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「東北の中小企業を世界に羽ばたく企業に」 東北イノベーションキャピタル株式会社 取締役 次世代自動車宮城県エリア 事業化・商品化・推進委員会委員 高橋四郎 Deｃ．１ ‘１６ 次世代自動車のための産学官連携イノベーション 1

「東北の中小企業を世界に羽ばたく企業に」GaN:Si GaN:Mg InGaN/GaN 5 QWs SCAM Electroluminescence (EL) units) 400 600 800 1000 Wavelength (nm) 460 nm (14 mA) RT, 14mA

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「東北の中小企業を世界に羽ばたく企業に」

東北イノベーションキャピタル株式会社 取締役

次世代自動車宮城県エリア

事業化・商品化・推進委員会委員

高橋四郎 Deｃ．１ ‘１６

次世代自動車のための産学官連携イノベーション

1

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震災以降の変化

生命の大切さ知る

ピュアな精神に変化

心理の探求強まる

より高い目標掲げる

日本一、世界に一つ(知財権確保)

スポーツが先行して成果出す

意欲の高揚

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新規事業を成功させるためには

人間の福祉社会に役立つ物

これまでに世の中でなかった事業

これまでに市場になかった商品

特許を取得可能であること

新規事業は年間売上伸びを２０％以上

経常利益率を１０％以上確保出来ること

コーディネータ、連携支援者は大学、企業と妥協してはならない

東北大学の技術シーズを組み込んだ新規事業は世界的な独創性を生める

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自動車用パワー半導体主軸基板と

金属単結晶の開発・事業化

株式会社福田結晶技術研究所

代表取締役社長 福田承生

東北大学金属材料研究所

教授 松岡隆志

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会社名 株式会社福田結晶技術研究所

代表取締役 福田承生

所在地 （本社）〒９８９－３２０４ 宮城県仙台市青葉区南吉成６丁目６－３ＩＣＲビル１Ｆ

ＴＥＬ／ＦＡＸ （本社）ＴＥＬ：022-303-0１７0 / ＦＡＸ： 022-303-0171

URL http://www.fxtal.co.jp/

設立 平成14年1月24日

資本金 5,190万円

従業員数 14名、他 企業出向者13名

事業内容

・単結晶材料開発と単結晶製造技術開発

・単結晶製造装置の設計、製造

・単結晶関連の研究から製品化までのコンサルタント

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車両ＩＧＢＴ（パワー半導体）用サファイア基板供給

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高耐圧、高容量化 １．４ｋｖ－３００A～３．３ｋｖ－６００A

大見見解 Ｓｉ基板は１．１ｋｖ以上で車両用として耐圧確保限界

ＳｉＣ基板、東芝、富士電機 ＳｉＣ基板予定も（国プロで推進されて来た） １２００°Ｃ以下の石英管炉使えず 次行程でのラジカル酸化、室化処理不可 電極剥離など問題有り、２ ～４年先の実用化

サファイア開発 単結晶引上げルツボ開発中イリジウム単価１億円→４００万円の新材へ １．５㎜厚スライス ワイヤソーは確立済み 結晶成長方位で成長スピード５倍が確保 その結晶方位M-１５面がＧａＮへの高効率作用有り確認中 研削スピード従来の３０日を７Ｈｒsに 高速研磨ダイヤとレーザー加工 ６７０μｍｍスライス基板 荒さ Ｒ；０．１nｍ

Shirou Takahashi

サファイア基板、高耐圧、Ｓｉ並大幅ＣＤ要 これまで８インチ大型化不可、コスト高で敬遠されていた

２０１４年１月３０日 地域イノベーション戦略支援プロジェクト 人材育成プログラム成果発表会

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車両IGBT（パワー半導体）にサファイアを

サファイア基板供給のためのIGBTの性能確認

宮本直人准教授

松岡隆志教授

サファイア基板M軸のＩＧＢＴでの効率の確認

IGBT １．１ｋｖ以上の開発試作

Shirou Takahashi

大見忠弘館長設計図 サファイア基板放熱構造開発設計

上山 智教授 成塚重弥教授 （名城大学）

福田承生社長

分担確認会議開催 ２月初め

８～１０インチφ 長さ５０ｃｍ供給可

2013～2014年のパワー半導体用主軸基板体制

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事業と功績

平成１４年 １月 株式会社福田結晶技術研究所 設立 資本金1,000万円 福田社長が東北大学金属材料研究所並びに同大学多元物質 科学研究所の教授として蓄積してきた単結晶作成に関する技術 を基に単結晶作成技術のコンサルタンティング会社としてスタート。

