Pajisjet elektronike

Polarizimi i tranzistorit FET

Polarizimi i tranzistorit FET

• Hyrje

• Konfigurimi me polarizim fiks

• Konfigurimi me vetëpolarizim

• Konfigurimi me pjestues tensioni

• MOSFET i tipit të varfëruar (D-MOSFET)

• MOSFET i tipit të pasuruar (E-MOSFET)

• Lidhja e kombinuar mes tranzistorëve BJT e FET

• Tabela përmbledhëse

Hyrje

•Në kap. 5 mësuam që vlerat polarizuese të tranzistorëve bipolarë mund të

merren prej ek.

VBE 0.7 V, IC =βIB, dhe IC ≅ IE.

•Fakti që beta është konstante na siguron një lidhje lineare mes IC and IB.

•Për tranzistorin FET, relacioni mes vlerave hyrëse dhe dalëse është jolineare si

pasojë e ekuac. të Shockley-it.

•Një dallim tjetër mes tranzistorëve bipolarë dhe FET është se variabla

kontrolluese hyrëse te tranz. bipolar është rryma, kurse te tranz. FET është

tensioni.

•Relacionet e përgjithshme që mund të aplikohen për analizë dc të amplif. FET

janë

0GI SD II

Hyrje

• Për tranz. JFET dhe D-MOSFET, ek. i Shockley-it është aplikuar për të

treguar lidhjen mes vlerave hyrëse dhe dalëse:

• Për tranz. E-MOSFET, ek. Që aplikohet ka formën:

• Është me rëndësi të ceket që të gjitha ek. e më sipërme janë për pajisje.

Ato nuk ndryshojnë me ndryshimin e qarqeve në të cilat aplikohet pajisja

(tranzistori), derisa pajisja është në regjionin aktiv.

2

1

P

GSDSSD

V

VII

2TGSD VVkI

Konfigurimi me polarizim fiks

• Konf. i fig. 1 përfshin vlerat alternative të tensionit Vi dhe Vo dhe kondensatorët (C1

dhe C2). Të rikujtojmë që kondensatorët janë “lidhje të hapura” për analizë dc dhe

“lidhje e shkurtë” për analizë ac.

• Për analizë dc

A 0GI V 0A) 0( GGGRG RRIV

• Duke aplikuar ligjin e Kirchhoff-it për tension

• Pasi VGG ka vlerë fikse dc, tensioni VGS është fiks në madhësi, duke

rezultuar kështu në emërtimin “konfigurimi me polarizim fiks”. Vlera

rezultuese e rrymës kontrollohet nga ek. i Shockley-it:

Konfigurimi me polarizim fiks

0 GSGG VV GGGS VV

2

1

P

GSDSSD

V

VII

Konfigurimi me polarizim fiks

0 GSGG VV

0 DDDDDS VRIV

SGGS VVV

DSD VV

0SV

SDDS VVV

V 0 DSSDSD VVVV

V 0 GSSGSG VVVV

DDDDDS RIVV

GSG VV

Konfigurimi me vetëpolarizim

SDRS RIV

0SRGS VV

SRGS VV

SDGS RIV

Konfigurimi me vetëpolarizim

021

2 KIKI DD

22

11

P

SDDSS

P

GSDSSD

V

RII

V

VII

2

1

P

SDDSSD

V

RIII

DDSSDDRRDDDS RIRIVVVVVDS

SDS RIV

DSDDDDS RRIVV

0 DDRDSR VVVVDS

SD II

V 0GV

DRDDSDSD VVVVV

Konfigurimi me pjestues tensioni

21

2

RR

VRV DD

G

21

2

RR

VRV DD

G

21

2

RR

VRV DD

G

S

S

RGGS

RGSG

VVV

VVV

0

SDGGS

SDSSR

RIVV

RIRIVS

Konfigurimi me pjestues tensioni

MOSFET i tipit të varfëruar (D-MOSFET)

• Ngjashmëritë në lakoret e tranz. JFET dhe D-MOSFET na lejojnë të aplikojmë analizë të ngjashme dc.

• Diferenca kryesore mes dy tranz. është fakti që D-MOSFET tranz. lejojnë pika punuese edhe për vlera pozitive të VGS dhe vlera të ID që tejkalojnë IDSS.

• Në fakt, për të gjitha konfigurimet e diskutuara deri më tani, analiza është e njëjtë nëse JFET zëvendësohet me D-MOSFET.

• Pjesa e vetme e padefinuar është paraqitja grafike e ek. të Shockley-it për vlera pozitive të VGS.

• For most situations, this required range will be fairly well defined by the MOSFET parameters and the resulting bias line of the network.

• Disa shembuj do të tregojnë ndikimin e e ndryshimit të pajisjes në analizën përfundimtare.

MOSFET i tipit të pasuruar (E-MOSFET)

• Karakteristikat transferuese të tranz. E-MOSFET dallojnë shumë prej tranz. JFET dhe D-MOSFET, duke rezultuar kështu me paraqitje grafike të ndryshme.

• Të rikujtojmë që për E-MOSFET me kanal n, rryma ID është zero për vlerat e tensionit VGS < VGS(Th).

• Për vlerat VGS > VGS(Th), rryma e drejnit definohet si:

MOSFET i tipit të pasuruar (E-MOSFET)

Pasi shënimet e specifikacioneve

sigurojnë vlerat për tension dhe

rrymë (ID(on)) dhe VGS(on), dy pika janë

definuar menjëherë si në fig.

Për të kompletuar lakoren,

konstanta k duhet të përcaktohet

duke në ek. (6.25) dhe duke

zgjidhur k si më poshtë:

Lidhja e kombinuar mes tranzistorëve

BJT e FET

Tabela përmbledhëse