Reemplazo Actual Ugn3141 1

A1101, A1102, A1103, A1104, and A1106

Familia de Conmutadores, de tiempo continuo

▪Características y Beneficios▫ Funcionamiento en tiempo continuo▫ Tiempo de encendido rápido▫ bajo ruido▪ Funcionamiento estable en toda la gama de temperatura defuncionamiento▪ protección contra inversión de polaridad de la batería▪ Fiavilidad de estado solido▪ Programado de fábrica en el extremo de la línea paraun rendimiento óptimo▪ Robusto desempeño EMC▪ Alta calificación EDS▪ Regulador estabilizado sin capacitor de paso

Packages: 3-pin SOT23W (suffix LH), and3-pin SIP (suffix UA)

DescriptionEl Allegro® A1101-A1104 y A1106 llave de efecto HallEs la nueva generación que reemplaza al popular Allegro 312xx y314xx, líneas de interruptores unipolares.La familia A110xx, producido con la tecnología BiCMOS , consta dedispositivos de rápido tiempo de encendido y operación de bajoruido. La programación del dispositivo se realiza después delenvasado, para garantizar una mayor precisión del punto deconmutación mediante la eliminación de las compensaciones qu epueden ser inducidos por el estrés del empaquetado. Distintosgeometrías del elemento Hall y amplificadores de bajodesplazamiento ayudar a minimizar el ruido y a reducir la tensiónresidual desplazamiento causado normalmente por sobre moldeo deldispositivo, variaciones de temperatura, y la tensión térmica.El A1101-A1104 y A1106 llave de efecto Hall incluye en unúnico chip de silicio lo siguiente : regulador de voltaje, generadorde efecto Hall, amplificador de baja señal , disparador de Schmit,y el transistor NMOS de salida. . El regulador de tensión integradopermite la operación desde 3,8 a 24 V. El amplio circuito deprotección, on board, hace posible la protección con tensiones de ±30 V nominal máxima absoluta para una protección superior enaplicaciones de conmutación de automoción e industriales delmotor, sin necesidad de agregados.

LH: A1101, A1102, A1103,A1104, and A1106

Not to scale UA: A1101, A1102,A1103, and A1104 UA: A1106

Continua en la proxima pagina

Diagrama de bloques funcionales

VCC

Regulator To all subcircuits

VOUT

Amp

Gain Offset

TrimControl

GND

Leopoldo Urquiza 24/07/2012

Allegro MicroSystems, Inc. 2115 Northeast CutoffWorcester, Massachusetts 01615 -0036 U.S.A.1.508.853.5000; www.allegromicro.com

A1101, A1102, A1103, A1104, and A1106 Continuous-Time Switch Family

Descripcion (continuacion)

componentes externos. Todos los disposit ivos de la familia sonidénticos, execepto los niveles del punto de actuación magnético.Las pequeñas geometrías del proceso BiCMOS permit e queestos dispositivos se proporcionan en capsulados ultrapequeños.Los estilos de paquetes disponibles proporcio nan

magnéticamente soluciones optimizadas para la mayoría de lasaplicaciones. El capsulado LH es una SOT23W, miniatura debajo perfil para montaje en superficie, mientras que el capsuladoUA es de tres pines UltraMini SIP para el montaje a través deagujeros. Cada capsulado es libre de plomo (Pb), con marcos de100% de estaño plateado mate

Guia de seleccionNumero departe

capsulado montaje Temperaturaambiente

BRP (Min) BOP (Max)

A1101ELHLT-T 7-in. reel, 3000 pieces/reel 3-pin SOT23W surface mount

A1101EUA-T Bulk, 500 pieces/bag 3-pin SIP through hole–40ºC to 85ºC

A1101LLHLT-T 7-in. reel, 3000 pieces/reel 3-pin SOT23W surface mount

A1101LUA-T Bulk, 500 pieces/bag 3-pin SIP through hole–40ºC to 150ºC

10 175

A1102ELHLT-T 7-in. reel, 3000 pieces/reel 3-pin SOT23W surface mount

A1102EUA-T Bulk, 500 pieces/bag 3-pin SIP through hole–40ºC to 85ºC



60 245

A1103ELHLT-T 7-in. reel, 3000 pieces/reel 3-pin SOT23W surface mount –40ºC to 85ºC



150 355

A1104EUA-T Bulk, 500 pieces/bag 3-pin SIP through hole –40ºC to 85ºC



25 450

A1106EUA-T Bulk, 500 pieces/bag 3-pin SIP through hole –40ºC to 85ºC



160 430

*Contact Allegro for additional packing options .

