RINGKASANGraphene merupakan material karbon monolayer atom
berbentuk 2 dimensi yang memiliki sifat yang khas, memiliki band
gap nol, mobilitas pembawa muatan tinggi, konduktivitas listrik dan
thermal tinggi, serta memiliki sifat elektrikal dan mekanik yang
baik. Pengembangan teknik deposisi graphene epitaxial pada substrat
seperti sublimasi termal silicon carbide (SiC) sangat potensial
dalam aplikasi optoelektronik. Oleh karena itu, pemahaman pengaruh
substrat pada sifat optik dan listrik dari epitaxial graphene
sangat diperlukan. Pada proses modern dalam analisis material
nanostructure dibutuhkan teknik karakterisasi yang cepat, akurat
dan bersifat tidak merusak, salah satunya dengan spektroskopi
ellipsometry. Mengingat pentingnya informasi mengenai konstanta
dielektrik dan karakterisasi sifat-sifat optik material, serta
perlunya teknik pengukuran yang cepat dan akurat, maka dalam
penelitian ini akan dibuat program komputer berbasis data
spektroskopi ellipsometry. Data ellipsometry secara komputasi
dikonversi dalam model konstanta dielektrik dan sifat-sifat optik
material. Data ellipsometry yang akan digunakan yaitu epitaxial
graphene pada substrat SiC. Metode Drude-Lorentz digunakan untuk
memodelkan konstanta dielektrik. Penentuan nilai kompleks konstanta
dielektrik tiap layer akan lebih optimal dengan menerapkan teori
effective medium approximation (EMA). Kata Kunci : Epitaxial
graphene, spektroskopi ellipsometry, konstanta dielektrik,
effective medium approximation (EMA)
DAFTAR ISI
RINGKASAN1DAFTAR ISI2BAB 1. PENDAHULUAN31.1 Latar Belakang
Masalah31.2 Tujuan Penelitian51.3 Manfaat Penelitian5BAB 2.
TINJAUAN PUSTAKA62.1 Graphene62.2 Spektroskopi Ellipsometry62.3
Teori Effective Medium Approximation (EMA)12BAB 3. METODE
PENELITIAN143.1 Waktu dan Tempat Penelitian143.2 Tahap
Penelitian143.3 Jadwal Kegiatan Penelitian18DAFTAR PUSTAKA19
BAB 1. PENDAHULUAN1.1 Latar Belakang MasalahGraphene merupakan
material karbon monolayer 2 dimensi yang banyak menarik perhatian
karena memiliki sifat yang khas dan berpotensi untuk berbagai
aplikasi. Beberapa sifat unik dari graphene yaitu memiliki band gap
nol, mobilitas pembawa muatan tinggi (2x105 cm2/Vs), konduktivitas
thermal sangat tinggi (5300 W/mK) serta memiliki sifat elektrikal
dan mekanik yang baik. Pada proses modern dalam analisis material
nanostructure dibutuhkan teknik karakterisasi yang cepat dan
akurat. Salah satu teknik yang cocok untuk mengkarakterisasi
parameter-parameter fisis seperti ketebalan dan konstanta
dielektrik yaitu spektroskopi ellipsometry, dikarenakan memiliki
tingkat keakuratan sangat tinggi dan bersifat tidak merusak (Arwin,
2001; Fujiwara, 2007; Yu-Xiang Zheng et,al 2012). Prinsip dasar
spektroskopi ellipsometry berdasarkan pada polarisasi cahaya yang
terjadi ketika cahaya dipantulkan atau diteruskan oleh suatu
material. Parameter yang dihasilkan ellipsometry berupa rasio
amplitudo dan beda fase antara cahaya yang terpolarisasi. Salah
satu parameter penting yang dapat diperoleh dari data ellipsometry
adalah konstanta dielektrik. Analisa fungsi komplek konstanta
dielektrik dapat memberikan informasi berupa sifat optik material,
seperti indeks bias, ketebalan, konsentrasi pembawa muatan efektif,
dan konduktivitas optik (Fujiwara, 2007).Pengembangan teknik
deposisi epitaxial graphene pada substrat, seperti sublimasi termal
silicon carbide (SiC) menawarkan realisasi kinerja tinggi untuk
aplikasi optoelektronik. Beberapa penumbuhan graphene telah
dilakukan, seperti epitaxial graphene pada substrat metal (Min Gao
et al, 2010), graphene nanosheets dan carbon nanotubes (S.H. Xie et
al, 2008) dan epitaxial graphene pada substrat SiC (Q.Chen et al,
2010). Pemahaman pengaruh substrat pada sifat optik dan listrik
epitaxial graphene masih terbatas. Penumbuhan epitaxial graphene
pada substrat SiC dapat memberikan informasi tentang interaksi
antara struktur graphene dan substrat (A. Boosalis et al, 2012).
