Transistor Unipolar.¿Qué es un transistor unipolar?

El transistor de efecto campo (ield-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.

¿Cuántos tipos de transistores unipolares hay?

1-.El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante.2-.El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n3-.El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.4-.En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta el cuerpo del transistor.5-.Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)6-.Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aún así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.7-. Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.8-.Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.

¿Cuáles son sus símbolos?

¿Cuáles son los nombres de sus terminales?

D = Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p) S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores. G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de portadores a través del canal.

¿Cuáles son sus principales aplicaciones?

1. Amplificador de tensión 2. Conmutador analógico 3. Compuerta digital 4. Resistencia variable con la tensión5. Amplificador de VHF con baja distorsión 6. En medidores de PH 7. En electroencefalógrafos 8. En electrocardiógrafos

¿Cuáles son sus principales Datos Técnicos?

1. Idmáx: Máxima corriente permitida de drenador.2. IGmáx: Máxima corriente permitida de compuerta.3. VDSmáx: Máxima tensión permitida drenador-surtidor.4. VGSOmáx: Máxima tensión permitida compuerta-surtidor con drenador abierto.5. VDGOmáx: Máxima tensión permitida drenador-puerta con surtidor abierto.6. IDSS: Corriente de drenador con la G en c.c. con el S y para una VDS determinada.7. V (P) GS: Tensión de estrangulamiento G y S para una VDS y ID dadas con el canal cortado.8. Ptot: Potencia total máxima disipable a una temperatura dada.9. gm o yfs: transconductancia o transadmitancia.

¿Cuáles son sus configuraciones básicas?

Al igual que los BJT, cuando el JFET se emplea como amplificador, se puede disponer en cualquiera de las tres configuraciones determinadas por la forma de conectarlo, esto es: fuente o surtidor común (S.C.), drenador común (D.C.) y puerta común (G.C.). Sus características son similares, teniendo en cuenta las peculiaridades que los hacen distintos a las ofrecidas en disposiciones análogas por los transistores bipolares. Se puede relacionar de la siguiente forma:1-.Fuente común con Emisor común.2-.Drenador común con Colector común.3-.Puerta común con Base común.

Señale 3 diferencias entre transistores unipolar y bipolar.

1-. Su funcionamiento depende únicamente de la circulación de portadores mayoritarios. Es, por tanto, un dispositivo unipolar (un solo tipo de portadores).2-. Su fabricación es más sencilla, requieren menor espacio de integración y permiten mayor densidad de componentes.3-. Se pueden conectar como resistencias de carga, lo que permite circuitos formados únicamente con transistores.