Upload
doanh
View
217
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
Cienkie warstwy
Cienka warstwa to dwuwymiarowe ciało stałe o specjalnej konfiguracji umożliwiającej
obserwowanie specyficznych efektów nie występujących w materiale litym.
Istotnym parametrem charakteryzującym cienką warstwę jest tzw. grubość
krytyczna charakteryzująca specyficzne właściwości fizyczne określonego
materiału:
średnią drogę swobodną nośników prądu w przypadku
warstw metalicznych i półprzewodnikowych
długość fali elektromagnetycznej i głębokość jej
wnikania dla warstw optycznych
zasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących
długość fali de Broglie’a w przypadku warstw
dielektrycznych.
Zastosowania
1. Warstwy półprzewodnikowe
2. Warstwy dielektryczne
3. Ferroelektryki, piezoelektryki
4. Elektrolity stałe
5. Materiały optoelektroniczne
6. Warstwy twarde i supertwarde
7. Impregnacja kompozytów i materiałów ceramicznych
8. Modyfikacja powierzchni implantów
9. Włókna, wiskery, dendryty
Metody otrzymywania cienkich warstw.
1. 1. Elektrochemiczne
2. 2. Technika zol-żel
3. 3. Aplikacja polimerów preceramicznych
4. 4. Fizyczne osadzanie z fazy gazowej –
– PVD ( Physical Vapor Deposition )
Rodzaje PVD:
- naparowanie próżniowe ( vacuum evaporation )
- napylanie katodowe ( sputtering )
- epitaksja z wiązki molekularnej
( MBE – molecular beam epitaxy )
Epitaksja – zachodzący na powierzchni monokryształu podłożowego zorientowany
krystalograficznie wzrost warstwy monokrystalicznej, w wyniku którego struktura
i orientacja warstwy znajdują się w określonej relacji do struktury i orientacji
kryształu podłożowego.
Epitaksja (gr.) – epi (na), taxis (porządek, uporządkowany rozkład)
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej obejmuje dysocjację i/lub reakcje chemiczne
gazowych reagentów w aktywowanym ( ciepło, promieniowanie, plazma i in.)
środowisku a następnie tworzenie trwałego, stałego produktu.
Fizykochemiczny schemat procesu CVD
Proces osadzania obejmuje homogeniczne reakcje w fazie gazowej i/lub heterogeniczne
reakcje chemiczne
na/lub w pobliżu ogrzewanego podłoża co skutkuje tworzeniem proszku lub cienkiej
warstwy.
Charakterystyczne dla tej metody jest, że osadzana warstwa różni się składem od
reagentów występujących w fazie gazowej, czyli nie jest to kondensacja materiału z
własnej pary (PVD).
Warunki prowadzenia procesu, a przede wszystkim temperatura, ciśnienie cząstkowe
reagentów w fazie gazowej oraz dopasowanie sieci krystalicznej podłoża i warstwy
określają czy następuje epitaksjalny wzrost warstwy monokrystalicznej, czy też narasta
warstwa polikrystaliczna lub amorficzna.
PROCESY CHEMICZNE W METODZIE CVD
Reakcja CVD
-------------------
Prekursor
chemiczny
----------------
Przykłady
---------------------------------
Temp.
osadz.
----------
Rozkład term.
(piroliza)
Halogenki
Wodorki
Karbonylki
Metaloorg.
TiI4 Ti + I2
SiH4 Si + 2H2
Fe(CO)5 Fe + 5CO
(C8H10)2Cr Cr + +
2C5H10 + 6C
1200oC
600
350
500
Redukcja
Halogenki
SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl
WF6 + 3H2 W + 6HF
900
550
Utlenianie
Halogenki
Wodorki
Metaloorg.
