114
RF 製品用のアプリケーションお よび設計マニュアル 2010 5 RF マニュアル第 14

RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

RF製品用のアプリケーションおよび設計マニュアル2010年5月

© 2010 NXP B.V.

All rights reserved. 本文書の全部または一部の複製には、事前に著作権者からの書面による同意が必要です。本文書

に記載されている情報は、見積もりや契約の一部には含まれません。情報の正確さや信頼性には万全を期しておりま

す。また、情報は予告なく変更されることがあります。本文書の情報を用いた結果につきましては、一切の責任を負いか

ねます。本文書は、特許権あるいは他の工業的または知的所有権の使用ライセンスを提供するものでも、その提供を暗

示するものでもありません。

リリース日: 2010年5月

ドキュメント注文番号: 9397 750 16952

印刷: オランダ

RFマ

ニュアル第

14版

RFマニュアル第14版

Page 2: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に
Page 3: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

3NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Page 4: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

4 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれまでになく簡単に

最も要求の高いアプリケーションに向けたハイパフォーマンスRF

『NXPのRFマニュアル』は、今日RF設計者向けに市場に出回っているリファレンス・ツールの中でも特に重要なもののひとつです。低出力から高出力まで、RF製品の品揃えに焦点を当てています。

新機能このRFマニュアルの改訂版では、ポイント・ツー・ポイントコミュニケーション、レーダー、VSAT、MoCA (Multimedia over Coax Alliance)、NIM (Network Interface Module for TV reception)、デジタルサテライト・セット・トップボックス、RF (プラズマ) 照明、医療用画像装置、マイクロ波加熱器、モバイルプラットフォームなどの新しいアプリケーションをご紹介します。SiGe:C QUBiCおよびLDMOSの主なテクノロジーを用いた新規開発製品について、詳細に説明しています。

4ピンダイオード、第6世代、第7世代SiGe:C広帯域トランジスタ、可変利得アンプ、ワイヤレス・インフラストラクチャー向けLNA、STB向けMOSFETならびにLNA、高速コンバータのラインナップなどの新製品が製品ポートフォリオに追加されています。さらに、GPS LNA、ミディアムパワーアンプ、LOジェネレータおよびCATVモジュールなどの新規リリース品も含まれています。

クラス最高のドハティアンプ設計、ミディアムパワーアンプ、可変利得アンプやLNAなどの幅広い製品群、JESD204A準拠の高速DACおよびADCなど、弊社のベースステーションの品揃えはさらに充実しています。

最後に、クロス・リファレンス製品は1200アイテムを超え、40%の大幅な増加を実現しました。

RFの強固な基礎毎年、数多くのRF製品を送り出しているNXPは、ハイパフォーマンスRF業界を牽引する真のリーダーです。NXPのRF小信号製品は、衛星、携帯のベースステーション、モバイルデバイス、自動車、テレビチューナ、ケーブルテレビなどに幅広く採用されています。携帯インフラストラクチャー、ブロードキャスト/ISM、ならびにレーダーアプリケーション向けの高出力RFでは、業界のリーダー的存在となっています。また、NXPの新しい、JESD204A準拠の高速コンバータにより提供されるシリアル化した信号処理アーキテクチャにより、よりコンパクトで高パフォーマンスなシステムが実現します。

NXPの知的財産は、パッケージ製品のみならず、特許取得済みの高パフォーマンスプロセスへも及びます。パワーアンプ向けの高出力LDMOS、高速コンバータ向けのCMOSプロセス、およびRF小信号トランジスタ、MMICならびにIC向けの最新のSiGe:C (QUBiC4) まで、NXPの自社プロセスとテクノロジーポートフォリオは、他との差別化を実現します。

さらに、1日6500万ユニットを製造する、フロントエンド、バックエンドの工場の品質は高く、8インチIC工場はオランダ、シンガポールに拠点を置き、さらにタイ、台湾、中国にも組立工場を設置することで、コスト構造もすぐれています。すべてのプロセスはAEC100認証を受けており、品質を大切にする顧客や品質が重視されるアプリケーションに供給しています。

Page 5: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

5NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

NXPはRFの先駆けです1963 – 0.75 インチウェハーにてトランジスタとダイオードを開発1964 – 初の最大1.5 GHz RF広域帯トランジスタ1970 – 5 GHz RF広域帯トランジスタBFR90登場1978 – 14 GHz RF広域帯トランジスタBFQ33登場1989 – 基地局向けエミッタ接地トランジスタに出力整合1992 – 最高出力のブロードキャスト向けバイポーラデバイス1996 – 最高パフォーマンスの2 GHz LDMOS2004 – パワーアンプ向けに業界で最も進んだプロセスを採用したGen5 LDMOS2006 – ドハティを完全統合したトランジスタ2007 – 業界初の完全に統合されたシリコンベースの衛星用ICソリューション: TFF1004HN2008 – JESD204Aに準拠した高速データコンバータ2009 – FM ラジオ (88〜108 MHz) 用1kW シングルトランジスタパワーアンプ (BLF578)2009 – 最先端、次世代SiGe:C BiCMOS QUBiC4Xiテクノロジー

“弊社のRFマニュアル最新版をご紹介できることを誇りに思います。第14版総合マニュアルには、NXPのRF製品がすべて網羅されています。設計担当者の毎日の作業に大きく貢献する、さまざまな使い方を見つけていただけることでしょう。”

敬具、

John Croteau

上席副社長および統括責任者

ビジネスライン・ハイパフォーマンスRF

RFマニュアルのwebページwww.nxp.com/rfmanual

Page 6: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

6 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

目次

1.1 モバイルコミュニケーション・インフラストラクチャー _____________________________________________________ 91.1.1 ベースステーション (全携帯標準および周波数ならびにWiMAXインフラストラクチャー) __________________ 91.1.2 ポイント・ツー・ポイント ______________________________________________________________________ 12

1.2 マイクロ波 & ミリ波 ________________________________________________________________________________ 141.2.1 VSAT _______________________________________________________________________________________ 141.2.2 航空、Lバンド、Sバンドレーダー向けマイクロ波製品 _______________________________________________ 16

1.3 固定コミュニケーション・インフラストラクチャー _______________________________________________________ 181.3.1 CATV-光信号 (マルチ出力ポート付き光ノード) ____________________________________________________ 181.3.2 CATV-電気信号 (ラインエクステンダ) ____________________________________________________________ 191.3.3 ブロードキャスト / ISM (産業、科学、医療用)______________________________________________________ 20

1.4 TV、NIM (STB)、衛星 _______________________________________________________________________________ 211.4.1 テレビ受信向けネットワークインターフェースモジュール(NIM) _______________________________________ 211.4.2 ベーシックTVチューナ ________________________________________________________________________ 231.4.3 MoCA (Multimedia over Coax Alliance) _________________________________________________________ 241.4.4 マルチユーザーのための衛星屋外装置および低ノイズ・ブロック(LNB) ________________________________ 251.4.5 衛星マルチスイッチ・ボックス - 4 x 4 (最大 16 x 16) / DiSEqC / SMATV ______________________________ 261.4.6 デジタル衛星セットトップボックス (高精細) _______________________________________________________ 27

1.5 コンシューマ向けモバイル機器 _______________________________________________________________________ 281.5.1 モバイルプラットフォーム (GPS / モバイルTV / FM ラジオ / 基準クロック / CMMB / LTE) ____________________ 281.5.2 WLAN向け2.4 & 5 GHzフロントエンド (802.11nデュアルコンボ) _____________________________________ 291.5.3 トランシーバー / ファミリー無線システム_________________________________________________________ 301.5.4 DECTフロントエンド / DECT 社内用親機 ________________________________________________________ 31

1.6 自動車および産業向け ______________________________________________________________________________ 321.6.1 アクティブ・アンテナ __________________________________________________________________________ 321.6.2 送受信専用アンテナ付きRF汎用フロントエンド (リモート・キーレス・エントリー) ________________________ 331.6.3 タイヤ空気圧監視システム _____________________________________________________________________ 341.6.4 カー・ラジオ・レシーバー (CREST ICs: TEF6860HL, TEF6862HL) ____________________________________ 351.6.5 統合アンテナ付きRF汎用フロントエンド / ZigBee (スマートメーター) _________________________________ 361.6.6 RFプラズマ照明 ______________________________________________________________________________ 371.6.7 医療用画像装置 ______________________________________________________________________________ 381.6.8 RFマイクロ波加熱器 __________________________________________________________________________ 39

2. テクノロジーと注目製品 ____________________________________________________________________________ 402.1 実証済QUBiC4X SiGe:CプロセスのGPS LNAにて最速のTTFFを体感ください _________________________ 402.2 NXPの最新第6世代および第7世代SiGe:C広帯域トランジスタなら整合性もばっちり ____________________ 412.3 ブロードバンドに応用できるミディアムパワーMMIC BGA7xxx _______________________________________ 422.4 マイクロ波&ミリ波向け低ノイズLOジェネレータ __________________________________________________ 432.5 全LNBアーキテクチャに適合した完全な衛星向けポートフォリオ _____________________________________ 442.6 VSAT、衛星を経由する双方向通信 ______________________________________________________________ 462.7 中国SARFT標準対応NXP CATV Cファミリー _____________________________________________________ 482.7.1 NXP GaAs HFC CATVソリューションCGY888C、CGD942C、CGD944C _____________________________ 512.8 持続可能なCATVネットワーク向け1 GHz GaAsモジュールの高効率ラインナップ _______________________ 522.9 最先端のワイヤレスインフラ向けドハティアンプ・テクノロジー _______________________________________ 542.10 GaNを用いたワイヤレス・インフラにおける効率性向上ならびにシステムコスト削減 _____________________ 562.11 SiGe:Cのトップ企業をお探しですか? NXPがあれば、もう迷うことはありません! ________________________ 572.12 マイクロ波 / レーダー _________________________________________________________________________ 592.13 最高のデジタル放送 __________________________________________________________________________ 61

Page 7: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

7NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3. 製品ポートフォリオ ________________________________________________________________________________ 62

3.1 新製品 ______________________________________________________________________________________ 623.2 RFダイオード ________________________________________________________________________________ 643.2.1 バリキャップ・ダイオード ______________________________________________________________________ 643.2.2 PINダイオード _______________________________________________________________________________ 653.2.3 バンドスイッチ・ダイオード_____________________________________________________________________ 673.2.4 ショットキー・ダイオード ______________________________________________________________________ 673.3 RFバイポーラ・トランジスタ ____________________________________________________________________ 683.3.1 広帯域トランジスタ ___________________________________________________________________________ 683.4 RF IC _______________________________________________________________________________________ 713.4.1 MMIC ______________________________________________________________________________________ 713.4.2 VSATおよびマイクロ波アプリケーション向け低ノイズLOジェネレータ ________________________________ 733.5 RF MOSトランジスタ _________________________________________________________________________ 743.5.1 JFET _______________________________________________________________________________________ 743.5.2 MOSFET ____________________________________________________________________________________ 763.6 RFモジュール ________________________________________________________________________________ 783.6.1 CATVリバースハイブリッド ____________________________________________________________________ 783.6.2 CATVプッシュプル ___________________________________________________________________________ 783.6.3 CATVパワーダブラー _________________________________________________________________________ 793.6.4 CATV光レシーバー ___________________________________________________________________________ 793.7 RFパワートランジスタ _________________________________________________________________________ 803.7.1 ベースステーション向けトランジスタ ____________________________________________________________ 803.7.2 ブロードキャスト / ISM (産業、科学、医療用) 向けRFパワートランジスタ ______________________________ 833.7.3 マイクロ波LDMOS RFパワートランジスタ ________________________________________________________ 843.8 高速データコンバータ _________________________________________________________________________ 853.8.1 高速ADC ____________________________________________________________________________________ 853.8.2 高速DAC ___________________________________________________________________________________ 85

4. 設計サポート _____________________________________________________________________________________ 864.1 Sパラメータ _________________________________________________________________________________ 864.2 シミュレーションモデル _______________________________________________________________________ 864.2.1 Spiceモデル _________________________________________________________________________________ 864.2.2 RFパワーデバイス・シミュレーションモデル _______________________________________________________ 874.3 アプリケーション・ノート ______________________________________________________________________ 874.4 デモボード __________________________________________________________________________________ 874.4.1 IC, MMICおよびSiGe:Cトランジスタ・デモボード _________________________________________________ 874.4.2 RFパワートランジスタ・デモボード ______________________________________________________________ 874.4.3 高速コンバータ・デモボード ____________________________________________________________________ 884.5 開発中の製品サンプル ________________________________________________________________________ 884.6 リリース済の製品サンプル _____________________________________________________________________ 884.7 データシート ________________________________________________________________________________ 884.8 技術サポート ________________________________________________________________________________ 884.9 新: インタラクティブ・セレクション・ガイド _______________________________________________________ 88

5. クロス・リファレンスおよび代替製品 _________________________________________________________________ 895.1 クロス・リファレンス: 他社製品に対応するNXP製品 ________________________________________________ 895.2 クロス・リファレンス: NXP生産終了品に対応する現行製品 __________________________________________ 98

6. パッキングおよびパッケージ情報 ___________________________________________________________________ 1006.1 パッケージあたりの梱包数量と関連注文コード ___________________________________________________ 1006.2 マーキング・コード一覧 _______________________________________________________________________ 102

7. 略語 ____________________________________________________________________________________________ 1048. 連絡先とwebリンク_______________________________________________________________________________ 1059. 製品目録 ________________________________________________________________________________________ 106

Page 8: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

8 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Page 9: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

8 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Page 10: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

9NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.1 モバイルコミュニケーション・インフラス トラクチャー

上記の図は、ベースステーションのブロック図を示すものです。送信部 (上部TX) と受信部 (下部 RX) で構成されます。

まずは送信部について見てみましょう。信号プロセシングへとつながるインターフェースの後、シリアルインターフェース (SER) を含むデジタルアナログコンバータ (DAC) に到達します。伝達された信号は、低域通過フィルタ (LPF) を通って、IQミキサーステージにおいて高周波変換されます。そして可変利得アンプ (VGA)、バンドパスフィルタ (TX BPF)を通り、ミディアムパワーアンプ (MPA) とハイパワーアンプ (HPA) ステージで構成されるパワーアンプボードへとつながります。

アンテナまでの最後の基本ブロックはアイソレータとデュプレクサになります。送信信号の状態を監視するために、フィードバックラインが用いられます。TX信号は「サンプル抽出」され、ミキサーでダウンコンバート、増幅 (VGA)、バンドパスフィルタ (BPF) され、高速シリアルインターフェースがついたアナログデジタルコンバータ (SER ADC) においてデジタルへと変換されます。

ベースステーションの主な受信部は、デュプレクサから始まり、「塔設アンプ」のアンテナに近いところで低ノイズアンプ (LNA)で増幅され、バンドパスフィルタ (RX BPF) でフィルタされます。そして、さらに増幅 (LNA) され、ダウンコンバージョン・ミキサーへと流れこみ、IQのベースバンド信号はさらに増幅 (VGA)、低域通過フィルタ (LPF) を経由して、でそれぞれADC (SER I-ADCおよびSER Q-ADC) へとつながります。

次にシリアルインターフェースは、ベースバンド信号プロセスユニットへと接続します。ダイアグラム内で同期された「鼓動」は電圧制御発振器 (VCO) を通して、または発振器なしでも位相ロックループ (PLL) で制御されます。マイクロコントローラ (μC) が局部制御を施し、ブロック内の機能を監視します。色分けされたビルディングブロックはすべてNXPで入手可能です。次の章からの詳細説明をご覧ください。

brb411

RF POWER BOARDMPA HPA ISOLATORVGA

LNA

VGA

VGABPF

LPF

LPF

LPF

LPF

LNA

ANTENNATX/RX

RX BPF

TX BPF

TOWERMOUNTEDAMPLIFIER

DUPLEXER

VGA

mixer

PLL VCOPLL

PLL

IQ MIXER

0

90

MIXER

MIXER

PLL VCO

PLL VCO

IQ MIXER

0

90

MIXER

MIXER

SER ADC

SER I-ADC

SER Q-ADC

SER Q-DAC

SER I-DAC

µC

µC

INT

ER

FA

CIN

G

SIGNALPROCESSING

Processing

RF small signal RF power

Dataconverters

1.1.1ベースステーション(全携帯標準および周波数)カタログもご覧ください: 'Your partner in Mobile Communication Infrastructure design': ドキュメント番号: 9397 750 16837。

アプリケーション図

Page 11: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

10 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

製品ハイライト:ハイパワートランジスタBLF7G20L(S)-300P

NXPのLDMOSGen6およびGen7は、非常に高い内生効果 (Siテクノロジー) 外生効果 (アンプの設計) を組み合わせることにより、世界で最も効率のよいベースステーション設計を現実のものにします。Gen7は、特にドハティアンプ向けに設計されています。

特長`` 比類ない耐久性 ` 一貫性の高いデバイスパフォーマンス`` 現時点で最も高いドハティアンプの効率性`` 最大出力300 W、プッシュ・プルパッケージで平均出力35 W`` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計

推奨製品

Function Sub functionfrange

TypePL(AV) ηD

GpMode of operation

MHz W % dB

HPA(highpower

amplifier-singletransistors)

driver 10`-`2200 BLF6G21-10G 0.6 15 18.5 WCDMA.`TD-SCDMA.`GSM.`EDGEMMICdriver 700`-`1000 BLM6G10-30 2 11.5 29 WCDMA

final700`-`1000 BLF6G10-160RN 32 27 22.5 WCDMA688`-`1000 BLF6G10-200RN 40 28.5 20 WCDMA

final 1800`-`2000 BLF6G20-230PRN 65 32 17.5 WCDMAfinal 1805`-`1880 BLF7G20L(S)-200 50 30 17 WCDMAfinal 1805`-`1880 BLF7G20L(S)-250P 70 30 17 WCDMAfinal 1805`-`1880 BLF7G20L(S)-300P 85 30 17 WCDMA

MMICdriver 2100`-`2200 BLM6G22-30 2 9 29.5 WCDMA

integratedDohertydriver2010`-`2025 BLD6G21L-50 8 42 13.5 TD-SCDMA2110`-`2170 BLD6G22L-50 8 38 13.3 WCDMA

final 2000`-`2200BLF7G22L-130 30 32 18.5 WCDMABLF6G22-180PN 50 27.5 17.5 WCDMABLF6G22-180RN 40 25 16 WCDMA

final 2110`-`2170 BLF7G22L(S)-200 55 17 28 WCDMAfinal 2300`-`2400 BLF7G24L(S)-100(G) 24 18 28 WCDMA

driver2500`-`2700

BLF6G27-10 2 20 19 WiMAX

finalBLF6G27-135 20 22.5 16 WiMAXBLF7G27L-200P 20 25 16.5 WiMAX

driver3400`-`3600

BLF6G38-10 2 20 14 WiMAXfinal BLF6G38-100 18.5 21.5 13 WiMAX

FunctionFreq band

(MHz)PPEAK (dBm)

POUT-AVG (dBm)

VDS (V)

Gain (dB)

Drain Eff. (%)

Type Main transistor Peak transistor

HPA(highpower

amplifier-Dohertydesigns)

728-768 58 50 32 19 47 SYM BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN869-894 58 50 32 19 46 SYM BLF6G10-200RN BLF6G10-200RN925-960 58.9 50 32 22 44 SYM`/`MMPP 1/2`BLF6G10-260PRN 1/2`BLF6G10-260PRN

1805-1880 58.2 50 28 16 42 SYM`/`MPPM BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P1930-1990 58 50 32 15.5 37 SYM BLF6G20-230PRN BLF6G20-230PRN2110-2170 58 50 32 15 40 SYM BLF6G22-180PN BLF6G22-180PN2300-2400 49.5 42 28 14.5 43 SYM 1/2`BLF7G27-75P 1/2`BLF7G27-75P2500-2700 52.5 44.5 28 14 38 SYM 1/2`BLF6G27-150P 1/2`BLF7G27-150P3400-3600 51 43 28 11.5 32 SYM BLF6G38-50 BLF6G38-50

Page 12: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

11NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

製品ハイライト:ミディアムパワーアンプBGA7124 MMIC

BGA7124 MMICは、低コスト超小型SOT908リードレスパッケージにて提供される1段のドライバーアンプです。P1 dBにて25 dBmの出力、また最大2700 MHzまでの狭帯域の応用回路においてすぐれたパフォーマンスを発揮します。

特長 ` 400 MHz〜2700 MHzの周波数動作レンジ ` 2 GHzで16 dBの小信号利得 ` P1dBで27 dBmの出力`` アクティブバイアスを統合 ` 3.3 V / 5 V単一電源 ` 無信号時消費電流調整 ` 1 μAシャットダウンモード

Function Sub functionMax. sampling frequency

Type # of bits Interface

Dataconverters

dualchannelDAC

650`Msps DAC1405D650 14 LVCMOS

160`Msps DAC1405D160 14 LVCMOS

125`Msps DAC1401D125 14 LVCMOS

750`Msps DAC1408D750 14 JESD204A

singlechannelADC

80`Msps ADC1207S080 12 LVCMOS

125`Msps ADC1415S125 14 LVCMOS&LVDS`DDR

125`Msps ADC1410S125 14 LVCMOS&LVDS`DDR

dualchannelADC125`Msps ADC1412D125 14 LVCMOS&LVDS`DDR

125`Msps ADC1413D125 14 JES204A

Function Product Package Type

Discrete attenuator

RF`diode PIN`diodeSOT753 BAP64QSOT753 BAP70QVarious^ BAP64`

Function Product Package Type

LNA (low noise amplifier) &

Mixer

RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

RF`MMIC SiGe:C`MMIC SOT650

BGU7051BGU7052BGU7053BGU7054

Function Product Package Type

VGA (variable gain

amplifier)MMIC SiGe:C`MMIC SOT617

BGA7202*BGA7203*BGA7204*BGA7350*BGA7351*

Function Product Package Type

MPA (medium power

amplifier)MMIC

MMIC SOT89 BGA6589

SiGe:C`MMIC

SOT908 BGA7124SOT89 BGA7024SOT908 BGA7127SOT89 BGA7027SOT908 BGA7130*SOT908 BGA7133*

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。^ = SOD523, SOD323, SOT23 & SOT323。

Page 13: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

12 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.1.2ポイント・ツー・ポイント

アプリケーション図

brb406

INDOOR UNIT

OUTDOOR UNIT

REF REF

to/fromIDU

LNA

VGA2

IFMPA

BUF

PMU PMU

MPX

PLL VCO

MPX

LPF

BPF

ANTENNA

DATAINTERFACE

ANALOGVGA

0

90

POWERSUPPLY

DIGITALSIGNAL

PROCESSOR

LNA2 LNA1VGA2

VGA1

VGA1VGA1

SYNTH PLL

PLL

IF1

MPA PA

PLL VCO0

90

推奨製品インドアユニット

Function Product Package Type VGA 1

(variable gain amplifier)

MMIC SiGe:C`MMIC SOT617

BGA7202*BGA7203*BGA7204*

Function Product Package Type

MPA (medium power

amplifier)MMIC

MMIC SOT89BGA6289BGA6489BGA6589

SiGe:C`MMIC

SOT908 BGA7124SOT89 BGA7024SOT908 BGA7127SOT89 BGA7027

SOT908BGA7130*BGA7133*

Function Product Package Type

IF

IF`gain`block SiGe:C`MMIC

SOT363

BGA2800BGA2801BGA2815BGA2816

MMIC

General`purpose`

wideband`amplifiers

BGM1012BGA2714BGA2748BGA2771

Function Product Package Type

LNA

RF`MMIC SiGe:C`MMIC

SOT891 BGU7003

SOT650

BGU7051*BGU7052*BGU7053*BGU7054*

RF`transistor

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Wideband`transistor

SOT343RBFG425WBFG424W

SOT143R BFG325/XR

Function Product Package Type

VGA 2 (variable gain

amplifier)MMIC SiGe:C`

MMIC SOT617BGA7350*

BGA7351*

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。

Page 14: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

13NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

アウトドアユニットFunction Product Package Type

VGA 1 (variable gain

amplifier)MMIC SiGe:C`

MMIC SOT617

BGA7202*

BGA7203*

BGA7204*

Function Product Package Type

MPA (medium power

amplifier)MMIC

MMIC SOT89BGA6289BGA6489BGA6589

SiGe:C`MMIC

SOT908 BGA7124SOT89 BGA7024SOT908 BGA7127SOT89 BGA7027

SOT908BGA7130*BGA7133*

Function Product Package Type

Buffer RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Function Product Package Type

LNA 2RF`transistor SiGe:C`

transistor SOT343F BFU725F/N1

MMIC SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

Function Product Package Type

IF 1

IF`gain`block SiGe:C`MMIC

SOT363

BGA2800BGA2801BGA2815BGA2816BGA2850BGA2865BGA2866

MMIC

General`purpose`

wideband`amplifiers

BGM1014BGM1013BGM1012BGA2714

Function Product Package Type

VGA 2 (variable gain

amplifier)MMIC SiGe:C`

MMIC SOT617

BGA7202*BGA7203*BGA7204*BGA7350*BGA7351*

Function Product Package Type

PLL RF`IC SiGe:C`IC SOT616TFF1003HNTFF1007HN*TFF11xxxHN*^

Function Product Package Type

Oscillator RF`transistor

Wideband`transistor SOT343R

BFG424WBFG425W

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Function Product Package Type

Synth RF`diode Varicap`diode SOD523 BB202

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。^ = LO レンジ: 7-15 GHzにおいて17種類あります。3.4.2参照。

製品ハイライト:ミディアムパワーアンプBGA7124 MMIC

BGA7124 MMICは、低コスト超小型SOT908リードレスパッケージにて提供される1段のドライバーアンプです。P1 dBにて25 dBmの出力、また最大2700 MHzまでの狭帯域の応用回路においてすぐれたパフォーマンスを発揮します。

特長 ` 400 MHz〜2700 MHzの周波数動作レンジ ` 2 GHzで16 dBの小信号利得 ` P1dBで27 dBmの出力`` アクティブバイアスを統合 ` 3.3 V / 5 V単一電源`` 無信号時消費電流調整 ` 1 μAシャットダウンモード

Page 15: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

14 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.2.1VSAT

アプリケーション図

brb405

INDOOR UNIT OUTDOOR UNIT

REF REFANTENNA

to/fromIDU

LNA

IF

IF2

IF1

BUF

BUF

PMU PMU

MPX MPX OMT

MOD

DEMODDATAINTERFACE

POWERSUPPLY

DIGITALSIGNAL

PROCESSOR

LNA2

PA

LNA1IF1

SYNTH PLL

PLL´ N

1.2 マイクロ波 & ミリ波

VSAT推奨製品インドアユニット

Function Product Package Type

IF

IF`gain`block SiGe:C`MMIC

SOT363

BGA2800BGA2801BGA2815BGA2816

MMICGeneral`purpose`

wideband`amplifiers

BGM1012BGA2714BGA2748BGA2771

Function Product Package Type

LNA RF`transistor

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Wideband`transistor

SOT343RBFG425WBFG424W

SOT143R BFG325/XR

Page 16: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

15NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

VSAT推奨製品アウトドアユニット

Function Product Package Type

IF

IF`gain`block SiGe:C`MMIC

SOT363

BGA2800BGA2801BGA2815BGA2816BGA2850BGA2865BGA2866

MMICGeneral`purpose`

wideband`amplifiers

BGM1014BGM1013BGM1012BGA2714

Function Product Package Type

LNA2RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

MMIC SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

Function Product Package Type

PLL RF`IC SiGe:C`IC SOT616TFF1003HNTFF1007HN*TFF11xxxHN*^

Function Product Package Type

Oscillator RF`transistorWideband`transistor SOT343R

BFG424WBFG425W

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Function Product Package Type

Synth RF`diode Varicap`diode SOD523 BB202

Function Product Package Type

Buffer RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。^ = LO レンジ: 7-15 GHzにおいて17種類あります。3.4.2参照。

製品ハイライト:TFF1003HN

TFF1003HNは、KuバンドVSATトランスミッタおよびトランシーバ内の低位相雑音局部発振 (LO) 回路のためのKuバンド 周波数ジェネレータです。位相雑音はIESS-308 (Intelsat) に準拠しています。

特長`` 位相雑音はIESS-308 (Intelsat) に準拠 ` VCO レンジ12.8 GHz〜13.05 GHzのLOジェネレータ`` 入力信号: 50 MHz〜815 MHz`` 分周回路16、32、64、128、256での設定が可能

Page 17: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

16 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.2.2航空、Lバンド、Sバンドレーダー向けマイクロ波製品

アプリケーション図

brb410

RF signals

RF small signal

RF power

control and timing

local oscillator signal

local oscillator

video

RF POWER BOARDMPA

VGA

LNAIF amplifier

HPA ISOLATOR

WAVEFORMGENERATOR

DISPLAYAND

CONTROL

ANTENNADRIVE

DETECTOR

PLL VCO

duplexer

mixer

mixer

PLL VCO

video, timing, bias voltage,control and data

I-f signals

推奨製品Application Function Name Package MHz W % dB V

Avionicspower

transistors

driver BLL6H0514-25 SOT467C 500`-`1400 25`(min) 50 19 50 PULSED`RF;`class`ABfinal BLA6H0912-500 SOT634A 960`-`1215 450 50 17 50 PULSED`RF;`class`ABfinal BLA6H1011-600 SOT539A 1030`-`1090 600 52 19 50 PULSED`RF;`class`ABfinal BLA6G1011-200R SOT502A2 1030`-`1090 200 65 20 28 PULSED`RF;`class`AB

L-Bandpower

transistors

driver BLL6H0514-25 SOT467C 500`-`1400 25`(min) 50 19 50 PULSED`RF;`class`ABfinal BLL6H1214-500 SOT539A 1200`-`1400 500`(min) 50 17 50 PULSED`RF;`class`ABfinal BLL6H1214L(S)-250 SOT502 1200`-`1400 250 55 17 50 Pulsed`RFfinal BLL6HL(S)0514-130 SOT1135 500`-`1400 130 50 18 50 Pulsed`RF

S-bandpower

transistors

driver BLS6G2731-6G SOT975C 2700`-`3100 6 33 15 32 PULSED`RF;`class`ABdriver BLS6G3135-20 SOT608A 3100`-`3500 20 45 15.5 32 PULSED`RF;`class`ABdriver BLS6G3135S-20 SOT608B 3100`-`3500 20 45 15.5 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS6G2731-120 SOT502A 2700`-`3100 120 48 13.5 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS6G2731S-120 SOT502B 2700`-`3100 120 48 13.5 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS6G2933S-130 SOT922-1 2900`-`3300 130 47 12.5 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS6G3135-120 SOT502A 3100`-`3500 120 43 11 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS6G3135S-120 SOT502B 3100`-`3500 120 43 11 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS7G2933P-200 pallet 2900`-`3300 200 45 11 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS7G2731P-200 pallet 2700`-`3100 200 45 11 32 PULSED`RF;`class`ABfinal BLS6G2731S-130 SOT922 2700`-`3100 130 49 13 32 Pulsed`RF