Sifat dielektrik merupakan karakteristik suatu material yang
mencirikan potensinya dalam memberi respon terhadap pemanasan
dielektrik dan menggambarkan kemampuan material tersebut untuk
menyimpan, menyalurkan dan memantulkan energi gelombang
elektromagnetik.Metode Kramers-Kroning salah satu metode yang dapat
digunakan untuk mendapatkan konstanta dilektrik. Namun keterbatasan
data eksperimen dan kekompatibelan bagian real dan imajiner fungsi
dielektrik harus memenuhi transformasi Kramers-Kroning, menyebabkan
kesulitan dalam analitik. Metode lain untuk memodelkan konstanta
dielektrik seperti model Lorents, Cauchy, Sellemeier dan Osilator
Drude-Lorents (Fujiwara, 2007). Perhitungan fungsi kompleks
dielektrik secara lebih akurat dan optimal dilakukan dengan
menerapkan teori effective medium approximation (EMA) (N.N Dinh et
al, 2008). EMA secara luas digunakan untuk menginterpretasi data
spektroskopi ellipsometry yaitu mengetahui kekasaran permukaan
(surface roughness), analisis interface dan memonitor deposisi
lapisan tipis (T.J. Kim et al, 2007). Perhitungan konstanta
dielektrik untuk kasus multilayer seperti sistem graphene epitaksi,
tidak dapat dilakukan secara analitik biasa, karena sangat rumit
dan tidak efektif. Mengingat pentingnya mengetahui konstanta
dielektrik dan sifat-sifat optik material, serta perlunya teknik
pengukuran yang cepat dan akurat, maka penelitian ini akan dibuat
program komputer berbasis data spektroskopi ellipsometry. Data
ellipsometry akan langsung dikonversi dalam model konstanta
dielektrik dan sifat-sifat optik material. Data ellipsometry yang
akan digunakan yaitu epitaxial graphene pada substrat SiC. Struktur
graphene dan substrat dimodelkan dalam model optik berlapis.
Selanjutnya dibuat program komputer untuk memodelkan konstanta
dielektrik dengan metode Drude-Lorentz. Karena ellipsometry sangat
sensitif terhadap permukaan (surface) dan interface struktur
material, maka penentuan nilai kompleks konstanta dielektrik tiap
layer akan lebih optimal dengan menerapkan teori effective medium
approximation (EMA). Sehingga penelitian ini diharapkan
menghasilkan software yang dapat menganalisis data spektroskopi
ellipsometry untuk mendapatkan informasi tentang konstanta
dielektrik dan sifat-sifat optik material nanostructure secara real
time dengan ketelitian yang tinggi.
1.2 Tujuan PenelitianTujuan dari penelitian yang akan dilakukan
yaitu :a. Menganalisis data spektroskopi ellipsometry dari
epitaxial graphene nanostructure pada substrat SiC;b. Membuat
program komputer (software) untuk menganalisis serta memodelkan dan
menentukan fungsi konstanta dielektrik epitaxial graphene
nanostructure dengan menerapkan teori effective medium
approximation (EMA) berbasis data spektroskopi ellipsometry ;c.
