 1 = 10 Ω C1 = 0.01F. T .
1) 1.59 H 159 H 2) 159 H 1.59 H3) 1.59 H 1.59 H 4) 159 H 159 H
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61. A 1000 0.04. I 10% , .
1) 0.35% 2) 0.55%3) 0.25% 4) 0.45%
62. A
1) D 2) 3) A 4) F
63. T R NC JFET IDSS = 40 A, = 10 GSQ = 5 .
1) 300 Ω 2) 200 Ω3) 400 Ω 4) 500 Ω
64. H .
1) B 2) G 3) I 4) H
65. A 500 μA 1 Ω. T (0 50)
. T :1) 100 Ω 2) 50 Ω3) 99 Ω 4) 101 Ω
66. T 1 = 100 1% ; 2 = 80 5% :1) 4% 2) 2.8%3) 6% 4) 3%
67. A 0 200N 0.15 . ?
1) 0.15 2) 3.33 3) 0.3 4) 6.66
68. A 250 . T 2000 Ω. I 200 , ?
1) 20 2) 10 3) 230 4) 270
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69. T 40 A 50 A , . T
1) 2) B
3) 4) 70. A 0 150 1% . T 75. T
(%) :
1) 1.00 % 2) 2.00 %3) 0.5 % 4) 1.5 %
71.
72.
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14/17
73.
74. M π. T :
1) 0 2) 13) 1/√2 4) √2
75. I ()= 3+42 + 53. T :
1) 2) 3) 4)
76. D
1) A 2) 3) 4)
77. A 1 . ?
1) 2) 1/3) 1/ 4)
78. I 10 ,
1) 20 B 2) 20 B
3) 90 4)
90
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79.
80. T 3 2 . T .T . I :
1) 2) ()3) 0.5() 4) 0.5 ()
81. T PMMC 10 Ω/. I ,
?1) 10 Ω/ 2) 9 Ω/3) 4.5 Ω/ 4) 22.2 Ω/
82. T
1) 2) C 3) E 4)
83. A 50 H. T 10 H
1) 60 H 2) 40 H3) 60 H 40 H 4)
84. T
1) D 2) F 3) A 4) A
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85.
1) A 2) C
3) A 4) A
86. I , 132 , 0.3; 0.95 ; 16 H.T :
1) 10.83 / 2) 6.25 /3) 8.43 / 4) 9.83 /
87. A 1000 M 1000 M 2 , 500 M 6 . I
60 . T :
1) 20.8% 2) 25.6%3) 15.7% 4) 18.9%
88. A 600 . A 1 A 0.3 . I 90 1 , / : (T C 1.1844 /1A)
1) 345.6 2) 125.63) 187.3 4) 253.4
89. A 500 A, 1100 , 50 H, 3 0.1 /. T . T :1) 769 2) 832 3) 692 4) 935
90. A 7 5%.I , 1) 0.607 2) 0.8163) 1.225 4) 1.616
91. ,
1) 2) 3) 4)
92. ?1) I A 2) D A
3) 4)
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17/17
93. A DOL ,
1) 2) 3) 4)
94. T :
1) 360 2) 7203) 1080 4) 2160
95. I 6, 50 H 950 , ?
1) 1000 2) 450 3) 1900 4) 975
96. I 400 , 50 H, , 3 400 , 75 H ,
1) 2) I3) 4) I
97. A 25 HP, 400 , 50 H, 4 :R =0.641, R =0.332, =1.106, =0.464 =26.30 R 1.1 . C . I 2.2% , :
1) 89.3 % 2) 80.83 %3) 91.2 % 4) 95.6 %
98. I ?
1) 2) 3) 4)
99. T 4
(/) . A 50 H 400 , 1440 . F 30 H, .
1) 882 2) 864 3) 840 4) 828
100. DD 30 A , 3 :
1) 11.5 A 2) 17.3 A3) 20 A 4) 25.9 A