DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 2011-I ALUMNO: CESAR GOTEA LOAYZA Sección: M

PROBLEMA:

Fotorresistencias

El ejemplo muestra un caso especial de radiación ionizante produce una concentración de portadores en la cara mostrada en una cantidad de Δp=Δn=10 푐푚 .Estos portadores excedentarios se difunden hasta el interior del semiconductor de Ge tipo (푁 =10 푐푚 ) siguiendo una función:

푛( )=푛 + 훥푛 ∗ 푒 /

푝( )=푝 + 훥푝 ∗ 푒 /

x vale de 0 a 400 휇푚

Donde: 퐿 =longitud de difusión de electrones

퐿 =longitud de difusión de huecos

퐿 = 퐷 ∗ 휏

퐿 = 퐷 ∗ 휏

휏 =vida media de electrones

휏 =vida media de huecos

Para este caso consideramos 휏 = 휏 = 0,1휇푠.

Calcular la 푅 .

Solucion:

Para el germanio: 푛 = 2,5 ∗ 10 푐푚

Del dato 푁 = 10 푐푚 dado (푁 ≥ 5푛 )

푛 = 10 푐푚

De la ley de acción de masas 푛 ∗ 푝 = 푛

푝 = 6,25 ∗ 10

x

50µm

10 µm

400 µm

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 2011-I ALUMNO: CESAR GOTEA LOAYZA Sección: M Además:

퐿 = 101 푐푚 푠⁄ ∗ 0,1휇푠 = 3.16 ∗ 10 푐푚

퐿 = 49 푐푚 푠⁄ ∗ 0,1휇푠 = 2.21 ∗ 10 푐푚

En la ecuación:

푛( )=10 + 10 ∗ 푒 / . ∗ 푐푚

푝( )=6,25 ∗ 10 +∗ 10 ∗ 푒 / . ∗ 푐푚

La grafica que no esta a escala demuestra una breve comparación: 풏(풙)-풑(풙)

Para hallar la resistencia se necesita σ:

σ=푒 ∗ (푛( ) ∗ 휇 + 푝( ) ∗ 휇 )

en donde x vale de 0 a 400 휇푚

푛 =∫ ( ∗ . ∗ )∗

∗=1.079*10 푐푚

푝 =∫ ( . ∗ ∗ . ∗ )∗

∗=5.25*10 푐푚

σ=1.6 ∗ 10 ∗ (1.079 ∗ 10 ∗ 3800 + 5.25 ∗ 10 ∗ 1800)

σ=671.1 훺 . 푐푚

R= ∗ =.∗ ∗

∗ ∗ ∗= 0.186 Ω