Menentukan konstanta-konstanta optik epitaxial graphene
nanostructure, seperti indeks bias, ketebalan, konsentrasi pembawa
muatan efektif dan konduktivitas optik.
1.3 Manfaat PenelitianManfaat penelitian yang akan dilakukan
yaitu adanya suatu program komputer (software) yang dapat
mengkonversi data ellipsometry dan secara langsung/otomatis menjadi
konstanta dielektrik dan sifat optik suatu material nanostructure.
Sehingga pengukuran dan pengolahan data lebih cepat, akurat dan
dapat dilakukan secara real time.
BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA2.1 GrapheneGraphene merupakan material
dengan ketebalan satu atom (2 dimensi) yang tersusun atas atom-atom
karbon membentuk kisi heksagonal. Penemuan graphene pertama kali
oleh A. Geim dan K. Novoselov pada tahun 2004. Hasil-hasil
penelitian menunjukkan bahwa graphene memiliki sifat-sifat
elektronik yang unggul, di antaranya mobilitas pembawa muatan dan
konduktvitas yang tinggi, celah pita energi (band gap) yang
bernilai nol.Berbagai metode telah dikembangkan untuk membuat
graphene. Awalnya graphene dibuat dengan menempelkan selotif pada
grafit (A. Geim dan K. Novoselov, 2004). Metode ini kemudian
dikembangkan menjadi drawing method (Zhang, Y et al, 2004). Cara
lain dengan pelarutan atau dispersi grafit dalam larutan SDBS
(sodium dodecyl benzene sulfonate) (Lotya, M et al, 2009). Metode
lain yaitu epitaxial graphene yang ditumbuhkan dari silicon karbida
(SiC). Substrat SiC dipanaskan sehingga atom-atom Si menyublim.
Atom-atom karbon yang tertinggal di permukaan membentuk graphene
(de Heer, W. A. et al, 2007). Keunggulan dari metode ini adalah
bahwa substrat SiC dapat langsung digunakan sebagai substrat untuk
membuat rangkaian elektronik dengan graphene.2.2 Spektroskopi
EllipsometrySpektroskopi ellipsometry merupakan teknik pengukuran
optik yang dikarakterisasi dari refleksi dan transmisi cahaya yang
mengenai sampel/material tertentu dan diukur berdasarkan perubahan
polarisasi cahaya (Fujiwara, 2007). Hasil pengukuran yang
didapatkan berupa rasio amplitudo dan perubahan fase . Rasio
amplitudo merepresentasikan polarisasi gelombang cahaya pada bidang
p dan s, sedangkan perubahan fase adalah beda fase gelombang antara
bidang polarisasi p dan s (R. Pascu et al, 2012). Ellipsometry
digunakan untuk mengukur ketebalan lapisan tipis secara akurat
(dalam orde 0.01 nanometer). Selain itu, ellipsometry sangat baik
dalam menentukan konstanta dielektrik (Fujiwara, 2007). Teknik
spektroskopi ellipsometry banyak digunakan untuk mengkarakterisasi
sifat optik material nanostructure yang berupa lapisan tipis baik
single-layer maupun multi-layer. Beberapa penelitian yang
menggunakan ellipsometry untuk mengkarakterisasi material
multilayer, seperti CdMgTe multilayer (T. H. Ghong et al, 2004),
graphene pada SiO2 (Weber et al, 2010; Nelson et al, 2010),
graphene epitaxi pada SiC (Santoso et al, 2011), AlGaAs multilayer
(T.J. Kim et al, 2007). Skema prinsip dasar ellipsometry dapat
dilihat pada Gambar 1.
