LABORATORIO DE ELECTRÓNICA GENERALPractica Nº 1

1. Tema: Introducción a los Diodos Semiconductores.

2. Objetivo:

Identificar el ánodo y el cátodo y probar un diodo semiconductor realizando una prueba de resistencia directa-inversa usando un óhmetro.

Comprobar el comportamiento del diodo en polarización directa e inversa.3. Materiales:

Fuentes de alimentación de 5V a 15V / 1A. Multímetro. 2 Diodos 1N4007 y un diodo de germanio 1 resistencia de 2,2 KΩ, 1 KΩ, 5,6 KΩ.

4. Marco Teórico. Un diodo semiconductor se hace de materiales que son conductores parciales, generalmente silicio o germanio, A este tipo de material se lo suele llamar unión PN.

5. Desarrollo. Preparatorio.

Consultar los datos del fabricante del diodo, como:Im = Máxima corriente en P.D. que soporta el diodo.Vth= Voltaje umbral, necesario para iniciar la conducción.Idn = Corriente nominal del diodo.Ft= frecuencia de trabajo.Vrp= Voltaje inverso pico.Pdn= Potencia nominal del diodo.

Procedimiento.Examine el diodo e identifique los terminales ánodo y cátodo. Describa la manera en que está marcado el cátodo del diodo.__________________________________________________________________________________________________________________________

Si el diodo no está marcado se lo determina mediante una comprobación de resistencia.

1. Deducir con un multímetro digital los terminales del diodo 1N4007. Explicar el proceso.

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2. Deducir con un multímetro los terminales del diodo 1N4007. Explicar el proceso.

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Mida la resistencia del diodo.

3. Conectar la punta común (negativa) al extremo del cátodo de uno de los diodos de silicio y la punta de ohms (positiva) al otro extremo. Quedando el diodo en polarización directa.

Resistencia en directa ………………Ω

Resistencia en inversa ………………Ω

DIODO EN POLARIZACION DIRECTA

a) Arme el siguiente circuito como se ilustra a continuación:

b) Medir los siguientes parámetros: E, VD, VR, como se ilustra en la siguiente grafica.

c) Medir ID e IR como se ilustra en la siguiente grafica.

d) Llenar la siguiente tabla:

R E VD VR IR ID

Valor medido

Valor calculado

Nota: Para obtener los valores calculados realizar las respectivas operaciones aprendidas en clase.

DIODO EN POLARIZACION INVERSA

a) Arme el siguiente circuito como se ilustra a continuación:

b) Medir los siguientes parámetros: E, VD, VR, como se ilustra en la siguiente grafica.

c) Medir ID e IR como se ilustra en la siguiente grafica.

d) Llenar las siguientes tabla:

R E VD VR IR ID

Valor medido

Valor calculado

Nota: Para obtener los valores calculados realizar las respectivas operaciones aprendidas en clase.

DIODOS EN CONFIGURACION SERIEa) Arme el siguiente circuito.

b) Medir E, VD1, VD2, VR, ID1, IR.c) Llenar las siguientes tabla:

R E VD1 VD2 VR IR ID

Valor medido

Valor calculado

Nota: Para obtener los valores calculados realizar las respectivas operaciones aprendidas en clase.

d) En el circuito anterior polarizar inversamente un diodo de silicio y repetir el procedimiento. Anotar todos los valores.

R E VD1 VD2 VR IR ID

Valor medido

Valor calculado

CONFIGURACION DE DIODOS EN PARALELO

a) Armar los siguientes circuitos

b) Medir E, VR, VD1, VD2

c) Medir I, ID1 e ID2, como se ilustra en la figura

d) Llenar las siguientes tabla:

R E VD1 VD2 VR IR ID1 ID2

Valor medido

Valor calculado

e) Repetir el circuito anterior invirtiendo ambos diodos