Page 18: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

17NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Function Product Package Type

Discreteattenuator RF`diode PIN`diode Various^ BAP64`

^ = SOD523, SOD323, SOT23 & SOT323。

Function Product Package Type

LNA(lownoiseamplifier)&Mixer

RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Function Product Package Type

IFamplifier MMIC

SiGe:C`MMIC

SOT363

BGA2800BGA2801BGA2815BGA2816BGA2850BGA2865BGA2866

General`purpose`wideband`amplifiers

BGM1014BGM1013BGM1012

Function Product Package Type

PLL/VCOLOgenerator

RF`IC SiGe:C`IC SOT616TFF1003HNTFF1007HN*TFF11xxxHN*^

Function Product Package Type

VGA(variablegain

amplifier)MMIC SiGe:C`MMIC SOT617

BGA7202*BGA7203*BGA7204*BGA7350*BGA7351*

Function Product Package Type

MPA(mediumpower

amplifier)MMIC

SiGe:C`MMIC

SOT908 BGA7124SOT89 BGA7024SOT908 BGA7127SOT89 BGA7027SOT908 BGA7130*SOT908 BGA7133*

MMIC SOT89 BGA6589

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。^ = LO レンジ: 7-15 GHzにおいて17種類あります。3.4.2参照。

製品ハイライト:

BLS6G2933P-200は、業界初のLDMOSベースの業界標準パレットです。このパレットは、完全なバイアス回路を含め、40%以上の効率を得られ、現在のソリューションに取って代わる存在となります。

特長 ` P1 dB>200 W ` 40%以上の効率`` 業界標準のフットプリント`` 全帯域で50 Ωの入出力整合`` 軽量ヒートシンクつき

Page 19: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

18 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.3.1CATV-光信号(マルチ出力ポート付き光ノード)

アプリケーション図

bra852

coax outport 1

RF pre-amplifier

splitter

duplexfilterRF power

amplifier

RF forwardreceiver

fiber in

coax outport 2

coax outport 3

coax outport 4

推奨製品Function Product Frequency Package Type

RFforwardreceiver

Forward``path`receiver

870`MHzSOT115 BGO807SOT115 BGO807CESOT115 BGO827

Function Product Frequency Gain (dB) Type

RFpre-amplifier

Push-Pulls` 870`MHz18`-`19 BGY885A21`-`22 BGY887

Power`doubler 870`MHz 18.2`-`18.8 BGD812

Function Product Frequency Gain (dB) Type RFpoweramplifier

Power`doublers

870`MHz`20.5`-`22.5 CGD942C23`-`25 CGD944C

製品ハイライト:BGO807CE

BGO807CEは、統合光レシーバー・モジュールであり、高い出力レベルを提供するとともに、温度補正回路を内蔵しています。お客様の光ノード・デザインにおいて、BGO807CEは高いコスト・パフォーマンスと堅牢性を可能にします。HFCネットワークをアナログからデジタルにアップグレードする場合には、BGO807Cがベストチョイスです。

特長 ` 優れたリニアリティ ` 低ノイズ ` 卓越した平坦性`` 標準CATVアウトライン`` 堅牢な構造`` 金メタル処理による高い信頼性 ` 高光入力パワーレンジ

1.3 固定コミュニケーション・インフラストラ クチャー

注: MoCAや衛星用マルチスイッチボックスをお探しの場合1.4 TV、STB、衛星の章をご覧ください。

Page 20: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

19NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.3.2CATV-電気信号(ラインエクステンダ)

アプリケーション図

duplexfilter

duplexfilter

RF pre-amplifier

RF poweramplifier

RF reverseamplifier

coax in coax out

bra505

推奨製品Function Product Frequency Gain (dB) Type

RFpre-amplifier

Push-Pulls`

550`MHz`33.5`-`35.5` BGY588N`33.5`-`35.5` BGY588C`26.2`-`27.8` BGY587B`

600`MHz` 21`-`22` BGY687`

750`MHz`

33.5`-`35.2` BGE788C`33.5`-`34.5` BGE788`18`-`19` BGY785A`21`-`22` BGY787`

870`MHz`

18`-`19` BGY885A`21`-`22` BGY887`33.5`-`34.5` BGY888`34.5`-`36.5 CGY888C

1000`MHz`

18`-`19` BGY1085A`22 CGY1041*24 CGY1043*28 CGY104729 CGY1049*32 CGY1032*

Function Product Frequency Gain (dB) Type

RFreverseamplifier`

Reverse`hybrids`

5-75`MHz` 29.2`-`30.8` BGY68`5-120`MHz` 24.5`-`25.5` BGY66B`5-200`MHz` 23.5`-`24.5` BGY67A`

すべてはSOT115パッケージにて提供されます。* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。

Function Product Frequency Gain (dB) Type

RFpoweramplifier

Power`doublers`

550`MHz` 18-19` BGD502`

750`MHz`

19.5`-`20.5` BGD704`18.2`-`18.8` BGD71218.2`-`18.8` BGD712C`20`-`20.6` BGD714`

870`MHz`

18`-`19` BGD802`18.2`-`18.8` BGD812`19.7`-`20.3` BGD814`20.5`-`22.5 CGD942C23`-`25 CGD944C

1000`MHz

21 CGD1040Hi23 CGD1042H23 CGD1042Hi25 CGD1044H25 CGD1044Hi26 CGD1046Hi*

製品ハイライト:CGD1046Hi

高出力タイプのCGD1046Hi* は、ファイバー・ディープ光ノード・アプリケーション (N+1/2/3) 向けに設計されています。 この1 GHzハイブリッドアンプ・ソリューションは、広い温度範囲、サージ発生時における高オーバーストレス、そして高いESDレベルにより、トータルコストを削減します。また、耐久性と堅牢性にも優れています。

特長`` 高出力`` パワーダブラーとして高い伝達利得`` 超低ノイズ`` ダークグリーン`` ハイエンド・アプリケーション向けのGaAs HFETダイ`` 堅牢な構造`` すぐれたESDの保護レベル`` リングウェーブプロテクションを内蔵`` デジタルチャネルローディングに最適化された設計`` 温度補償された応答利得`` 最適化された熱管理`` すぐれた温度抵抗

Page 21: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

20 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.3.3ブロードキャスト/ISM(産業、科学、医療用)

アプリケーション図

typ. 0.5 kWDVB-T

typ. 5 kW DVB-Toutput power

TV exciterDVB-T

Driver stages

amplifiers

harmonicfilter

powermonitor

8 × final

推奨製品

Function Typefrange PL(AV) nD Gp

Mode of operationMHz W % dB

driver BLF871(S)0`-`1000 100 47 21 2-TONE0`-`1000 24 33 22 DVB-T

driver BLF881(S)0`-`1000 140 49 21 2-TONE0`-`1000 33 34 21 DVB-T

driver BLF571 0`-`1000 20 70 27.5 CWfinal BLF573(S) 0`-`1000 300 70 27.2 CWfinal BLF574 0`-`1000 500 70 26.5 CW

final BLF5780`-`1000 1200 71 24 PULSED`RF0`-`1000 1000 75 26 CW

final BLF6450`-`1400 100 45 18 2-TONE0`-`1400 100 56 18 CW

final BLF878470`-`860 75 32 21 DVB-T470`-`860 300 46 21 DVB-T

final BLF888470`-`860 250 46 19 2-TONE470`-`860 110 31 19 DVB-T

final BLF888A(S)470`-`860 250 46 19 2-TONE470`-`860 115 32 19   DVB-T

finalBLF177 28`-`108 150 >35 20 CW`class`ABBLF278 108`-`225 250`-`300 50`-`80 14`-`20 CW`class`AB

製品ハイライト:

NXPの50 V高電圧LDMOSプロセスは、比類ない耐久性で最高出力を可能にします。BLF888A: 今日において、デジタル放送向けに最高の出力レベルを実現。 

特長`` ブロードバンドにおける優れた効率`` 最高出力のデバイス`` 比類ない耐久性`` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計 ` 一貫性の高いデバイスパフォーマンス

Page 22: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

21NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.4.1テレビ受信向けネットワークインターフェースモジュール(NIM)

アプリケーション図

brb403

RF input

RF SW

VGA

WB LNA

surge

RF output

CONVENTIONALTUNER OR

SILICON TUNER

BGU703xで、NIMチューナの高パフォーマンスアクティブスプリッタを実現近年、テレビチューナにおいて、ますます設計の柔軟性と複雑な信号処理が求められています。テレビチューナ受信器のフロントエンドは、単にチューンされた受信器という枠をもはや超えており、復調器、アクティブスプリッタ、再変調器を備えたRF Network Interface Module (NIM) に進化しています。アクティブスプリッタには、優れたリニアリティのLNAが要求されます。NXPでは、NIMチューナのアクティブスプリッタのような、低ノイズが要求されるアプリケーション向けに、高いリニアリティ (IP3O / 29 dBm) が得られるよう新しいLNA / VGA MMIC (BGU703x) シリーズを開発しました。

BF11x8で省エネルギーBF11x8シリーズは、RF信号を最大1GHzまで切換えできる、小信号RFスイッチングMOSFETです。BF11x8シリーズをRFスイッチとして使用することで、エネルギーを大幅に節約できます。記録デバイス(DVD-R, HDD-R, VCR, DVR) の電源を切った後も、アンテナからの信号は記録デバイスを介してループされるにも関わらず、引き続きテレビを見ることなどができます。BF11x8を使用しない場合、アンテナの信号は 消失します。記録デバイスがオンの場合、BF11x8をオープンにすることで、RF信号は記録デバイスを経てTVチューナへと送られます。記録デバイスの電源を完全に落とすと、BF11x8もクローズします。これにより、RF信号が直接TVチューナへとループされ、テレビ画像を受信できるのです。録画デバイスの電源を落とすことができるため、省エネルギーに貢献します。

1.4 TV、NIM (STB)、衛星

注: モバイル用テレビをお探しの場合1.5.1モバイルプラットフォームの章をご覧ください。

Page 23: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

22 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

推奨製品 Function Product Package Type

RF Switch / PLT switch

MOSFET

5V`Silicon`RF`switch

SOT23 BF1107SOT143B BF1108SOT143R BF1108RSOT343 BF1108WSOT343R BF1108WR

3.3V`Silicon`RF`Switch

SOT143B BF1118SOT143R BF1118RSOT343 BF1118WSOT343R BF1118WR

注: BF1108を、NIMチューナのRF入出力間において、パッシブループスルースイッチとして使用することで、大幅にエネルギーを節約できます。例えば、HDRが使用されていない場合には、HDRのアクティブスプリッタ回路に電力を供給することなく、TV信号をテレビに送信できます。これは、HDRに電力が供給されていない間はBF1108のRFスイッチが閉じられるためで、電力がオンになると、スイッチも開きます。3.3 V用途には、BF1118をご利用いただけます。

Function Product Package Type

VGA

RF`BiMOS`MMIC

Wideband`transistor`with`gain`

levels`of`5`dB`and`10`dB,`

plus`a`bypass`mode.

SOT363 BGU7033*^

Wideband`transistor`with`gain`

level`of`10dB`and`a`bypass`

mode.

SOT363 BGU7032*^

LNA

Wideband`transistor`with`gain`

level`of`10dB

SOT363 BGU7031*^

RF`bipolar`transistor

Wideband`transistor

SOT143 BFG520BFG540

SOT89 BFQ540

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。^ = LNA MMICシリーズは、NIMチューナまたはアクティブスプリッタのような低ノイズが必要なアプリケーション向けに高いリニアリティ (IP3O / 29 dBm) が得られるよう開発されています。6-ピンSOT363プラスチックSMDパッケージに封入されているMMICは、内部バイアスが搭載されており、75オームに整合されています。VGAについては、バイパスモードでの消費電流は5mA以下となります。外部コンポーネントは2点のみ必要とし、大切な回路基板のスペースも節約できます!` ` ``` ` ` `` ` ` `` ` ` `` ` ` `

Function Product Package Type

AGC control amplifier

MOSFET

2`–`in`–`1`with`band`switch`

@`5VSOT363 BF1215

2`–`in`–`1`@`5V

SOT363 BF1216

5V SOT343 BF1217

注: MOSFETの前段にてLNAを使用する前提で、MOSFETの利得は多少低くなっており、クロスモジュレーションは高くなっています。そのため、MOSFETは、名目上のRF入力レベルにおいても、AGCを一貫して下回ることはありません。

製品ハイライト:BF11x8シリコンRFスイッチ、MOSFET

このスイッチは、ディプレッション型の電界効果トランジスタと帯域スイッチ式ダイオードを、SOT143またはSOT343パッケージに組み合わせたものです。挿入損失が低く、絶縁能力が高いこのデバイスは、優れたRFスイッチング機能を提供します。MOSFETのゲートはダイオードを使って接地から絶縁できるため、低損失を実現します。ゲートとソース間ならびにゲートとドレイン間にダイオードを内蔵することで、超過入力電圧サージから保護します。

特長`` 最大1 GHzの低損失RFスイッチング向けに特別設計`` 設計が容易`` 電源ON時:低損失`` 電源OFF時:優れた絶縁 ` ONまたはOFF、電力消費ゼロ

Page 24: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

23NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.4.2ベーシックTVチューナ

アプリケーション図

bra500

RF input

MOSFET

VAGC

From antenna,cable, active splitter,

etc.

MOPLLIC

IF

推奨製品Function Product Package Type

Inputfilter`Varicap``diode`

VHF`low`SOD323 BB152`SOD523 BB182`SOD882T BB182LX

VHF`high`

SOD323 BB153`SOD523 BB178`SOD523 BB187`SOD882T BB178LXSOD882T BB187LX

UHF`

SOD323 BB149A`SOD882T BB179LXSOD523 BB179`SOD523 BB189

Function Product Package Type

RFpre-amplifier`

MOSFET`

5`V`

SOT143` BF1201`SOT143` BF1202`SOT143` BF1105`SOT143` BF1211`SOT143` BF1212`

2-in-1`@`5`V`

SOT363 BF1102R`SOT363 BF1203`SOT363 BF1204`SOT363 BF1205`SOT363 BF1205CSOT363 BF1206`SOT363 BF1207`SOT666 BF1208`SOT666 BF1208DSOT363 BF1210SOT363 BF1214SOT363 BF1218

2-in-1`@`3`V SOT666 BF1206FV

Function Product Package Type

Bandpassfilter`

Varicap``diode`

VHF`low`SOD323 BB152`SOD882T BB182LXSOD523 BB182

VHF`high`

SOD323 BB153`SOD882T BB178LXSOD523 BB178`SOD882T BB187LXSOD523 BB187`

UHF`

SOD323 BB149A`SOD882T BB179LXSOD523 BB179`SOD523 BB189

Function Product Package Type

OscillatorVaricap``diode`

VHF`low`SOD323 BB152`SOD882T BB182LXSOD523 BB182`

VHF`high`

SOD323 BB153`SOD882T BB178LXSOD523 BB178`SOD882T BB187LXSOD523 BB187`

UHF`

SOD323 BB149A`SOD882T BB179LXSOD523 BB179`SOD523 BB189

Function Product Package Type

RF pre-amplifier

MOSFET

2-in-1`with`band`switch`

@`5VSOT363 BF1215

2-in-1`@`5V SOT363 BF1216

5V SOT343 BF1217

製品ハイライト: 低電力アプリケーション向けBF1206FデュアルゲートMOSFETデュアルアンプ

このデバイスは、2つのデュアルゲートMOSFETアンプが小型SOT666フラットリードパッケージに内蔵されています。BF1206Fは、低電圧/低電流向けの低電力デバイスであり、消費電力が重視されるモバイル・アプリケーションに理想的です。電圧3V、ドレイン電流4mAにおいて安定した性能を提供します。

特長`` 低電力指定 ` 2つのアンプを小型SOT666パッケージに封入 ` ゲート2およびソース端子を共有`` 外部バイアス抵抗で各アンプをバイアス`` 優れたノイズおよびクロス変調性能

Page 25: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

24 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.4.3MoCA(MultimediaoverCoaxAlliance)

アプリケーション図

brb401

15 dB

MoCAChip

BALUN

LPF

Diplexer/BPF

CableConnection

PA

T/RON/OFF

Switched1 Bit Attenuator

ON/OFF

Tx

Rx

BALUN

推奨製品Function Product Package Type

SPDT switch RF`diode PIN`diode

SOD523 BAP64-02SOD323 BAP64-03SOT23 BAP64-04SOT323 BAP64-04WSOT23 BAP64-05SOT323 BAP64-05WSOT23 BAP64-06SOT323 BAP64-06WSOD822T BAP64LX

Function Product Package Type

PA (power amplifier)

MMIC SiGe:C`MMIC

SOT908 BGA7124SOT89 BGA7024SOT908 BGA7127SOT89 BGA7027

製品ハイライト:ミディアムパワーアンプBGA7124 MMIC

BGA7124 MMICは、低コスト超小型SOT908リードレス パッケージにて提供される1段のドライバーアンプです。P1 dBにて25 dBmの出力、また最大2700 MHzまでの狭帯域の応用回路においてすぐれたパフォーマンスを発揮します。

特長 ` 400 MHz〜2700 MHzの周波数動作レンジ ` 2 GHzで16 dBの小信号利得 ` P1 dBで27 dBmの出力`` アクティブバイアスを統合 ` 3.3 V / 5 V単一電源`` 無信号時消費電流調整 ` 1 μAシャットダウンモード

Page 26: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

25NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.4.4マルチユーザーのための衛星屋外装置および低ノイズ・ブロック(LNB)

アプリケーション図

horizontalantenna

brb022

H low

IF out 1low

3rd

stageLNA

(4 x 2)IF

SWITCH

oscillator

verticalantenna

2nd

stageLNA

1st

stageLNA

3rd

stageLNA

2nd

stageLNA

1st

stageLNA

BIAS IC

IF amplifier

IFamplifier

IF out 2

IFamplifier

V low

IF amplifier

H high

high oscillator

IF amplifier

V high

IF amplifier

BIAS IC

mixer

mixer

mixer

mixer

推奨製品Function Product Package Type

Oscillator

RF`bipolar`transistor`

Wideband`transistor`

SOT343` BFG424W`SOT343F BFG424F`

RF`transistor` SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Function Product Package Type

1st stage IF

amplifier

MMIC`

General`purpose`amplifier`

SOT363 BGA2711`SOT363 BGA2712`SOT363 BGA2748`SOT363 BGA2714`SOT363 BGA2717`

IF`gain`block

SOT363 BGA2800SOT363 BGA2801SOT363 BGA2815SOT363 BGA2816SOT363 BGA2850SOT363 BGA2865SOT363 BGA2866

RF`bipolar`transistor`

Wideband`transistor`

SOT343` BFG424W`SOT343F BFG424F`

Function Product Package Type

IFswitch RF`diode` PIN`diode`

various` BAP64^various` BAP51^various` BAP1321^various` BAP50^various` BAP63^

^ = 超小型リードレスパッケージのSOD882Tもあります。

Function Product Package Type

Output stage IF amplifier

MMIC`

General`purpose`amplifier`

SOT363 BGA2709`SOT363 BGA2776`SOT363 BGM1014`SOT363 BGM1012`SOT363 BGA2716`

IF`gain`block#

SOT363 BGA2800SOT363 BGA2801SOT363 BGA2815SOT363 BGA2816SOT363 BGA2850SOT363 BGA2865SOT363 BGA2866

RF`bipolar`transistor`

Wideband`transistor` SOT343` BFG325`

# = NXPのIFゲインブロック (BGA28xx) を出力ステージのIFアンプとして使用する場合、出力インダクタは必要ありません。

Function Product Package Type

3rd stage LNA RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Function Product Package Type

Mixer RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

製品ハイライト:BGA28xx-ファミリー、IFゲインブロック

BGA28xx IFゲインブロックは、6ピンのSOT363プラスチックSMDパッケージにて提供される、整合回路内蔵のシリコンモノリシックマイクロ波集積回路 (MMIC) 広帯域アンプです。

特長`` 内部で50 Ωに整合`` 逆方向絶縁>最大2 GHzで30 dB以上 `` 優れた2次および3次高変調特性`` 無条件の安定性 (K>1)

Page 27: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

26 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.4.5衛星マルチスイッチ・ボックス-4x4(最大16x16)/DiSEqC/SMATV

アプリケーション図

brb023

outputamplifiers

inputamplifiers

LNB

inputamplifierterrestrial

sate

llite

dis

he(s

)terrestrial

input

coax out to STB

coax out to STB

coax out to STB

coax out to STB

SWITCH MATRIXFOR 4 × 4,NEEDS 16

(SINGLE) PINDIODES

推奨製品Function Product Package Type

Inputamplifierterrestrial

MMIC

General`purpose`medium`power`

amplifier

SOT89

BGA6289BGA6489BGA6589BGA7024

SOT908 BGA7124

Function Product Package Type

Inputamplifier

LNB

MMICGeneral`purpose`amplifier

SOT363 BGA2771SOT363 BGA2776SOT363 BGA2709SOT363 BGM1012

RF`bipolar`transistor

Wideband`transistor

SOT343 BFG325SOT343 BFG425WSOT143 BFG520SOT143 BFG540

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

Function Product Package Type

Switchmatrix

RF`diode PIN`diode Various

BAP50^BAP51^BAP63^BAP64^BAP70^BAP1321^

RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

^ = 超小型リードレスパッケージのSOD882Tもあります。

Function Product Package Type

Outputamplifier

MMIC

Generalpurposemediumpower

amplifier

SOT89

BGA6289BGA6489BGA6589BGA7024

SOT908 BGA7124General`purpose`amplifier

SOT363 BGM1011SOT363 BGM1013SOT363 BGM1014

RF`bipolar`transistor

Wideband`transistor

SOT223 BFG135SOT223 BFG`591SOT223 BFG198SOT143 BFG540

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

製品ハイライト:スイッチング・マトリクス用PINダイオード

比類ないRF性能と共に、非常に低いフォワード抵抗、ダイオードキャパシタンス、そして直列インダクタンスにより、組み込みが容易です。また、幅広い小型パッケージ・オプション (SOD523、SOD323、およびリードレスのSOD882T) によってボード面積を飛躍的に削減します。

特長`` 高絶縁、低歪み、低挿入損失`` 低フォワード抵抗 (Rd) およびダイオードキャパシタンス (Cd)`` 超小型パッケージ・オプション

Page 28: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

27NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.4.6デジタル衛星セットトップボックス(高精細)

アプリケーション図

brb435

BalunCoax-in

(HD)SatelliteSystemon Chip(SoC)

推奨製品Function Product Package Type

 LNA MMICMedium`Power`

AmplifierSOT89

BGA6289BGA6489BGA6589

製品ハイライト:BGA6489 MMICミディアム パワーアンプ

4ピンSOT89プラスチックの低熱抵抗SMDパッケージにて提供される、整合回路内蔵のシリコンモノリシックマイクロ波集積回路 (MMIC) 広帯域ミディアムパワーアンプです。BGA6489は、250 MHz - 2.15 GHzの衛星アプリケーションにて高品質を提供します。

特長`` 出力20 dBm`` 単一電源

Page 29: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

28 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.5.1モバイルプラットフォーム(GPS/モバイルTV/FMラジオ/基準クロック/CMMB^/LTE)

^ = 中国マルチメディアモバイルブロードキャスティング (CMMB)。

アプリケーション図

TUNER

brb402

MULTI-BANDTRANSCEIVER

CMMB DECODER

FM RADIOTRANSCEIVER

GPS RECEIVER

VCTCXOCLK BUFFER

APPLICATION

GPS RF GPS BB

ANALOG TV RECEIVER

DECODER VIDEO PROCESSOR

BBPROCESSING

LNA

LNA

LNA

LNA

LNA

Vref

Vref

1.5 コンシューマ向けモバイル機器

注: MoCAや衛星用マルチスイッチ・ボックスをお探しの場合1.4 TV、STB、衛星の章をご覧ください。

推奨製品Function Product Package Type

LTELNA MMIC SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

Function Product Package Type

FM radio LNA

Transistor

Wideband`transistor SOT323

BFR93AWBFS505

SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003J-FET SOT23 BF510

Function Product Frequency Package Type

GPSLNA MMIC SiGe:C`MMIC

SOT891 BGU7003SOT886 BGU7005SOT886 BGU7007*

Function Product Package Type

CMMB LNATransistor

Wideband`transistor SOT343 BFG425W

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

MMIC SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。^ = SOD523含む。

Function Product Package Type

TVonMobileLNA

Transistor

Wideband`transistor SOT343 BFG425W

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

MMIC SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

Function Product Frequency Package Type

TVonMobile

tuningdiodeRF`diode Varicap`

diode^ SOT882T

BB202LXBB178LXBB179LXBB181LXBB182LXBB184LXBB187LX

Function Product Frequency Package Type

Referenceclock

CLK`buffer Wideband`transistor SOT323 BFR93AW

VCTCXO Wideband`transistor SOT363A BFM520

製品ハイライト:BGU7003 SiGe:C MMIC

NXPの最新SiGe:Cプロセスにて製造された、この高周波RF MMICは、より長時間のバッテリー寿命で高い受信品質を実現します。GaAsデバイスに対して、コスト効果の高いシリコン・ベースのソリューションで、ディスクリート・バイポーラ・トランジスタよりも高い統合性により設計を容易にします。

特長`` 低ノイズ、高利得のマイクロ波MMIC`` 最大安定利得 = 1.575 GHzで19 dB ` 110-GHz fT-シリコン・ゲルマニウムテクノロジー`` 低供給電流 (5-mA) で最適化されたパフォーマンス`` 非常に薄型の6ピンSOT891リードレスパッケージ`` バイアスとシャットダウンが内蔵により設計が簡単

Page 30: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

29NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.5.2WLAN向け2.4&5GHzフロントエンド(802.11nデュアルコンボ)

アプリケーション図

bra502

antenna

low pass�lter

bandpass�lter

mediumpower

ampli�er

Tx

Rx

APPLICATIONCHIP SET

PActrl

SPDT

SPDTswitch

LNA

推奨製品 Function Product Package Type

Medium power

amplifierMMIC` Medium`power`

amplifier`

SOT89BGA7024`BGA7027

SOT908BGA7124BGA7127

Function Product Package Type

LNARF`Transistor SiGe:C`

transistor SOT343F BFU725F/N1

MMIC SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

製品ハイライト:ミディアムパワーアンプBGA7127 MMIC

BGA7127 MMICは、低コスト超小型SOT908リードレス パッケージにて提供される1段のドライバーアンプです。P1 dBにて28 dBmの出力、また最大2700 MHzまでの狭帯域の応用回路においてすぐれたパフォーマンスを発揮します。

特長 ` 400 MHz〜2700 MHzの周波数動作レンジ ` 2 GHzで13 dBの小信号利得 ` P1dBで28 dBmの出力`` アクティブバイアスを統合 ` 3.3 V / 5 V単一電源`` 無信号時消費電流調整 ` 1 μAシャットダウンモード

Page 31: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

30 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.5.3トランシーバー/ファミリー無線システム

アプリケーション図

bra850

LOWFREQUENCY

CHIP SETSPDTswitch

VCO

mixerfilterLNAfilterantenna

buffer

VCOdriverPAfilter

推奨製品

Function Product Package Type

SPDT Switch RF`diode`

Bandswitch`diode`

SOD523` BA277SOD323` BA591`

PIN`diodevarious BAP51^various BAP1321^

Function Product Package Type

LNA

RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT23` PBR951SOT323` PRF957`SOT323` PRF947`

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

MMIC Low`noise`wideband`ampl.`

SOT343R BGA2001SOT343R BGA2003

Function Product Package Type

Driver

RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT323` PRF957SOT23` PBR951`

MMIC`Amplifier SOT363 BGA2031/1`

Gen.`purpose`wideband`ampl.`

SOT363 BGA2771SOT363 BGA2776

^ = 超小型リードレスパッケージのSOD882Tもあります。

Function Product Package Type

MixerRF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT343` BFG410WSOT343` BFG425W`SOT343` BFG480W`

MMIC` Linear`mixer SOT363 BGA2022`

Function Product Package Type

BufferRF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT23` PBR951SOT323` PRF957`SOT323` PRF947`SOT416 PRF949`

Function Product Package Type

Power amplifier

MMICGen.`purpose`

wideband``ampl.