TiCl4 + 2O2 TiO2+2Cl2
SiH4+ 2O2 SiO2+ 2H2O
Zn(C2H5)2 + 4O2
ZnO + 5H2O + 2CO
350
400
250
Nitrifikacja
Halogenki
Wodorki
Wodoroha-
logenki
TiCl4 + ½ N2 + 2H2
TiN + 4HCl
3SiH4 + 2N2H4
Si3N4 + 10H2
3SiH2Cl2 + 10NH3
Si3N4 + 6NH4Cl + 6H2
1200
Dysproporcjo-
Nowanie
Halogenki
GeI2 Ge + GeI4
3GaCl 2Ga + GaCl3
Synteza
Min. dwa
gazowe
prekursory
TiCl4 + 2BCl3 + 5H2
TiB2 + 10HCl
Ga(CH3)3 + AsH3
GaAs + 3CH4
1100
TECHNICZNE ROZWIĄZANIA METOD CVD
1. CVD pod normalnym ciśnieniem – APCVD
2. Niskociśnieniowa CVD – LPCVD
3. CVD wspomagana plazmą – PECVD
4. Fotochemiczna metoda CVD – PCVD
5. Termicznie aktywowana CVD – TACVD
6. Aktywowana laserem CVD – LCVD
MOCVD ( Metal–organic chemical vapor deposition )
Osadzanie chemiczne z par związków metaloorganicznych
Tworzenie krystalicznych warstw (np. półprzewodnikowych typu AIIIBV, AIIBVI, struktur
domieszkowanych, warstw supertwardych i in.) z wykorzystaniem prekursorów
metaloorganicznych.
Więcej przykładów:
Ga(CH3)3 + AsH3 GaAs + 3CH4
Ga(CH3)3 + [As(t-C4H9)H2] GaAs + CH4 + i-C4H9
MeZn(OPr-I) CH4 + CH2C(H)CH3 + ZnO
Ti(OBu-t)4 TiO2 + 4CH2C(CH3)2 + 2H2O
W(CO)6 + 2H2S WS2 + 6CO + 2H2
Me2Zn + H2Se ZnSe + 2CH4
Właściwości diamentu:
1. Gęstość – 3,52 g/cm3
2. Twardość – 10 000 kg/mm2
3. Wytrzymałość na rozciąganie – 2,2 Gpa
4. Wytrzymałość na ściskanie – 110 Gpa
5. Współczynnik załamania światła – 2,41
6. Współczynnik przewodnictwa cieplnego – 2103 W/m/K
7. Prędkość dźwięku – 17 500 m/s
8. Przezroczystość – od UV do dalekiej IR
9. Oporność właściwa – 1016 cm
10. Przerwa energetyczna po domieszkowaniu – 5,4 eV
11.Odporność na korozję
12. Kompatybilność biologiczna
13. Mała lub ujemna praca wyjścia elektronów
Idea metody CVD dla warstw diamentowych
- Aktywacja plazmą mikrofalową 50 – 80 kW
- Prekursory: mieszanina H2 i CH4 (1 – 2% obj.)
- Szybkość narastania warstwy: 0.1 – 100 x 10-6 m/h
- Warstwa heteroepitaksjalna
Rola wodoru w procesie tworzenia warstwy sp3.
1. Aktywne atomy wodoru w reakcji z CH4 generują reaktywne rodniki zdolne do
wiązania się z aktywnymi centrami na powierzchni narastającej warstwy.
2. Czasowe utrwalanie struktury sp3 poprzez tworzenie terminalnych wiązań z
niewysyconymi atomami C.
3. Trawienie struktur grafitowych – wielokrotnie szybsze niż trawienie diamentu.
4. Degradacja długołańcuchowych węglowodorów.
oodzaje stosowanych substratów (podłoży).
1. Materiały, które nie rozpuszczają i nie reagują z węglem ( Cu, Sn, Pb, Au,
Ge, Al2O3, szafir ).
2. Materiały o dużej reaktywności w stosunku do węgla
( Pt, Pd, Ni, Co, Fe ).
3. Materiały tworzące międzyfazowe warstwy węglików
Mo, W, Al., B, Ti, Si, SiO2 )
Etapy wzrostu warstwy diamentowej
Zarodkowanie kryształów diamentu na powierzchni preparowanej przez mechaniczne
ścieranie.
Gładka, nanokrystaliczna warstwa diamentu otrzymana przy
większym stężeniu CH4 (morfologia „kalafiora”).