总机：0755-88301542 传真：0755-88303463 ......2015/11/25 · C9 1 E-CAP 2.2uF/400V 20% Ф6.3*8mm MOV1 1 压敏电阻 7D471 P=5mm RL1 、RL2 2 NC L1 1 工字电感 3mH Ф0.23mm

地址：深圳市南山区科技园南区高新南一道赋安大厦 B 座 902-903 室

邮编：网址：http://www.chiplink-semi.com

总机：0755-88301542 传真：0755-88303463

http://www.chiplink-semi.com - 1 - CL1553_LED18W0.24A_SZ01

2015-09-25

SEMICONDUCTOR

CL1553_LED18W0.24A_SZ01 规格书

特点：

非隔离、高效率、有源功率因数校正

电感电流临界连续模式

优异的线性调整率和负载调整率

LED 开路/短路保护

CS 电阻开路保护

工作温度范围-40℃~90℃

认证工程师结构工程师电气工程师审核

NC NC ZF

版本记录

日期版次描述

2015-9-24 01 初定



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SEMICONDUCTOR

目录

1. 设计规格 ...................................................................................................................................................................................... - 3 - 2. 原理图 .......................................................................................................................................................................................... - 4 - 3. Pcb Layout .................................................................................................................................................................................. - 4 - 4. 元件清单 ...................................................................................................................................................................................... - 5 - 5. 变压器绕制 .................................................................................................................................................................................. - 6 - 6. 性能测试报告 .............................................................................................................................................................................. - 7 -

1) 输入电流 .............................................................................................................................................................................. - 7 - 2) 静态功耗 .............................................................................................................................................................................. - 7 - 3) 效率·PF 值·THD 测试 ...................................................................................................................................................... - 8 - 4) 输出电压-输出电流曲线 .................................................................................................................................................... - 9 - 5) 线性调整率和负载调整率 .................................................................................................................................................. - 9 - 6) 启动时间 ............................................................................................................................................................................ - 10 - 7) 直流输出上升时间 ............................................................................................................................................................ - 10 - 8) 输出电压纹波 .................................................................................................................................................................... - 10 - 9) 短路保护 ............................................................................................................................................................................ - 10 - 10) MOSFET 和输出整流管承受应力 .................................................................................................................................. - 11 - 11) 温升 ............................................................................................................................................................................... - 12 - 12) EMI 测试 ........................................................................................................................................................................ - 13 -