SOT89

BGA6289BGA6489BGA6589BGA7024BGA7027

Function Product Package Type

VCOVaricap``diodes

VCO`varicap``diodes

SOD523` BB198SOD323` BB156`

製品ハイライト:PRF957シリコンNPN UHF広域帯トランジスタ

表面実装3ピンSOT323パッケージで提供されるシリコンNPN UHF広域帯トランジスタは、主にRFフロントエンドの広域帯アプリケーションに適しています。本トランジスタは、UHF帯で使用するLNA、パワーアンプ、ドライバ、バッファとして広くお使い頂けます。

特長`` 小型3ピン・プラスチック・表面実装パッケージ`` 低ノイズ (1.3 dB@1 GHz) および高い電力利得 (15 dB@1 GHz) `` 金メタル処理による高い信頼性

Page 32: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

31NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.5.4DECTフロントエンド

アプリケーション図

bra911

CHIPSETswitch

LNAantenna

PAfilter

推奨製品Function Product Package Type

RFSwitch` RF`diode PIN`Diode`

various` BAP51^`various` BAP55^various` BAP142^various BAP63^various BAP64^various BAP1321^

^ = 超小型リードレスパッケージのSOD882Tもあります。

DECT社内用親機

アプリケーション図

bra910

CHIPSETSPDTswitch

VCO

mixerfilterLNA filterantenna

buffer

VCOdriverPAfilter

推奨製品 Function Product Package Type

RFSwitch` RF`diode PIN`Diode`

various` BAP51^various BAP55^various BAP142^various BAP63^various BAP64^various BAP1321^

Function Product Package Type

MixerRF`bipolar`transistor`

Wideband`transistor

SOT343 BFG410W`SOT343 BFG425W`SOT343 BFG480W`

SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1#

MMIC Linear`mixer SOT363` BGA2022`

# = 5.8 GHzも含まれます。

製品ハイライト:RFスイッチ用BAP64xx PINダイオード

最大3 GHzで動作し、高電圧対応可能なNXPのPINダイオードは、幅広いワイヤレス通信アプリケーションに理想的です。比類ないRF性能と共に、非常に低いフォワード抵抗、ダイオードキャパシタンス、そして直列インダクタンスにより、組み込みが容易です。

また、幅広い小型パッケージ・オプション (SOD523、SOD323、およびリードレスのSOD882T) によってボード面積を飛躍的に削減します。

特長`` 最大動作周波数3 GHz`` 高絶縁、低歪み、低挿入損失`` 低フォワード抵抗 (Rd) およびダイオード・キャパシタンス (Cd) `` 超小型パッケージ・オプション

Page 33: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

32 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6 自動車および産業向け

1.6.1アクティブ・アンテナ

アプリケーション図

推奨製品Function Product Package Type

1ststageLNA

MMICLow`noise`wideband`

amplifierSOT343R BGA2001SOT343R BGA2003

Function Product Package Type

2ndstageLNA

MMICGeneral`purpose`

wideband`amplifier

SOT363 BGM1013SOT363 BGM1011SOT363 BGA2715SOT363 BGA2748

Function Product Package Type 3rdstage

LNARF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F/N1

MMIC SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

製品ハイライト:BGU7003 SiGe:C MMIC

NXPの最新SiGe:Cプロセスにて製造された、この高周波RF MMICは、より長時間のバッテリー寿命で高い受信品質を実現します。GaAsデバイスに対して、コスト効果の高いシリコン・ベースのソリューションで、ディ スクリート・バイポーラ・トランジスタよりも高い統合性により設計を容 易にします。

特長`` 低ノイズ、高利得のマイクロ波MMIC`` 最大安定利得 = 1.575 GHzで19 dB ` 110-GHz fT-シリコン・ゲルマニウムテクノロジー`` 低供給電流 (5-mA) で最適化されたパフォーマンス`` 非常に薄型の6ピンSOT891リードレスパッケージ`` バイアスとシャットダウンが内蔵により設計が簡単

brb215

1st

stageLNA

antenna

2nd

stageLNA

3rd

stageLNA

CHIPSET

注: GPSをお探しですか? 1.5.1モバイルプラットフォームの章をご覧ください。

Page 34: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

33NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6.2送受信専用アンテナ付きRF汎用フロントエンド(リモート・キーレス・エントリー)

bra851

LOWFREQUENCY

CHIP SET

VCO

mixerreceiver

transmitter

filterLNAfilter

antenna

antenna

buffer

LOWFREQUENCY

CHIP SET

VCOdriverPAfilter

推奨製品 Function Product Package Type

LNA`

RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT23` PBR951SOT323` PRF957`SOT323` PRF947`

MMICLow`noise`

wideband`ampl.`SOT343R

BGA2001BGA2002^BGA2003

SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

Function Product Package Type

Driver`

RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT323` PRF957SOT23` PBR951`

MMIC`Amplifier SOT363 BGA2031/1`

Gen.`purpose`wideband`ampl.`

SOT363 BGA2771SOT363 BGA2776

Function Product Package Type

VCO`Varicap``diodes

VCO`varicap``diodes

SOD323` BB148SOD323` BB149A`SOD523 BB198SOD323 BB156`

^ = 車載向けに認定済み。

Function Product Package Type

Mixer`RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT343` BFG410WSOT343` BFG425W`SOT343` BFG480W`

MMIC` Linear`mixer SOT363 BGA2022`

Function Product Package Type

Buffer`RF`bipolar``transistor``

Wideband`transistor`

SOT23` PBR951SOT323` PRF957`SOT323` PRF947`SOT416 PRF949`

Function Product Package Type

Poweramplifier`

RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT323` PRF957SOT23` PBR951`

MMIC`

Amplifier SOT363 BGA2031/1`Gen.`purpose`

wideband`ampl.`

SOT363 BGA2771SOT363 BGA2776SOT908 BGA7124

製品ハイライト:VCO用NXPバリキャップ・ダイオード

バリキャップ・ダイオードは、ダイオード機能を2次的オプションに持ち、主に電圧の可変容量コンデンサーに使用されます。これらのデバイスは、ISM帯における電圧制御発振器 (VCO) に理想的です。

特長 ` 優れたリニアリティ`` 卓越した整合性 ` 非常に低い直列抵抗 ` 高い容量変化比

アプリケーション図

Page 35: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

34 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6.3タイヤ空気圧監視システム

アプリケーション図

推奨製品Function Product Package Type

PARF`bipolar`transistor

Wideband`transistor

SOT23 BFR92ASOT323 BFR92AWSOT23 BFR94A^SOT323 BFR93AWSOT323 BFR94AW^

Function Product Package Type

Driver

RF`bipolar`transistor

Wideband`transistor

SOT323 PRF957SOT23 PBR951

MMICAmplifier SOT363 BGA2031/1

Gen.`pupose``wideband`ampl.

SOT363 BGA2771SOT363 BGA2776

Function Product Package Type

VCO Varicap`diodes VCO`varicap`diodesSOD523 BB198SOD323 BB156

^ = 車載向けに認定済み。

製品ハイライト:BFR92AWシリコンNPNトランジスタ

信号周波数が最大1 GHzのRFアンプ、ミキサー、発振器での使用向けに設計されています。このシリコンNPNトランジスタは、プラスチックSOT323 (S-mini) パッケージにて提供されます。BFR92AWは、SOT23バージョンのBFR92Aと同じクリスタルを使用しています。

特長`` 高い伝達利得`` 金メタル処理による高い信頼性 ` SOT323 (S-mini) プラスチックパッケージ`` 車載向けに認定済み

driver VCOPAfilter

antenna

SENSOR

brb216

Page 36: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

35NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6.4カー・ラジオ・レシーバー(CRESTICs:TEF6860HL,TEF6862HL)

アプリケーション図

bra501

AGC &hum filter

FM inputfilter

& AGC

AM LNA

IF limiteramplifier

FM de-modulator

1st

mixer

oscillator

IFbandpass

filter2nd

mixer

1st

mixer2nd

mixer

oscillator

FM MPX

AM audioDET

f V

variable BW filter

RF inputfilter

IFamplifier

AM de-modulator

IFbandpass

filter

IFbandpass

filter

推奨製品Function Product Package Type

AMLNA` RF`transistor` JFET` SOT23 BF862`

Function Product Package Type

FMinputfilter&AGC`

RF`diode`

Varicap`diode`

SOT23 BB201^`SOT23 BB207`

PIN`diode`SOD523 BAP70-02`SOD323 BAP70-03`

^`=`OIRT。

Function Product Package Type

AGC&humfilter

RF`diode` PIN`diode` SOT363` BAP70AM`

Function Product Package Type

Oscillator RF`diode`Varicap`diode`

SOD323` BB156`SOD523` BB208-02`

注1:これらの推奨ディスクリート製品は、すべてNICEPACS、CCC、DDICE、およびNICE:TEA6840H,TEA6845H,TEA684 6H, NICEPACS:TEA6848H,TEA6849H; CCC:TEF6901H,TEF6903H; DDICE:TEA6721HLに適用されます。これらの推奨ディスクリート製品では、DICE2:TEF6730HWCEのAM LNAは除外となります。

注2:電話機および携帯ラジオ (IC:TEA5767/68) はFM オシレータとしてバリキャップBB202を使用します。

製品ハイライト:BF862ジャンクション電界効果トランジスタ

弊社のチューニングコンポーネントのポートフォリオには、車内メディアプラットフォームにきわめて大切な役割を果たすカーラジオ受信機への応用にすぐれた製品が含まれています。このアプリケーション向けのNXPデバイスは、すぐれた受信品質と設計の簡易さを提供します。パフォーマンスはリファレンス設計で実証されています。

高パフォーマンスのジャンクションFet BF862は、カーラジオAMアンプ向けに特別に設計されています。

特長`` 高いトランジション周波数と最適化された入力キャパシタンスにより優れた感度を実現

`` 高い伝達アドミッタンスによる高利得 ` 汎用性にすぐれ、簡便なSOT23パッケージに封入

Page 37: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

36 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6.5統合アンテナ付きアプリケーション用RF汎用フロントエンド/ZigBee(スマートメーター)

アプリケーション図

bra850

E-METERING CHIP SETSPDT

switchVCO

mixerfilterLNAfilterantenna

buffer

VCOdriverMPAfilter

推奨製品 Function Product Package Type

SPDTSwitch` RF`diode`

Bandswitch`diode`

SOD523` BA277SOD323` BA591`

PIN`diodevarious BAP51^various BAP1321^

Function Product Package Type

LNA

RF`transistor SiGe:C`transistor SOT343F BFU725F`/N1

MMICLow`noise`

wideband`ampl.`SOT343R BGA2001SOT343R BGA2003

SiGe:C`MMIC SOT891 BGU7003

Function Product Package Type

Driver`

RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT343` BFG425W

MMIC`Amplifier SOT363 BGA2031/1`

Gen.`purpose`wideband`ampl.`

SOT363 BGA2771SOT363 BGA2776

^ = 超小型リードレスパッケージのSOD882Tもあります。

Function Product Package Type

Mixer`RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT343` BFG410WSOT343` BFG425W`SOT343` BFG480W`

MMIC` Linear`mixer SOT363 BGA2022`

Function Product Package Type

Buffer`RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT23` PBR951SOT323` PRF957`SOT323` PRF947`SOT416 PRF949`

Function Product Package Type

Mediumpoweramplifier

RF`bipolar``transistor`

Wideband`transistor`

SOT343` BFG21W

MMICGen.`purpose`

wideband``ampl.

SOT89BGA6289BGA6489BGA6589

SOT908 BGA7124SOT908 BGA7127

Function Product Package Type

VCO`Varicap``diodes

VCO`varicap``diodes

SOD523` BB198SOD323` BB156`

製品ハイライト:BGA7127 MMICミディアム パワーアンプ

BGA7127 MMICは、低コスト超小型SOT908リードレスパッケージにて提供される1段のドライバーアンプです。P1 dBにて27 dBmの出力、また最大2700 MHzまでの狭帯域の応用回路においてすぐれたパフォーマンスを発揮します。

特長 ` 400 MHz〜2700 MHzの周波数動作レンジ ` 2 GHzで16 dBの小信号利得 ` P1dBで27 dBmの出力`` アクティブバイアスを統合 ` 3.3 V / 5単一電源`` 無信号時消費電流調整 ` 1 μAシャットダウンモード

Page 38: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

37NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6.6RFプラズマ照明

アプリケーション図

brb436

oscillator MPA HPA

RF (plasma) bulb

CONTROLLER

推奨製品

Function Typefrange

(MHz)PL W

Gp

dBMode of operation

driver BLF571 0`-`1000 20 27.5 1-TONE;`2-TONE;`CWfinal BLF573S 0`-`1000 300 27.2 1-TONE;`2-TONE;`CWfinal BLF574 0`-`1000 400 26.5 1-TONE;`2-TONE;`CW

final BLF5780`-`1000 1200 24 1-TONE;`PULSED`RF0`-`1000 1000 24 1-TONE;`CW

final BLF6450`-`1300 100 18 2-TONE0`-`1300 100 17 CW

final BLF`278 108`-`225 250 16 class`ABfinal BLF`177 28`-`108 150 19 class`B

Function Product Package Type

MPA (medium power

amplifier)MMIC

MMIC SOT89BGA6289BGA6489BGA6589

SiGe:C`MMIC

SOT908 BGA7124SOT89 BGA7024SOT908 BGA7127SOT89 BGA7027

SOT908BGA7130*BGA7133*

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。

製品ハイライト:

NXPの50 V高電圧LDMOSプロセスは、このようなアプリケーションにおいて、比類ない耐久性で最高出力を可能にします。BLF578:1000 W CW駆動-最高出力LDMOS。

特長`` 最高出力のデバイス`` 比類ない耐久性`` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計`` 一貫性の高いデバイスパフォーマンス`` 柔軟性豊かに使用できるブロードバンドデバイス

Page 39: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

38 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6.7医療用画像装置

アプリケーション図

推奨製品

Function Typefrange

(MHz)PL W

Gp

dB

driver BLF871(S) 0`-`1000 100 21driver BLF881 0`-`1000 120 21driver BLF571 0`-`1000 20 27.5final BLF573S 0`-`1000 300 27.2final BLF574 0`-`1000 400 26.5final BLF578 0`-`1000 1200 24final BLF645 0`-`1300 100 18

製品ハイライト:

NXPの50 V高電圧LDMOSデバイスは、MRIおよびNMRにおけるパルス動作において、最高の出力とこれまでにない耐久性を提供します。高い電力密度により、コンパクトなアンプの設計が可能となります。

特長`` 最高のブロードバンド効率`` 最高の出力 (密度) デバイス`` 比類ない耐久性`` 一貫性の高いデバイスパフォーマンス

brb434

RF coils

Gradient coils

Magnet

RF amplifier

X GRADIENTAMPLIFIER

Y GRADIENTAMPLIFIER WAVEFORM

GENERATOR

Z GRADIENTAMPLIFIER

RFELECTRONICS

COMPUTERADC

IMAGEDISPLAY

Page 40: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

39NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

1.6.8RFマイクロ波加熱器

アプリケーション図

brb418

antenna

MPAoscillator HPA

isolatorCONTROLLER

推奨製品

Function TypefrangeMHz

PL(AV)

WnD

%GPdB

Availability

Driver BLF6G24-12 2000`-`2200 40 27.5 17 Q3`2010Final BLF6G24-180PN 2000`-`2200 50 27.5 17.5 Q3`2010Final BLF7G24L`(S)-250P 2500`-`2700 20 25 16.5 Q3`2010

製品ハイライト:

NXPの第6世代、第7世代LDMOSテクノロジーと先進的なパッケージ技術は、クラス最高のパワーアンプのパフォーマンスを目指すことをコンセプトとしています。比類ない耐久性と低い熱抵抗がデバイス特有の高効率と相まって、本トランジスタは加熱器における使用に理想的です。

特長`` すぐれた耐久性`` 一貫性の高いデバイスパフォーマンス`` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計`` 設計が容易

Function Product Package Type

MPA (medium power

amplifier)MMIC

MMIC SOT89BGA6289BGA6489BGA6589

SiGe:C`MMIC

SOT908 BGA7124SOT89 BGA7024SOT908 BGA7127SOT89 BGA7027

SOT908BGA7130*BGA7133*

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。

Page 41: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

40 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.1 実証済QUBiC4X SiGe:CプロセスのGPS LNAにて最速のTTFF^ を体感ください ^TTFF=Time-To-First-Fix(初期位置算出時間)

NXP GPS LNA BGU7003、BGU7005、BGU7006およびBGU7007

NXPのGPSLNAは、NXPの最新QUBiC4XSiGe:Cプロセステクノロジーおよび業界最小のパッケージにて提供されます。この統合性の高いGPSLNAは、よりよい感度を提供しながら、コストを削減、妨害電波にも高いイミュニティを持ち、高いリニアリティを実現しています。

特長`` 完全なGPSフロントエンドを構築するのに必要な外部コンポーネントは4点のみ(デカップリングを含む)`` 必要な外部整合コンポーネントは1点のみ`` 低消費電流(5mA)`` 低雑音指数(NF):1.575GHzで0.8-0.9dB`` パワーダウンモードでは低消費電流(<1μA)`` すべてのピンにESD保護`` 供給電圧:最大2.85V、1.8Vに最適化`` 実証済、堅牢なQUBiC4XSiGe:Cプロセステクノロジー(fT=110GHz)

GPSレシーバーのアプリケーション向けに設計されたこれらのLNAは、NXPの業界を牽引するQUBiC4Xプロセス0.25-μmSiGe:Cテクノロジーで生産されています。非常に低い雑音指数と、すぐれたリニアリティパフォーマンスを備えていることで全体的な感度が向上し、。TTFF(初期位置算出時間)が早くなり、トラッキングが改善されます。

実証済QUBiC4Xプロセスは、全体的なRFパフォーマンスを向上させ、LNAは他の種類のGaAs製品よりもより廉価で、柔軟性を備えており、より高いパフォーマンスを提供します。

感度を復元できるため、帯域外のセルラー信号に対して、より高いイミュニティを提供し、フィルタリングの必要性を軽減し、全体的なコストを抑えます。雑音指数を最小化するために、GPSアンテナの近くに配置することもできます。高い利得によりGPS信号は増幅され、オンボードの信号対妨害信号比率が高まります。

GPSアンテナを主要な電話アンテナから離れた場所に設置し、GPSレシーバーを主要な電話アンテナの近くに設置することで、最適なGSM/UMTSパフォーマンスを提供することも可能です。アンテナ間の絶縁を向上させ、その結果高いパフォーマンスが得られます。

2.テクノロジーと注目製品

@ 1.575 GHz

Type Package

supply voltage supply current insertion power

gainnoise figure input power at 1 dB gain compression input third-order intercept point

Vcc Icc |s21|2 NF PI(1dB) IP3i

V mA dB dB dBm dBm

Min Max Min Typ Max Min Typ Max TypVcc = 1.8 V, Min

Vcc = 1.8 V, Typ

Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA

Vcc = 2.85 V,

Min

Vcc = 2.85 V,

Typ

Vcc = 1.8 V, Min

Vcc = 1.8 V, Typ

Vcc = 2.5 V, Icc = 5 mA

Vcc = 2.85 V,

Min

Vcc = 2.85 V,

TypBGU7003 SOT891 2.2 2.85 3 - 15 16 18.3 20 0.8 - - -20 - - - - 0 - -BGU7005 SOT886 1.5 2.85 - 4.5 - - 16.5** - 0.9 -14 -11 - -11 -8 5 9 - 5 12BGU7006* WLCSP*** 1.5 2.85 - 3.8 - - 16.5** - 0.9 -14 -11 - -12 -9 1 4 - 5 9BGU7007* SOT886 1.5 2.85 - 4.8 - - 18**** - 0.9 -14 -11 - -11 -8 5 9 - 5 12

*=3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。**=16.5dBジャマーなし/17.5dBジャマーあり。***=5つのはんだバンプ、ピッチ220μm。****=18dBジャマーなし/19dBジャマーあり。

Page 42: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

41NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.2 NXPの最新`第6世代および第7世代SiGe:C広帯域トランジスタなら整合性もばっちり

NXPの広帯域トランジスタは、高周波のトレンドにマッチしています。NXPセミコンダクターズの最新SiGe:CマイクロNPNトランジスタなら、高いスイッチング周波数に加えて、非常に高い利得と低いノイズが同時に実現します。さらに使用が簡単なSOT343Fパッケージに封入しており、最大30 GHzまでのアプリケーションに理想的なデバイスです。

主な利点`` 表面実装SOT343Fプラスチックパッケージ` SiGe:Cプロセスにより、シリコン・ベース・デバイスで高いスイッチング周波数を実現

` GaAsデバイスに取って代わる費用対効果に優れたソリューション

` RoHS準拠

アプリケーション`` マイクロ波通信システム向けの低雑音アンプ(LNA)`` ダイレクト・ブロードキャスト衛星(DBS)の低ノイズ・ブロック(LNB)の2次ステージLNAおよびミキサー

` GPSシステム`` 衛星ラジオ` WLAN/WiMAXおよびCDMAアプリケーション、LTE` DVB、CMMB

NPNマイクロ波トランジスタは、高スイッチング周波数、高利得、および超低ノイズという、比類のない組み合わせを実現します。超低ノイズにより、高性能携帯電話などの高感度RFレシーバーに最適です。また、高カットオフ周波数により、衛星TVレシーバーや車載衝突回避用レーダーなど、10〜30GHzレンジのマイクロ波アプリケーションに理想的なソリューションとなります。

これらの最新第6世代および第7世代SiGe:C広帯域トランジスタは、NXPの革新的なシリコンゲルマニウム・カーボン(SiGe:C)BiCMOSプロセスによって高性能を実現しています。QUBiC4Xは、特に現実の社会で使う高周波アプリケーション向けに設計されており、高電力利得と優れたダイナミック・レンジの比類のない組み合わせを実現しています。また、ガリウム砒素(GaAs)テクノロジーに引けを取らない性能を、シリコン・ベース・プロセスで提供します。さらに、これらのトランジスタは、バイアスICやネガティブ・バイアス電圧は不要であるため、GaAspHEMTと比較して、より費用対効果に優れたソリューションとなります。

第6、第7世代RF広域帯トランジスタのポートフォリオ概要は、3.3.1をご覧ください

Page 43: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

42 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.3 ブロードバンドに応用できるミディアムパワーMMIC BGA7xxx

400〜2700 MHzに応用できるブロードバンドQUBiC4 MMIC

NXPの品質実証済みQUBiC4 Si BiCMOSプロセスによって製造されるMMICは、熱性能がさらに向上し、GaAsよりも低コストにて、400〜2700 MHzのアプリケーションに付加価値をもたらします。

MMICは、システム設計者に特殊なプラットフォーム要件のために利得やP1dBを調整する能力を提供します。475〜625MHzおよび1.15〜1.5GHzにおける利得の平坦性では他に勝るものはありません。NXPミディアムパワーMMICは、低消費電流で駆動し、電力を極力節約できるよう、高速シャットダウン機能を提供しています。ESD保護、アクティブバイアスおよびSOT89パッケージでの提供などにより、設計が簡素化され、外部コンポーネントの要求を最小限に抑えます。

ベースステーション高い電力レベルのMMICは、モバイルインフラストラクチャーへの使用に最適です。あらゆるベースステーションの周波数において、最も高い利得を提供します。クラスAB動作において、無信号時電流機能は、高い効率とリニアリティを可能にします。バイアス回路は、温度変化や電流の変化にも安定したパフォーマンスを提供します。統合されたシャットダウン機能は、省電力機能であり、高速シャットダウンに使用できます。MMICは、VHFから2.7GHzにおいて、どのような帯域幅にも調整可能です。比類ない熱性能(30°C/W)は、全般的な品質と信頼性を向上します。

スマートメーターこれらのMMICは、900-2400MHzISMバンドのスマートメーターのアプリケーションにも最適です。高い統合性と単電源駆動を備えたMMICは、数点の外部コンポーネントとの組み合わせにおいて、完全な機能を備えたソリューションを作り上げることができます。MMICは、バッテリー駆動(エネルギーを節約するシャットダウン機能つき)が可能で、クラスAとABのいずれにも調整できます。また、電力線ネットワークでも駆動するため、電源の有無に関わらずガスメーターなどでもお使い頂けます。シリコンベースのプロセスの信頼性と品質を兼ね備えることで、長い寿命とすぐれたESDパフォーマンスを提供します。

特長`` すべてのピンにESD保護`` 単電源駆動(3.3または5V)`` アクティブバイアスを統合`` 高速シャットダウン`` 無信号時消費電流調整` 2つのパッケージオプション、最小リードレスパッケージ(3x3mm)、リード付きのSOT-89

アプリケーション`` ワイヤレスインフラストラクチャー(ベースステーション、リピーター)`` スマートメーター`` ブロードバンドCPE(MoCA)`` サテライト・マスター・アンテナTV(SMATV)`` 産業向けアプリケーション` W-LAN/ISM/RFID

画期的なNXPのQUBiC4プロセスで製造されたMMICは、GaAsに引けを取らないRFパフォーマンスを低コストで提供し、熱性能およびESDの堅牢性などの付加価値も得られます。QUBiC4プロセスは、アクティブバイアス、無信号時調整、VGAインターフェース、省電力シャットダウンモードなど、さらに幅広い機能も実現します。設計の柔軟性を高めるために、すべてのMMICは、単電源(3.3/5V)駆動をサポートしています。また、省スペース化のため、出来る限り小さなパッケージサイズ(3x3mm)でご利用いただけ、リードレスオプションもお選びいただけます。

MoCAこれらのMMICは、特にSTBおよびPCドングルの両方において、MoCA(MultimediaoverCableAlliance)PAとして最適です。

Supply Shutdowncontrol RFperformance RFperformance

Type Packagef

Vcc Icc VI(D)L(SHDN) VI(D)H(SHDN) II(D)L(SHDN) Typ @ f = 940 MHz Typ @ f = 1960 MHz

Typ Typ Max Min Max Min Max Typ Gp PL(1dB) OIP3 NF Gp PL(1dB) OIP3 NF

(MHz) (V) (mA) (mA) (V) (V) (V) (V) (µA) dB dBm dBm dB dB dBm dBm dBBGA7124 SOT908 leadless 400 - 2700 5 130 200 0 0.7 2.5 Vbias 4 22 25 38 5 16 24 38 5BGA7024 SOT89 leaded 400 - 2700 5 110 - - - - - - 22 24 38 3 16 25 38 4BGA7127* SOT908 leadless 400 - 2700 5 180 325 0 0.7 2.5 Vbias 4 20 28 44 3 13 28 43 5BGA7027* SOT89 leaded 400 - 2700 5 170 - - - - - - 19 28 41 3 12 28 43 4BGA7130* SOT908 leadless 400 - 2700 5 - - 0 0.7 2.5 Vbias 4 18 30 45 4 12 30 45 4BGA7133* SOT908 leadless 400 - 2700 5 - - 0 0.7 2.5 Vbias 4 18 33 46 4 12 33 47 4BGA7130およびBGA7133の仕様は、開発が完了するまではターゲットスペックとなっています。*=3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。

Page 44: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

43NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.4 マイクロ波&ミリ波向け低ノイズLOジェネレータ

NXP LOジェネレータTFF11xxxHN (VCO/PLL内蔵)

NXPの最新QUBiC4X SiGe:C プロセステクノロジーにより提供される。高い統合性を兼ね備えた調整不要なLO ジェネレータは、低電力消費・低スプリアスソリューションです。設計を簡素化し、トータルコストを抑えます。

これらの低ノイズ局部発振器(LO)ジェネレータは、7〜15GHzの範囲でさまざまなマイクロ波アプリケーショへの使用に最適となっています。小さなフットプリントでも非常に精度の高いパフォーマンスを発揮します。製造ラインにおいて、周波数修正などのアライメントが必要ないため、シンプルに製造化できます。高い統合性は、ボードのスペースを節約し、設計を簡単なものにします。それにより全体的なコストと開発スピードの向上に貢献、製品化までにかかる時間を短縮します。

これらのICはNXPの業界を牽引するQUBiC4XSiGe:Cプロセスで製造されているため、全体的なRFパフォーマンスは向上し、競合他社製GaAsよりもはるかに堅牢で、電力消費も少なくて済みます。このプロセステクノロジーの付加価値として、高い統合性の実現を可能にします。NXPは、生産の拠点(ウェハーファブ、アセンブリ、テスト)を各地に所有しているため、大量生産にも対応できます。

TFF1003HNは、LOジェネレータ全ファミリーの基礎となるものです。12.8〜13.05GHzのVCOをカバーし、50〜816MHzの入力信号を受容します。分周比は16、32、64、128、256に設定でき、出力レベルは±2dBの安定性で-5dBmです。LOジェネレータファミリーは、7〜15GHzにおいて18種類の異なる中心周波数のデバイスを取りそろえています。これらの全デバイスのRFパフォーマンスはTFF1003HNと一貫性を持ちます。すべてのLOジェレータは非常に低い電力消費であり(通常時330mW)、すべては省スペース設計の24ピンHVQFNパッケージで使用できます。

特長` TFF11xxxHNファミリー7〜15GHzレンジにおける低ノイズのLOジェネレータ`` 全タイプの最大消費電力は通常時330mW��

`` 位相雑音はIESS-308(Intelsat)に準拠`` 実証済のQUBiC4XSiGe:Cテクノロジー(120-GHzfTプロセス)`` 外部ループフィルタ`` 差動入出力`` ロック検出出力`` ループフィルタ用の内部安定電圧レファレンス` 24ピンHVQFN(SOT616-1)パッケージ

アプリケーション: TFF11xxxHN`ファミリー`` 産業・医療用試験・測定機器`` 電子戦(EW)`` 電子対抗装置(ECM)`` ポイント・ツー・ポイント`` ポイント・ツー・マルチポイント`` 衛星通信

汎用マイクロ波アプリケーションのための低ノイズLOジェネレータの完全ポートフォリオは3.4.2章もあわせてご覧ください

Page 45: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

44 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.5 全LNBアーキテクチャに適合した完全な衛星向けポートフォリオ

NXP衛星LNB向けデバイスBFU725F/N1およびBGA28xx

LNA、ミキサー、IFアンプでの使用を目的として設計されており、堅牢で小さなフットプリントを持つこの製品群は、NXPの画期的なQUBiC4XSiGe:CおよびQUBiC4+プロセステクノロジーを用いて製造された、衛星LNB向けのポートフォリオの最新製品です。

BFU725F/N1RFトランジスタBFU725F/N1は、DBSLNB向けのLNAおよびミキサーとして使用できるRFトランジスタです。いずれのアプリケーションにも低消費電力、最適な雑音とリニアリティを提供し、GaAspHEMTと比較して、低価格にて提供されます。

KuバンドLNBのミキサーとしてのBFU725F/N1`` 消費電流:5Vで2mA`` 単電源:3、5、6V`` ノイズ、SSB:7dB(BPF含む)`` リニアリティ:0dBmOIP3以上`` 利得、SSB:2dB(BPF含む)` RF/LO/IF整合:12/15/18dB以上`` 広帯域で無条件に安定` LO-RF絶縁度は18dB以上

KuバンドLNBの第2第3ステージLNAとしてのBFU725F/N1 `` 消費電流:5Vで11mA`` 単電源:3、5、6V`` ノイズ、SSB:通常1.3dB`` リニアリティ:OIP310dBm以上`` 利得、SSB:通常10.5dB`` 入力/出力整合:7/12dB以上`` 広帯域で無条件に安定

CバンドLNBのLNAとしてのBFU725F/N1 `` 消費電流:5Vで7mA`` 単電源:5または6V`` ノイズ:0.65dB`` リニアリティ:OIP310dBm以上`` 利得:15dB`` 入出力整合:10dB以上`` 広帯域で無条件に安定

IFアンプ (第1ステージ&出力ステージ) としてのBGA28xx MMIC 既存製品との互換性のために、このシリーズでは市場標準パッケージSOT363およびピン互換のSOT363Fパッケージを使用しています。ピン配置はNXPの現在のゲインブロックファミリーと同じもので、同様の雑音指数をもたらします。新機能には、より平坦な利得の他に、利得傾斜0.5dB、向上したP1dBvs.Icc、および出力インダクタが不要になったことなどがあげられます。`

`` 内部で50 Ωに整合`` 利得傾斜0.5dB`` 単一供給電圧` - 3.3Vまたは5V`` リバースアイソレーション:>最大2GHzで30dB以上`` クラス最高のリニアリティ対消費電流`` 雑音指数1GHzで4〜6dB`` 無条件の安定性(K>1)`` 出力インダクタなしで動作する高圧縮ポイントモデル` 6ピンSOT363プラスチックSMDパッケージ

LNAおよびミキサー向けBFU725Fトランジスタ、IFアンプ向けMMICのBGA28xxシリーズは、NXPの衛星LNB向けポートフォリオの最新

Page 46: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

45NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

クイックリファレンス衛星IF利得MMIC

衛星屋外装置、複数ユーザ向けLNB

horizontalantenna

brb022

H low

IF out 1low

3rd

stageLNA

(4 x 2)IF

SWITCH

oscillator

verticalantenna

2nd

stageLNA

1st

stageLNA

3rd

stageLNA

2nd

stageLNA

1st

stageLNA

BIAS IC

IF amplifier

IFamplifier

IF out 2IF

amplifier

V low

IF amplifier

H high

high oscillatorIF amplifier

V high

IF amplifier

mixer

mixer

mixer

mixer

Type Package

@ Fu @1GHz Gain(dB)@

Vs Is @-3dB NF Gain OIP3 250 950 1550 2150

(V) (mA) (GHz) (dB) (dB) (dBm) (MHz) (MHz) (MHz) (MHz)