Valores máximos absolutosCaracterística Símbolo Notas Valor Unidad

Tensión de alimentación VCC 30 V

Tensión inversa de alimentación VRCC –30 V

Voltaje con salida baja VOUT 30 V

Voltaje de salida inverso VROUT –0.5 V

Corriente de salida IOUTSINK 25 mA

Densidad del flujo magnético B ilimitado G

Rango E –40 to 85 ºCTemperatura ambiente de operaciónTA Rango L –40 to 150 ºC

Máxima temperatura de la juntura TJ(max) 165 ºC

Temperatura de almacenamiento Tstg –65 to 170 ºC


www.allegromicro.com



GN

D

VC

C

VO

UT

VC

C

GN

D

VO

UT

CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE OPERACION sobre máximo voltaje de operación y rangos de temperatura ambiente, a menosque se indique lo contrario

Characteristicas Símbolo Condiciones deprueva

Min. Typ. Max. Unidad

Tensión de alimentación VCC Operación, TJ < 165°C 3.8 – 24 VCorriente de fuga en la salida IOUTOFF VOUT = 24 V, B < BRP – – 10 μAVoltaje con salida alta VOUT(SAT) IOUT = 20 mA, B > BOP – 215 400 mV

Power-alto Tiempo2 tPOSlew rate (dVCC/dt) < 2.5 V/μs, B > BOP + 5 G orB < BRP – 5 G – – 4 μs

Tiempo de Rizado de salida tr VCC = 12 V, RLOAD = 820 Ω, CS = 12 pF – – 400 ns

Tiempo de caída en la salida tf VCC = 12 V, RLOAD = 820 Ω, CS = 12 pF – – 400 nsICCON B > BOP – 4.1 7.5 mA

Corriente de alimentaciónICCOFF B < BRP – 3.8 7.5 mA

Corriente inversa de la batería IRCC VRCC = –30 V – – –10 mA

Zener de enclavamiento delvoltaje de alimentación

VZ ICC = 10.5 mA; TA = 25°C 32 – – V

Suministro de corriente delZener

IZ VZ = 32 V; TA = 25°C – – 10.5 mA

1 Maximum voltage must be adjusted for power dissipation and junction temperature, see Power Derating section.2 For VCC slew rates greater than 250 V/μs, and TA = 150°C, the Power-On Time can reach its maximum value.3 CS =oscilloscope probe capacitance.4 Maximum current limit is equal to the maximum I CC(max) + 3 mA.

Package LH Package UA, 3-pin SIP

3

1 2 1 2 3

Terminal Listnumeronombre descripción capsula LH capsula UA

VCC Conexión de la alimentación al chip 1 1VOUT Salda al circuito 2 3GND masa 3 2





Caracteristicas de operacion magnetica over full operating voltage and ambient temperature ranges, unless otherwise notedCaracterísticas Símbolo Condiciones de

pruebaMin. Typ. Max. Units

TA = 25°C 50 100 160 GA1101

Rango de temperatura de operación 30 100 175 G

TA = 25°C 130 180 230 GA1102


TA = 25°C 220 280 340 GA1103


TA = 25°C 70 – 350 GA1104

Rango de temperatura de operación 35 – 450 G

TA = 25°C 280 340 400 G

Punto de operación BOP

A1106Rango de temperatura de operación 260 340 430 G

TA = 25°C 10 45 130 GA1101


TA = 25°C 75 125 175 GA1102


TA = 25°C 165 225 285 GA1103


TA = 25°C 50 – 330 GA1104

Rango de temperatura de operación 25 – 430 G

TA = 25°C 180 240 300 G

punto de lanzamiento BRP


TA = 25°C 20 55 80 GA1101

Rango de temperatura de operación 20 55 80 GRango de temperatura de operación 30 55 80 G


TA = 25°C 30 55 80 GA1103


TA = 25°C 20 55 – GA1104

Rango de temperatura de operación 20 55 – G

TA = 25°C 70 105 140 G

Histéresis BHYS


La densidad del flujo magnético , B, , Se indica como un valor negativo para los campos magnéticos de polaridad norte -, y como un valor positivo paralos campos de polaridad magnética sur.Esta llamada convención algebraica soporta la comparación aritmética de los valores de polaridad norte y sur de , donde se indica la fuerzarelativa del campo por el valor absoluto de B, y el signo indica la polaridad del campo (por ejemplo, un campo -100 G y un campo de 100 Gtienen resistencia equivalente, pero de polaridad opuesta).