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SEMICONDUCTOR 1. 设计规格

项目符号最小值最大值单位备注

输入规格

输入电压 VIN 90 264 VAC

输入频率 Fl 47 63 Hz

静态功耗 (230VAC) PIn_ Standby 340 mW

输出规格输出电压 VOUT 72 75 V

输出电流 IOUT 0.24 A

输出纹波电压 IRIPPLE 12 VP_P 满载输出 @TA=25℃

频带宽度20MHz

输出功率

满载输出功率 POUT 18 W

输出功率极值 POUT_MAX 20 W

电气性能&环境

效率 η 88 90 92 % 220 VAC/50Hz，满载

线性调整率 3 %

负载调整率 3 %

环境温度 TAMB -40 90 ℃



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2015-09-25

SEMICONDUCTOR

2. 原理图

3. Pcb Layout

PCB 顶层（L*W 31*21mm）

PCB 底层（L*W 31*21mm）



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SEMICONDUCTOR 4. 元件清单

Position Quantity Description Package

U1 1 CHIPLINK CL1553 SOP-8

C1,C2 2 CAP-CBB 220nF/450V 20% P=10mm

C3 1 E-CAP 82uF 100V ±20% Ф8*16mm

C9 1 E-CAP 2.2uF/400V 20% Ф6.3*8mm

MOV1 1 压敏电阻 7D471 P=5mm

RL1 、RL2 2 NC

L1 1 工字电感 3mH Ф0.23mm Ф8*10mm

LF1 1 绿环镍锌材质环型电感 500uH Ф9*5*3

BD1 1 MB10F 0.5A/1000V MB10F

F1 1 保险丝 1A/250V Ф3.6*11mm Ф3.6*11mm

D2 1 Diode 2A,600V ES2J SMB

D1 1 Diode 1A,1000V M7 SMA

D3 1 Diode 1A 1000V F7 SOD-123

R2、R3 2 RES 1M 5% SMD 1206

R4、R5 2 RES 240K 5% SMD 1206

R7 1 RES 1.6R 1% SMD 0805

R8 1 RES 1.8R 1% SMD 0805

R1 1 RES 5.6K 5% SMD 0805

R6A、R6B 2 RES 30K 5% SMD 1206

R9 1 RES 3.6K 1% SMD 0805

R10,R11,R12 3 RES 100K 1% SMD 0805

C4 1 CAP 470nF/50v, X7R 20% SMD 0805

C7 1 CAP 10nF/1KV, X7R 10% SMD 1206

C5 1 CAP 10uF/25V, X7R 10% SMD 1206

T1 1 Transform EE14 立式 (4+4) Ф0.23mm*130Ts 0.85mH EE13 (5+5)立式

1 PCB 21*34mm 双面板

34



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SEMICONDUCTOR 5. 变压器绕制

骨架类型 PIN 数目针距排距备注 Ae

EE14 4+4 2.5mm 10mm 立式 23mm²

备注:1)、CORE：EE14 TDK PC40。

2)、BOBBIN：EE14 4+4 立式骨架。

3)、线包包黄色玛拉胶纸。合上磁芯后用 6mm 宽黄色玛拉胶纸沿磁芯四周缠绕二圈固定磁芯。

4）、磁芯加气隙，真空浸油，烤箱烘干。

5) 、拨掉 pin3/pin4/ pin5/ pin7/ pin8。

电感量：LP(N1)Pin2-1 ＝0.85mH±5％； (10KHZ 0.25V)

耐压（Pressure Testing）：

PRI（初级 N1）-CORE（磁芯） 2500VAC 5mA/5S。

绕组材质起脚位收脚位圈数备注

N1 φ0.23mm*1 2UEW 2 1 130 八层

Tape TAPE W=0.1mm 2



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SEMICONDUCTOR 6. 性能测试报告

测试样机 CL1553_LED18W0.24A_SZ01

测试日期 2015/09/24

测试温度 25℃

测试设备交流电压源: 6810 AC POWER SOURCE (MG-0010) 电子负载: ITECH (IT9012B)

功率计: YOKOGAWA (WT210)

示波器: Tektronix (GPO3014)

测试项目 1. 输入电流 2. 静态功耗

3. 效率·PF值·THD测试

4. 输出电压-输出电流曲线

5. 线性调整率和负载调整率

6. 启动时间

7. 直流输出上升时间

8. 芯片VCC电压

9. 输出电压纹波

10. 短路保护

11. MOS管和输出整流管应力

12. 温升

13. EMI测试图形

1) 输入电流输出满载条件下测试输入电流

输入电压输入电流 (mA)

90V/60Hz 189

264V/50Hz 69

2) 静态功耗输出空载条件下测试输入功率

输入电压输入功率(mW)

90V/60Hz 120

120V/60Hz 250

230V/50Hz 320

264V/50Hz 340



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SEMICONDUCTOR 3) 效率·PF值·THD测试