平成18年 5月 ㈱福田結晶技術研究所 「結晶センター」立ち上げ。 酸化亜鉛結晶開発に着手。

平成19年 6月 代表取締役社長福田氏がポーランド物質材料開発財団よりアジア で初めて「ヤン・チョクラルスキー・ゴールドメダル」を受賞。

平成20年 1月 代表取締役社長福田氏が「河北文化賞」を受賞。

平成23年11月 代表取締役社長福田氏が日本結晶成長学会の最高位賞である 「第6回業績賞および赤崎勇賞」を受賞。

平成26年 8月 GaN LEDおよびLD用新結晶「ScAIMgO₄」を開発。

平成27年10月 振動発電用 鉄ガリウム合金の単結晶を開発。

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平成２８年 Ni-BN金属単結晶主軸基板、Low lattice mithmateh

平成２８年９月 ヨーロッパ結晶学会 スキャム、金属単結晶に驚嘆。 招待講演 福田社長、松岡教授 ポーランドにて。

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SCAM（ScAlMgO₄）の誕生

１９９５年AT&T Bell研、発見もサブグレインの微細単結晶で留まる。 その後近年PhilipｓがBell研と福田教授に結晶作成呼び掛け。

２０１３年自動車用パワー半導体、IGBTの開発急務。 耐圧1.1ｋｖ以上でSi基板脱落（大見教授） サファイア基板のGaNとの格子定数差圧縮検討、方位、面で。（福田社長） 国はSiCのIGBTを主力視していたが、SiCの素性を髙橋と福田は疑っていた。 格子定数のミスマッチを圧縮することを松岡教授は１９８０年代から熱望し ていた。 福田社長はLED用のサファイアの大型化と低コスト化進める。

高価格イリジュームルツボを1／１０に。 炉内構造改善でエネルギー経費半減、効率上げ時間短縮。 各種試作件数の消化が容易になる。 SCAM単結晶は桃太郎の如く急誕生。 その近くに松岡教授が居た。

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日亜化学工業株式会社 人材派遣, 設備資金提供, パワー半導体工場建設 パナソニック株式会社 人材派遣, 設備資金提供 住友商事株式会社 設備販売 株式会社福田結晶技術研究所 設備販売+デバイス売上よりのロイヤリティ 収入

民間企業との事業連携

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Substrate Sapphire (0001) SCAM (0001) Ni (111)

Da (%) 13.8 -1.9 0.4

Dislocation Density (/cm2) 108 - 109 106 - 107 ?

Wafer Bowing of GaN/sub. Large Small ?

Wafer breaking during cooling Wafer breaking Wafer separation

due to cleavage wafer separation

HVPE GaN

MOVPE GaN

Sapphire (0001)

HVPE GaN

MOVPE GaN

SCAM (0001)

HVPE GaN

MOVPE GaN

Ni (111)

Fabrication of Free-standing GaN Wafers

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h-BN

Cleavage Separation

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2”f SCAM Single Crystal

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LED Structure p-electrode (Ni/Au)

n-electrode (Ti/Al/Ti/Al)

GaN:Si

GaN:Mg

InGaN/GaN 5 QWs

SCAM

Electroluminescence (EL)

EL inte

nsity (

arb

. units)

1000800600400

Wavelength (nm)

460 nm (14 mA)

RT, 14mA

ScAlMgO4 is a promising material as a substrate for GaN devices.

460 nm @ 14 mA

LED on SCAM Substrate

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金属単結晶に引き続きN-BN金属単結晶Ni主軸基板を開発 Ni Single Crystal: <111> 2”f×100ℓ

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low lattice mismatch at growth temperature

h-BN Ni

H-BN Quality vs. Growth Temperature

Y. Kobayashi et al., J. Cryst. Growth, 298(2007)325 15

米MIT発想で松岡教授が受けて、単結晶は福田社長が開発実現

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62mmf ×150mmℓ

50mmf ×125mmℓ

2” f <100> Fe-Ga Alloy Single Crystals

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金属単結晶が磁歪定数300×10-6で安価に

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素子開発は金沢大学 上野准教授

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高効率バックライトとアイリス結像液晶モニター

車両用世界一明るい鮮明な HUD を想起させる原型

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低消費電力 高性能医療用ディスプレイ 2017年度ケイテックブランド製品で誕生。 これこそケイテックを世界に羽ばたかせる絶大な産学の努力が地方創成をこの地で為し得た。