Gambar 1. Prinsip dasar spektroskopi ellipsometry (Fujiwara,
2007)Sumber cahaya dengan panjang gelombang tertentu dilewatkan
pada sebuah polarisator akan menghasilkan cahaya yang terpolarisasi
secara linear, dimana cahaya memiliki dua polarisasi (polarisasi p
dan s) yang saling tegak lurus dan beda fase keduanya nol
(Fujiwara, 2007). Interaksi antara cahaya yang datang dengan suatu
material mengakibatkan perubahan fase antara cahaya terpolarisasi p
dan s yang menghasilkan cahaya pantul berbentuk ellips. Selain
perubahan fase, cahaya yang terpantul mengalami perubahan amplitudo
(). Analisis perubahan fase dan amplitudo yang terekam oleh
detektor dapat diperoleh indeks bias (N) dan konstanta dielektrik
suatu material.Dari Gambar 1, secara umum dapat dituliskan nilai
koefisien reflektansi untuk masing-masing polarisasi p dan s dengan
menganggap sudut datang = sudut pantul , maka (Fujiwara, 2007):
(1a) (1b)Hubungan antara perubahan polarisasi dengan perubahan fase
dan amplitudo dapat dituliskan sebagai : (2)dengan dan
masing-masing nilai pemantulan (refleksi) pada polarisasi p dan s
yang diberikan oleh : (3a) (3b) dengan dan masing-masing amplitudo
cahaya terpantul polarisasi p dan s, sedangkan dan masing-masing
fase cahaya terpantul polarisasi p dan s. Maka dan dapat dituliskan
(Fujiwara, 2007) : (4a) (4b)Dalam sistem yang terdiri dari n
lapisan yang tersusun diantara lapisan substrat (n+1) dan lapisan
ambient (0), setiap lapisan mempunyai ketebalan , konstanta
dielektrik dan indeks bias . Hubungan indeks bias dengan konstanta
dielektrik dapat dituliskan sebagai : (5)dimana berupa bilangan
kompleks yang terdiri dari bilangan real dan bilangan imajiner .
Maka dari persamaan (5) nilai indeks bias N dapat dihitung dengan
memasukkan nilai dan (Fujiwara, 2007): (6a) (6b)Koefisien pantul
Fresnel (persamaan 1a) untuk kasus multilayer lapisan ke-i dan ke-j
yang dianggap memiliki morfologi datar (Gambar 2) dan memiliki
konstanta dielektrik dan dapat dituliskan kembali (Fujiwara, 2007):
(7a) (7b)dimana dan masing-masing koefisien pantul cahaya
terpolarisasi p dan s pada lapisan ke-i dan ke-j. Sedangkan
mewakili sudut datang di medium i dan mewakili sudut bias di medium
j yang terkait satu sama lain melalui Hukum Snell yaitu :(8)Untuk
material nanostructure dapat dimodelkan dalam model berlapis-lapis
seperti pada Gambar 2.
ambient0
1d1
2d2
j
n
n+1substrat
Gambar 2. Model optik multilayer untuk analisis menggunakan
ellipsometry Untuk sistem banyak lapis seperti Gambar 2, perambatan
gelombang pada material dituliskan dalam komponen matrik. Hal ini
digunakan untuk mempermudah dalam perhitungan secara komputasi.
Perambatan gelombang pada bidang arah +z (E+(z)) dan arah z (E-(z))
dapat dituliskan (Verbruggen dan Nijs, 1992):(9)Jika sistem
memberikan respon linear, maka dapat didefinisikan matrik M yang
mewakili seluruh reflektansi dan transmisi pada material
nanostructure multilayer. Matrik ini menghubungkan medan gelombang
reflektansi di udara (ambient) atau medan gelombang transmitansi
dengan gelombang datang. Sehingga dapat dituliskan :(10)Matrik M
merupakan perkalian antara matrik interface A dan matrik perambatan
L yang menggambarkan efek masing-masing interface dan lapisan
sistem multilayer. Mulai dari interface ambient (N0) atau lapisan
pertama (N1) dan interface lapisan terakhir (substrat (Nn)),
dituliskan dituliskan (Verbruggen dan Nijs, 1992) :(11)dimana q
dapat mewakili notasi untuk cahaya dengan polarisasi p dan s.