BGA2800 SOT363 3.3 9.7 >3 3.4 20.2 11.5 20.0 20.2 20.6 20.6

BGA2801 SOT363 3.3 12.4 3.0 3.6 22.1 13.6 22.3 22.1 23.0 23.8

BGA2815 SOT363 3.3 16.4 >3 3.4 25.4 18.2 26.2 25.4 25.5 25.8

BGA2816 SOT363 3.3 19.6 2.3 2.8 31.2 16.1 32.0 31.2 30.6 28.7

BGA2850 SOT363 5.0 7.7 >3 3.9 23.3 8.7 22.9 23.2 23.9 24.0

BGA2865 SOT363 5.0 22.7 2.6 3.7 31.9 20.9 31.2 31.8 32.6 31.4

BGA2866 SOT363 5.0 15.4 >3 3.6 23.4 17.7 23.0 23.3 24.0 24.3

新しいBGA28xxIFゲインブロックを出力ステージで使用する際は、出力インダクタは必要ありません。

製品です。発振器、スイッチ、バイアスなど他のディスクリート製品に加わる新顔で、すべてのLNBアーキテクチャをカバーします。

これらのトランジスタとMMICは、NXPの業界を牽引するQUBiC4XSiGe:CおよびQuBiC4+プロセスで製造されているため、全体的な

RFパフォーマンスは向上し、競合他社製GaAsよりもはるかに堅牢で、低コストなソリューションです。このプロセステクノロジーの付加価値として、高い統合性の実現を可能にします。NXPは、生産の拠点(ウェハーファブ、アセンブリ、テスト)を各地に所有しているため、大量生産にも対応できます。

注:1.4.4章衛星屋外装置もあわせてご覧ください。

Page 47: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

46 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.6 VSAT、衛星を経由する双方向通信

IESS-308準拠のKuバンドVSATトランスミッタまたはトランシーバを設計するには

VSAT向けNXP KuバンドRF LOジェネレータIC

TFF100xHNファミリーは、KuバンドVSATトランスミッタおよびトランシーバー内の低位相雑音局部発振器(LO)回路を目的とした、VCOが内蔵されたKuバンドRFPLLです。高パフォーマンスSiGe:Cプロセスで製造され、非常に低い位相雑音を提供し、IntelsatのIESS-308に準拠します。

特長`` 位相雑音はIESS-308(Intelsat)に準拠`` 差動入出力`` 分周回路16、32、64、128、256でのデバイダ設定が可能`` ロック検出出力` SiGe:Cテクノロジー(120-GHzfTプロセス)` HVQFN(SOT616-1)パッケージ

アプリケーション` VSATブロックアップ・コンバーター` VSATダウンコンバージョン`` 局部発振器信号生成

VSATネットワークは、一般にクレジットカードのPOSトランザクションなどの狭帯域のデータ通信、または離れた場所への衛星インターネットアクセス、VoIP、ビデオなどをサポートするブロードバンドデータ通信に使用されます。

このネットワークは、通常ディッシュ型アンテナ、屋外ユニット、屋内ユニットで構成されます。屋外ユニットは、RFとIF間の周波数変換に使用され、通常マイクロ波ベースのアップリンク/ダウンリンクセパレータ、ダウンリンク信号を受信する低ノイズブロック(LNB)、ブロックアップコンバータ(BUC)が含まれます。

VSATICは、リニアBUC向けのLOジェネレータの生成に使用できます(IFまたはRF変換がLOでミキシングされることを意味します)。

正確な周波数ならびに時間多重化を可能にするには、ダウンリンク信号が正確な周波数リファレンス10MHzを提供する必要があります。屋内ユニットは、アップリンクIF信号で多重化し、BUCのLOシグナルはリファレンス周波数に対しロックする必要があります。

TFF100xHNICは24ピンHVQFN(SOT616-1)パッケージに封入されています。これらのピンは最適なパフォーマンスを得るために割り当てられています。3つの電圧ドメインは、ICのブロックを隔離するために使用されます。各出力(OUT-PとOUT-N)は20-milRO4003ボード(1.1mm)上にライン幅Z=50Ωのマイクロストリップを使用した典型的なレイアウトと整合するよう確保されています。

接地ピンはリファレンス入力および出力の横に配置され、アプリケーション上での交差を最小化するため、すべての供給ピンは同じ側についています。

Page 48: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

47NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

一般的なVSATネットワーク。

Satellite

HUBVSATs

Satellite

HUBVSATs

TFF1003HNを用いたリニアBUC向けの完全なLOジェネレータ。

brb200

LF LF

/1305

(/960)

156.25 kHz(208.83 kHz)

13.05 GHz settings

(12.8 GHz settings)

12.8~13.05

on-chip VCO203.90625 (200) MHz

clean up PLL build around VCXO

narrow bandwidth

203.90625 (200) MHz > 13.05 (12.8) GHz

TFF1003 @ DIV = 64 PLL with on-chip VCO

TFF1003HN

band

pass

filter

band

pass

filter

solid

state

power

amp

amp

/64

(/48)PFD PFD

from

indoor

unit

synchronized QPSK data on L band carrier in the range 0.95~1.45 GHz (extended range: 0.95~1.7 GHz)

10 MHz

/64

mixer

Type PackagefIN(REF)

VCC ICC

PLLphasenoise@N=64@100kHz

PLL Outputbuffer Input

fo(RF)

Po RLout(RF) Si

Typ Max Typ Max Min

MHz V mA dBc/Hz (GHz) dBm dB dBm

TFF1003HN SOT616 50~815 3.3 100 -92 12.8~13.05 -5 -10 -10

TFF1007HN SOT616 230.46~234.38 3.3 100 -104 14.75~15 -3 -10 -10

Page 49: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

48 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.7 中国SARFT標準対応NXP CATVCファミリー

人と人をつなぎ、ネットワークを保護

特に中国のハイブリッドファイバー同軸(HFC)インフラ向けに設計されたNXPCATVC-ファミリーは、ケーブルTVネットワークのトータルソリューションをもたらします。中国の全土ネットワーク化プログラムの一環として、僻地との接続には十分な柔軟性を提供し、主要都市をアナログからハイエンドデジタルサービスにアップグレードするには十分なパワフルさを備えています。すべてのCタイプデバイスは、中国の国家ラジオ・テレビ監督庁(SARFT)の標準に準拠しています。また550-870MhzレンジのほとんどのHFCアプリケーションをカバーします。

製品` BGY588C、BGE788C、CGY888C、BGY835Cプッシュ・プルアンプ

` BGD712C、CGD944C、CGD942Cパワーダブラー` BGO807CおよびBGO807CE光レシーバー

特長`` すぐれたリニアリティ、安定性、および信頼性`` 高い伝達利得`` 超低ノイズ`` 窒化シリコンによるパッシブ性能`` ハイエンドデバイス向けのGaAsHFETダイ

主な利点`` 中国SARFTHFCネットワーク標準に準拠`` 製品の真正性を確認できる透明キャップ`` 堅牢な構造

高品質CATVポートフォリオを拡張する中で、この新ファミリーはHFCアプリケーションの幅をさらに広げてくれます。中国のCATVシステム導入に特化したソリューションであるCタイプデバイスは、近代的なTVインフラに必要なパフォーマンスを提供してくれるでしょう。

BGY588C、BGE788C、BGD712Cデバイスは、550MHz〜750MHzの周波数レンジをカバーします。CファミリーのハイエンドデバイスであるCGD944C、CGD942C、CGY888C、BGO807Cは40MHz〜870MHzの間で動作し、特別に中国のラスター条件下で試験が実施されています。弊社のGaAsHFETダイプロセスを使用して製造されたCGD942CおよびCGD944Cは高利得、高パフォーマンスの870MHzパワーダブラーです。高出力光ノードを含むトップエンドのアプリケーションに対して高い要求を満たす能力を備えています。

弊社のGaAsHFETMMICダイは、GaAspHEMTデバイスに通常使用されるTVS外部コンポーネントの必要性がなく、最高のESD保護レベルを提供するという目的を持って設計されています。

すべてのCATVCタイプデバイスは、透明キャップを特徴としており、模倣品との見分けが明確につくようになっています。

Page 50: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

49NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

BGY588C、BGE788C、CGY888C、BGY835CHFCネットワーク構成の最終ステージは、終端アンプまたは最終ユーザーに最も近いことから「ユーザーアンプ」と呼ばれています。各終端アンプは550MHz用のBGY588C、750MHz用のBGE788C、860MHz用のCGY888Cなどのシングルモジュールが必要です。これらのモジュールは中国の「中国全土ネットワー`ク化」プロジェクトに完璧に整合するものです。

BGD712CBGD712Cは750MHz、18dBのパワーダブラーモジュールです。通常のもしくは光の受信器および分配アンプを含む750MHzの光ノード向けに設計されたものです。また、BGY785AまたはBGY787などの750MHzプッシュ・プルモジュールと併用して、ラインエクステンダにも使用できます。これらは「中国全土ネットワーク化」プロジェクトに広く使用することが可能です。

bra821

INport

OUTport

BGD712CBGY785ABGY787

EQPAD

bra820

INport

OUTport

BGY588CBGE788CBGY835CCGY888C

EQPAD

CGD944C、CGD942C弊社の完全GaAsパワーダブラーモジュールCGD942CおよびCGD944Cは、他のモジュールと比較して高出力が得られ、よりよいCTB・CSOを提供します。複数の出力ポートを備えた光ノードを含むハイエンドHFCネットワーク向けに設計されており、これらのモジュールは各ポートで直接最低125人のユーザーをカバーできます。これらのふたつのデバイスは、HFCネットワークを860MHzにアップグレードするのに理想的です。

BGO807CEBGO807CEは、統合型光レシーバー・モジュールであり、高い出力レベルを提供するとともに、温度補正回路を内蔵しています。光ノードの設計において、BGO807CEは高いコスト・パフォーマンスと堅牢性を可能にします。HFCネットワークをアナログからデジタルにアップグレードする場合には、BGO807Cがベストチョイスです。

bra823

BGY885ABGO807CE

BGD812

HL

OUTport 1

BGD812

HL

OUTport 2

EQPAD

PAD

PAD

bra822

(N + 1)RF switch

BGY885ABGD812BGY887

BGO807CE

BGO807CE

CGD942C/CGD944C

HL

OUTport 1

CGD942C/CGD944C

HL

OUTport 2

CGD942C/CGD944C

HL

OUTport 3

CGD942C/CGD944C

HL

OUTport 4

EQPAD

PAD

PAD

PAD

PAD

Page 51: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

50 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Cファミリー`アプリケーション情報

Application BGY588C BGE788C CGY888C BGD712C BGO807C CGD944C CGD942COptical node • • • •

Optical receiver • • • •

Distribution amplifier • • • •

Line extender amplifier • • • •

Terminating amplifier • • •

プッシュ・プルアンプ

Parameters BGY588C BGE788C CGY888C BGY835CPower gain (dB) typ. 34.5 34.2 35.5 34

Slope (dB) range 0.2 - 1.7 0.3 - 2.3 1.5 typ. 1.5 typ.

Composite triple beat (dBc) max. -57 -49 -66 -60

Composite 2nd order distortion (dBc) max. -62 -52 -64 -55

Noise (@ fMAX) (dB) max. 8 8 3 typ. 7

Total current comsumption (mA) typ. 325 305 280 340

Frequency range (MHz) range 40 - 550 40 - 750 40 - 870 40 - 870

パワーダブラー

Parameters BGD712C CGD944C CGD942CPower gain (dB) typ. 18.5 25 23

Slope (dB) range 0.5 - 1.5 1 - 2 1 - 2

Composite triple beat (dBc) max. -62 -66 -66

Composite 2nd order distortion (dBc) max. -63 -67 -67

Noise (@ fMAX) (dB) max. 7 5 5

Total current comsumption (mA) typ. 395 450 450

Frequency range (MHz) range 40 - 750 40 - 870 40 - 870

光レシーバー

Parameters BGO807C BGO807CEResponsivity (V/W) min. 800 800

Slope (dB) range 0 - 2 0 - 2

Third order intermodulation distortion (dB) max. -71 -71

Second order intermodulation distortion (dB) max. -54 -53

Noise (@ fMAX) pA/Sqrt (Hz) max. 8.5 8.5

Total current consumption (mA) typ. 190 190

Frequency range (MHz) range 40 - 870 40 - 870

Connector - / SCO / FCO

Page 52: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

51NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.7.1 NXP GaAs HFC CATVソリューションCGY888C、CGD942C、CGD944C

中国HFCネットワーク向け完全GaAsアンプソリューション

これらの高パフォーマンスGaAsソリューションは、特に中国のSARFTHFC標準に向けて設計されたもので、チップ数と全体的なコストを削減をもたらします。

製品` 870-MHzプッシュ・プルアンプ:CGY888C` 870-MHzパワーダブラー:CGD942C(23-dB利得)、CGD944C(25-dB利得)

特長`` 最高のパフォーマンスと最低チップ数を実現するGaAsHFETプロセス`` すぐれたリニアリティ、安定性、および信頼性`` 高い伝達利得`` 超低ノイズ`` 卓越した反射減衰特性

主な利点`` 中国SARFTHFCネットワーク標準に完全準拠`` 製品の真正性を確認できる透明キャップ`` 堅牢な構造`` 無条件の安定性`` 熱的に最適化された設計

アプリケーション`` ハイブリッドファイバー同軸(HFC)アプリケーション`` ラインエクステンダ`` 幹線アンプ`` ファイバー・ディープ・光ノード(N+0/1/2)

シングルソースサプライヤーとして中国のHFCCATVインフラのアプリケーションをサポートするために、NXPは次世代HFCTVネットワークに求められる非常に高いレベルのパフォーマンスを提供する専用RFアンプモジュールとしてCファミリーをお届けします。

このファミリーの特長として、870-MHzプッシュ・プルアンプCGY888C、NXPの業界を牽引するBGY888およびBGY835CのGaAsへのアップグレード、ふたつの870-MHzパワーダブラー(通常時の利得が23dBのCGD942Cおよび25dBのCGD944C)が挙げられます。

これらのモジュールは中国の全土ネットワーク化プログラムの一環として僻地へのアクセス性には十分な柔軟性をもたらし、主要都市をアナログからハイエンドデジタルサービスにアップグレードするのに適切なパワフルさを備えています。

このモジュールは中国のラスター条件下で試験が実施されており、中国のSRAFT標準に完全に準拠します。また、550〜870MHzのレンジで、ほとんどのHFCアプリケーションをカバーし、前世代のNXPHFCソリューションと互換性を保っています。そのためより高いレベルのパフォーマンスを目指し、既存のネットワークをアップグレードするためにも使用できます。

NXPの先進的なGaAsHFETダイ・プロセスで生産されるこれらのモジュールは、極めて低いノイズと卓越したリニアリティを提供し、互いにシームレスに動作します。GaAsプロセスは、チップ数を減らすことによりパフォーマンスを向上させ、全体的なコストを削減します。Siと比較してより強度の高い信号を提供できるため、必要とされるアンプ数を抑えられ、GaAspHEMTプロセスと比較すると優れたESD保護をもたらします。そのため外部TVSコンポーネントは必要ありません。CGY888Cは、終端アンプまたは最終ユーザーに最も近いことから「ユーザーアンプ」と呼ばれるHFCネットワークの最終ステージに最適です。

CGD942CおよびCGD944Cは高出力であり、さらに他社製のパワーダブラーと比べてすぐれたCTBおよびCSOを提供します。そのためHFC複数出力ポートを備えた光ノードを使用するネットワークに理想的です。このモジュールでは、各ポートが125のユーザーを直接カバーできます。

すべてのCタイプファミリーモジュールは透明キャップを特徴としており、模倣品との見分けが明確につくようになっています。

比類ない新ESDの保護レベル:2009年以降にリリースされたすべての新標準NXPCATVSOT115ハイブリッド製品である、パワーダブラーまたはプッシュ・プルには、非常に高いレベルのESDサージ保護を実現すべく、追加の保護回路が内蔵されています。これらのサージレベルにより、デバイスの損傷や破壊から回避できます。人体またはバイアスESDレベルはそれぞれ2000Vと1500Vに向上しているため、今日においてNXPのCATVデバイスは最もESD耐力のある製品とされています。

Page 53: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

52 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

新しいCATVGaAsプラットフォームレイアウト。

2.8 持続可能なCATVネットワーク向け1 GHz GaAsモジュールの高効率ラインナップ

NXP高利得パワーダブラーCGD104xHiおよびプッシュ・プルCGY104x 1-GHzの「安定したネットワーク」を目指して設計された、これらの高パフォーマンスGaAsデバイスは、帯域幅を拡張し、より高いデータレートを提供します。ネットワークキャパシティを向上させ、HDTV、VoIP、デジタル同時放送などのハイエンドサービスに活路を見いだすことができます。

主な特長`` すぐれたリニアリティ、安定性、および信頼性`` パワーダブラーの高い伝達利得`` 超低ノイズ`` ダークグリーン`` ハイエンド・アプリケーション向けのGaAsHFETダイ`` 堅牢な構造`` すぐれたESDの保護レベル`` リングウェーブ保護を内蔵`` デジタルチャンネルのローディングに最適化された設計`` 温度補償型の利得応答`` 最適化された熱性能`` すぐれた温度抵抗

主な機能` 1-GHzケーブルネットワークへのシンプルなアップグレード`` トータルコストを最小化`` 高い電力ストレス能力`` 自動化が進んだアセンブリ

主なアプリケーション`` ハイブリッドファイバー同軸(HFC)アプリケーション`` ラインエクステンダ`` 幹線アンプ`` ファイバー・ディープ・光ノード(N+0/1/2)`` 分岐への応用

NXPのパワーダブラーCGD104xHおよびCGD104xHiはラインエクステンダおよび幹線アンプへの使用に最適です。ファイバー・ディープ・光ノード(N+0/1/2)のアプリケーションもサポートし、市場最高の出力をお届けします。GaAsHFETダイ・プロセスは、高利得、卓越したCTBとCSOレーティングを提供するとともに低電流で動作します。

新しいNXPのCGY1047xプッシュ・プルファミリーは、低ノイズ、クラス最高の歪み性能の組み合わせを実現する市場初の製品ラインナップです。最小の電力消費で最高のパフォーマンスを発揮し、OPEXとCO2排出量を抑えます。

すべてのNXPの1-GHzソリューションは耐久力に主眼を置いた設計となっており、優れた堅牢性と拡張された温度範囲、高いパワーオーバーストレス能力、非常に高いESDレベルを提供します。その結果、コストの削減につながります。

GaAsダイは、HVQFNパッケージに封入され、放熱板への熱伝達を管理するサーマルのビアに実装されます。温度管理回路により、幅広い温度範囲でモジュールの高パフォーマンスと安定性を維持します。アセンブリは完全自動化され、人間の介入がほとんど必要ありません。そのため高い再現性を誇ります。

Page 54: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

53NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

CATV1-GHzpowerdoublers

Parameters CGD1040Hi CGD1042H CGD1042Hi CGD1044H CGD1044Hi CGD1046Hi*

Powergain(dB) typ. 21 23 23 25 25 27

Slopecableequivalent(dB) typ. 1.5 1.5 1.5 1 1.5 0.5 - 2.0

Compositetriplebeat(dB) typ. -69 -69 -69 -69 -69 -73

Composite2ndorderdistortion(dB) typ. -68 -68 -68 -68 -68 -68

Noise(@fMAX)(dB) max. 6 6 6 6 6 5

Totalcurrentconsumption(mA) typ. 440 450 440 450 440 460

Frequencyrange(MHz) range 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003

CATV1-GHzpush-pulls

Parameters CGY1041 CGY1043 CGY1049* CGY1032*

Powergain(dB) typ. 22 24 30 33

Slopecableequivalent(dB) typ. 1.5 1.5 2 1.5

Compositetriplebeat(dB) typ. -62 -64 -62 -62

Composite2ndorderdistortion(dB) typ. -62 -64 -64 -64

Noise(@fMAX)(dB) max. 5.5 5.5 4.5 4.5

Totalcurrentconsumption(mA) typ. 250 250 250 250

Frequencyrange(MHz) range 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003 40 - 1003

*=3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。

CATV 1 GHzパワーダブラーおよびプッシュ・プルのクイックリファレンスデータ

CGD1040Hi/CGD1042Hi/CGD1044Hi/CGD1046Hiを用いた複数出力ポートつき光ノード。

bra822

(N + 1)RF switch

CGD104xHi

HL

OUTport 1

CGD104xHi

HL

OUTport 2

CGD104xHi

HL

OUTport 3

CGD104xHi

HL

OUTport 4

EQPAD

PAD

PAD

PAD

PAD

これから発売される新製品現在開発中のプッシュ・プル新製品は、パワーダブラーの能力をさらに引き上げ、ほとんどすべての近代的HFCアプリケーションをサポートできるようになります。プッシュ・プルCGY1041は21dBの利得、CGY1043は23dBの利得、CGY1049は29のdB利得、CGY1032

は32dBの利得を提供します。また、NXPは新たに統合性の高いパワーダブラーも開発中です。CGD1046Hiは、ひとつのICで26-dBの電力利得と60-dBmVの出力パワー、卓越したESD保護が得られます。歪みのない究極の高品質を持ったデバイスとなることでしょう。

Page 55: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

54 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.9 最先端のワイヤレスインフラ向けドハティアンプ・テクノロジー

クラス最高のPA設計により、大幅なエネルギーの節約を実現

NXPの最新パワーアンプなら、「環境にやさしいベースステーション」を目指し、エネルギー効率を大きく飛躍させるワイヤレスインフラストラクチャーの設計を可能にします。今日において最高の効率性を発揮するために、NXPは、最新世代のLDMOSテクノロジー(第6・第7世代)とドハティのコンセプトを組み合わせました。これにより、最適なLDMOSテクノロジーの固有特性が完璧な形で外生効果であるドハティテクノロジーと統合され、非常に高効率、高利得、リニア化が容易で、オペレーションコストが低いパワーアンプが実現します。1936年にW.H.ドハティによって開発されたドハティアンプは、現在多く使用されているモバイルコミュニケーションシステムの変調技術(FM、GMSKおよびEDGE)では、高いピーク対平均電力比(PAR)信号を必要としないため、あまり普及してきませんでした。しかし、高パワーに効率性の高いアーキテクチャが加わったドハティアンプは、現代の3G、4G、またはマルチキャリア標準の通信を取り扱うベースステーションのサービスプロバイダに大きな利点を提供します。

NXPのドハティアンプは、高い効率性を確かなものにしつつ、2つのトランジスタを組み合わせたものに匹敵するピーク電力能力を維持することが可能です。入出力セクションは内部で整合され、幅広い帯域においてアンプの設計に高利得と利得の平坦性、位相リニアリティをもたらします。

主な機能と利点`` スプリッタ、メイン・ピークアンプ、遅延回路およびコンバイナがひとつのパッケージに封入

-平均10W出力で40%の効率 -製造時に特別なチューニングは必要なし`` シングルクラスのABトランジスタと同じくらいに設計が容易`` スペースが限られたアプリケーションに理想的(リモートレディオヘッド、アンテナアレイなど)`` 現在、TD-S-CDMA向けのBLD6G21L(S)-50およびW-CDMA向けのBLD22L(S)-50がご利用いただけます。詳細は3.7.1.4章をご覧ください。

チップドハティNXPは、世界初の完全統合型のドハティ設計を提供しています。外観はいたって普通のトランジスタに見えますが、その内側は、ベースステーションのアプリケーションに最高の効率を提供する、完全に統合されたドハティアンプです。通常のクラスABトランジスタの設計と同じ簡便性から、省スペースとコスト削減にも貢献します。

Page 56: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

55NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

主な機能と利点`` 現時点で最も高いドハティアンプ効率`` 生産は実証済み、一貫性ある設計` NXPのLDMOSは、比類ない堅牢性を提供します`` 現在、次の帯域でご利用いただけます:

-728-821MHz -869-960MHz -1805-1880MHz(DCS) -1930-1990MHz(PCS) -1880-2025MHz(TD-SCDMA) -2110-2170MHz(UMTS/LTE) -2300-2400MHz(WiBRO/LTE) -2500-2700MHz(WiMAX/LTE) -3300-3800MHz(WiMAX)

すべての評価ボードは、汎用サポートドキュメントおよびハードウェアでサポートされています。ご利用いただけるドハティ設計の全容は、3.7.1.7章をご覧ください。

ディスクリート・ドハティアンプNXPでは、高い効率性とハイパワーを兼ね備えたディスクリート2ウェイ、3ウェイドハティアンプの評価ボードも提供しています。BLF7G22LS-130デバイスをベースとする2ウェイ設計は、W-CDMAアプリケーションにおいて47.0dBm(50W)で43%の効率および15.7dBの利得を提供します。

弊社特有の3ウェイドハティ評価ボードは、2キャリアW-CDMA信号において平均出力48dBm(63W)で48%の効率と15.0dBの利得を可能にします。現在の設計では、W-CDMA標準のバンドⅠをサポートしており、高い歩留まり、最小のチューニング、大量生産に向けて設計されています。

ドハティ設計

Freqband(MHz)

PPEAK(dBm)

POUT-AVG(dBm)

VDS(V)

Gain(dB)

DrainEff.(%)

Type Maintransistor Peaktransistor

728-756 59.1 50.5 32 19 40 SYM BLF6G10-260PM BLF6G10-260PM

790-821 58 50 32 19 47 SYM BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN

869-894 58 50 32 19 46 SYM BLF6G10-200RN BLF6G10-200RN

925-960 58.9 50 32 22 44 SYM / MMPP BLF6G10-260PRN BLF6G10-260PRN

1805-1880 58.2 50 28 16 42 SYM / MPPM BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P

1930-1990 58 50 32 15.5 37 SYM BLF6G20-230PRN BLF6G20-230PRN

2110-2170 58 50 32 15 40 SYM BLF6G22-180PN BLF6G22-180PN

2300-2400 49.5 42 28 14.5 43 SYM 1/2 BLF7G27-75P 1/2 BLF7G27-75P

2500-2700 52.5 44.5 28 14 38 SYM 1/2 BLF6G27-150P 1/2 BLF7G27-150P

3400-3600 51 43 28 11.5 32 SYM BLF6G38-50 BLF6G38-50

Page 57: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

56 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.10 GaNを用いたワイヤレス・インフラにおける効率性向上ならびにシステムコスト削減

RFパワー向けのNXP GaNテクノロジー

共同開発の努力の結晶である、この新しいガリウムナイトライド(GaN)テクノロジーは、次世代ワイヤレス通信システムにおいて非常に高い効率性を発揮する高出力アンプを実現します。

特長`` 電力密度はSiLDMOSの最大5倍` 50Vで動作`` 高い伝達利得`` 優れた効率性`` 最高の信頼性`` 低い寄生容量

主な利点`` 高周波数と高出力のコンビネーション`` 複数の周波数で機能する単一のパワーアンプを可能にするブロードバンドオペレーション`` 次世代テクノロジー、高出力、スイッチモードパワーアンプ(SMPA)アーキテクチャを可能に。`` システムコストと運営費を削減`` タワートップ・ベースステーションに理想的

アプリケーション`` セルラー・ベースステーション` WiMAX`` ブロードキャスト` レーダー

UnitedMonolithicSemiconductors社およびFraunhoferInstituteforAppliedSolidStatePhysicsとのコラボレーションにより、NXPセミコンダクターズは、次世代RFパワーアンプのパフォーマンスを加速するガリウム・ナイトライド(GaN)プロセステクノロジーを開発しています。

高周波数と高出力を組み合わせた新しいGaNプロセスは、確立されたLDMOSテクノロジーの進化を続けながら、将来のアプリケーションサポートを可能にする理想的な立ち位置にNXPを導きました。

GaNテクノロジーは、インフラ機器の製造者にさまざまな利点をもたらします。トランスミッタにGaNテクノロジーを使用することにより、システム製造コストを大きく削減でき、システムパフォーマンスと柔軟性は格段に向上します。

今日のほとんどのベースステーションパワーアンプは限定されたアプリケーションで使用されています。新しいGaNベースのテクノロジーは、システム間と周波数間を切り替えできる「普遍的トランスミッタ」を提供するため、ベースステーションのカバーエリアの需要に即対応できます。GaNトランジスタにより、従来よりもはるかに効率的なパワーアンプの開発が可能になり、その結果運営費と通信オペレーションにかかる費用を大きく節減します。

GaNトランジスタはSi-およびGaAs-ベースのデバイスよりもはるかに高い接合温度で動作するため、GaNはタワートップ・ベースステーションなどの冷却能力が低い環境に理想的です。また、高い電力密度により、ソリッドステートパワーアンプを真空管とともにビルドするのが標準となっている高出力ブロードキャストへの応用などGaNは他のエリアにも拡張できる可能性をはらんでいます。

NXP初のGaNブロードバンドパワーアンプは、2010年に登場を予定しています。スイッチモード・パワーアンプ(SMPA)はそれに続きます。

Performance(targets)Saturatedoutputpowerat50V 100W

Frequency 2.2GHz

MaximumPAE 68%

Linearpowergain 19dB

2C-WCDMAlinearefficiencywithDPD 40%at–52dBcIM3at8dBOPBO

標準セラミックパッケージに封入されたGaNパワーバーの構造図。

Page 58: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

57NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.11 SiGe:Cのトップ企業をお探しですか? NXPがあれば、もう迷うことはありません!

