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7/25/2019 Procesos de Dopado
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Procesos de dopadoFernando Daniel Aguirre Sagan
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Difusin
Definicin: Redistribucin de tomosdesde regiones de alta concentracin de
especies mviles hacia regiones de bajaconcentracin.
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Tipos de mecanismos de difusin
1. ntersticial: !a impure"a penetra en elcristal de forma intersticial # se mueve o
salta a otra posicin intersticial.
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Tipos de mecanismos de difusin
$. Substitucional: %n tomo salta desdeun punto de la red cristalina a otro
ad#acente &ue es necesario &ue est'vacante.
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Tipos de mecanismos de difusin
(. )ecanismo de patada: %n tomo deimpure"a pasa de un lugar intersticial a un
lugar de la red despla"ando un tomo.
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Hornos de difusin.
!os re&uerimientos bsicos &ue debecumplir un sistema de difusin son:%n m'todo para atraer las impure"as
difusoras hacia la oblea)antenerlas all* durante un tiempo # una
+, espec*fica
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Hornos de difusin.
Se reali"an normalmente en tubosabiertos -los hornos de difusin en los
&ue las obleas se colocan en una bar&uilladentro de un tubo hori"ontal de cuar"o dealta pure"a. /l horno se calienta-mediante arrollamientos resistivos secontrola la +, electrnicamente en la "onacentral del horno: entre +, entre 0 23 #1$2 3.
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Implantacin inica.
Se dopa un substrato mediante un flujode iones energ'ticos de la impure"a
-obtenidos de un plasma de la misma&ue se pro#ectan contra la oblea -blanco.
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Implantacin inica.
!os iones de impure"as penetran en elsubstrato con una alta energ*a -velocidad
# pierden su energ*a mediante colisionescon los n4cleos # los electrones &ueacaban deteni'ndolos.
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Implantacin inica.
!os iones &uedan parados a unadeterminada distancia de la superficie de
la oblea formado un perfil deimplantacin.
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Implantador inico
5ona de focali"acin: /l ha" de ionesseleccionado # acelerado es focali"ado
mediante las correspondientes lenteselectromagn'ticas6 &ue diminu#en sudivergencia a valores en torno al gradose7agesimal.
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Implantador inico
5ona de defle7in # barrido: /st formada6esencialmente6 por placas de desviacin
electrosttica.Separa a&uellos iones &ue han perdido
energ*a en su camino por colisiones conresiduos de gas o las paredes del
implantadorReali"a irradiacin uniforme de la oblea
mediante un barrido de la misma por el ha".
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Implantador inico
3mara del blanco. /n ella se aloja laoblea u obleas a implantar # se puede
orientar adecuadamente la muestra conrelacin al ha" #6 en muchos casos6 hacerun control de temperatura.
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