Matrik interface A diberikan oleh dituliskan (Verbruggen dan Nijs,
1992):(12)dengan dan masing-masing mewakili koefisien transmisi dan
reflektansi pada interface lapisan i dan j. Sehingga perambatan
cahaya yang melewati medium pada lapisan ke-j dibelikan oleh Matrik
L, yaitu dituliskan (Verbruggen dan Nijs, 1992):(13)dengan adalah
ketebalan fase yang diberikan oleh persamaan berikut (Fujiwara,
2007):(14)dengan menyatakan panjang gelombang cahaya yang
digunakan. Karena tidak ada medan yang merambat pada arah z dalam
substrat E- maka amplitude dari koefisien reflektansi dituliskan
:(15)dimana komponen matrik transfer M baris 2 kolom 1 dan komponen
pada baris 1 kolom 1.Salah satu parameter penting yang dapat
diperoleh dari data spektroskopi ellipsometry adalah konstanta
dielektrik. Nilai tetapan dielektrik terdiri dari penjumlahan
bagian riil dan imajiner. Bagian riil berkaitan dengan kemampuan
material untuk menyimpan energi dan sifat optik material, sedangkan
bagian imajiner menentukan jumlah energi yang hilang (terdisipasi).
Perbedaan nilai tetapan dielektrik berbagai material muncul karena
perbedaan karakteristik polarisasi listrik atau molekuler dalam
material-material tersebut. Nilai konstanta dielektrik suatu
material merupakan karakteristik dari material itu sendiri. Analisa
fungsi komplek konstanta dielektrik dapat diperoleh sifat-sifat
optik material, seperti indeks bias, ketebalan, konsentrasi pembawa
muatan efektif dan konduktivitas optik material (Fujiwara, 2007).
Analisis fungsi kompleks konstanta dielektrik pada suatu lapisan
akan lebih optimal dengan menerapkan teori effective medium
approximation (EMA).
2.3 Teori Effective Medium Approximation (EMA)Ellipsometry
sangat sensitif terhadap permukaan (surface) dan interface struktur
sampel/material. Teori effective medium approximation (EMA) dapat
digunakan untuk menghitung indeks bias dan konstanta dielektrik
yang merupakan bilangan kompleks dari permukaan maupun interface
tiap layer. Selain itu, karakterisasi volume fraksi pada material
dapat diperoleh dengan analisis menggunakan EMA (Fujiwara, 2007 ;
Yu-Xiang Zheng et al, 2012). Beberapa teori EMA seperti model
Lorentz-Lorentz (LL), Maxwell Garnett (MG) dan Bruggeman (Fujiwara,
2007). Model Lorentz-Lorentz (LL) dapat dituliskan sebagai :
(16)dengan dan masing-masing konstanta dielektrik fase a dan b,
sedangkan dan menunjukan volume masing-masing fraksi, menunjukan
konstanta dielektrik host material. Untuk udara dan vacuum ,
sehingga dapat dituliskan :(17)Teori EMA untuk model Maxwell
Garnett (MG), konstanta dielektrik material fase campuran (mixed
phase) diasumsikan bahwa , sehingga dapat dituliskan : (18)Teori
Bruggeman mengasumsikan bahwa , maka diperoleh persamaan :
(19)Model ini dapat dijabarkan untuk menggambarkan material yang
terdiri dari banyak fase, sehingga dapat dituliskan (Fujiwara,
2007): (20)Beberapa penelitian menerapkan teori EMA untuk melakukan
analisis interface lapisan, seperti sistem multilayer CdMgTe (T.H.