NXP QUBiC4プロセステクノロジー

NXPの革新的な高パフォーマンスSiGe:CQUBiC4プロセスでは、より少ないスペースで、コスト効率よく、すぐれた信頼性で、製造時にも利点を得ながらデバイスにさらにたくさんの機能性を組み込めるようになります。NXPの最先端QUBiC4テクノロジーと幅広いIPの可用性は、最新製品にクラス最高の低ノイズパフォーマンス、リニアリティ、消費電力、帯域外信号に対するイミュニティー、スプリアス特性、出力パワーを提供することで、GaAsコンポーネントからシリコンへの移行をスピードアップします。NXPのQUBiCは2002年から継続的にパフォーマンス向上を続けており、大量生産では成熟したプロセスです。QUBiC4プロセスは、車載向けに認定されており、NXPが所有する大量生産が可能な8インチウェハー工場2カ所で生産され、柔軟性が高く、低コスト製造で高い歩留まりと低いppmを実現しています。

QUBiC4は3つの種類があり、それぞれは特定のアプリケーション分野に向けられています:

QUBiC4+

QUBiC4+BiCMOSプロセスは、密度の濃いデジタルロジックをベースとしたスマートな機能性を統合するための5の金属層を持つ0.25μmCMOSと、高品質インダクタ向けの厚い金属層を含む高周波ミックスドシグナル設計のためのさまざまなアクティブおよびパッシブデバイスが特徴です。デバイスのライブラリには、ブレークダウン電圧(BVce0)3.8Vおよび低雑音指数(NF<1.1@2GHz)の37GHzFTNPN、7GHzFTVPNP、ブレークダウン電圧5.9Vの28GHz高電圧NPN、Qファクター>30の差動ならびにシングルエンドバリキャップ、Qファクター>20のスケーラブルなインダクタ,800MHz以上のFTラテラルPNP、0.25μmのCMOS、137,220&12〜2000Ohm/sq.ポリおよびアクティブ抵抗、270Ohm/sq.SiCr薄膜抵抗、5.7fF/μm2酸化膜キャパシタおよび5fF/μm2MIMキャパシタ、1〜6fF/μm2酸化膜キャパシタおよびその他L-PNP、絶縁NMOS、3.3VCMOSおよびRF-CMOSトランジスタキャパシタなどさまざまなものがあります。QUBiC4+プロセスは、シリコンベースで、33dBmまでのミディアムパワーアンプなどを含む、最大5GHz(FT=37GHz,NF<[email protected])までのアプリケーションに最適です。

QUBiC4X QUBiC4XBiCMOSプロセスは、高周波ミックスドシグナル設計向けのQUBiCプロセスから派生したSiGe:Cベースの`プロセスで、QUBiC高周波ミックスドシグナル設計においてさまざまな機能をもたらします。ブレークダウン電圧2.5Vおよび超低雑音指数(NF<1.0@10GHz)の140GHzFTNPN、0.25μmCMOS、さまざまな抵抗、5.7fF/μm2酸化膜キャパシタおよび5fF/μm2MIMキャパシタもここに含まれます。NXP初のSiGe:CプロセスであるQUBiC4Xは、LNAやミキサーなどを含む、最大30GHz(FT=137GHz,NF<0.8dB@10GHz)までのアプリケーションおよび、超低ノイズが要求されあるアプリケーションに最適です。

QUBiC4Xi QUBiC4XiBiCMOSプロセスは、QUBiC4Xプロセスをさらに強化し、高周波ミックスドシグナル設計向けのデバイスにさまざまな機能をもたらします。それには、1.4Vブレークダウン電圧および超低雑音指数(NF<0.7@10Ghz)の180GHzFTNPN、0.25μmCMOS、さまざまな抵抗、5.7fF/μm2酸化膜キャパシタ、5fF/μm2MIMキャパシタなどが含まれます。最新のSiGe:CプロセスであるQUBiC4Xiは、FT(200GHz以上)および超低雑音指数(NF<0.7dB@10GHz)の向上を得ており、30GHzを超えるLOジェネレータなどのアプリケーションに適しています。

Page 59: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

58 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Features QUBiC4/4+/4DG QUBiC4X QUBiC4X

Release for production 2002/2004/2006 2006 2008

CMOS/Bipolar CMOS 0.25µm, Bipolar 0.4µm, Double poly, Deep trench, Si

CMOS 0.25µm, Bipolar LV 0.4µm, Double poly, Deep trench, SiGe:C

CMOS 0.25µm, Bipolar LV 0.3µm, Double poly, Deep trench, SiGe:C

LV NPN Ft/F

max (GHz) 37/90 (Si) 137/180 (SiGe:C) 180/200 (SiGe:C)

HV NPN Ft/F

max (GHz) 28/70 (Si) 60/120 (SiGe:C) tbd (SiGe:C)

NPN BVce0: HV/LV ** 5.9 / 3.8 V 3.2 / 2.0 V 2.5 / 1.4 V

V-PNP Ft / BVcb0 (GHz / V) 7 / >9 planned planned

CMOS Voltage / Dual Gate

2.5 / 3.3 V 2.5 V 2.5 V

Noise figure NPN (dB) 2GHz: 1.1 10GHz: 1.0 10GHz: 0.7

RFCMOS Ft (GHz) NMOS 58, PMOS 19 NMOS 58, PMOS 19 NMOS 58, PMOS 19

Isolation (60 dB @ 10 GHz) STI and DTI STI and DTI STI and DTI

Interconnection(AlCu with CMP W Plugs)

5 LM, 3 µm top Metal 5 LM, 3 µm top Metal2 µm M4

5 LM, 3 µm top Metal

Capacitors NW, DN, Poly-Poly5fF/µm2 MIM

NW, DN, Poly-Poly5fF/µm2 MIM

NW, DN, Poly-Poly5fF/µm2 MIM

Resistors  (Ohm/sq) Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57), High Precision SiCr (270)

Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57), High Precision SiCr tbd

Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57), High Precision SiCr tbd

Varicaps (single-ended  & differential)

2x single ended, Q > 403x differential, Q 30-50

2x single ended, Q > 403x differential, Q 30-50

2x single ended, Q > 403x differential, Q 30-50

Inductors  (1.5nH @ 2 Ghz) - scalable

Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation, High R substrate

Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation, High R substrate

Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation, High R substrate

Other devices LPNP, Isolated NMOS LPNP, Isolated-NMOS tbd LPNP, Isolated-NMOS tbd

Mask count 31 / 32 (MIM) / 33 (DG) 35 (MIM) 35 (MIM)

QUBiC4+

BiCMOS ft/f max = 37/90 GHz

+DG

+TFR

+VPNP

+HVNPN

-4ML

SiGe ft/ fmax = 137/180 GHz QUBiC4X

SiGe:C ft/ fmax = 180/200 GHz QUBiC4Xi

QUBiC4+`` ベースライン、0.25μmCMOS、シングルポリ、5層のメタル層`` デジタルゲート密度26kゲート/mm2

` fT/fMAX=37/90GHz` +TFR–薄膜抵抗` +DG–デュアルゲート酸化膜MOS` +HVNPN–高圧NPN` +VPNP–縦型PNP` -4ML–高密度5fF/µm2MIMキャパシタ`` さまざまなアクティブデバイスおよび高品質パッシプデバイス`` 最大5GHzのアプリケーションに最適化

QUBiC4X` SiGe:Cプロセス` fT/fMAX=137/180GHz`` 最大15GHzのアプリケーションに最適化

QUBiC4Xi` fT/fMAXを最大180/200GHzに向上` 10GHzを超えるマイクロ波向け超低ノイズ`アプリケーションに最適化

Page 60: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

59NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

2.12 マイクロ波`/レーダー

NXP、高パフォーマンスのマイクロ波アプリケーションのパートナー

NXPは、半導体テクノロジーとコンポーネント設計において50年以上の歴史を誇ります。マイクロ波アプリケーションでは、30年以上にわたり高性能`RFテクノロジーを先導してきました。NXPは、しっかりと成長を続ける、クラス最高のSiデバイスとプロセステクノロジーで、マイクロ波アンプで使用されるRF小信号およびパワートランジスタの領域では強固な立ち位置を構築してきました。

NXPは、側方拡散金属酸化膜シリコン(LDMOS)に基づくSバンドトランジスタ(2700-3500MHz)を供給した初の半導体企業です。将来への立ち位置をさらに強化するためにも、現在NXPでは窒化ガリウム`(GaN)素材を使用した新しいハイパワー、高帯域テクノロジーの開発を展開しています。

その他に、最大200GHzのfT範囲におけるさまざまな種類のBICMOSプロセスQUBiCもあります。どれも特定の小信号RFアプリケーションへの対応を目的としています。

-低ノイズアンプ(LNA)-可変利得アンプ(VGA)-ミキサー-局部発振器(LO)-LOジェネレータ

コンポーネント製造のバックグラウンドを持つNXPは、現在マイクロ波およびミリ波向けの統合性の高い製品の開発に専念しており、画期的なアーキテクチャを構築しようとしています。その例のひとつには、LOジェネレータ(7GHz〜15GHz)があります。位相同期回路(PLL)および電圧制御発振器(VCO)を統合しています。その他の例には、Sバンド(3.1-3.5GHz)200WにおけるRFパワーモジュールがあげられます。いずれの製品も、次のような特長を持っています。

RF小信号製品の特長LOジェネレータTFF11xxxHNNXPの最新QUBiC4XSiGe:Cプロセス製品で、高い統合性を持ち、アライメントのいらないLOジェネレータは、低電力消費・低スプリアスソリューションです。設計が容易であり、トータルコストを抑えます。

特長` 7〜15GHzレンジにおける、低ノイズのLOジェネレータ`` 全タイプの最大消費電力は通常時330mW`` 位相雑音はIESS-308(Intelsat)に準拠`` 実証済のQUBiC4XSiGe:Cテクノロジー(120GHzfTプロセス)`` 外部ループフィルタ`` 差動入出力`` ロック検出出力`` ループフィルタ用の内部安定電圧リファレンス

RF パワー製品の特長BLS6G2933P-200は、NXPがお届けする業界初のLDMOSベースの業界標準パレットです。このパレットは、Sバンドアプリケーション向けの完全なバイアス回路を含め、40%以上の効率を提供します。

Page 61: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

60 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

特長`` コンポーネントの数を減らし、レーダーシステムの設計を大幅に簡素化

` P1dB出力200W` 40%以上の効率`` 業界標準のフットプリント`` 全帯域で50Ωの入出力整合`` 軽量ヒートシンクつき`` バイポーラとの比較におけるLDMOSの優位点

-高い利得とすぐれた効率-向上された耐久性–リスクなく5dBまでオーバードライブ-向上されたパルスドループおよび挿入位相-一貫性のあるパフォーマンス–`チューニングの必要なし-熱特性は向上、熱暴走を回避-パッケージは無害で、ROHSに準拠しています

全製品の一覧は、各小信号およびパワーマイクロ波のページをご覧ください

マイクロ波アプリケーションと動作帯域

System Frequency

VHF and UHF <1 GHz

L-Band 1200 - 1400 MHz

S-Band 2700 - 3500 MHz

X-band 8000 - 12000 MHz

Commercial Avionics

DME (Distance Measuring Equipment) 978 - 1215 MHz

Transponders

Mode A / Mode S / Mode C / TCAS 1030 - 1090 MHz

Military Avionics

IFF Transponders (Identification, Friend or Foe) 1030 - 1090 MHz

TACAN (Tactical Air Navigation) 960 - 1215 MHz

JTIDS / MIDS(Joint Tactical Information Distribution System)

960 - 1215 MHz

Marine radar 9300 - 9500 MHz

Page 62: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

61NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

brb339

typ. 0.5 kWDVB-T

typ. 5 kW DVB-Toutput power

TV exciterDVB-T

Driver stages

amplifiers

harmonicfilter

powermonitor

8 × final

2.13 最高のデジタル放送

BLF881 / BLF888トランジスタのラインナップにより、今日最もパワフルで効率的なデジタル放送トランスミッタアプリケーションを実現します。

BLF881 このトランジスタは、NXPの新しい50VLDMOSテクノロジーに基づいて開発されました。ブロードキャストトランスミッタおよび産業アプリケーション向けの140WのRF出力が特長です。比類ないBLF881デバイスは、HF〜1GHzのレンジでご利用いただけます。高い耐久性と優れたブロードバンドパフォーマンスのため、スタンドアロンでも、または高出力トランジスタBLF888のドライバとしても、デジタルトランスミッタアプリケーションに最適です。

BLF881は、イヤーレスパッケージのBLF881Sもご用意していますので、さらにコンパクトなPCB設計が可能もなります。

BLF888新しい50Vテクノロジーに基づき開発されたBLF888は、現在、最もパワフルなLDMOSブロードキャストトランジスタです。この500WLDMOSデバイスは、特にデジタルブロードキャスト・トランスミッタ向けに作られたものです。このトランジスタは、470MHz〜860MHzのUHFバンドにおいて、DVB-T信号で平均電力110Wを提供します。すぐれた効率性と耐久性により、高度なデジタルトランスミッタアプリケーションの最終ステージに最適です。

主な利点`` 市場最高の電力レベル50Vを実現`` 全てのデバイスにおいてクラス最高の堅牢な設計`` 最高のブロードバンド効率`` クラス最高の設計サポート`` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計

主なアプリケーション`` アナログおよびデジタルTVトランスミッタ

frange PL(AV) nD Gp @VDS ModeofoperationDevice (MHz) W % dB V

BLF881(S)0-1000 120 48 21 50 2-TONE

0-1000 30 31 21 50 DVB-T

BLF888470-860 250 46 19 50 2-TONE

470-860 110 31 19 50 DVB-T

Page 63: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

62 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.製品ポートフォリオ

NXP RF 製品カタログ:http://www.nxp.com/rf

3.1 新製品

DEV = 開発中CQS = 顧客向け認定サンプルRFS = 供給開始

Type Application/DescriptionStatus

May2010Plannedrelease

Chapter

NEW:RFダイオードBAP64Q Quad pin diodes for e.g. discrete attenuators RFS Released 3.2.2BAP70Q Quad pin diodes for e.g. discrete attenuators RFS Released 3.2.2

NEW:SiGe:CトランジスタBFU610F 6st generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1BFU630F 6st generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1BFU660F 6st generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1BFU690F 6st generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1BFU710F 7th generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1BFU730F 7th generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1BFU760F 7th generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1BFU790F 7th generation wideband transistor DEV Q4 2010 3.3.1

NEW:車載認定済み広域帯MMICおよびトランジスタBGA2002 Low noise wideband amplifier MMIC RFS Released 3.4.1BFR94A RF wideband transistor RFS Released 3.3.1BFR94AW RF wideband transistor RFS Released 3.3.1

NEW:GPSおよびSTB向けSiGe:CMMICLNABGU7005 SiGe:C MMIC, incl matching output for GPS LNA, 16.5 dB RFS Released 3.4.1BGU7006 SiGe:C MMIC, GPS LNA in wafer level chip-scale package (WLCSP) DEV Q4 2010 3.4.1BGU7007 SiGe:C MMIC, incl matching output for GPS LNA, 18 dB DEV Q1 2011 3.4.1BGU7031 SiGe:C LNA for STB tuning CQS Q3 2010 3.4.1BGU7032 SiGe:C LNA for STB tuning CQS Q3 2010 3.4.1BGU7033 SiGe:C LNA for STB tuning CQS Q3 2010 3.4.1

NEW:MosfetBF1215 Double mosfet for STB tuning, world class cross modulation performance RFS Released 3.5.2BF1216 Double mosfet for STB tuning, world class cross modulation performance RFS Released 3.5.2BF1217 Single mosfet for STB tuning, world class cross modulation performance RFS Released 3.5.2BF1218 Double mosfet for TV tuning RFS Released 3.5.2BF1118 series Mosfet RF switches for antenna loop through RFS Released 3.5.2

NEW:ミディアムパワーアンプMMICBGA7124 Medium power amplifier, 24 dBm P1dB, leadless SOT908 RFS Released 3.4.1BGA7024 Medium power amplifier, 24 dBm P1dB, leaded SOT89 RFS Released 3.4.1BGA7127 Medium power amplifier, 27 dBm P1dB, leadless SOT908 RFS Released 3.4.1BGA7027 Medium power amplifier, 27 dBm P1dB, leaded SOT89 RFS Released 3.4.1BGA7130 Medium power amplifier, 30 dBm P1dB, leadless SOT908 DEV Q1 2011 3.4.1BGA7133 Medium power amplifier, 33 dBm P1dB, leadless SOT908 DEV Q1 2011 3.4.1

NEW:可変利得アンプ(VGA)BGA7350 Dual IF VGA, control range 24 dB DEV Q4 2010 3.4.1BGA7351 Dual IF VGA , control range 28 dB DEV Q1 2011 3.4.1BGA7202 Tx RF VGA, 0.7 - 2.2 GHz DEV Q4 2010 3.4.1BGA7203 Tx RF VGA , 2.1 - 2.8 GHz DEV Q1 2011 3.4.1BGA7204 Tx RF VGA, 0.7 - 2.8 GHz DEV Q1 2011 3.4.1

NEW:ワイヤレスインフラストラクチャ向けSiGe:CLNABGU7051 Low Noise Amplifier 900 MHz DEV Q1 2011 3.4.1BGU7052 Low Noise Amplifier 1.9 GHz DEV Q2 2011 3.4.1BGU7053 Low Noise Amplifier 2.5 GHz DEV Q2 2011 3.4.1BGU7054 Low Noise Amplifier 3.5 GHz DEV Q3 2011 3.4.1

Page 64: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

63NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Type Application/DescriptionStatus

May2010Plannedrelease

Chapter

NEW:衛星、VCO/PLL向けRFIC&MMICBGA2800 Satellite IF gain block RFS Released 3.4.1BGA2801 Satellite IF gain block RFS Released 3.4.1BGA2815 Satellite IF gain block RFS Released 3.4.1BGA2816 Satellite IF gain block RFS Released 3.4.1BGA2850 Satellite IF gain block RFS Released 3.4.1BGA2865 Satellite IF gain block RFS Released 3.4.1BGA2866 Satellite IF gain block RFS Released 3.4.1TFF1003HN Low noise LO generator for VSAT applications RFS Released 3.4.2TFF1007HN Low noise LO generator for VSAT applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11070HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11073HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11077HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11080HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11084HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11088HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11092HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11096HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11101HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11105HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11110HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11115HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11121HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11126HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11139HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11145HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2TFF11152HN Low noise LO generator for general microwave applications CQS Q3 2010 3.4.2

NEW:RFCATVモジュールCGY1041 1 GHz, 21 dB gain Push Pull, GaAs HFET SOT115 CQS Q2 2010 3.6.2CGY1043 1 GHz, 23 dB gain Push Pull, GaAs HFET SOT115 CQS Q2 2010 3.6.2CGY1049 1 GHz, 29 dB gain Push Pull, GaAs HFET SOT115 DEV Q3 2010 3.6.2CGY1032 1 GHz, 32 dB gain Push Pull, GaAs HFET SOT115 DEV Q3 2010 3.6.2CGD1046Hi 1 GHz, 26 dB gain Power Doubler, GaAs HFET SOT115 CQS Q2 2010 3.6.3BGO807CE 870 MHz, forward path optical receiver, SOT115 RFS Released 3.6.4

NEW:RF高速データコンバータADC1613D series Dual 16-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with serial interface CQS Released 3.8.1ADC1610S series Single 16-bit ADC up to 65/80/105/125Msps CQS Released 3.8.1ADC1415S series Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with input buffer CQS Released 3.8.1ADC1413D series Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with serial interface CQS Released 3.8.1ADC1412D series Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps CQS Q3 2010 3.8.1ADC1410S series Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps CQS Released 3.8.1ADC1215S series Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with input buffer CQS Released 3.8.1ADC1213D series Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with serial interface CQS Released 3.8.1ADC1212D series Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps CQS Q3 2010 3.8.1ADC1210S series Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps CQS Released 3.8.1ADC1115S125 Single 11-bit ADC up to 125Msps with input buffer CQS Released 3.8.1ADC1113D125 Dual 11-bit ADC up to 125Msps with serial interface CQS Released 3.8.1ADC1015S series Single 10-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with input buffer CQS Released 3.8.1ADC1010S series Single 10-bit ADC up to 125Msps CQS Released 3.8.1DAC1408D series Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps CQS Q3 2010 3.8.2DAC1405D series Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps RFS Released 3.8.2DAC1208D series Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps CQS Q3 2010 3.8.2DAC1205D series Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps RFS Released 3.8.2DAC1008D series Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps CQS Q3 2010 3.8.2DAC1005D series Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps RFS Released 3.8.2

NEW:ベースステーション向けRFパワー・トランジスタBLF7G24L(S)-100(G) Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q4 2010 3.7.1.4BLF7G27L(S)-75P Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q2 2010 3.7.1.4BLF7G27L(S)-50BN Power LDMOS transistor for base station applications DEV Q2 2010 3.7.1.4BLF7G27L(S)-100 Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q2 2010 3.7.1.4BLF7G27L(S)-140 Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q3 2010 3.7.1.4BLF7G22L(S)-250P Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q2 2010 3.7.1.3BLF7G20L(S)-300P Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q3 2010 3.7.1.2BLF7G20L(S)-200 Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q3 2010 3.7.1.2BLF7G20L(S)-250P Power Gen7 LDMOS transistor for base station applications DEV Q3 2010 3.7.1.2BLF6G10L(S)-40BRN Power LDMOS transistor for base station applications DEV Q2 2010 3.7.1.1BLF6G10L(S)-260PRN Power LDMOS transistor for base station applications DEV Q2 2010 3.7.1.1BLF6G07L(S)-260PBM Power LDMOS transistor for base station applications DEV Q2 2010 3.7.1.1

NEW:ブロードキャスト向けRFパワー・トランジスタBLF573 High Voltage RF Power transistor for broadcast/ISM DEV Q2 2010 3.7.2.1BLF888A(S) High Voltage RF Power transistor for broadcast/ISM DEV Q3 2010 3.7.2.1

NEW:マイクロ波向けRFパワー・トランジスタBLS7G2729S-300P RF Power transistors for S band DEV Q4 2010 3.7.3.3BLS6G2933P-200 High voltage RF Power pallet for S band DEV Q3 2010 3.7.3.3BLS7G2731P-200 High voltage RF Power pallet for S band DEV Q4 2010 3.7.3.3

Page 65: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

64 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.2 RFダイオード

3.2.1 バリキャップ・ダイオード

NXPセミコンダクターズのバリキャップ・ダイオードが選ばれる理由: ` TVおよびラジオチューニング用リファレンス・デザイン`` ダイレクト・マッチング・プロセス`` 小さいトレランス`` 短納期対応`` 幅広い周波数レンジと豊富なパッケージ (リードレスを含む) を取り揃えた完璧なポートフォリオ`` 信頼性の高い量産供給

VCOおよびFMラジオチューニング向けバリキャップ・ダイオード

Type PackageNumberofdiodes

Confi-guration

@f=1MHzrs

typrs

max@f=Cd

minCdtyp

Cdmax

@VR=

Cdmin

Cdtyp

Cdmax

@VR=

Cd1/Cd2min

Cd1/Cd2max

@V1=

@V2=

(pF) (pF) (pF) (V) (pF) (pF) (pF) (V) (V) (V) (Ω) (Ω) (MHz)

BB145B SOD523 1 SG 6.4 - 7.2 1 2.55 - 2.95 4 2.2 - 1 4 - 0.6 470BB156 SOD323 1 SG 14.4 16 17.6 1 4.2 4.8 5.4 7.5 2.7 3.9 1 7.5 0.4 0.7 470BB198 SOD523 1 SG 25 - 28.5 1 4.8 - 6.8 4 - - - - - 0.8 100BB199 SOD523 1 SG 36.5 - 42.5 0.5 11.8 - 13.8 2 2.8 - 0.5 2 0.25 - 100BB201 SOT23 2 CC 89 95 102 1 25.5 27.6 29.7 7.5 3.1 3.8 1 7.5 0.25 0.5 100BB202^^ SOD523 1 SG 28.2 - 33.5 0.2 7.2 - 11.2 2.3 2.5 - 0.2 2.3 0.35 0.6 100BB202LX^^ SOD882T 1 SG 28.2 - 33.5 0.2 7.2 - 11.2 2.3 2.5 - 0.2 2.3 0.35 - 100BB207^ SOT23 2 CC 76 81 86 1 25.5 27.6 29.7 7.5 2.6 3.3 1 7.5 0.2 0.4 100BB208-02^ SOD523 1 SG 19.9 - 23.2 1 4.5 - 5.4 7.5 3.7 5.2 1 7.5 0.35 0.5 100BB208-03^ SOD323 1 SG 19.9 - 23.2 1 4.5 - 5.4 7.5 3.7 5.2 1 7.5 0.35 0.5 100

^ = FMカーラジオ (CREST-IC:TEF6860) 向けの特別設計を含む。 接続タイプ:^^ = 携帯電話チューナーIC向けの特別設計を含む。 SG: シングル CC: コモンカソード

TV / VCR / DVD / HDD向けバリキャップ・ダイオード – UHFチューニング

Type Package

@f=1MHzrs

typrs

max@f=

@Cd=

∆Cd/Cd

@V1=

@V2=

@Ns=

Cdmin

Cdtyp

Cdmax

@VR= Cd1/Cd2

minCd1/Cd2

typCd1/Cd2

max

@V1=

@V2=

(pF) (pF) (pF) (V) (V) (V) (Ω) (Ω) (MHz) (pF) (V) (V)

整合BB149 SOD323 1.9 2.1 2.25 28 8.2 9 10 1 28 - 0.75 470 9 2 0.5 28 10BB149A SOD323 1.951 2.1 2.225 28 8.45 9 10.9 1 28 0.6 0.75 470 9 2 1 28 10BB179 SOD523 1.951 2.1 2.225 28 8.45 9 10.9 1 28 0.6 0.75 470 9 2 1 28 10BB179B SOD523 1.9 2.1 2.25 28 8.45 9 10 1 28 0.6 0.75 470 9 2 1 28 10BB179BLX SOD882T 1.9 - 2.25 28 - 9 - 1 28 0.65 - 470 9 2 1 28 10BB179LX SOD882T 1.95 2.1 2.22 28 8.45 9 10.9 1 28 0.65 - 470 30 2 1 28 5BB184 SOD523 1.87 2 2.13 10 6 7 - 1 10 0.65 - 470 9 2 1 10 5BB189 SOD523 1.89 2.04 2.18 25 6.3 7.3 - 2 25 0.65 0.7 470 9 1.8 2 25 10非整合BB135 SOD323 1.7 - 2.1 28 8.9 - 12 0.5 28 - 0.75 470 9 - - - -

太字`= 推奨製品

NEW:目指す設計に対して最適なバリキャップを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド`www.nxp.com/varicaps。

Page 66: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

65NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

TV / VCR / DVD / HDD向けバリキャップ・ダイオード – VHFチューニング

Type Package

@f=1MHzrs

typrs

max@f=

@Cd= ∆Cd/

Cd

@V1=

@V2= @Ns

=Cd

minCdtyp

Cdmax

@VR=

Cd1/Cd2min

Cd1/Cd2

typ

Cd1/Cd2

max

@V1=

@V2=

(pF) (pF) (pF) (V) (V) (V) (Ω) (Ω) (MHz) (pF) (V) (V)

整合BB148 SOD323 2.4 2.6 2.75 28 14.5 15 - 1 28 - 0.9 100 12 2 0.5 28 10BB152 SOD323 2.48 2.7 2.89 28 20.6 22 - 1 28 1 1.2 100 30 2 1 28 10BB153 SOD323 2.361 2.6 2.754 28 13.5 15 - 1 28 0.65 0.8 100 30 2 1 28 10BB178 SOD523 2.361 2.6 2.754 28 13.5 15 - 1 28 0.65 0.8 100 30 2 1 28 10BB178LX SOD882T 2.36 2.6 2.75 28 13.5 15 - 1 28 0.7 - 470 30 2 1 28 5BB182 SOD523 2.48 2.7 2.89 28 20.6 22 - 1 28 1 1.2 100 30 2 1 28 10BB182LX SOD882T 2.48 2.7 2.89 28 - 22 - 1 28 1 - 100 30 2 1 28 10BB187 SOD523 2.57 2.75 2.92 25 11 - - 2 25 - 0.75 470 - 2 2 25 10BB187LX SOD882T 2.57 2.75 2.92 25 11 - - 2 25 - 0.75 470 - 2 2 25 10非整合BB131 SOD323 0.7 - 1.055 28 12 - 16 0.5 28 - 3 470 9 - - - -BB181 SOD523 0.7 - 1.055 28 12 - 16 0.5 28 - 3 470 9 - - - -BB181LX SOD882T 0.7 - 1.055 28 - 14 - 0.5 28 2 - 470 9 - - - -BBY40 SOT23 4.3 - 6 25 5 - 6.5 3 25 - 0.7 200 25 - - - -

太字`= 推奨製品

3.2.2 PIN ダイオード

NXPセミコンダクターズのピン・ダイオードが選ばれる理由:` 豊富なポートフォリオ` 比類ないパフォーマンス` 短納期対応` 低シリーズインダクタンス` 低挿入損失` 低キャパシタンス

PINダイオード:通常時 rD @ 1 mA ≤ 2, スイッチングダイオード

Type PackageNumberof

diodesConf

VRmax(V)

IFmax(mA)

@f=100MHz @f=1MHz

@IF=0.5mA @IF=1mA @IF=10mA@VR=0V

@VR=1V @VR=20V

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rD

max(Ω)

Cdtyp(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

BAP65LX SOD882T 1 SG 30 100 - - 0.94 - 0.49 0.9 0.61 0.48 0.85 0.37 -BAP65-02 SOD523 1 SG 30 100 - - 1 - 0.56 0.9 0.65 0.55 0.9 0.375 -BAP65-03 SOD323 1 SG 30 100 - - 1 - 0.56 0.9 0.65 0.55 0.9 0.375 -BAP65-05 SOT23 2 CC 30 100 - - 1 - 0.56 0.9 0.7 0.575 0.9 0.425 -BAP65-05W SOT323 2 CC 30 100 - - 1 - 0.56 0.9 0.7 0.575 0.9 0.425 -BAP63LX SOD882T 1 SG 50 100 2.3 3.3 1.87 3 1.19 1.8 0.34 0.29 - 0.24 0.3BAP63-02 SOD523 1 SG 50 100 2.5 3.5 1.95 3 1.17 1.8 0.36 0.32 - 0.25 0.32BAP63-03 SOD323 1 SG 50 100 2.5 3.5 1.95 3 1.17 1.8 0.4 0.35 - 0.27 0.32BAP63-05W SOT323 2 CC 50 100 2.5 3.5 1.95 3 1.17 1.8 0.4 0.35 - 0.3 0.35

NEW: 目指す設計に対して最適なピンダイオードを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド`www.nxp.com/pindiodes。

brb407

rD (Ω)10−1 102101

200

100

600

500

400

300

700Cd(fF)

0

BAP65LX BAP65LX

BAP50LXBAP63LXBAP63LX

BAP1321LXBAP51LX

BAP142LXBAP64LX

BAP1321LX BAP51LX

BAP142LX

BAP50LX

BAP64LXBAP70-02BAP70-02

Freq = 100 MHz, Cd @ VR = 0 VrD @ 0.5 mA rD @ 10 mA

brb408

Insertion Loss (dB)10−2 10110−1

10

15

5

20

25Isolation

(dB)

0

BAP51LX

BAP70-20BAP50LXBAP64LXBAP51LX

BAP142LXBAP1321LX

BAP63LX

BAP65LX BAP65LX

BAP63LXBAP1321LX

BAP142LX

BAP64LXBAP50LX

BAP70-02

Freq = 1800 MHz, Isolation @ VR = 0 VInsertion Loss @ 0.5 mAInsertion Loss @ 10 mA

NXPのウェブサイトでは、他の周波数におけるピンダイオードのラインナップもご紹介しています: www.nxp.com/pindiodes。

Page 67: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

66 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

PINダイオード:通常時 rD @ 1 mA = 2.2 - 2.4、スイッチングダイオード

Type PackageNumberof

diodesConf

VRmax(V)

IFmax(mA)

@f=100MHz @f=1MHz

@IF=0.5mA @IF=1mA @IF=10mA@VR=0V

@VR=1V @VR=20V

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rD

max(Ω)

Cdtyp(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

BAP55LX SOD882T 1 SG 50 100 3.3 4.5 2.2 3.3 0.8 1.2 0.28 0.23 - 0.18 0.28BAP1321-02 SOD523 1 SG 60 100 3.4 5 2.4 3.6 1.2 1.8 0.4 0.35 0.45 0.25 0.32BAP1321-03 SOD323 1 SG 60 100 3.4 5 2.4 3.6 1.2 1.8 0.4 0.35 0.45 0.25 0.32BAP1321-04 SOT23 2 SR 60 100 3.4 5 2.4 3.6 1.2 1.8 0.42 0.375 0.45 0.275 0.325BAP1321LX SOD882T 1 SG 60 100 3.3 5 2.4 3.6 1.2 1.8 0.32 0.27 0.38 0.21 0.28BAP142LX SOD882T 1 SG 50 100 3.3 5 2.4 3.6 1 1.8 0.25 0.22 - 0.16 0.26