Max

imum

Allo

wab

leV

CC

(V)

Pow

erD

issi

patio

n,P

D(m

W)

Característica Símbolo Condiciones deprueba

valor unidad

capsula LH, 1- capas PCB de cobre limita a puntos desoldadura

228 ºC/W

capsula LH, 2- capas PCB con 0.463 cm2 de área de cobrecada uno cara conectado por vías térmicas 110 ºC/W

Resistencia térmica del capsulado RθJA

capsula UA, 1- capas PCB de cobre limita a puntos desoldadura

165 ºC/W

Power Derating CurveTJ(max) = 165ºC; ICC = ICC(max)

25242322212019181716151413 Package LH, 2-layer PCB1211 (RJA = 110 ºC/W)109 Package UA, 1-layer PCB8 (RJA = 165 ºC/W)76 Package LH, 1-layer PCB5 (RJA = 228 ºC/W)432

VCC(max)

VCC(min)

20 40 60 80 100 120 140 160 180

Power Dissipation versus Ambient Temperature

1900180017001600150014001300120011001000

900800700600500400300200100

020 40 60 80 100 120 140 160 180

Temperature (°C)




A1101, A1102, A1103, A1104, and A1106 Continuous-Time Switch FamilyI C

CO

N(m

A)

I CC

ON

(mA

)

I CC

OFF

(mA

)

I CC

OFF

(mA

)

VO

UT(

SAT

)(m

V)

VO

UT(

SA

T)(m

V)

datos característicos

Supply Current (On) versus Ambient Temperature(A1101/02/03/04/06)

Supply Current (On) versus Supply Voltage(A1101/02/03/04/06)

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0

VCC (V)

243.8

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0

TA (°C)

–4025

150

–50 0 50 100 150 0 5 10 15 20 25TA (°C) VCC (V)

Supply Current (Off) versus Ambient Temperature(A1101/02/03/04/06)

Supply Current (Off) versus Supply Voltage(A1101/02/03/04/06)

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0

VCC (V)

243.8

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0

TA (°C)

–4025

150

–50 0 50 100 150 0 5 10 15 20 25TA (°C) VCC (V)

Output Voltage (On) versus Ambient Temperature(A1101/02/03/04/06)

400

350

300

250

200

150

100

50

0

VCC (V)

243.8

400

350

300

250

200

150

100

50

0

Output Voltage (On) versus Supply Voltage(A1101/02/03/04/06)

TA (°C)

–4025

150

–50 0 50 100 150 0 5 10 15 20 25TA (°C) VCC (V)





VO

UT

BO

PBR

P

DESCRIPCION FUNCIONAL

OPERACION

La salida de estos dispositivos conmutadores es bajo próximo a0v (se enciende el transistor) cuando un campo magnético (depolaridad sur) perpendicular al elemento Hall excede el umbralde punto de operación, Bop. Después del encendido, la salida escapaz de suministrar 25mA y la tensión de salida es VOUTsat(próxima a 0V). Cuando el campo magnético se reduce pordebajo del punto de liberación, Brp, el dispositivo de salida pasaa nivel alto próximo a la tensión de alimentación (el transistor seapaga). La diferencia entre los puntos magnéticos de operaciónBOP y liberación BRP es la histéresis, Bhys, del dispositivo.Esta histéresis incorporada permite una interrupción limpia en lasalida, incluso en presencia de vibración mecánica externa yruido eléctrico.El encendido del dispositivo en la región de histéresis, menor deBop y superior de Brp, permite un estado de salidaindeterminado. El correcto estado se alcanza después de laprimera excursión más allá Bop. y el apaga do por debajo de Brp

Tiempo-continuo beneficios

los dispositivos de tiempo-continuo , tales como la familia

A110X, ofrecen el más rápido tiempo y respuesta de frecuencia

disponible debido a las compensaciones generadas durante el

proceso de envasado, los dispositivos de tiempo-continuo ,

normalmente requieren la programación después de l

embalaje para ajustar las distribuciones de los parámetrosmagnéticos.. En contraste, los conmutadores con estabilizadorchopper emplean una técnica de cancelación de de splazamientoen el chip que elimina estas compensaciones, sin necesidad deprogramación después de envasado. . La desventaja es un máslargo tiempo de asentamiento y respuesta de frecuenciareducida como resultado del algoritmo del estabilizadorchopper de cancelación.La elección entre el tiempo-continuo y diseños de estabilizadoreschopper se determina únicamente por la aplicación. Gestión debatería es un ejemplo donde a menudo se requiere tiempo -continuo. En estas aplicaciones, VCC se trocea con un ciclo detrabajo muy pequeño con el fin de conservar la energía (véase lafigura 2)

El ciclo de trabajo es controlado por el tiempo de encendido, TPO, del dispositivo. Debido a que los dispositivos tiempo -continuotienen el más corto tiempo de ence ndido, que son la mejor opciónpara estas aplicaciones.

For more information on the chopper stabilization technique,refer to Technical Paper STP 97-10, Monolithic Magnetic HallSensing Using Dynamic Quadratu re Offset Cancellation andTechnical Paper STP 99-1, Chopper-Stabilized Amplifiers with aTrack-and-Hold Signal Demodulator .