75V

Vin

（Vac） Pin（W） PF THD（%） Vout（V） Iout（mA） EFF（%）

90 19.68 0.905 45.91 75.01 237 90.3

120 19.38 0.962 26.45 75.02 238 92.1

150 19.25 0.972 18.78 75.01 239 93.1

180 19.31 0.967 18.23 75.01 238 92.4

220 19.37 0.942 22.25 75.01 239 92.5 264 19.54 0.910 28.87 75.02 238 91.3

72V

90 18.87 0.914 43.44 72.01 237 90.4

120 18.59 0.961 25.04 72.03 237 91.8

150 18.53 0. 972 18.09 72.01 238 92.4

180 18.54 0.965 18.21 72.03 238 92.4

220 18.62 0.938 22.56 72.05 239 92.4

264 18.77 0.905 29.73 72.01 238 91.3

69V

90 18.08 0.924 40.86 69.1 236 90.2

120 17.82 0.957 22.7 69.05 238 92.2

150 17.71 0.973 17.66 69.06 238 92.8

180 17.78 0.963 18.45 69.03 238 92.4

220 17.87 0.934 22.97 69.05 239 92.3

264 17.99 0.885 29.84 69.06 238 91.3

66V

90 17.29 0.932 36.27 66.02 237 90.5

120 17.06 0.968 21.52 66.03 238 92.1

150 17.00 0.973 17.22 66.01 237 92.0

180 17.02 0.962 18.87 66.05 238 92.3

220 17.12 0.929 23.75 66.03 238 91.8

264 17.57 0.879 30.40 66.04 238 89.4



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SEMICONDUCTOR 4) 输出电压-输出电流曲线

5) 线性调整率和负载调整率由下表数据测算线性调整率和负载调整率

输入电压负载情况输出电流（mA）线性调整率(%) 90V/60Hz

75V/0.24A

237

0.84

120V/60Hz 238

150V/50Hz 239

180V/50Hz 238

220V/50Hz 239

264V/50Hz 238

90V/60Hz

72V/0.24A

237

0.84

120V/60Hz 237

150V/50Hz 238

180V/50Hz 238

220V/50Hz 239

264V/50Hz 238

90V/50Hz

69V/0.24A

237

0.84

120V/50Hz 238

150V/50Hz 238

180V/50Hz 238

220V/50Hz 239

264V/50Hz 238

90V/50Hz

66V/0.24A

237

0.42

120V/50Hz 238

150V/50Hz 237

180V/50Hz 238

220V/50Hz 238

264V/50Hz 238

负载调整率(%) 120Vac—0.4% 220Vac—0.4%



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SEMICONDUCTOR 6) 启动时间

以满载为测试条件。测量开机启动瞬间与开始输出稳态电压之间的时间间隔。

90V/60Hz-----560mS 220V/50Hz-----180mS

7) 直流输出上升时间以满载为测试条件。测量开机后，输出电压从幅值的10%变化到90%所需的时间。

90V/60Hz-----66mS 264V/50Hz-----34mS

8) 输出电压纹波以满载为测试条件。使用带宽极限为20MHz的示波器进行测量。

90V/60Hz -----12V 264V/50Hz -----8V

9) 短路保护



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SEMICONDUCTOR 以满载为测试条件。测量短路及短路去除后MOSFET的VDS波形。

90V/60Hz -----短路及短路去除后恢复 264V/50Hz -----短路及短路去除后恢复

90V/60Hz-----恢复后VDS波形局部放大 264V/50Hz -----恢复后VDS波形局部放大

10) MOSFET 和输出整流管承受应力以满载为测试条件。

MOSFET-VDS-264V/50Hz -----390V 输出整流管-Vrrm-264V/50Hz -----390V



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SEMICONDUCTOR 11) 温升

分别以输入 90VAC/50Hz、264VAC/50Hz 以及满载为测试条件。测试环境温度为 75℃带壳测试时各元件的

温度。编号测试项目 90VAC 输入 264AC 输入

1 变压器磁芯 109.9℃ 105.5℃

2 变压器线包 116.7℃ 106.9℃

3 工字电感 104.1℃ 90.1℃

4 IC 102.7℃ 98.6℃

5 输出二极管 115.1℃ 110.6℃

7 桥堆 108.5℃ 95.5℃

8 输出电容 107.7℃ 110.4℃

9 环境温度 75℃ 75℃



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2015-09-25

SEMICONDUCTOR 12) EMI测试

传导测试

230V EN55015 N

6.1DB 裕量

230V EN55015 L

7.3DB 裕量

辐射测试

230V EN55015 3M Vertical

4.45DB 裕量

230V EN55015 3M Horizontal

19.8DB 裕量

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总机：0755-88301542 传真：0755-88303463 ......2015/11/25 · C9 1 E-CAP 2.2uF/400V 20% Ф6.3*8mm MOV1 1 压敏电阻 7D471 P=5mm RL1 、RL2 2 NC L1 1 工字电感 3mH Ф0.23mm