PINダイオード:通常時 rD @ 1 mA = 3.2 - 3.6、スイッチングダイオード

Type PackageNumberofdiodes

ConfVRmax

(V)IFmax(mA)

@f=100MHz @f=1MHz

@IF=0.5mA @IF=1mA @IF=10mA@VR=0V

@VR=1V @VR=20V

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rD

max(Ω)

Cdtyp(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

BAP51LX SOD882T 1 SG 60 100 4.9 9 3.2 6.5 1.4 2.5 0.3 0.22 0.4 0.17 0.3BAP51-02 SOD523 1 SG 60 50 5.5 9 3.6 6.5 1.5 2.5 0.4 0.3 0.55 0.2 0.35BAP51-03 SOD323 1 SG 50 50 5.5 9 3.6 6.5 1.5 2.5 0.4 0.3 0.55 0.2 0.35BAP51-04W SOT323 2 SR 50 50 5.5 9 3.6 6.5 1.5 2.5 0.4 0.3 0.55 0.2 0.35BAP51-05W SOT323 2 CC 50 50 5.5 9 3.6 6.5 1.5 2.5 0.4 0.3 0.55 0.2 0.35BAP51-06W SOT323 2 CA 50 50 5.5 - 3.6 - 2 - 0.4 0.3 - 0.2 -

PINダイオード:通常時 rD @ 1 mA = 10、アッテネータ / スイッチングダイオード

Type PackageNumberofdiodes

ConfVRmax

(V)IFmax(mA)

@f=100MHz @f=1MHz

@IF=0.5mA @IF=1mA @IF=10mA@VR=

0V@VR=1V @VR=20V

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rD

max(Ω)

Cdtyp(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

BAP64Q SOT753 4 SR 100 100 20 40 10 20 2 3,8 0.52 0.37 - 0.23 0.35BAP64-02 SOD523 1 SG 175 100 20 40 10 20 2 3.8 0.48 0.35 - 0.23 0.35BAP64-03 SOD323 1 SG 175 100 20 40 10 20 2 3.8 0.48 0.35 - 0.23 0.35BAP64-04 SOT23 2 SR 175 100 20 40 10 20 2 3.8 0.52 0.37 - 0.23 0.35BAP64-04W SOT323 2 SR 100 100 20 40 10 20 2 3.8 0.52 0.37 - 0.23 0.35BAP64-05 SOT23 2 CC 175 100 20 40 10 20 2 3.8 0.52 0.37 - 0.23 0.35BAP64-05W SOT323 2 CC 100 100 20 40 10 20 2 3.8 0.52 0.37 - 0.23 0.35BAP64-06 SOT23 2 CA 175 100 20 40 10 20 2 3.8 0.52 0.37 - 0.23 0.35BAP64-06W SOT323 2 CA 100 100 20 40 10 20 2 3.8 0.52 0.37 - 0.23 0.35

PINダイオード:通常時 rD @ 1 mA = 14 - 16、アッテネータダイオード

Type PackageNumberofdiodes

ConfVRmax

(V)

IFmax(mA)

@f=100MHz @f=1MHz

@IF=0.5mA @IF=1mA @IF=10mA@VR=

0V@VR=1V

Cdtyp(pF)

Cd

max(pF)

@VR=(V)

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rD

max(Ω)

Cdtyp(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

BAP50-02 SOD523 1 SG 50 50 25 40 14 25 3 5 0.4 0.3 0.55 0.22 0.35 5BAP50-03 SOD323 1 SG 50 50 25 40 14 25 3 5 0.4 0.3 0.55 0.2 0.35 5BAP50-04 SOT23 2 SR 50 50 25 40 14 25 3 5 0.45 0.35 0.6 0.3 0.5 5BAP50-04W SOT323 2 SR 50 50 25 40 14 25 3 5 0.45 0.35 0.6 0.3 0.5 5BAP50-05 SOT23 2 CC 50 50 25 40 14 25 3 5 0.45 0.3 0.5 0.35 0.6 1BAP50-05W SOT323 2 CC 50 50 25 40 14 25 3 5 0.45 0.35 0.6 0.3 0.5 5BAP50LX SOD882T 1 SG 50 50 26 40 14 25 3 5 0.4 0.28 0.55 0.19 0.35 5BAP64LX^ SOD882T 1 SG 60 100 31 50 16 26 2.6 4.4 0.48 0.34 - 0.17 0.3 20

^ = アッテネータ / スイッチングダイオード

PINダイオード:通常時 rD @ 1 mA = 40、アッテネータダイオード

Type PackageNumberofdiodes

ConfVRmax

(V)IFmax(mA)

@f=100MHz @f=1MHz

@IF=0.5mA @IF=1mA @IF=10mA@VR=0V

@VR=1V @VR=20V

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rDmax(Ω)

rDtyp(Ω)

rD

max(Ω)

Cdtyp(pF)

Cdtyp(pF)

Cdmax(pF)

Cdmax(pF)

Cdtyp(pF)

BAP70Q SOT753 4 SR 50 100 77 100 40 50 5.4 7 0.6 0.43 - 0.25 0.3BAP70-02 SOD523 1 SG 50 100 77 100 40 50 5.4 7 0.57 0.4 - 0.2 0.25BAP70-03 SOD323 1 SG 50 100 77 100 40 50 5.4 7 0.57 0.4 - 0.2 0.25BAP70-04W SOT323 2 SR 50 100 77 100 40 50 5.4 7 0.6 0.43 - 0.25 0.3BAP70-05 SOT23 2 CC 50 100 77 100 40 50 5.4 7 0.6 0.43 - 0.25 0.3BAP70AM SOT363 4 SR 50 100 77 100 40 50 5.4 7 0.57 0.4 - 0.2 0.25

太字`= 推奨製品 SG = シングル CC = コモンカソード赤の太字 = 新製品の推奨製品 SR = シリーズ CA = コモンアノード

Page 68: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

67NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.2.3 バンドスイッチ・ダイオード

NXPセミコンダクターズのバンドスイッチ・ダイオードが選ばれる理由`` 信頼性の高い量産供給`` 短納期対応`` 低シリーズインダクタンス`` 低挿入損失`` 低キャパシタンス`` 高い逆方向絶縁`

Type PackageVRmax

(V)IFmax(mA)

rDmax(Ω)

@IF=(mA)

@f=(MHz)

Cdmax(pF)

@VR=(V)

@f=(MHz)

BA277 SOD523 35 100 0.7 2 100 1.2 6 1BA591 SOD323 35 100 0.7 3 100 0.9 3 1BA891 SOD523 35 100 0.7 3 100 0.9 3 1BAT18 SOT23 35 100 0.7 5 200 1 20 1

太字`= 推奨製品

3.2.4 ショットキー・ダイオード

NXPセミコンダクターズのショットキー・ダイオードが選ばれる理由`` 非常に低いダイオードキャパシタンス`` 超低フォワード電流`` シングルおよびトリプル絶縁ダイオード`` 超小型パッケージ

アプリケーション` デジタルアプリケーション: - 超高速スイッチング - クランプ回路` RFアプリケーション: - ダイオード・リング・ミキサー - RFディテクタ - RF電圧ダブラ

低キャパシタンスショットキー・ダイオード

Type Package ConfigurationVRmax.

(V)IFmax.(mA)

VFmax.(mV)

CDmax.(pF)

BAT17 SOT23 single 4 30 450 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V PMBD353 SOT23 dual series 4 30 450 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V PMBD354^ SOT23 dual series 4 30 450 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS76SB17 SOD323 single 4 30 450 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS66SB17 SOT666 triple isolated 4 30 450 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS79SB17 SOD523 single 4 30 450 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS88SB82 SOT363 triple isolated 15 30 340 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS70SB82 SOT323 single 15 30 340 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS70SB84 SOT323 dual series 15 30 340 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS70SB85 SOT323 dual c.c 15 30 340 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS70SB86 SOT323 dual c.a. 15 30 340 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS66SB82 SOT666 triple isolated 15 30 340 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V 1PS10SB82 SOD882 single 15 30 340 @ IF = 1 mA 1 @ VR = 0 V

^ ダイオードのキャパシタンスは整合されています。

NEW:目指す設計に対して最適なショットキー・ダイオードを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド``www.nxp.com/rfschottkydiodes

Page 69: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

68 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.3 RFバイポーラ・トランジスタ

3.3.1 広帯域トランジスタ

NXPセミコンダクターズのRF広帯域トランジスタが選ばれる理由`` 幅広いポートフォリオ (第1〜第7世代)`` 短納期対応`` 最小パッケージ`` 確立された量産体制

bra510100

10

1

fT(GHz)

0.1 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000IC (mA)

0.2

(1)(3)

(7) (9)

(27)

(25)

1st generation

2nd generation

3rd generation

4th generation

5th generation

7th generation

6th generation

(8) (10)

(18)

(15) (16)

(20) (21) (22) (23)

(29)

(38) (39) (40) (41)

(34) (35) (36) (37)

(32)

(33)

(26)

(30)(31)

(11) (12)

(4)

(14)

(19)

周波数ごとの広帯域トランジスタ・ラインナップ

広帯域トランジスタ第6世代のRF広帯域トランジスタにおいてfT-IC曲線は、遮断周波数 (fT) とコレクター電流 (IC) によって表わされます。同じコレクター電流 (IC) と同様の遮断周波数 (fT) を持つトランジスタのグループがひとつの曲線で表されます。曲線番号は、詳しいRF特性を示した表内の製品と一致しています。

NEW:目指す設計に対して最適なRF広帯域トランジスタを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド www.nxp.com/rftransistors。

PIN DECRIPTIONType (see Fig.1)

1 collector2 base3 emitter4 emitter

Type/X (see Fig.1)1 collector2 emitter3 base4 emitter

Type/XR (see Fig.2)1 collector2 emitter3 base4 emitter

12

3 4

21

34

Figure 1 Figure 2

Page 70: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

69NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

広帯域トランジスタ (RF小信号)

携帯機器のためのRFパワートランジスタTy

pe

Pac

kag

e

VC

EO(m

ax)

(V)

I C(m

ax)

(mA

)

Pto

t(m

ax)

(mW

)

Po

lari

ty

GU

M(t

yp)

(dB

)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

BFG10 SOT143 8 250 400 NPN 7 1900 1 3.6BFG10/X SOT143 8 250 400 NPN 7 1900 1 3.6BFG10W/X SOT343 10 250 400 NPN 7 1900 1 3.6BLT50 SOT223 10 500 2000 NPN - - - -BLT70 SOT223H 8 250 2100 NPN - - - -BLT80 SOT223 10 250 2000 NPN - - - -BLT81 SOT223 9.5 500 2000 NPN - - - -

RF広帯域トランジスタ第1〜3世代

Typ

e

Ge

me

rati

on

Cu

rve

Pac

kag

e

f T(t

yp)(

GH

z)

VC

EO(m

ax)(

V)

I C(m

ax)(

mA

)

Pto

t(m

ax)(

mW

)

Po

lari

ty

GU

M(t

yp)(

dB

)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

GU

M(t

yp)(

dB

)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

NF

(typ

)(d

B)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

NF

(typ

)(d

B)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

BFS17 1st 3 SOT23 1 15 25 300 NPN - - - - - - - - 4.5 500 2 5 - - - -BFS17W 1st 3 SOT323 1.6 15 50 300 NPN - - - - - - - - 4.5 500 2 5 - - - -BFT25 1st 1 SOT23 2.3 5 6.5 30 NPN 18 500 1 1 12 800 1 1 3.8 500 1 1 - - - -

BFG25A/X 2nd 18 SOT143B 5 5 6.5 32 NPN - - - - 18 1000 0.5 1 1.8 1000 0.5 1 - - - -BFG25AW 2nd 18 SOT343N 5 5 6.5 500 NPN - - - - 16 2000 0.5 1 2 1000 1 1 - - - -BFG25AW/X 2nd 18 SOT343N 5 5 6.5 500 NPN 16 1000 0.5 1 8 2000 0.5 1 2 1000 1 1 - - - -BFG31 2nd 10 SOT223 5 -15 -100 1000 PNP 16 500 -70 -10 12 800 -70 -10 - - - - - - - -BFG35 2nd 11 SOT223 4 18 150 1000 NPN 15 500 100 10 11 800 100 10 - - - - - - - -BFG92A/X 2nd 7 SOT143B 5 15 25 400 NPN 16 1000 15 10 11 2000 15 10 2 1000 5 10 3 2000 5 10BFG97 2nd 10 SOT223 5.5 15 100 1000 NPN 16 500 70 10 12 800 70 10 - - - - - - - -BFQ149 2nd 10 SOT89 5 -15 -100 1000 PNP 12 500 -50 -10 - - - - 3.75 500 -50 -10 - - - -BFQ18A 2nd 11 SOT89 4 18 150 1000 NPN - - - - - - - - - - - - - - - -BFQ19 2nd 10 SOT89 5.5 15 100 1000 NPN 11.5 500 50 10 7.5 800 50 10 3.3 500 50 10 - - - -BFR106 2nd 10 SOT23 5 15 100 500 NPN - - - - 11.5 800 30 6 3.5 800 30 6 - - - -BFR92A 2nd 7 SOT23 5 15 25 300 NPN 14 1000 15 10 8 2000 15 10 3 2000 5 10 2.1 1000 5 10BFR92AW 2nd 7 SOT323 5 15 25 300 NPN 14 1000 15 10 8 2000 15 10 2 1000 5 10 3 2000 5 10BFS17A 2nd 4 SOT23 2.8 15 25 300 NPN - - - - 13.5 800 14 10 2.5 800 2 5 - - - -BFS25A 2nd 18 SOT323 5 5 6.5 32 NPN - - - - 13 1000 0.5 1 1.8 1000 1 1 - - - -BFT25A 2nd 18 SOT23 5 5 6.5 32 NPN - - - - 15 1000 0.5 1 1.8 1000 0.5 1 - - - -BFT92 2nd 7 SOT23 5 -15 -25 300 PNP 18 500 -14 -10 - - - - 2.5 500 -5 -10 - - - -BFT92W 2nd 7 SOT323 4 -15 -35 300 PNP 17 500 -15 -10 11 1000 -15 -10 2.5 500 -5 -10 3 1000 -5 -10BFT93 2nd 9 SOT23 5 -12 -35 300 PNP 16.5 500 -30 -5 2.4 500 -10 -5 - - - -BFT93W 2nd 9 SOT323 4 -12 -50 300 PNP 15.5 500 -30 -5 10 1000 -30 -5 2.4 500 -10 -5 3 1000 -10 -5

BFG135 3rd 16 SOT223 7 15 150 1000 NPN 16 500 100 10 12 800 100 10 - - - - - - - -BFG198 3rd 15 SOT223 8 10 100 1000 NPN 18 500 50 8 15 800 50 8 - - - - - - - -BFG590 3rd 22 SOT143B 5 15 200 400 NPN 13 900 80 4 7.5 2000 80 4 - - - - - - - -BFG590/X 3rd 22 SOT143B 5 15 200 400 NPN 13 900 80 4 7.5 2000 80 4 - - - - - - - -BFG591 3rd 22 SOT223 7 15 200 2000 NPN 13 900 70 12 7.5 2000 70 12 - - - - - - - -BFG67 3rd 14 SOT143B 8 10 50 380 NPN 17 1000 15 8 10 2000 15 8 1.7 1000 15 8 2.5 2000 5 8BFG67/X 3rd 14 SOT143B 8 10 50 380 NPN 17 1000 15 8 10 2000 15 8 1.7 1000 15 8 2.5 2000 5 8BFG93A 3rd 8 SOT143B 6 12 35 300 NPN 16 1000 30 8 10 2000 30 8 1.7 1000 5 8 2.3 2000 5 8BFG93A/X 3rd 8 SOT143B 6 12 35 300 NPN 16 1000 30 8 10 2000 30 8 1.7 1000 5 8 2.3 2000 5 8BFG94 3rd 8 SOT223 6 12 60 700 NPN - - - - 13.5 1000 45 10 2.7 500 45 10 3 1000 45 10BFQ591 3rd 22 SOT89 7 15 200 2250 NPN 11 900 70 12 5.5 2000 70 12 - - - - - - - -BFQ67W 3rd 14 SOT323 8 10 50 300 NPN 13 1000 15 8 8 2000 15 8 1.3 1000 5 8 2.7 2000 15 8BFR93A 3rd 8 SOT23 6 12 35 300 NPN 13 1000 30 8 7 2000 30 8 1.9 1000 5 8 3 2000 5 8BFR94A^ 3rd 8 SOT23 6 12 35 300 NPN 13 1000 30 8 7 2000 30 8 1.9 1000 5 8 3 2000 5 8BFR93AR 3rd 8 SOT23 6 12 35 300 NPN 13 1000 30 8 7 2000 30 8 1.9 1000 5 8 3 2000 5 8BFR93AW 3rd 8 SOT323 5 12 35 300 NPN 13 1000 30 8 8 2000 30 8 1.5 1000 5 8 2.1 2000 5 8BFR94AW^ 3rd 8 SOT323 5 12 35 300 NPN 13 1000 30 8 8 2000 30 8 1.5 1000 5 8 2.1 2000 5 8

太字`= 推奨製品赤の太字 = 新製品の推奨製品^ = 車載認定済み。

Page 71: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

70 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

RF広帯域トランジスタ第4〜4.5世代

Typ

e

Ge

me

rati

on

Cu

rve

Pac

kag

e

f T(t

yp)(

GH

z)

VC

EO(m

ax)(

V)

I C(m

ax)(

mA

)

Pto

t(m

ax)(

mW

)

Po

lari

ty

GU

M(t

yp)(

dB

)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

NF

(typ

)(d

B)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

NF

(typ

)(d

B)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

PL(

1dB

)(ty

p)(

dB

mW

)

@V

CE=

(V

)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

IP3

(typ

)(d

Bm

)

@IC

=(m

A)

@V

CE

=(

V)

BFG505 4th 19 SOT143B 9 15 18 150 NPN 13 2000 5 6 1.6 900 5 6 1.9 2000 1.25 6 4 6 900 5 10 5 6BFG505/X 4th 19 SOT143B 9 15 18 150 NPN 13 2000 5 6 1.6 900 5 6 1.9 2000 1.25 6 4 6 900 5 10 5 6BFG505W 4th 19 SOT343N 9 15 18 500 NPN 12 2000 5 6 1.6 900 5 6 1.9 2000 1.25 6 4 6 900 5 10 5 6BFG505W/X 4th 19 SOT343N 9 15 18 500 NPN 12 2000 5 6 1.6 900 5 6 1.9 2000 1.25 6 4 6 900 5 10 5 6BFG505W/XR 4th 19 SOT343R 9 15 18 500 NPN 12 2000 5 6 1.6 900 5 6 1.9 2000 1.25 6 4 6 900 5 10 5 6BFG520 4th 20 SOT143B 9 15 70 300 NPN 13 2000 20 6 1.6 900 20 6 1.9 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFG520/X 4th 20 SOT143B 9 15 70 300 NPN 13 2000 20 6 1.6 900 20 6 1.9 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFG520/XR 4th 20 SOT143R 9 15 70 300 NPN 13 2000 20 6 1.6 900 20 6 1.9 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFG520W 4th 20 SOT343N 9 15 70 500 NPN 11 2000 20 6 1.1 900 5 6 1.85 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFG520W/X 4th 20 SOT343N 9 15 70 500 NPN 11 2000 20 6 1.1 900 5 6 1.85 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFG540 4th 21 SOT143B 9 15 120 400 NPN 11 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFG540/X 4th 21 SOT143B 9 15 120 400 NPN 11 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFG540/XR 4th 21 SOT143R 9 15 120 400 NPN 11 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFG540W 4th 21 SOT343N 9 15 120 500 NPN 10 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFG540W/X 4th 21 SOT343N 9 15 120 500 NPN 10 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFG540W/XR 4th 21 SOT343R 9 15 120 500 NPN 10 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFG541 4th 21 SOT223 9 15 120 650 NPN 9 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFM505 4th 19 SOT363A 9 8 18 500 NPN 10 2000 5 3 1.1 900 1 3 1.9 2000 5 3 - - - - - - -BFM520 4th 20 SOT363A 9 8 70 1000 NPN 9 2000 20 3 1.2 900 5 3 1.9 2000 5 3 - - - - - - -BFQ540 4th 21 SOT89 9 15 120 1,200 NPN - - - - 1.9 900 40 8 - - - - - - - - - - -BFQ67 4th 14 SOT23 8 10 50 300 NPN 8 2000 15 8 1.7 1000 15 8 2.7 2000 15 8 - - - - - - -BFR505 4th 19 SOT23 9 15 18 150 NPN 10 2000 5 6 1.2 900 5 6 1.9 2000 5 6 4 6 900 5 10 5 6BFR505T 4th 19 SOT416 9 15 18 150 NPN 10 2000 5 6 1.2 900 1.25 6 1.9 2000 1.25 6 5 6 900 5 10 5 6BFR520 4th 20 SOT23 9 15 70 300 NPN 9 2000 20 6 1.1 900 5 6 1.9 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFR520T 4th 20 SOT416 9 15 70 150 NPN 9 2000 20 6 1.1 900 5 6 1.9 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFR540 4th 21 SOT23 9 15 120 500 NPN 7 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8BFS505 4th 19 SOT323 9 15 18 150 NPN 10 2000 5 6 1.2 900 1.25 6 1.9 2000 1.25 6 4 6 900 5 10 5 6BFS520 4th 20 SOT323 9 15 70 300 NPN 9 2000 20 6 1.1 900 5 6 1.9 2000 5 6 17 6 900 20 26 20 6BFS540 4th 21 SOT323 9 15 120 500 NPN 8 2000 40 8 1.3 900 10 8 2.1 2000 10 8 21 8 900 40 34 40 8PBR941 4th 20 SOT23 8 10 50 360 NPN 9.5 2000 15 6 1.4 1000 5 6 2 2000 5 6 - - - - - - -PBR951 4th 21 SOT23 8 10 100 365 NPN 8 2000 30 6 1.3 1000 5 6 2 2000 5 6 - - - - - - -PRF947 4th 20 SOT323 8.5 10 50 250 NPN 10 2000 15 6 1.5 1000 5 6 2.1 2000 5 6 - - - - - - -PRF949 4th 20 SOT416 9 10 50 150 NPN 10 2000 15 6 1.5 1000 5 6 2.1 2000 5 6 - - - - - - -PRF957 4th 21 SOT323 8.5 10 100 270 NPN 9.2 2000 30 6 1.3 1000 5 6 1.8 2000 5 6 - - - - - - -

BFG310/XR 4.5 30 SOT143R 14 6 10 60 NPN 18 1800 5 3 - - - - 1 2000 1 3 1.8 3 1800 5 8.5 5 3BFG310W/XR 4.5 30 SOT343R 14 6 10 60 NPN 18 1800 5 3 - - - - 1 2000 1 3 1.8 3 1800 5 8.5 5 3BFG325/XR 4.5 31 SOT143R 14 6 35 210 NPN 18.3 1800 15 3 - - - - 1.1 2000 3 3 8.7 3 1800 15 19.4 15 3BFG325W/XR 4.5 31 SOT343R 14 6 35 210 NPN 18.3 1800 15 3 - - - - 1.1 2000 3 3 8.7 3 1800 15 19.4 15 3

RF広帯域トランジスタ第5〜7世代

Typ

e

Ge

me

rati

on

Cu

rve

Pac

kag

e

f T(t

yp)(

GH

z)

VC

EO(m

ax)(

V)

I C(m

ax)(

mA

)

Pto

t(m

ax)(

mW

)

Po

lari

ty

GU

M(t

yp)(

dB

)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

NF

(typ

)(d

B)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

NF

(typ

)(d

B)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

@V

CE=

(V

)

PL(1

dB)(

typ)

(dB

mW

)

@V

CE=

(V

)

@f

=(

MH

z)

@I C

=(m

A)

IP3

(typ

)(d

Bm

)

@IC

=(m

A)

@V

CE

=(

V)

BFG21W 5th 32 SOT343R - 4.5 500 600 NPN 10 1900 1 3.6 - - - - - - - - - - - - - - -BFG403W 5th 25 SOT343R 17 4.5 3.6 16 NPN 22 2000 3 2 1 900 1 2 1.6 2000 1 2 5 1 900 1 6 1 1BFG410W 5th 26 SOT343R 22 4.5 12 54 NPN 21 2000 10 2 0.9 900 1 2 1.2 2000 1 2 5 2 2000 10 15 10 2BFG424F 5th 27 SOT343F 25 4.5 30 135 NPN 23 2000 25 2 0.8 900 2 2 1.2 2000 2 2 12 2 2000 25 22 25 2BFG424W 5th 27 SOT343R 25 4.5 30 135 NPN 22 2000 25 2 0.8 900 2 2 1.2 2000 2 2 12 2 2000 25 22 25 2BFG425W 5th 27 SOT343R 25 4.5 30 135 NPN 20 2000 25 2 0.8 900 2 2 1.2 2000 2 2 12 2 2000 25 22 25 2BFG480W 5th 29 SOT343R 21 4.5 250 360 NPN 16 2000 80 2 1.2 900 8 2 1.8 2000 8 2 20 3.6 2000 1 28 80 2

BFU610F* 6th 34 SOT343F 40 5 10 50 NPN 21 5800 8 2 0.75 2400 1 2 1.4 5800 1 2 - - - - 14 8 5BFU630F* 6th 35 SOT343F 40 5 30 130 NPN 28 2400 25 2 0.58 1500 5 2 0.73 2400 5 2 - - - - 23 25 5BFU660F* 6th 36 SOT343F 40 5 70 200 NPN 28.5 1500 60 2 0.6 1500 20 2 0.75 2400 20 2 - - - - 30 60 5BFU690F* 6th 37 SOT343F 40 5 100 300 NPN 25.6 1500 90 2 0.7 1500 50 2 0.9 2400 50 2 - - - - 35 90 5BFU710F* 7th 38 SOT343F 70 2.8 10 30 NPN 16.5 12000 8 2 0.9 5800 2 2 1.7 12000 2 2 - - - - 14.5 8 2BFU725F/N1 7th 33 SOT343F 70 2.8 40 136 NPN 18 5800 25 2 0.47 2400 5 2 0.7 5800 5 2 8 2 5800 25 19 25 2BFU730F* 7th 39 SOT343F 70 2.8 30 130 NPN 20.3 5800 25 2 0.56 2400 5 2 1 5800 5 2 - - - - 20.5 25 2BFU760F* 7th 40 SOT343F 70 2.8 70 200 NPN 25 2400 60 2 0.5 1500 20 2 0.6 2400 20 2 - - - - 23 60 2BFU790F* 7th 41 SOT343F 70 2.8 100 250 NPN 20.4 2400 90 2 0.56 1500 50 2 0.7 2400 50 2 - - - - 24 90 2

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。太字`= 推奨製品赤の太字 = 新製品の推奨製品

Page 72: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

71NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.4 RF IC

3.4.1 MMIC

NXPセミコンダクターズのRF MMICが選ばれる理由`` 少ないRF部品点数`` 回路への容易な組み込み`` ボード面積の削減`` 迅速な市場投入`` 豊富なポートフォリオ`` 確立された量産体制`` 短納期対応`` 卓越した利得の平坦性^`` 出力インダクタが不要^

^ = 新規衛星IFゲインブロック、BGA28xx-ファミリーのみ。

汎用広帯域アンプ (50 Ohmゲインブロック)

Type Package@ Fu(1) @1GHz Gain(3)(dB)@ Limits

Vs Is @-3dB NF Psat Gain(3) P1dB OIP3 100 2.2 2.6 3.0 Vs Is Ptot(V) (mA) (GHz) (dB) (dBm) (dB) (dBm) (dBm) MHz GHz GHz GHz (V) (mA) (mW)

BGA2711 SOT363 5 12.6 3.6(2) 4.8 2.8 13.1 -0.7 8.3 13.0 14.1 13.8 12.7 6 20 200 BGA2748 SOT363 3 5.7 1.9 1.9(2) -2.3 21.8 -9.2 -1.9 14.8 17.6 15.0 11.9 4 15 200 BGA2771 SOT363 3 33.3 2.4 4.5 13.2(2) 21.4 12.1 21.9 20.3 20.4 17.9 15.5 4 50 200 BGA2776 SOT363 5 24.4 2.8 4.9 10.5 23.2(2) 7.2 18.6 22.4 23.2 21.8 19.3 6 34 200 BGA2709 SOT363 5 23.5 3.6 4.0 12.5 22.7 8.3 22 22.2 23.0 22.1 21.1 6 35 200 BGA2712 SOT363 5 12.3 3.2 3.9 4.8 21.3 0.2 11 20.8 21.9 21.2 19.3 6 25 200 BGM1011 SOT363 5 25.5 - 4.7 13.8 30(2) 12.2 23 25.0 37.0 32.0 28.0 6 35 200 BGM1012 SOT363 3 14.6(2) 3.6 4.8 9.7 20.1 5.6 18 19.5 20.4 19.9 18.7 4 50 200 BGM1013 SOT363 5 27.5 2.1 4.6 14.0 35.5(2) 12.0 22.7 35.2 31.8 29.7 26.1 6 35 200 BGM1014 SOT363 5 21.0(2) 2.5 4.2 12.9 32.3 11.2 20.5 30.0 34.1 30.5 26.4 6 30 200 BGA2714 SOT363 3 4.58 2.7 2.2 -3.4 20.4 -7.9 2.1 20.8 20.8 19.4 16.8 4 10 200BGA2715 SOT363 5 4.3(2) 3.3 2.6 -4.0 21.7 -8.0 2.3 13.3 23.3 22.1 20.1 6 8 200 BGA2716 SOT363 5 15.9(2) 3.2 5.3 11.6 22.9 8.9 22.2 22.1 22.8 22.1 20.8 6 25 200 BGA2717 SOT363 5 8.0 3.2 2.3(2) 1.4 23.9 -2.6 10.0 18.6 25.1 24.0 22.1 6 15 200

注: (1) 3 dB利得低下点 (2) 最適化されたパラメータ (3) 利得 = |S21|2

汎用広帯域アンプ新製品 (50 Ohmゲインブロック)

Type Package@ Fu @1GHz Gain(dB)@

Vs Is @-3dB NF Gain OIP3 250 950 1550 2150(V) (mA) (GHz) (dB) (dB) (dBm) (MHz) (MHz) (MHz) (MHz)