Ghong et al, 2004), sampel AlGaAs (T.J. Kim et al, 2007). Melihat
pentingnya karakterisasi sifat-sifat material yang akurat dan cepat
khususnya menggunakan spektroskopi ellipsometry, maka dirasa perlu
dilakukan pengembangan ke arah komputerisasi. Pada penelitian ini
akan dibuat program komputer untuk analisis fungsi kompleks
konstanta dielektrik berbasis data ellipsometry, sehingga data
ellipsometri dapat dikonversi langsung menjadi model konstanta
dielektrik. Dari konstanta dielektrik tersebut selanjutnya dapat
diperoleh informasi sifat-sifat optik, seperti indeks bias,
ketebalan dan konduktivitas optik.
BAB 3. METODE PENELITIAN3.1 Waktu dan Tempat
PenelitianPenelitian akan dilaksanakan selama 6 bulan yaitu dari
bulan Januari 2014 sampai Juni 2014, bertempat di Laboratorium
Fisika Komputasi, Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Gadjah
Mada, Yogyakarta.
3.2 Tahap Penelitian Penelitian akan dilaksanakan dalam 3 tahap,
yaitu :1. Tahap persiapanPada tahap persiapan yaitu studi pustaka
dan set-up peralatan komputasi.
2. Tahap Pemodelan Optik Epitaxial Graphene NanostructureData
yang akan digunakan yaitu data eksperimen spektroskopi ellipsometry
(,) material nanostructure graphene epitaxial pada substrat SiC.
Sistem ellipsometry yang dipakai dalam pengambilan data yaitu
konfigurasi RAE (rotating analyser ellipsometry). Pada konfigurasi
RAE analisator dapat berputar sedangkan polarisator dibuat tetap
pada sudut 45o. Hal ini dilakukan untuk mendapatkan polarisasi
linear dengan amplitudo polarisasi p dan s yang sama. Untuk
mendapatkan konstanta dielektrik, dalam melakukan analisis graphene
pada substrat SiC dimodelkan dalam suatu model optik yang
erlapis-lapis. Model optik graphene epitaxial pada substrat SiC
dapat dilihat pada Gambar berikut :dSurface (udara+graphene)
dGrapheneGraphene
dInterface (graphene+buffer layer+substrat)
Substrat (SiC)Substrat (SiC)
Gambar 3. Model Optik Epitaxial Graphene pada Substrat SiC
3. Tahap simulasi model konstanta dielektrik dan fittingPada
tahap ini, konstanta dielektrik diperoleh dengan mengekstrak data
ellipsometry (,) menggunakan persamaan (2). Namun persamaan (2)
tidak dapat diselesaikan dengan analitik. Maka data ellipsometry ()
selanjutnya diolah dengan program ReFIT. Software RefFIT merupakan
salah satu software yang digunakan untuk menganalisa spektrum optik
padatan. Salah satu tujuan analisis spektrum adalah memperoleh
informasi fungsi dielektrik () material berdasarkan spektrum optik
dengan melakukan fitting spektrum menggunakan model fungsi
tersebut. Salah satu model yang digunakan pada software ini
menggunakan pemodelan Drude-Lorentz (A.Kuzmenko, 2009).
Drude-Lorentz membangun sebuah terori klasik untuk menghitung
indeks refraktif kompleks dan konstanta dielektrik material sebagai
fungsi frekuensi (N.N.Dinh, et al, 2008). Persamaan untuk
memodelkan fungsi konstanta dielektrik menggunakan osilator
Drude-Lorentz dituliskan sebagai (A.Kuzmenko, 2009):(21)Konstanta
dielektrik frekuensi tinggi merepresentasikan kontribusi seluruh
osilastor pada semua frekuensi tinggi. Sedangkan , dan
masing-masing merupakan frekuensi plasma, frekuensi potong dan
lebar pita (A.Kuzmenko, 2009). Parameter tersebut merupakan
parameter-parameter fitting yang nantiya akan divariasikan sehingga
dihasilkan model yang sesuai dengan data eksperimen. Untuk kasus
nanostructure graphene epitaxial pada substrat Si-C, besarnya
indeks bias dan konstanta dielektrik diselesaikan dengan
reflektivitas setiap antar muka, karena setiap lapisan mempunyai
ketebalan , konstanta dielektrik dan indeks bias yang berbeda-beda.