(A) (B)

Disparo

V+VCC

VS

VCC RL

A110x VOUTOutput

Apagado0

B– 0VOUT(SAT)

B+

GND

BHYS

Figura 1. Comportamiento de conmutación de los interruptores un ipolares. En el eje horizontal, la dirección de B + indica que la fuerza del campomagnético de polaridad sur es creciente, y la dirección de B-indica disminución de la fuerza del campo magnético de polaridad sur (incluyendo elcaso de polaridad norte creciente). Este comportamiento puede ser exhibidos cuando se utiliza un circuito tal como el mostrado en la Fig. B.





ADDITIONAL APPLICATIONS INFORMATIONExtensive applications information for Hall -effect devices isavailable in:

• Hall-Effect IC Applications Guide, Application Note 27701

• Hall-Effect Devices: Gluing, Potting, Encapsulating, LeadWelding and Lead Forming , Application Note 27703.1

• Soldering Methods for Allegro’s Products – SMT and Through-Hole, Application Note 26009

All are provided in Allegro Electronic Data Book, AMS-702,and the Allegro Web site, www.allegromicro.com.

1 2 3 4 5

VCC

t

VOUT

t

tPO(max)Salida muestreada

Figura 2. Tiempo-continuo Aplicación: el campo B < BRP.. (Apagado), Esta figura ilustra el uso de un ciclo rápido para trocear VCC con el fin deconservar la energía de la batería. Posición 1: se aplica energía al dispositivo. Posición 2: la salida toma el estado correct o un momento antes deltiempo máximo de encendido, TPO (máx.). Se muestra el caso donde el estado de la salida correcta es ALTA. Posición 3: TPO (max) ha transcurrido.El dispositivo de salida es valido. Posición 4: después que el dispositivo de salida es valido, una unidad de control lee la salida. posición 5: la energíaes retirada del dispositivo






2.98

0.180

2.90 1.91

0.05

Package LH, 3-Pin (SOT-23W)

+0.12–0.08

1.49 D

3 A4°±4°

+0.020–0.053

+0.10–0.20

0.96 D

D

+0.19–0.06

0.25 MIN

0.702.40

1.00

1 2

0.55 REF 0.25 BSCSeating Plane

Gauge Plane

0.95

B PCB Layout Reference View

8X 10° REF Branded Face

1.00 ±0.13 C Standard Branding Reference View

+0.10–0.05 NNT A1103, A1104,

and A11060.95 BSC 0.40 ±0.10

1For Reference Only; not for tooling use (reference dwg. 802840)Dimensions in millimetersDimensions exclusive of mold flash, gate burrs, and dambar protrusionsExact case and lead configuration at supplier discretion within limits shown

A Active Area Depth, 0.28 mm REF

N = Last two digits of device part numberT = Temperature code (letter)

B Reference land pattern layout

to meet application process requirements and PCB layout tolerancesC Branding scale and appearance at supplier discretion

NNN

1

A1103, andA1104 only

D Hall element, not to scale N = Last three digits of device part number





4.09

3.02

0.41

0.43

Package UA, 3-Pin SIP(A1101, A1102, A1103. and A1104)

+0.08–0.05

45°B

E2.04

C

1.52 ±0.05

+0.08–0.05

1.44 E

EBrandedFace

45°

Mold EjectorPin Indent

NNT

1

2.16MAX

0.51REF

1 2 3

0.79 REFA

D Standard Branding Reference View= Supplier emblem

N = Last two digits of device part numberT = Temperature code

15.75 ±0.51+0.03–0.06

For Reference Only; not for tooling use (reference DWG -9049)Dimensions in millimetersDimensions exclusive of mold flash, gate burrs, and dambar protrusionsExact case and lead configuration at supplier discretion within limits shown

A Dambar removal protrusion (6X)

B Gate burr areaC Active Area Depth, 0.50 mm REFD Branding scale and appearance at supplier discretionE Hall element, not to scale

+0.05–0.07 1.27 NOM





4.09

3.02

0.43

Package UA, 3-Pin SIP(A1106)

+0.08–0.05

45°B

E2.04

C

1.52 ±0.05

+0.08–0.05

1.44 E

E

10°

BrandedFace

45°

Mold EjectorPin Indent

NNT

1

1.02MAX

0.79 REFA

D Standard Branding Reference View= Supplier emblem

N = Last two digits of device part numberT = Temperature code

14.99 ±0.25

1 2 3

0.41 +0.03

For Reference Only; not for tooling use (reference DWG -9065)Dimensions in millimetersDimensions exclusive of mold flash, gate burrs, and dambar protrusionsExact case and lead configuration at su pplier discretion within limits shown

+0.05–0.07

–0.06 A Dambar removal protrusion (6X)

B Gate and tie bar burr areaC Active Area Depth, 0.50 mm REFD Branding scale and appearance at supplier discretionE Hall element (not to scale)

1.27 NOM






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Reemplazo Actual Ugn3141 1