BGA2800 SOT363 3.3 9.7 >3 3.4 20.2 11.5 20.0 20.2 20.6 20.6BGA2801 SOT363 3.3 12.4 3.0 3.6 22.1 13.6 22.3 22.1 23.0 23.8BGA2815 SOT363 3.3 16.4 >3 3.4 25.4 18.2 26.2 25.4 25.5 25.8BGA2816 SOT363 3.3 19.6 2.3 2.8 31.2 16.1 32.0 31.2 30.6 28.7BGA2850 SOT363 5.0 7.7 >3 3.9 23.3 8.7 22.9 23.2 23.9 24.0BGA2865 SOT363 5.0 22.7 2.6 3.7 31.9 20.9 31.2 31.8 32.6 31.4BGA2866 SOT363 5.0 15.4 >3 3.6 23.4 17.7 23.0 23.3 24.0 24.3

新しいBGA28xx IFゲインブロックを出力ステージで使用する際は、出力インダクタは必要ありません。

赤の太字 = 新製品の推奨製品

2ステージの可変利得・リニア・アンプ

Type Package@ Frequency

Range@900MHz @1900MHz Limits

Vs Is Gain(1) DG(2) P1dB ACPR Gain(1) DG(2) P1dB ACPR Vs Is Ptot

(V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (dBc) (dB) (dB) (dBm) (dBc) (V) (mA) (mW) BGA2031/1 SOT363 3 51 800-2500 24 62 11 49 23 56 13 49 3.3 77 200

注: (1) 利得 = GP、電力利得 (2) DG = ゲインコントロールレンジ

NEW: 目指す設計に対して最適なRF MMICを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド www.nxp.com/mmics。

Page 73: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

72 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

広帯域リニアミキサー

Type Package@ RFInput IFOutput @880MHz @1900MHz Limits

Vs Is FrequencyRange

FrequencyRange

NF Gain(1) OIP3 NF Gain(1) OIP3 Vs Is Ptot

(V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (dB) (dB) (dBm) (V) (mA) (mW) BGA2022 SOT363 3 6 800 - 2500 50 - 500 9 5 4 9 6 10 4 10 40

注: (1) 利得 = GP、電力利得 (2) DG = ゲインコントロールレンジ

低ノイズ広帯域アンプ

Type Package@ @900MHz @1800MHz Gain(3)(dB)@ Limits

Vs Is NF Gain IIP3 NF Gain IIP3 100 1 2.6 3.0 Vs Is Ptot

(V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (dB) (dB) (dBm) MHz GHz GHz GHz (V) (mA) (mW) BGA2001 SOT343R 2.5 4 1.3 22(1) -7.4 1.3 19.5(1) -4.5 20 17.1 11.6 10.7 4.5 30 135 BGA2002^ SOT343R 2.5 4 1.3 22(1) -7.4 1.3 19.5(1) -4.5 20 17.1 11.6 10.7 4.5 30 135 BGA2003 SOT343R 2.5 10(2) 1.8 24(1) -6.5 1.8 16(1) -4.8 26 18.6 11.1 10.1 4.5 30 135 BGA2011 SOT363 3 15 1.5 19(3) 10 - - - 24 14.8 8 6.5 4.5 30 135 BGA2012 SOT363 3 7 - - - 1.7 16(3) 10 22 18.2 11.6 10.5 4.5 15 70

注: (1) MSG (2) バイアス調整可能 (3) |S21|2 ^= 車載認定済み。

汎用ミディアムパワーアンプ (50 Ohmゲインブロック)

Type Package@ @900MHz @1800MHz Gain(2) Limits

Vs(1) Is NF Gain(2) OIP3 P1dB NF Gain(2) OIP3 P1dB 2.5 Vs(1) Is Ptot

(V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (dBm) (dB) (dB) (dBm) (dBm) GHz (V) (mA) (mW) BGA6289 SOT89 4.1 84 3.5 15 31 17 3.7 13 28 15 12 6 120 480 BGA6489 SOT89 5.1 78 3.1 20 33 20 3.3 16 30 17 15 6 120 480 BGA6589 SOT89 4.8 81 3.0 22 33 21 3.3 17 32 20 15 6 120 480

注: (1) バイアス抵抗なしのデバイス電圧` (2) 利得 = |S21|2

400〜2700 MHzアプリケーション向け汎用ミディアムパワーアンプMMICsupply shutdowncontrol RFperformance RFperformance

Type Packagef

Vcc Icc VI(D)L(SHDN) VI(D)H(SHDN) II(D)L(SHDN) Typ@f=940MHz Typ@f=1960MHz

Typ Typ Max Min Max Min Max Typ Gp PL(1dB) OIP3 NF Gp PL(1dB) OIP3 NF(MHz) (V) (mA) (mA) (V) (V) (V) (V) (µA) dB dBm dBm dB dB dBm dBm dB

BGA7124 SOT908 leadless 400 - 2700 5 130 200 0 0.7 2.5 Vbias 4 22 25 38 5 16 24 38 5BGA7024 SOT89 leaded 400 - 2700 5 110 - - - - - - 22 24 38 3 16 25 38 4BGA7127 SOT908 leadless 400 - 2700 5 180 325 0 0.7 2.5 Vbias 4 20 28 44 3 13 28 43 5BGA7027 SOT89 leaded 400 - 2700 5 170 - - - - - - 19 28 41 3 12 28 43 4BGA7130* SOT908 leadless 400 - 2700 5 - - 0 0.7 2.5 Vbias 4 18 30 45 4 12 30 45 4BGA7133* SOT908 leadless 400 - 2700 5 - - 0 0.7 2.5 Vbias 4 18 33 46 4 12 33 47 4

BGA7130およびBGA7133の仕様は、開発が完了するまでは目標とする仕様となっています。

SiGe:C MMIC (GPSなど)

Type Package

Supplyvoltage

Supplycurrent

@1.575GHz

Insertionpowergain

Noisefigure

Inputpowerat1dBgaincompression

Inputthird-orderinterceptpointf1=1713MHz,f2=1851MHz

Vcc Icc |s21|2 NF PI(1dB) IP3i

V mA dB dB dBm dBm

Min Max Min Typ Max Min Typ Max TypVcc=1.8V,Min

Vcc=1.8V,Typ

Vcc=2.5V,Icc=

5mA

Vcc=2.85V,Min

Vcc=2.85V,Typ

Vcc=1.8V,Min

Vcc=1.8V,Typ

Vcc=2.5V,Icc=

5mA

Vcc=2.85V,Min

Vcc=2.85V,

Typ

BGU7003 SOT891 2.2 2.85 3 - 15 16 18,3 20 0,8 - - -20 - - - - 0 - -BGU7005 SOT886 1.5 2.85 - 4.5 - - 16.5** - 0,9 -14 -11 - -11 -8 5 9 - 5 12BGU7006* WLCSP*** 1.5 2.85 - 3.8 - - 16.5** - 0,9 -14 -11 - -12 -9 1 4 - 5 9BGU7007* SOT886 1.5 2.85 - 4.8 - - 18**** - 0,9 -14 -11 - -11 -8 5 9 - 5 12

SiGe:C MMIC (セット・トップ・ボックス)

Type Package

Frequencyrange Mode

@Gain(1) NF PL(1dB) OIP3 FL(2) RLout RLin

VCC ICC

(MHz) (V) (mA) (dB) (dB) (dBm) (dBm) (dB) (dB) (dB)

BGU7033* SOT363 40 - 1000GP 10 dB 5 43 10 4.5 14 29 -0.2 12 18GP 5 dB 5 43 5 6 9 29 -0.2 12 17Bypass 5 4 -2 2.5 10 29 -0.2 8 8

BGU7032* SOT363 40 - 1000GP 10 dB 5 43 10 4.5 13 29 -0.2 12 18Bypass 5 4 -2 2.5 10 29 -0.2 8 8

BGU7031* SOT363 40 - 1000 GP 10 dB 5 43 10 4.5 13 29 -0.2 12 18

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。赤の太字 = 新製品の推奨製品注: (1) 利得 = GP、電力利得``` (2) 周波数特性の平坦性 = FL

Page 74: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

73NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

SiGe:C MMIC可変利得アンプ

Type Package ControlinterfaceVsup Isup frequency

Gainrange

@minimumattenuation @maximumattenuation

Gain OIP3 NF Gain OIP3 NF(V) (mA) (MHz) (dB) (dB) (dBm) (dB) (dB) (dBm) (dB)

BGA7202* SOT617 Analog 5 710700 … 1450 27 24 45 6.5 -3 23.5 33.5

1450 … 2200 27 24 45 6.5 -3 23.5 33.5BGA7203* SOT617 Analog 5 710 2100 … 2750 27 24 45 6.5 -3 23.5 33.5BGA7204* SOT617 Parallel, serial 5 160 700 … 2750 31.5 24 37 6.5 -7.5 19 38BGA7350* SOT617 Parallel, digital 5 240

50 … 25024 18.5 - 6 -5.5 50 30

BGA7351* SOT617 Parallel, digital 5 240 28 18.5 - 6 -9.5 50 34

BGA7350およびBGA7351はデュアルVGA製品です。 BGA7350およびBGA7351は受信用に設計されています。

ワイヤレスインフラストラクチャ向けSiGe:C MMIC LNA

Type PackageVsupply(typ) @IC= @f= Gass(typ) NF(typ) PL(1dB)(typ) OIP3(typ) IRL ORL

(V) (mA) (MHz) (dB) (dB) (dBmW) (dBm) (dB) (dB)BGU7051* SOT650 3.3 65 900 20.9 0.7 17.8 34 22 15.8BGU7052* SOT650 3.3 65 1900 20.1 0.9 18 35.5 20 15BGU7053* SOT650 3.3 65 2500 20 1 18 35 20 15BGU7054* SOT650 3.3 65 3500 20 1.1 18 35 20 15

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。赤の太字 = 新製品の推奨製品

3.4.2 VSATおよびマイクロ波アプリケーション向け低ノイズLOジェネレータ 

NXPセミコンダクターズのRF低ノイズLOジェネレータが選ばれる理由`` 最低レベルのトータルコスト`` アライメントがいらないコンセプト`` 回路への容易な組み込み`` 向上されたLO安定性

VSATアプリケーション向け低ノイズLOジェネレータ

Type Package

fIN(REF) VCC ICC PLLphasenoise@N=64,@100kHz

PLL Outputbuffer Input

fo(RF) Po RLout(RF) Si

Typ Typ Max Typ Max Min

MHz V mA dBc/Hz (GHz) dBm dB dBm

TFF1003HN SOT616 50~815 3.3 100 -92 12.8~13.05 -5 -10 -10

TFF1007HN* SOT616 230.46~234.38 3.3 100 -104 14.75~15 -3 -10 -10

汎用マイクロ波アプリケーション向け低ノイズLOジェネレータ

Type PackagefIN(REF) VCC ICC

PLLphasenoise@N=64

PLL Outputbuffer Inputfo(RF) Po RLout(RF) Si

Typ Typ @100kHz @10MHz Min Typ Max Typ Max MinMHz V mA dBc/Hz dBc/Hz GHz GHz GHz dBm dB dBm

TFF11070HN* SOT616 27 - 448 3.3 100 -95 -131 6.84 7.00 7.16 -5 -10 -10TFF11073HN* SOT616 28 - 468 3.3 100 -95 -131 7.16 7.33 7.49 -5 -10 -10TFF11077HN* SOT616 29 - 490 3.3 100 -95 -131 7.49 7.67 7.84 -5 -10 -10TFF11080HN* SOT616 31 - 513 3.3 100 -95 -131 7.84 8.02 8.21 -5 -10 -10TFF11084HN* SOT616 32 - 537 3.3 100 -95 -131 8.21 8.40 8.59 -5 -10 -10TFF11088HN* SOT616 34 - 562 3.3 100 -95 -131 8.59 8.79 8.99 -5 -10 -10TFF11092HN* SOT616 35 - 588 3.3 100 -95 -131 8.99 9.20 9.41 -5 -10 -10TFF11096HN* SOT616 37 - 616 3.3 100 -95 -131 9.41 9.63 9.85 -5 -10 -10TFF11101HN* SOT616 38 - 644 3.3 100 -95 -131 9.85 10.07 10.31 -5 -10 -10TFF11105HN* SOT616 40 - 674 3.3 100 -95 -131 10.31 10.54 10.79 -5 -10 -10TFF11110HN* SOT616 42 - 706 3.3 100 -95 -131 10.79 11.03 11.29 -5 -10 -10TFF11115HN* SOT616 44 - 738 3.3 100 -95 -131 11.29 11.55 11.81 -5 -10 -10TFF11121HN* SOT616 46 - 773 3.3 100 -95 -131 11.81 12.09 12.36 -5 -10 -10TFF11126HN* SOT616 48 - 809 3.3 100 -95 -131 12.36 12.65 12.94 -5 -10 -10TFF11139HN* SOT616 53 - 886 3.3 100 -95 -131 13.54 13.85 14.17 -5 -10 -10TFF11145HN* SOT616 55 - 927 3.3 100 -95 -131 14.17 14.50 14.83 -5 -10 -10TFF11152HN* SOT616 58 - 970 3.3 100 -95 -131 14.83 15.18 15.52 -5 -10 -10

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。赤の太字 = 新製品の推奨製品

Page 75: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

74 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.5 RF MOSトランジスタ

3.5.1 JFET

NXPセミコンダクターズのJFETが選ばれる理由`` 信頼性の高い量産供給`` 短納期対応`` 豊富なポートフォリオ

スイッチング用Nチャネル接合電界効果トランジスタ

Type Package

VDS IG

CHARACTERISTICS

IDSS -Vgsoff RDSON Crs ton toff

(V) (mA) (mA) (V) (Ω) (pF) (ns) (ns) max max min max min max max min max typ max typ max

BSR56 SOT23 40 50 50 - 4 10 25 - 5 - - - 25 BSR57 SOT23 40 50 20 100 2 6 40 - 5 - - - 50 BSR58 SOT23 40 50 8 80 0.8 4 60 - 5 - - - 100 PMBFJ108 SOT23 25 50 80 - 3 10 8 - 15 4 - 6 -PMBFJ109 SOT23 25 50 40 - 2 6 12 - 15 4 - 6 -PMBFJ110 SOT23 25 50 10 - 0.5 4 18 - 15 4 - 6 PMBFJ111 SOT23 40 50 20 - 3 10 30 - typ.3 13 - 35 -PMBFJ112 SOT23 40 50 5 - 1 5 50 - typ.3 13 - 35 -PMBFJ113 SOT23 40 50 2 - 0.5 3 100 - typ.3 13 - 35 -J108 SOT54 25 50 80 - 3 10 8 - 15 4 - 6 -J109 SOT54 25 50 40 - 2 6 12 - 15 4 - 6 -J110 SOT54 25 50 10 - 0.5 4 18 - 15 4 - 6 J111 SOT54 40 50 20 - 3 10 30 - typ.3 13 - 35 -J112 SOT54 40 50 5 - 1 5 50 - typ.3 13 - 35 -J113 SOT54 40 50 2 - 0.5 3 100 - typ.3 13 - 35 -PMBF4391 SOT23 40 50 50 150 4 10 30 - 3.5 - 15 - 20PMBF4392 SOT23 40 50 25 75 2 5 60 - 3.5 - 15 - 35 PMBF4393 SOT23 40 50 5 30 0.5 3 100 - 3.5 - 15 - 50

スイッチング用Pチャネル接合電界効果トランジスタ

Type Package

VDS IG

CHARACTERISTICS

IDSS -Vgsoff RDSON Crs ton toff

(V) (mA) (mA) (V) (Ω) (pF) (ns) (ns) max max min max min max max min max typ max typ max

PMBFJ174 SOT23 30 50 20 135 5 10 85 typ.4 7 - 15 -PMBFJ175 SOT23 30 50 7 70 3 6 125 typ.4 15 - 30 -PMBFJ176 SOT23 30 50 2 35 1 4 250 typ.4 35 - 35 -PMBFJ177 SOT23 30 50 1.5 20 0.8 2.25 300 typ.4 45 - 45 -J174 SOT54 30 50 20 135 5 10 85 typ.4 7 - 15 -J175 SOT54 30 50 7 70 3 6 125 typ.4 15 - 30 -J176 SOT54 30 50 2 35 1 4 250 typ.4 35 - 35 -J177 SOT54 30 50 1.5 20 0.8 2.25 300 typ.4 45 - 45 -

NEW: 目指す設計に対して最適なJFETを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド www.nxp.com/rffets。

Page 76: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

75NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

汎用RFアプリケーション向けNチャネル接合電界効果トランジスタ

Type Package

VDS IG

CHARACTERISTICS

IDSS Vgsoff |Yfs| Crs(V) (mA) (mA) (V) (mS) (pF)

max max min max min max min max min maxDC、LF、HFアンプBF245A SOT54 30 10 2 6.5 <8 3 6.5 Typ.=1.1 -BF245B SOT54 30 10 6 15 <8 3 6.5 Typ.=1.1 -BF245C SOT54 30 10 12 25 <8 3 6.5 Typ.=1.1 -BF545A SOT23 30 10 2 6.5 0.4 7.5 3 6.5 0.8 -BF545B SOT23 30 10 6 15 0.4 7.5 3 6.5 0.8 -BF545C SOT23 30 10 12 25 0.4 7.5 3 6.5 0.8 -BF556A SOT23 30 10 3 7 0.5 7.5 4.5 - 0.8 -BF556B SOT23 30 10 6 13 0.5 7.5 4.5 - 0.8 -BF556C SOT23 30 10 11 18 0.5 7.5 4.5 - 0.8 -カーラジオのAMチューナ向けのプリアンプBF861A SOT23 25 10 2 6.5 0.2 1.0 12 20 2.1 2.7 BF861B SOT23 25 10 6 15 0.5 1.5 16 25 2.1 2.7 BF861C SOT23 25 10 12 25 0.8 2 20 30 2.1 2.7 BF862 SOT23 20 10 10 25 0.3 2 35 - typ=1.9 -FMポータブル、カーラジオ、メインラジオのRFステージ&ミキサーステージBF510(1) SOT23 20 10 0.7 3 typ. 0.8 2.5 0.4 0.5 BF511(1) SOT23 20 10 2.5 7 typ. 1.5 4 0.4 0.5 BF512(1) SOT23 20 10 6 12 typ. 2.2 6 0.4 0.5 BF513(1) SOT23 20 10 10 18 typ. 3 7 0.4 0.5 ローレベル汎用アンプBFR30 SOT23 25 5 4 10 <5 1 4 1.5 -BFR31 SOT23 25 5 1 5 <2.5 1.5 4.5 1.5 -汎用アンプBFT46 SOT23 25 5 0.2 1.5 <1.2 >1 1.5 -UHF/VHFアンプのAM入力ステージPMBFJ308 SOT23 25 50 12 60 1 6.5 >10 1.3 2.5 PMBFJ309 SOT23 25 50 12 30 1 4 >10 1.3 2.5 PMBFJ310 SOT23 25 50 24 60 2 6.5 >10 1.3 2.5 PMBFJ620 SOT363 25 50 24 60 2 6.5 10 1.3 2.5

太字`= 推奨製品(1) 非対称

Page 77: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

76 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.5.2 MOSFET

NXPセミコンダクターズのMOSFETが選ばれる理由 ` TVチューニング用リファレンス・デザイン`` 短納期対応`` 豊富なポートフォリオ`` 最小パッケージ`` チューナーへアプリケーション向け2-in-1 FET`` 信頼性の高い量産供給 ` TVチューニングに最高のパフォーマンスを発揮するMOSFET

スイッチング向けN-チャンネル、シングルMOSFET

Type Package

VDS CHARACTERISTICSID IDSS V(p)GS RDSON Crs ton toff |S21(on)|2 |S21(off)|2 MODE

(V) (mA) (mA) (V) (Ω) (pF) (ns) (ns) (dB) (dB)max max min max min max max min max typ max typ max max min

BSS83 SOT143 10 50 - - 0.1(2) 2(1) 45 typ.0.6 - 1 - 5 - - enh.シリコンRFスイッチ

BF1107 SOT23 3 10 - 100(3) - 7(4) 20 - - - - - - 2.5 30 depl.BF11085) SOT143B 3 10 - 100(3) - 7(4) 20 - - - - - - 3 30 depl.BF1108R5) SOT143R 3 10 - 100(3) - 7(4) 20 - - - - - - 3 30 depl.BF1108W SOT343 3 10 - 100 - 7(4) 20 - - - - - - 3 30 deplBF1108WR SOT343R 3 10 - 100 - 7(4) 20 - - - - - - 3 30 deplBF1118 SOT143B 3 10 - 100 - 7(4) 22 - - - - - - 3 30 deplBF1118R SOT143R 3 10 - 100 - 7(4) 22 - - - - - - 3 30 deplBF1118W SOT343 3 10 - 100 - 7(4) 22 - - - - - - 3 30 deplBF1118WR SOT343R 3 10 - 100 - 7(4) 22 - - - - - - 3 30 depl

太字`= 推奨製品赤の太字 = 新製品の推奨製品

N-チャンネル、デュアルゲートMOSFET

Type Package

VDS ID

CHARACTERISTICS

IDSX V(th)gs |Yfs| Cis Cos F@800MHz VHF UHF(V) (mA) (mA) (V) (mS) (pF) (pF) (dB)

max max min max min max min max typ typ typ 外部バイアスつき

BF908 SOT143 12 40 3 27 - -2 36 50 3.1 1.7 1.5 X X BF908R SOT143R 12 40 3 27 - -2 36 50 3.1 1.7 1.5 X X BF908WR SOT343R 12 40 3 27 - -2 36 50 3.1 1.7 1.5 X X BF991 SOT143 20 20 4 25 - -2.5 10 - 2.1 1.1 1 X -BF992 SOT143 20 40 - - - -1.3 20 - 4 2 1.2(7) X -BF994S SOT143 20 30 4 20 - -2.5 15 - 2.5 1 1(7) X -BF996S SOT143 20 30 4 20 - -2.5 15 - 2.3 0.8 1.8 - X BF998 SOT143 12 30 2 18 - -2.0 21 - 2.1 1.05 1 X X BF998R SOT143R 12 30 2 18 - -2.0 21 - 2.1 1.05 1 X X BF998WR SOT343R 12 30 2 18 - -2.5 22 - 2.1 1.05 1 X X

完全内部バイアスBF1105 SOT143 7 30 8 16 0.3 1.2(6) 25 - 2.2(9) 1.2(8) 1.7 X X BF1105R SOT143R 7 30 8 16 0.3 1.2(6) 25 - 2.2(9) 1.2(8) 1.7 X X BF1105WR SOT343R 7 30 8 16 0.3 1.2(6) 25 - 2.2(9) 1.2(8) 1.7 X X BF1109 SOT143 11 30 8 16 0.3 1.2(6) 24 - 2.2(9) 1.3(8) 1.5 X XBF1109R SOT143R 11 30 8 16 0.3 1.2(6) 24 - 2.2(9) 1.3(8) 1.5 X X BF1109WR SOT343R 11 30 8 16 0.3 1.2(6) 24 - 2.2(9) 1.3(8) 1.5 X X

一部内部バイアスBF904A SOT143 7 30 8 13 0.3 1(6) 22 30 2.2 1.3 2 X X BF904AR SOT143R 7 30 8 13 0.3 1(6) 22 30 2.2 1.3 2 X X BF904AWR SOT343R 7 30 8 13 0.3 1(6) 22 30 2.2 1.3 2 X X BF909A SOT143 7 40 12 20 0.3 1(6) 36 50 3.6 2.3 2 X X BF909AR SOT143R 7 40 12 20 0.3 1(6) 36 50 3.6 2.3 2 X X BF909AWR SOT343R 7 40 12 20 0.3 1(6) 36 50 3.6 2.3 2 X X

NEW: 目指す設計に対して最適にRF MOSFETを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド www.nxp.com/rffets。

(1) 非対称 (6) VGS(th)(2) VGS(th) (7) @ 200 MHz(3) ID (8) COSS(4) VSG (9) Cig(5) ディプレッションFET およびダイオードがひ` とつのパッケージに

Page 78: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

77NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

N-チャンネル、デュアルゲートMOSFET

Type Package

VDS ID

CHARACTERISTICS

IDSX V(th)gs |Yfs| Cis Cos F@800MHz VHF UHF(V) (mA) (mA) (V) (mS) (pF) (pF) (dB)

max max min max min max min max typ typ typ 一部内部バイアス

BF1100 SOT143 14 30 8 13 0.3 1.2(6) 24 33 2.2 1.4 2 X X BF1100R SOT143R 14 30 8 13 0.3 1.2(6) 24 33 2.2 1.4 2 X X BF1100WR SOT343R 14 30 8 13 0.3 1.2(6) 24 33 2.2 1.4 2 X X BF1101 SOT143 7 30 8 16 0.3 1(6) 25 - 2.2 1.2(8) 1.7 X X BF1101R SOT143R 7 30 8 16 0.3 1(6) 25 - 2.2 1.2(8) 1.7 X X BF1101WR SOT343R 7 30 8 16 0.3 1(6) 25 - 2.2 1.2(8) 1.7 X X BF1102(R)(10) SOT363 7 40 12 20 0.3 1.2(6) 36 - 2.8(9) 1.6(8) 2 X X BF1201 SOT143 10 301) 11 19 0.3 1.2(6) 23 35 2.6 0.9 1.9 X X BF1201R SOT143R 10 301) 11 19 0.3 1.2(6) 23 35 2.6 0.9 1.9 X X BF1201WR SOT343R 10 301) 11 19 0.3 1.2(6) 23 35 2.6 0.9 1.9 X X BF1202 SOT143 10 30 8 16 0.3 1.2(6) 25 40 1.7 0.85 1.1 X X BF1202R SOT143R 10 30 8 16 0.3 1.2(6) 25 40 1.7 0.85 1.1 X X BF1202WR SOT343R 10 30 8 16 0.3 1.2(6) 25 40 1.7 0.85 1.1 X X BF1203(11) SOT363 10 30 11 19 0.3 1.2(6) 23 35 2.6 0.9 1.9 X -

10 30 8 16 0.3 1.2 25 40 1.7 0.85 1.1 - XBF1204(10) SOT363 10 30 8 16 0.3 1.2(6) 25 40 1.7 0.85 1.1 X X BF1205C(11)(12)(13) SOT363 6 30 14 24 0.3 1 26 41 2.2 0.9 1.4 X -

6 30 9 17 0.3 1 28 43 2 0.85 1.4 - X BF1205(11)(12)(13) SOT363 10 30 8 16 0.3 1.0 26 40 1.8 0.75 1.2 X -

7 30 8 16 0.3 1.0 26 40 2.0 0.85 1.4 - X BF1206(11) SOT363 6 30 14 23 0.3 1.0 33 48 2.4 1.1 1.6 X -

6 30 9 17 0.3 1.0 29 44 1.7 0.85 1.4 - X BF1206F(11) SOT666 6 30 3 6.5 0.3 1.0 17 32 2.4 1.1 1.1 X -

6 30 3 6.5 0.3 1.0 17 32 1.7 0.85 1.0 - X BF1207(11)(13)(14) SOT363 6 30 13 23 0.3 1.0 25 40 2.2 0.9 1.4 X -

6 30 9 19 0.3 1.0 26 41 1.8 0.8 1.4 - X BF1208(11)(12)(13) SOT666 6 30 14 24 0.3 1 26 41 2.2 0.9 1.4 X -

6 30 9 17 0.3 1 28 43 2 0.85 1.4 - X BF1208D(11)(12)(13) SOT666 6 30 14 24 0.3 1 26 41 2.1 0.8 1.1 X -

6 30 10 20 0.3 1 25 40 2.1 0.85 1.4 - XBF1210(11)(12) SOT363 6 30 14 24 0.3 1 26 41 2.2 0.9 1.4 X -

6 30 9 17 0.3 1 28 43 2 0.85 1.4 - XBF1211 SOT143 6 30 11 19 0.3 1.0 25 40 2.1 0.9 1.3 X -BF1211R SOT143R 6 30 11 19 0.3 1.0 25 40 2.1 0.9 1.3 X -BF1211WR SOT343 6 30 11 19 0.3 1.0 25 40 2.1 0.9 1.3 X -BF1212 SOT143 6 30 8 16 0.3 1.0 28 43 1.7 0.9 1.1 - X BF1212R SOT143R 6 30 8 16 0.3 1.0 28 43 1.7 0.9 1.1 - X BF1212WR SOT343 6 30 8 16 0.3 1.0 28 43 1.7 0.9 1.1 - X BF1214(10) SOT363 6 30 13 23 0.3 1.0 25 35 2.2 0.9 1.4 X X

BF1218(11/12/13) SOT3636 30 14 24 0.3 1 26 41 2.1 0.8 1.1 X -6 30 10 20 0.3 1 25 40 2.1 0.85 1.4 - X

太字`= 推奨製品赤の太字 = 新製品の推奨製品

(1) 非対称(2) VGS(th) (9) Cig(3) ID (10) ふたつの同じデュアルゲートMOSFETをひとつのパッケージに(4) VSG (11) ふたつの低ノイズ利得アンプをひとつのパッケージに(5) ディプレッションFETおよびダイオードがひとつのパッケージに (12) トランジスタA: 完全内部バイアス、トランジスタB: 一部内部バイアス(7) @200 MHz (13) 内部スイッチング機能(8) COSS (14) トランジスタA: 一部内部バイアス、トランジスタB: 完全内部バイアス

セット・トップ・ボックス向けN-チャンネル、デュアルゲートMOSFET

Type PackageVDS ID

CHARACTERISTICS

IDSX V(th)gs |Yfs| Cis COS

F@800MHz

X-Mod@40dBgainreduction

(V) (mA) (mA) (V) (mS) (pF) (pF) (dB) (dB)max max max min max typ typ typ typ typ

BF1215 (1)(2)(3) SOT3636 30 19.5 0.3 1 27 2.5 0.8 1.9 1076 30 23 0.3 1 27 2.5 0.8 1.9 107

BF1216(1) SOT3636 30 19.5 0.3 1 27 2.5 0.8 1.9 1076 30 23 0.3 1 27 2.5 0.8 1.9 107

BF1217 SOT343 6 30 23 0.3 1 27 2.5 0.8 1.9 107(1) ふたつの低ノイズ利得アンプをひとつのパッケージに(2) トランジスタA: 完全内部バイアス、トランジスタB: 一部内部バイアス(3) 内部スイッチング機能赤の太字 = 新製品の推奨製品

Page 79: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

78 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.6.1 CATVリバースハイブリッド

Frequencyrange

TypenumberGain Slope FL RLIN/RLOUT CTB XMOD CSO @Ch @Vo NF@fMAX

Itot

(dB) (dB) (dBmV) (mA)5 -75 MHz BGY68 29.2 - 30.8 -0.2 - 0.5 ± 0.2 20/20 -68 -60 - 4 50 3.5 135 5 -120 MHz BGY66B 24.5 - 25.5 -0.2 - 0.5 ± 0.2 20/20 -66 -54 - 14 48 5 135

5 -200 MHz BGY67 21.5 - 22.5 -0.2 - 0.5 ± 0.2 20/20 -67 -60 - 22 50 5.5 230 BGY67A 23.5 - 24.5 -0.2 - 0.5 ± 0.2 20/20 -67 -59 - 22 50 5.5 230