Dalam pemodelan konstanta dielektrik juga dimasukan parameter EMA
untuk masing-masing layer. Beberapa model teori EMA pada persamaan
(1620) akan digunakan untuk mendapatkan perbandingan hasil yang
lebih efektif.
Beberapa parameter yang digunakan dalam melakukan fitting
disajikan pada Tabel 1 berikut :Tabel 1. Parameter-parameter
fitting dataNo.Parameter FittingKeterangan
1.frekuensi plasma
2.frekuensi potong
3.lebar pita
4.ketebalan surface
5.ketebalan graphene
6.ketebalan interface
7.konstantan dielektrik fase a
8.konstantan dielektrik fase b
9.konstantan dielektrik house
10.volume fraksi a
11.volume fraksi b
12.
Amplitudo dan beda fase
Secara keseluruhan tahap penelitian disajikan dalam diagram alir
berikut :Persiapan:-Studi pustaka-Set-up peralatan komputasi
Data ellipsometry (,) graphene epitaxial :
Data eksperiment
surface rourgnesGraphene layerinterface layersubstrat SiCModel
Optik Graphene pada Si-C :
Model Optik
Fungsi model konstanta dielektrik
Model Konstanta Dielektrik
Compare Model dengan Eksperiment
Fitting (parameter fitting, Drude-Lorentz, EMA)
Program komputer (software) untuk simulasi model konstanta
dielektrik material nanostructure berbasis data ellipsometry
Pembuatan software simulasi model konstanta dielektrik Fitting
Model dengan Data Eksperiment
indeks bias, ketebalan, konsentrasi pembawa muatan efektif,
konduktivitas optik.
Menentukan konstanta konstanta optik
OUTCOME : - Program komputer (software) untuk simulasi model
konstanta dielektrik berbasis data spektroskopi ellipsometry -
Nilai konstanta-konstanta optik
Gambar 4. Uraian tahapan penelitian yang akan dilaksanakan 3.3
Jadwal Kegiatan PenelitianPerkiraan jadwal kegiatan penelitian
disajikan dalam tabel berikut: Tabel 2. Jadwal Perkiraan
Penelitian
DAFTAR PUSTAKAA. Boosalis, T. Hofmann, V. Darakchieva, R.
Yakimova, and M. Schubert , 2012,Visible to vacuum ultraviolet
dielectric functions of epitaxial graphene on 3C and 4H SiC
polytypes determined by spectroscopic ellipsometry, Applied Physics
Letters, 101, 011912.Arwin, H., 2001, Is ellipsometry suitable for
sensor applications?, Sensor and Actuators A 92. 43-51.de Heer, W.
A.et al, 2007, Epitaxial Graphene. Solid State Comm. 143, 92.H.
Fujiwara, 2007, Spectroscopy Ellipsometry Principles and
Applications, John Wiley & Sons Ltd, England 2007.Lotya, M. et
al, 2009, Liquid Phase Production of Graphene by Exfoliation of
Graphite in Surfactant/Water Solutions, J. Am. Chem. Soc. 131,
36113620.Min Gao, Yi Pan, Chendong Zhang, Hao Hu, Rong Yang,
Hongliang Lu, JinmingCai, Shixuan Du, Feng Liu, and H.-J. Gao,
2010, Tunable interfacial properties of epitaxial graphene on metal
substrates, Applied Physics Letters 96, 053109.Nelson, F. J.,
Kaminen, V. K., Zhang, T., Comfort, E. S., Lee, J. U., Diebold, A.
C., 2010, Optical properties of large-area polycrystalline chemical
vapour deposited graphene by spectroscopic ellipsometry, Appl.
Phys. Lett., 97, 235110.Novoselov, K. S. dkk. (2004) Electric Field
Effect in Atomically Thin Carbon Films. Science 306: 666.N.N.Dinh,
T. Q. Trung, L. K. Binh, N. D. Khoa, V. T. M. Thuan, 2008,
Investigation of zinc oxide thin film by spectroscopic ellipsometry
VNU Journal of Science, Mathematics-Physics. 24. 16-23.Q. Chen, H.