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空間結像アイリス面型・個人50インチディスプレイ 高橋四郎編集 基本構成図 JST 理事長への説明会 川上 徹准教授資料 東北大学URL「空間結像アイリス面HUDの研究開発

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超臨界CO₂塗料を用いた高精度・高塗着効率 塗装システムの開発 自動車用塗膜無検査システム研究開発

開発進行中

加美電子工業株式会社 代表取締役社長 早坂 裕

加美電子工業株式会社 執行役員 早坂宣晃

加美電子工業株式会社 顧問 長谷川正治

加美電子工業株式会社 開発部長 千葉雄一

加美電子工業株式会社 佐藤 仁

東北大学マイクロシステム融合研究開発センター長名誉教授 江刺正喜

東北大学マイクロシステム融合研究開発センター准教授 戸津健太郎

ＪＳＴマッチングプランナー 磯江準一

次世代自動車プロジェクト推進委員 石山 雅

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KAMI Electronic Industry Co.,Ltd

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超臨界CO2を用いた超微粒子・高密度方式 高精密度塗着効率塗装システム開発

2014 . 7 . 7 加美電子工業株式会社

【 申請企業概要 】 ・社 名 ：加美電子工業株式会社 ・設 立 ：昭和45年 6月 ・所在地 ：宮城県加美郡加美町 ・資本金 ：4,800万円 ・従業員 ：104名（H26.3.31現在） ・事業内容：金属、プラスチック塗装・スクリーン印刷を主とした事業展開 ・主要取引先：アルプス電気、三菱電機、パナソニック、信越ポリマー

光学機器部品 車載電装部品

車載内装部品(ピアノ調ブラック) HONDA VEZEL

金属外装 携帯端末部品

【 主な製品 】

宮城県加美郡加美町

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KAMI Electronic Industry Co.,Ltd

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【 技術紹介 】

超臨界ＣO2塗装（環境に優しい）

2007年からVOC削減を目的として産官学連携にて開発を開始した

・2009年 3月 富県宮城グランプリ受賞 第3回ものづくり日本大賞特別賞受賞 ・2011年10月 超臨界CO2塗装装置第1号機納品 ・社内：3台 外部販売実績：3台 ・関連特許 2件 取得

超臨界状態 ※CO2の場合 温度:31℃ 圧力:7.4MPa

臨界点 三重点

液体

気体

固体

圧力

温度

「気体のような拡散力」と 「液体のような溶解力」を持つ流体

・VOCの発生を抑制 → 従来比1/3

・希釈溶剤削減によるコスト低減 → 希釈溶剤費1/10

・塗料粘度を下げ、微粒化促進 → 塗膜意匠性向上

超臨界CO2塗装の特長 超臨界流体とは

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新超微粒子・高密度方式

KAMI Electronic Industry Co.,Ltd

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【 塗装業界の問題点 】

塗着効率が悪く、VOCの削減が不十分!

スプレー：30%～70%

超微粒子・高密度スプレー：100%

VOC排出量内訳

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【 塗装方式比較 】

100mm

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KAMI Electronic Industry Co.,Ltd

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【 波及効果 】

Step-1 Step-2

社内での小物部品塗装で実績を

積み、新塗装装置販売を実現して

新たな雇用の創出に繋げる


02 NM cesky 17 28:17 48 ITA - Calpeda Tabulka výkonů n ≈ 2900 1/min Monobloková odstředivá čerpadla NM s přírubovými hrdly 18 B-NM NM B-NM 32/125FE NM 32/12FE B-NM 32/125DE

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Feitelijke en juridische toestand...nmnm nm nm nm nmnmnmnm nm nm nm nm nmnm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm))))) Regeltechniek Elis Cleanr oms Petrochemie Moleculaire

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Cite as: X. Chi et al., Science · 2020. 6. 19. · 9A1 IS2 0.001 nM 200 400 600 80010001200 No mAb .13% — 1000 nM — 500 nM 250 nM 125 nM 62.5 nM 31.25 nM 15.63 nM - 7.81 nM ro

Cite as: X. Chi et al., Science · 2020. 6. 19. · 9A1 IS2 0.001 nM 200 400 600 80010001200 No mAb .13% — 1000 nM — 500 nM 250 nM 125 nM 62.5 nM 31.25 nM 15.63 nM - 7.81 nM ro

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df6sxcketz7bb.cloudfront.net · 005985) promoter-TSS (NM _W306S) promoter-TSS (NM (1)3106) promoter-TSS (NM promoter-TSS (NM 139276) promoter-TSS (NM 001126241) promoter-TSS (NM_012258)

