5
Pripremni (mali) zadaci za ispit iz EES-a 1. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u području zasićenja data je na slici. Ako je UDS=const, izračunati napon UDS u tački B. 2012/13 1

Pripremni Mali Zadaci Za 2. Parc Ispit Iz EESa

Embed Size (px)

DESCRIPTION

-

Citation preview

  • Pripremni (mali) zadaci za ispit iz EES-a

    1. Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja data je naslici. Ako je UDS=const, izraunati napon UDS u taki B.

    2012/13 1

  • 2. Izraunati otpor voenja (Ron) za NMOSFET ako je Vtn=1V, Kn=250 A/ V2te a) UGS=2V, b) UGS=5V.

    3. Izraunati otpor voenja (Ron) za P kanalni JFET ako je Kn=250 A/ V2 ,=0.02, UGS=4V, UDS=1.5V i Vp=2V.

    2012/13

    Pripremni (mali) zadaci za ispit iz EES-a

    2

  • 4. Koliko iznosi struja odvoda NMOSFET-a koji radi sa Kn=2mA/V2, =0.02,UGS=5V, UDS=10V i VTN=2V.

    5. Koliko iznosi struja odvoda NMOSFET-a koji radi sa Kn=2mA/V2, =0.02,UGS=5V, UDS=4V i VTN=1V. (Rj. ID=16mA)

    2012/13

    Pripremni (mali) zadaci za ispit iz EES-a

    3

  • 6. Odrediti struju JFET-a (ID) ako su zadani potencijali kao na slici, pri emuje a) VP=-1V, b) VP=-5V, a IDSS=1mA.

    -5 V

    8 V

    -3 V

    2012/13

    Pripremni (mali) zadaci za ispit iz EES-a

    4

  • 7. Odrediti oblasti rada tranzistora:

    -3 V

    4 V

    -5 V

    4 V

    1 V

    7 V

    5 V

    3 V

    2 VVTN=1V VTN=1VVTN=-1V

    8. Za prikazani spoj F1=100, a F1=200. Koliko je pojaanje ?

    T1

    T2

    2012/13

    Pripremni (mali) zadaci za ispit iz EES-a

    5

    Pripremni (mali) zadaci za ispit iz EES-aSlide Number 2Slide Number 3Slide Number 4Slide Number 5