Huang, W. Chen, A. T. S. Wee, Y. P. Feng, J. W. Chai, Z. Zhang,
J.S. Pan, and S. J. Wang, 2010, In situ photoemission spectroscopy
study on formation of HfO 2 dielectrics on epitaxial graphene on
SiC substrate, Applied Physics Letters, 96, 072111.R.Pascu, M.
Dinescu, 2012. Spectroscopic ellipsometry, Romanian Reports in
Physics, 64, p.135-142.Santoso I, Gogoi. P. K. Su, H.B., Huang, H.,
Lu, Y., Qi. D.C., Chen, W., Majidi, M. A., Feng, Y.P., Wee, A.T.S.,
Loh, K.P., Venkatesan, T., Saichu, R.P., Goos, A., Ruebhausen, M.,
Rusydi, A., 2011, Observation of room temperature high-energy
resonant excitonic effects in graphene, Phys. Rev. B 84, 081403R.S.
H. Xie, Y. Y. Liu, and J. Y. Li, 2008, Comparison of the effective
conductivitybetween composites reinforced by graphene nanosheets
and carbon nanotubes, Applied Physics Letters, 92, 243121.T. H.
Ghong, T. J. Kim, Y. D. Kim, and D. E. Aspnes, 2004, Spectroscopic
ellipsometric analysis of interfaces: Comparison of alloy and
effectivemedium-approximation approaches to a CdMgTe multilayer
system, Applied Physics Letters 85, 946.T. J. Kim, T. H. Ghong, Y.
D. Kim, D. E. Aspnes, M. V. Klein, D-S. Ko, Y-W. Kim, V. C. Elarde,
and J. J. Coleman, 2007, Investigation of effective-medium
approximation, alloy, verage-composition, and graded-composition
models for interface analysis by spectroscopic ellipsometry,
Journal of Applied Physics 102, 063512.Weber, J, W., Calado, V. E.,
van de Sanden, M. C. M., 2010, Optical constant of graphene
measured by spectroscopic ellipsometry. Appl. Phys. Lett., 97,
091904.Y. Shen, P. Zhou, Q. Q. Sun, L. Wan, J. Li, L. Y. Chen, D.
W. Zhang, and X. B. Wang, 2011, Optical investigation of reduced
graphene oxide by spectroscopic ellipsometry and the band-gap
tuning, Appl. Phys. Lett., 99, 141911.Y. X. Zheng, R. J. Zhang,L.
Y. Chen, 2012, Ellipsometry and its Applications in Stoichiometry,
Stoichiometry and Materials Science, ISBN: 978-953-51-0512-1.Zhang,
Y. B. et al, 2004, Fabrication and Electric Field Dependent
Transport Measurements of Mesoscopic Graphite Devices,
arXiv:cond-mat/0410314v1.
NAMA: ERI WIDIANTONIM: 13/353668/PPA/04224
DRAF PENILAIAN PROPOSAL METODOLOGI RISETNoKriteria PenilainBobot
(%)SkorNilai
1Perumusan masalah:a. Ketajaman perumusan masalahb. Tujuan
Penelitian25
2Peluang luaran penelitiana. Publikasi ilmiahb. Pengembangan
Ipteks-Sosbud25
3Metode penelitian Ketepatan dan kesesuaian metode yang
digunakan25
4Tinjauan pustaka:a. Relevansib. Kemuktahiran c. Penyusunan
Daftar Pustaka15
5Kelayakan penelitian:a. Kesesuain waktub. Kesesuaian biayac.
Kesesuain personalia10
Jumlah100
Keterangan : Skor: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 (1=Buruk; 2 = Sangat
kurang; 3 = kurang; 5 = cukup; 6 = Baik; 7 = Sangat baikNilai =
bobot x Skor18