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NM, NMD Bombas centrífugas monobloc · NM, NMD con orificios roscados ... NBR 1 3 Q H 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 40 50 100 4 5 10 20 30 40 NM 1 NM 2 NM 11 ... 67* B-NM NM B-NM 17/HE

NM, NMD Bombas centrífugas monobloc · NM, NMD con orificios roscados ... NBR 1 3 Q H 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 40 50 100 4 5 10 20 30 40 NM 1 NM 2 NM 11 ... 67* B-NM NM B-NM 17/HE

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グラスウール不燃材・準耐火構造認定 備 考rockwool.server-shared.com/WEBPDF/Data_GW/NM_GW.pdfNM-8603 NM-8604 NM-8605 NM-8606 NM-8607 NM-8608 NM-0748 NM-8610 NM-0454

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Fichier PDF - Accueil NMO 17-12... · 2021. 1. 19. · NM ISO 1401 NM 052.054 NM 05.2055 NM 05.2058 ISO 21003-3 NM ISO 8095 NM EN 1401-1 NM EN 13476-3 NM 05.5.380 NM EN 421 NM EN

Fichier PDF - Accueil NMO 17-12... · 2021. 1. 19. · NM ISO 1401 NM 052.054 NM 05.2055 NM 05.2058 ISO 21003-3 NM ISO 8095 NM EN 1401-1 NM EN 13476-3 NM 05.5.380 NM EN 421 NM EN

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M G OLF C URSE SERV ICE C V E R · nm nm nm nm nm nm nm nm nm \ \ \ nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm n nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm nm

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03 Fizikalne osnove svetlobe - University of Ljubljanalrf.fe.uni-lj.si/e_sv_tehnika/Predavanja_staro/st03.pdf360-400 nm 760-830 nm 315 nm 280 nm 100 nm 1.400 nm 3.000 nm 1.000.000

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Los Alamos, NM...Los Alamos, NM

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MAPA DE VALORES DE TERRENOS POR ZONAS HOMOGÉNEAS ... abangares 07 dist 01... · nm nm nm æ nmæ ænm nm nm nm nm nm nm æ nm æ nm æ nm nmæ ænm nmæ nmæ nm nmæ æ æ nm nm

MAPA DE VALORES DE TERRENOS POR ZONAS HOMOGÉNEAS ... abangares 07 dist 01... · nm nm nm æ nmæ ænm nm nm nm nm nm nm æ nm æ nm æ nm nmæ ænm nmæ nmæ nm nmæ æ æ nm nm

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mtr bda 0905f - FestoNenndrehmoment 0,24 Nm 0,66 Nm 1,4 Nm 3,53 Nm 6,36 Nm Nenndrehzahl 6000 1/min 6800 1/min 6250 1/min 4300 1/min 3600 1/min Spitzenmoment 1 Nm 2,8 Nm 3,1 Nm 12,2

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Austrian ournal of Cardiolog Österreichische eitschrift fr ... · Hämatokrit 38,0–48,0 % 42,7 NM NM NM 27,8 29,6 NM NM 35,0 35,2 NM: nicht gemessen (not measured) For personal

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DOCUBOX HD€¦ · Módulo de filtro de excitación de 9 anchos de banda: 400–490 nm,400–530 nm, 455–570 nm, 495–620 nm, 530–650 nm, 570–680 nm, 630–740 nm, DOCU (380–570

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Panasonic 카다로그 · 2006-03-29 · im-5433ss nm-5437sf nm-5433su w.5433sm nm-321s nm-322s nm-323s nm.5402t nm.5402m y400m y300nn 100— y200m x6wm x400m x2ŒÞn

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ANKUNFT TAGESPROGRAMM · allao Salaverry 270 nm Zihuatanejo La Paz 702 nm Salaverry Guayaquil 470 nm La Paz San Diego 950 nm Guayaquil Manta 211 nm San Diego San Francisco 466 nm

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TRACT 01 2018 - makita.fr Nbr. de vitesses 2222 22 22 Couple max. elast./franc 23/40 Nm 23/40 Nm 25/45 Nm 25/45 Nm 36/54 Nm 36/54 Nm 60/115 Nm 60/115/125(1) Nm

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Modèle Puissance Tarif - banetsport-france...1.9 tdi 1.9 tdi 1.9 tdi 110 cv 140 cv 235 nm 300 nm 115 cv 145 cv 285 nm 340 nm 130 cv 165 cv 310 nm 385 nm 150 cv 190 cv 320 nm 410 nm

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