5-200 MHz BGR269 34.5 - 35.5 0 - 0.6 ± 0.4 20/20 -57 -50 -70 28 50 5.2 160

3.6.2 CATVプッシュ・プル

Frequencyrange

TypenumberGain Slope FL RLIN/RLOUT CTB XMOD CSO @Ch @Vo NF@fMAX Itot

(dB) (dB) (dBmV) (mA)

40 - 550 MHz

OM7650 33.2 - 35.5 0.2 - 2 - 10/10 -45 - -57 77 44 8 340 BGY588C 33.2 - 35.5 0.2 - 1.7 ± 0.5 16/16 -57 - -62 77 44 8 345 BGY585A 17.7 - 18.7 0.5 - 2 ± 0.2 20/20 -59 -62 -59 77 44 8 240 BGY587 21.5 - 22.5 0.2 - 1.5 ± 0.2 20/20 -57 -58 -54 77 44 7 240 BGY587B 26.2 - 27.8 0.5 - 2.5 ± 0.4 20/20 -57 -60 -57 77 44 6.5 340 BGY588N 33.5 - 35.5 0.5 - 1.5 ± 0.4 20/20 -57 -59 -62 77 44 6 340

40 - 600 MHz BGY685A 17.7 - 18.7 0.5 - 2.2 ± 0.2 20/20 -55 -60 -56 85 44 8.5 240 BGY687 21 - 22 0.8 - 2.2 ± 0.2 20/20 -54 -54 -52 85 44 6.5 240

40 - 750 MHz

OM7670 33.2 - 35.2 1/4 - 10/8 -43 - -54 110 44 8 340 BGY785A 18 - 19 0 - 2 ± 0.3 20/20 -53 -56 -53 110 44 7 240 BGE788C 33.2 - 35.2 0.3 - 2.3 ± 0.6 16/16 -49 - -52 110 44 8 325 BGY787 21 - 22 0 - 1.5 ± 0.5 20/20 -53 -52 -53 110 44 6.5 240 BGE787B 28.5 - 29.5 0.2 - 2.2 ± 0.5 20/20 -50 -54 -56 110 44 7 320 BGE788 33.5 - 34.5 0.5 - 2.5 ± 0.5 20/20 -49 -51 -52 110 44 7 320

40 - 870 MHz

BGY883 14.5 - 15.5 0 - 2 ± 0.3 20/20 -61 -61 -61 49 44 8.5 235 BGE885 16.5 - 17.5 0.2 - 1.2 ± 0.5 14/14 - - - 129 59 8 240 BGX885N 16.5 - 17.5 0.2 - 1.4 ± 0.3 20/20 - - - 129 59 8 240 BGY885A 18 - 19 0 - 2 ± 0.3 20/20 -61 -61 -61 49 44 8 240 BGY887 21 - 22 0.2 - 2 ± 0.3 20/20 -55 -61 -57 129 40 6.5 235 CGY888C 34.5 - 36.5 0.5 - 2.5 ± 0.5 20/20 -68 - -66 112 44 4.0 280BGY835C 33.5 - 34.5 0.5 - 2.5 ± 0.6 21/21 -60 -59 -55 49 44 7.0 340BGY887B 28.5 - 29.5 0.5 - 2.5 ± 0.5 20/20 -60 -60 -60 49 44 6.5 340 BGY888 33.5 - 34.5 0.5 - 2.5 ± 0.5 20/20 -60 -59 -55 49 44 7 340

40 -1003 MHz BGY1085A 18 - 19 0 - 2 ± 0.3 20/20 -53 -54 -56 150 44 7.5 240

3.6 RF モジュール

NXPセミコンダクターズのCATVモジュールが選ばれる理由`` すぐれたリニアリティ、安定性、および信頼性`` 堅牢な構造`` 超低ノイズ`` 高い伝達利得`` 最低レベルのトータルコスト

中国 (Cタイプ) 向けCATVタイプ、および1 GHz GaAs HFETラインナップCATVハイブリッド・ポートフォリオの新顔に、2つの製品ファミリーが加わりました。Cタイプは、特に中国市場向けに設計されており、2つの政府プロジェクトに向けたものです。また、全世界に向けたハイエンドアプリケーション用として、GaAs HFET 1 GHzの完全なラインナップをご紹介します。

両方のファミリーはこれからの数ヶ月で拡張され、これらふたつの市場セグメントのほどんどをカバーできるようになります。

Cタイプ (中国向け) ` CATVプッシュ・プル (3.6.2章): BGY588C、BGE788C、CGY888C ` CATVパワーダブラー (3.6.3章): BGD712C ` CATV光レシーバー (3.6.4章): BGO807C

1GHz GaAs HFETハイエンド・ハイブリッド ` CATVプッシュ・プル (3.6.2章): CGY1047、CGY1041、CGY1043 ` CATVパワーダブラー (3.6.3章): CGD1040Hi、CGD1042Hi、CGD1044Hi、CGD1046Hi、CGD1042H、CGD1044H

NEW: 目指す設計に対して最適にCATVモジュールを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド www.nxp.com/catv。

Page 80: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

79NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

CATVプッシュ・プル1 GHz

Freqrange Type Gain Slope fl RLIN/RLOUT CTB Xmod CSO @Ch @Vout NF Itot

40-1003 MHz CGY1041* 22 1.0 - 2.0 dB ±0.8 20/18 dB -62 dBc -58 dBc -64 dBc 79NTSC+75digital 44 dBmV flat 5.5 dB 250 mA40-1003 MHz CGY1043* 24 1.0 - 2.0 dB ±0.8 20/18 dB -62 dBc -58 dBc -64 dBc 79NTSC+75digital 44 dBmV flat 5.5 dB 250 mA40-1003 MHz CGY1047 28 1.0 - 2.0 dB ±0.5 20/18 dB -62 dBc -58 dBc -64 dBc 79NTSC+75digital 44 dBmV flat 4.5 dB 250 mA40-1003 MHz CGY1049* 30 1.5 - 2.5 dB ±0.8 20/18 dB -62 dBc -58 dBc -64 dBc 79NTSC+75digital 44 dBmV flat 4.5 dB 250 mA40-1003 MHz CGY1032* 33 1.0 - 2.0 dB ±0.8 20/18 dB -62 dBc -58 dBc -64 dBc 79NTSC+75digital 44 dBmV flat 4.5 dB 250 mA

3.6.3 CATVパワーダブラー

Frequencyrange

TypenumberGain Slope

FL RLIN/RLOUT CTB XMOD CSO @Ch@Vo

NF@fMAXItot

(dB) (dB) (dBmV) (mA)40 - 550 MHz BGD502 18 - 19 0.2 - 2.2 ± 0.3 20/20 -65 -68 -62 77 44 8 435

40 -750 MHz

BGD702 18 - 19 0.2 - 2 ± 0.5 20/20 -58 -62 -58 110 44 8.5 435 BGD702N 18 - 19 0.2 - 2 ± 0.25 20/20 -58 -62 -58 110 44 8.5 435 BGD712 18.2 - 18.8 0.5 - 1.5 ± 0.35 23/23 -62 -63 -63 112 44 7 410 BGD712C 18.2 - 18.8 0.5 - 1.5 ± 0.4 17/17 -62 - -63 112 44 7 410 BGD704 19.5 - 20.5 0 - 2 ± 0.5 20/20 -57 -61 -56 110 44 8.5 435 BGD714 20 - 20.6 0.5 - 1.5 ± 0.35 23/23 -61 -62 -62 112 44 7 410

40 - 870 MHz

BGD885 16.5 - 17.5 0.2 - 1.6 ± 0.5 20/20 - - - 129 59 8 450 BGD802 18 - 19 0.2 - 2 ± 0.5 20/20 -54 -59 -56 129 44 9 410 BGD812 18.2 - 18.8 0.4 - 1.4 ± 0.5 23/23 -58 -62 -60 132 44 7.5 410 BGD804 19.5 - 20.5 0.2 - 2 ± 0.5 20/20 -53 -61 -54 129 44 7.5 410 BGD814 19.7 - 20.3 0.4 - 1.4 ± 0.5 22/25 -57.5 -62 -59 132 44 7.5 410 BGD816L 21.2 - 21.8 0.5 - 1.5 ± 0.5 22/25 -55 -58 -56 129 44 7.5 375 CGD942C 20.5 - 22.5 1 - 2 ± 0.3 18/18 -66 -58 -68 132 48 3.5 450 CGD944C 23 - 25 1 - 2 ± 0.3 18/18 -66 -58 -68 132 48 3.5 450

40 - 1003 MHz

CGD1040Hi 21 1.5 0.5 -20/-20 -65 -68 -68 79 channels 50 <6 470CGD1042Hi 23 1.5 0.5 -20/-20 -65 -68 -68 79 channels 50 <6 470CGD1044Hi 25 1.5 0.5 -20/-20 -65 -68 -68 79 channels 50 <6 470CGD1046Hi* 25 0 - 2.0 1 20/20 -73 -74 -68 79NTSC+75^ 44 5.0 460CGD1042H 23 0 - 1.5 ± 0.3 17.5/20 -70 -67 -68 79 + 75^ 59 5.0 450CGD1044H 25 0 - 1 ± 0.3 17.5/20 -70 -67 -68 79 + 75^ 59 5.0 450

^ = デジタルチャンネル。

3.6.4 CATV光レシーバー

Frequencyrange

TypenumberS Slope FLSL

RLout IMD3 IMD2 @fm @Pi NF@fMAX Conn. Itot

(V/W) (dB) (dB) (MHz) (mW) (mA)フォワードパス・レシーバー

40 - 870 MHz

BGO807 800 0 - 2 1 11 -71 -55 854.5 1 8.5 205 BGO807/FC0 750 0 - 2 1 11 -71 -55 854.5 1 8.5 FC 205 BGO807/SC0 750 0 - 2 1 11 -71 -55 854.5 1 8.5 SC 205 BGO807C 800 0 - 2 1 11 -71 -54 854.4 1 8.5 205 BGO807CE 800 0 - 2 1 11 -71 -53 854.4 1 8.5 205 BGO807C/FC0 750 0 - 2 1 11 -71 -55 854.5 1 8.5 FC 205 BGO807C/SC0 750 0 - 2 1 11 -71 -55 854.5 1 8.5 SC 205 BGO827 800 0 - 2 1 11 -73 -57 854.5 1 8.5 205 BGO827/FC0 750 0 - 2 1 11 -73 -57 854.5 1 8.5 FC 205BGO827/SC0 750 0 - 2 1 11 -73 -57 854.5 1 8.5 SC 205

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。赤の太字 = 新製品の推奨製品太字`= 推奨製品

注: この表は参照データとなっております。完全なデータが必要な場合には、最新のデータシートをご覧ください。データシートについては、NXPの営業所にお問い合わせください。.

説明周波数レンジ: 各チャネル / 電圧ごとにデータをキャラクタライズした最小および最大周波数 (MHz)。fmごとにCTB、XMOD、CSO、IMD2およびIMD3をキャラクタライズしたチャネル数と出力電圧。雑音指数はdB、またノイズはpA/Sqrt (Hz)。FLは平坦度。Sは、光レシーバーの最小応答を示します。

Page 81: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

80 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.7.1 ベースステーション向けトランジスタ

http://www.nxp.com/products/mosfets/rf_power_transistors_ldmos/basestations/index.html#preview

ベースステーション向けRFパワートランジスタの品番体系

NXPセミコンダクターズのベースステーション用RFパワートランジスタが選ばれる理由`` 業界を牽引するテクノロジー (第 6、第7世代のLDMOS)`` 優れた (システム) 効率`` 比類ない耐久性`` 最先端のドハティアンプ設計`` 業界初の3.8 GHzドハティ`` 業界初の1チップドハティアンプ

NXPでは、800 MHzから3.8 GHz までで動作する、ベースステーション用RFパワートランジスタの完全なラインナップを提供しています。すべてのセルラー技術 (MC-GSM/EDGE、TDMA、(TD-S) CDMA、W-CDMA/UMTS) とWiMAX インフラをカバーしています。

3.7.1.1 0.7 - 1.0 GHzラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDS

MHz W % dB V

driver BLF6G21-10G SOT538A 10 - 2200 0.7 15 18.5 28driver BLM6G10-30 SOT834-1 700 - 1000 2 11.5 29 28driver BLM6G10-30G SOT822-1 700 - 1000 2 11.5 29 28driver BLF6G10(S)-45 SOT608 700 - 1000 1 7.8 22.5 28driver BLF6G10L(S)-40BRN SOT1112A3/B3 728 - 960 2.5 15 15 23final BLF6G10(LS)-135RN SOT502 700 - 1000 26.5 28 21 28final BLF6G10(LS)-160RN SOT502 700 - 1000 32 27 22.5 32final BLF6G10(LS)-200RN SOT502 688 - 1000 40 28.5 20 28final BLF6G10L(S)-260PRN SOT539A3/B3 728 - 960 40 27 27 22final BLF6G07L(S)-260PBM SOT1110A3/B3 728 - 810 60 31 21 28

B L F 6 G 22 L S -45 P R B N Ggullwing-shaped leads

specialtyoption: current sense lead

enhanced ruggednesspush-pull device

P1dB poweroption: earless package

option: low thermal resistivityoperating frequency (in 100MHz; maximum)

G: standard LDMOSLDMOS technology generation

F: LDMOS transistor in ceramic packageC: LDMOS transistor in air cavity plastic (ACP) packageD: fully integrated Doherty amplifierM: MMIC module

L: high frequency power transistorB: semiconductor die made of Si

B L F 6 G 22 L S -45 P R B N Ggullwing-shaped leads

specialtyoption: current sense lead

enhanced ruggednesspush-pull device

P1dB poweroption: earless package

option: low thermal resistivityoperating frequency (in 100MHz; maximum)

G: standard LDMOSLDMOS technology generation

F: LDMOS transistor in ceramic packageC: LDMOS transistor in air cavity plastic (ACP) packageD: fully integrated Doherty amplifierM: MMIC module

L: high frequency power transistorB: semiconductor die made of Si

3.7 RFパワートランジスタ

NEW:目指す設計に対して最適にRFパワートランジスタを選択頂くためのパラメータ検索機能を実装したセレクションガイド www.nxp.com/rfpower。

Page 82: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

81NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.7.1.2 1.4 - 1.7 GHzラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDS

MHz W % dB V

driver BLF6G15L(S)-40BRN SOT1112A3/B3 1475-1511 2,5 13 22 28final BLF6G15L(S)-250PBRN SOT1110A3/B3 1475-1511 60 32.5 18 28

3.7.1.3 1.8 - 2.0 GHzラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDS

MHz W % dB V

driver BLF6G21-10G SOT538A 10 - 2200 0.7 15 18.5 28driver BLF6G20-40 SOT608A 1800 - 2000 2.5 15 18.8 28driver BLF6G20(S)-45 SOT608B 1800 - 2000 2.5 14 19.2 28

final BLF6G20LS-75 SOT5021800 - 2000 29.5 37.5 19 281800 - 2000 63 52 19 28

final BLF6G20(LS)-110 SOT502 1800 - 2000 25 32 19 28final BLF6G20LS-140 SOT502B 1800 - 2000 35.5 30 16.5 28final BLF6G20-180PN SOT539A 1800 - 2000 50 29.5 18 32final BLF6G20(LS)-180RN SOT502B 1800 - 2000 40 27 17.2 30final BLF6G20-230PRN SOT539A 1800 - 2000 65 32 17.5 28final BLF7G20L(S)-140P SOT1121B3 1805 - 1880 20 31 17.5 28final BLF7G20L(S)-90P SOT1121A3/B3 1805 - 1880 84 56 19 28final BLF7G20L(S)-300P SOT539A3/B3 1805 - 1880 85 30 17 28final BLF7G20L(S)-200 SOT502A3/B3 1805 - 1880 50 30 17 28final BLF7G20L(S)-250P SOT539A3/B3 1805 - 1880 70 30 17 28

3.7.1.4 2.0 - 2.2 GHzラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDS

MHz W % dB V

driver BLF6G21-10G SOT538A 10 - 2200 0.7 15 18.5 28driver BLM6G22-30 SOT834-1 2100 - 2200 2 9 29.5 28driver BLM6G22-30G SOT882-1 2100 - 2200 2 9 29.5 28driver BLF6G22(S)-45 SOT608 2000 - 2200 2.5 13 18.5 28driver BLF6G22L(S)-40BN SOT1112A3/B3 2110 - 2170 2.5 16 19 28final BLF6G22LS-75 SOT502B 2000 - 2200 17 30.5 18.7 28final BLF6G22LS-100 SOT502B 2000 - 2200 25 29 18.5 28final BLF6G22L(S)-130 SOT502 2000 - 2200 30 28.5 17 28final BLF7G22LS-130 SOT502B 2000 - 2200 30 32 18.5 28final BLF6G22-180PN SOT539A 2000 - 2200 50 27.5 17.5 32final BLF6G22(LS)-180RN SOT502 2000 - 2200 40 25 16 30final BLF7G22L(S)-250PB SOT1110A3/B3 2110 - 2171 70 >17 30 28integrated Doherty BLD6G21L(S)-50 SOT1130 2010 - 2025 8 42 13.5 28integrated Doherty BLD6G22L(S)-50 SOT1130 2110 - 2170 8 38 13.3 28

3.7.1.5 2.3- 2.7 GHzラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDS

MHz W % dB V

driver BLF6G27-10(G) SOT975 2500 - 2700 2 20 19 28driver BLF6G27(S)-45 SOT608 2500 - 2700 7 24 18 28driver BLF6G27(LS)-75 SOT502 2500 - 2700 9 23 17 28driver BLF7G27L(S)-75P SOT1121A3/B3 2300 - 2400 10 26 17 28driver BLF7G27L(S)-50BN SOT1112A3/B3 2500 - 2700 3 15 17 28final BLF6G27(LS)-135 SOT502 2500 - 2700 20 22.5 16 32final BLF7G27L(S)-100 SOT502A3/B3 2500 - 2700 14 24 17.5 28final BLF7G24L(S)-100(G) SOT 502 A 2300 - 2400 14 24 18 28final BLF7G27L(S)-140 SOT502A3/B3 2500 - 2700 20 22 17 28final BLF7G27L(S)-200P SOT539 2500 - 2700 20 25 16.5 28

Page 83: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

82 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.7.1.6 3.5 - 3.8 GHZラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDS

MHz W % dB V

driver BLF6G38-10(G) SOT975 3400 – 3600 2 20 14 28driver BLF6G38(S)-25 SOT608 3400 – 3800 4.5 24 15 28driver BLF6G38(LS)-50 SOT502 3400 – 3800 9 23 14 28final BLF6G38(LS)-100 SOT502 3400 – 3600 18.5 21.5 13 28

Freqband(MHz)PPEAK(dBm)

POUT-AVG(dBm)

VDS(V)

Gain(dB)

DrainEff.(%)

Type Maintransistor Peaktransistor

728-821 MHz790-821 54.5 47.5 28 20 50 SYM 1/2 BLF7G10-300P 1/2 BLF7G10-300P790-821 55.5 47 28 19 42 SYM 1/2 BLF6G10-260PRN 1/2 BLF6G10-260PRN790-821 57.2 49.5 32 19 42 SYM BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN728-768 58 50 32 19 47 SYM BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN869-960 MHz869-894 52 44 28 20 48 SYM BLF6G10S-45 BLF6G10S-45869-894 52.7 44.5 28 15 50 3-WAY BLF6G10S-45 2x BLF6G10S-45869-894 53 45 28 tbd tbd SYM 1/2 BLF7G10LS-160P 1/2 BLF7G10LS-160P920-960 53 45 25 tbd tbd SYM 1/2 BLF7G10LS-160P 1/2 BLF7G10LS-160P920-960 56.2 48 28 18.5 40 SYM BLF6G10-135RN BLF6G10-135RN869-894 58 50 32 20.5 46 SYM BLF6G10-200RN BLF6G10-200RN925-960 58.3 50 32 21 39 SYM / MMPP 1/2 BLF6G10-260PRN 1/2 BLF6G10-260PRN925-960 58.9 50 32 22 44 SYM / MMPP 1/2 BLF6G10-260PRN 1/2 BLF6G10-260PRN869-894 58 tbd 28 tbd tbd ASYM BLF6G10-200RN BLF7G10-300P1476-1511 MHz 1476-1511 58 tbd 28 tbd tbd ASYM BLF6G15-250PB BLF6G15-250PB1476-1511 58.1 49.6 28 16 42 ASYM BLF7G15LS-200 BLF7G15LS-300P1805-1880 MHz (DCS)1805-1880 52 44 27 14.5 42 SYM 1/2 BLC6G20-130PG 1/2 BLC6G20-130PG1805-1880 52.5 44.5 28 16 44 SYM 1/2 BLF7G20LS-160P 1/2 BLF7G20LS-160P1805-1880 55 47 32 16 38 SYM 1/2 BLF6G20-230PRN 1/2 BLF6G20-230PRN1805-1880 55 47 28 15 40 SYM BLF6G18-140 BLF6G18-1401805-1880 55.5 47 28 16 41 SYM 1/2 BLF7G20-250P 1/2 BLF7G20-250P1805-1880 57.5 49.5 30 16 42 SYM BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-2001805-1880 57.9 50 32 15.5 37 SYM / MMPP BLF6G20-230PRN BLF6G20-230PRN1805-1880 58.2 50 28 16 42 SYM / MPPM BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P1930-1990 MHz (PCS)1930-1990 53 45 28 16.5 40 SYM BLF6G20-75 BLF6G20-751930-1990 55.2 46.4 28 16 39 SYM 1/2 BLF7G20LS-250P 1/2 BLF7G20LS-250P1930-1990 56 48 31 15.3 38 SYM BLF6G20-140 BLF6G20-1401930-1990 56 49 31 17 41 SYM 2x BLF6G20-75 2x BLF6G20-751930-1990 57.5 49.5 28 tbd tbd SYM BLF7G20LS-200 BLF7G20LS-2001930-1990 58 50 32 15.5 37 SYM BLF6G20-230PRN BLF6G20-230PRN1930-1990 58.2 50 28 16 40 SYM BLF7G20LS-250P BLF7G20LS-250P1880-2025 MHz (TD-SCDMA)2010-2025 47 39 28 14.4 41 SYM BLD6G21-50 BLF6G21-501880-2025 50 42 28 17 46 SYM 1/2 BLF7G20-90P 1/2 BLF7G20-90P2010-2025 50 42 28 17.2 47.2 SYM 1/2 BLF7G20-90P 1/2 BLF7G20-90P1880 - 1920 52.5 44.5 28 16 44 SYM 1/2 BLF7G20LS-160P 1/2 BLF7G20LS-160P2110-2170 MHz (UMTS / LTE)2110-2170 47 39 28 13 38 SYM BLD6G22-50 BLF6G22-502110-2170 54.7 46.5 28 16.5 43 SYM BLF6G22-100 BLF6G22-1002110-2170 54.9 47 28 17 43 SYM BLF7G22-130 BLF7G22-1302110-2170 55 47 28 15.5 38 SYM BLF6G22-130 BLF6G22-1302110-2170 55.5 46.4 28 15 43 ASYM BLF7G22LS-130 BLF7G22LS-2002110-2170 56 48 28 15 48 3-WAY BLF7G22-130 7G22-130/7G22-1302110-2170 56.5 48.5 28 16.2 41 SYM BLF7G22-200 BLF7G22-2002110-2170 57 49 32 14.5 41 ASYM BLF6G22-100 BLF6G22-180PN2110-2170 58 50 32 15 40 SYM BLF6G22-180PN BLF6G22-180PN2110-2170 58.5 51 tbd tbd tbd SYM BLF7G22LS-250P BLF7G22LS-250P2110-2170 59 51 tbd tbd tbd 3-WAY BLF7G22LS-160 BLF7G22LS-1602110-2170 55 47 28 17 43 SYM 1/2 BLF7G22LS-250P 1/2 BLF7G22LS-250P2300-2400 MHz (WiBRO / LTE)2300-2400 49.5 42 28 14.5 43 SYM 1/2 BLF7G27-75P 1/2 BLF7G27-75P2300-2400 52 44.5 28 tbd tbd ASYM BLF7G27S-50 BLF7G27LS-1002300-2400 52.5 45 28 tbd tbd SYM 1/2 BLF7G27LS-150P 1/2 BLF7G27LS-150P2500-2700 MHz (WiMAX / LTE)2570-2620 49.5 42 28 15 43 SYM 1/2 BLF7G27-75P 1/2 BLF7G27-75P2500-2700 50 42 28 15 37.5 SYM BLF6G27-45 BLF6G27-452500-2600 52 44 28 14 40 ASYM BLF6G27-45 2x BLF6G27-452600-2700 52 44 28 14 40 ASYM BLF6G27-45 2x BLF6G27-452600-2700 52 44 28 14 40 ASYM BLF6G27-45 BLC6G27-1002500-2700 52.5 44.5 28 14 38 SYM 1/2 BLF6G27-150P 1/2 BLF7G27-150P2300-2400 52.5 45 28 tbd tbd SYM 1/2 BLF7G27LS-150P 1/2 BLF7G27LS-150P2500-2700 55 47 28 tbd tbd ASYM BLF7G27LS-100 BLF7G27LS-1402500-2700 56.5 tbd tbd tbd tbd ASYM BLF7G27L-140B BLF7G27L-250PB 3300-3800 MHz (WiMAX)3400-3600 49.5 41.5 28 tbd tbd SYM 1/2 BLF7G38LS-75P 1/2 BLF7G38LS-75P3400-3600 51 43 28 11.5 32 SYM BLF6G38-50 BLF6G38-503400-3600 52.5 44.5 28 tbd tbd SYM BLF7G38-75 BLF7G38-75

3.7.1.7 LDMOSのドハティ設計

Page 84: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

83NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.7.2 ブロードキャスト / ISM (産業、科学、医療用) 向けRF パワートランジスタ

http://www.nxp.com/products/mosfets/rf_power_transistors_ldmos/broadcast_ism/index.html#preview

NXPセミコンダクターズのブロードキャスト / ISM アプリケーション向けRFパワートランジスタが選ばれる理由`` 最高のパワー`` 比類ない耐久性`` 最高のブロードバンドパフォーマンス`` クラス最高の設計サポート`` 信頼性の高い動作を目指した低熱抵抗設計

NXPの業界を牽引するLDMOSテクノロジーと高度なパッケージ技術は、クラス最高のパワーアンプのパフォーマンスをコンセプトとしています。すべてのブロードキャスト・テクノロジーに向けた業界で最も高い電力と堅牢性を誇ります。 弊社のポートフォリオには、極超短波 (UHF)、超短波 (VHF)、高周波 (HF) アプリケーションおよびISM周波帯をカバーします。

3.7.2.1 0-1000 MHz (UHF/VHF/HF/ISM) LDMOSラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDSModeofoperation

MHz W % dB V

driver

BLF871 SOT467C0 - 1000 100 47 21 40 2-TONE0 - 1000 24 33 22 40 DVB-T

driver BLF871S SOT467B0 - 1000 100 47 21 40 2-TONE0 - 1000 24 33 22 40 DVB-T

driver BLF881 SOT467C0 - 1000 140 49 21 50 2-TONE0 - 1000 33 34 21 50 DVB-T

driver BLF881S SOT467C0 - 1000 140 49 21 50 2-TONE0 - 1000 33 34 21 50 DVB-T

final BLF645 SOT540A0 - 1400 100 45 18 32 2-TONE0 - 1400 100 56 18 32 CW

driver BLF571 SOT467C 0 - 1000 20 70 27.5 50 CWfinal BLF573 SOT502A3 0 - 1000 300 70 27.2 50 CWfinal BLF573S SOT502B 0 - 1000 300 70 27.2 50 CWfinal BLF574 SOT539A 0 - 1000 500 70 26.5 50 CW

final BLF578 SOT539A0 - 1000 1200 71 24 50 PULSED RF0 - 1000 1000 75 26 50 CW

3.7.2.2 470-876 MHz (UHF) LDMOSラインナップ

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDSModeofoperation

MHz W % dB V

driver BLF871 SOT467C0 - 1000 100 47 21 40 2-TONE0 - 1000 24 33 22 40 DVB-T

driver BLF871S SOT467B0 - 1000 100 47 21 40 2-TONE0 - 1000 24 33 22 40 DVB-T

final BLF878 SOT979A470 - 860 300 32 21 42 CW470 - 860 75 46 21 42 DVB-T

driver BLF881S SOT467C0 - 1000 120 48 21 50 2-TONE0 - 1000 30 31 21 50 DVB-T

driver BLF881 SOT467C0 - 1000 120 48 21 50 2-TONE0 - 1000 30 31 21 50 DVB-T

final BLF888 SOT979A470 - 860 250 46 19 50 2-TONE470 - 860 110 31 19 50 DVB-T

final BLF888AS SOT539B470 - 860 250 46 19 50 2-TONE470 - 860 110 31 19 50 DVB-T

final BLF888A SOT539B470 - 860 255 47 19 50 2-TONE470 - 860 115 32 19 50 DVB-T

3.7.2.3 28-225 Mhz汎用VDMOS

Function Type Packagefrange PL(AV) ηD

Gp @VDSModeofoperation

MHz W % dB V

final BLF177 SOT121B 28-108 150 >35 20 50 CW class ABfinal BLF278 SOT262A1 108-225 250-300 50-80 14-20 50 CW class AB

Page 85: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

84 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.7.3 マイクロ波LDMOS RFパワートランジスタ

http://www.nxp.com/products/mosfets/rf_power_transistors_ldmos/microwave_ldmos/index.html#preview

マイクロ波向けRFパワートランジスタの品番体系

NXPセミコンダクターズのマイクロ波用RFパワートランジスタが選ばれる理由`` 高利得`` 優れた効率`` 最高の信頼性`` 向上されたパルスドループおよび挿入位相`` 向上された耐久性 – リスクなく+5 dBまでオーバードライブ`` 部品数を削減し、L・Sバンドのレーダー設計を簡素化`` 無害なROHS準拠のパッケージを使用

3.7.3.1 航空レーダー向けLDMOSトランジスタ

Function Type Packagefrange PL ηD

Gp @VDSModeofoperation

MHz W % dB V

driver BLL6H0514-25 SOT467C 500 - 1400 25 (min) 50 19 50 PULSED RF; class ABfinal BLA6H0912-500 SOT634A 960 - 1215 450 50 17 50 PULSED RF; class ABfinal BLA6H1011-600 SOT539A 1030 - 1090 600 52 19 50 PULSED RF; class ABfinal BLA6G1011-200R SOT502A2 1030 - 1090 200 65 20 28 PULSED RF; class AB

3.7.3.2 Lバンドレーダー向けLDMOSトランジスタ

Function Type Packagefrange PL ηD

Gp @VDSModeofoperation

MHz W % dB V

driver BLL6H0514-25 SOT467C 500 - 1400 25 (min) 50 19 50 PULSED RF; class ABfinal BLL6H1214-500 SOT539A 1200 - 1400 500 (min) 50 17 50 PULSED RF; class ABfinal BLL6H1214L(S)-250 SOT502 1200 - 1400 250 55 17 50 Pulsed RFfinal BLL6HL(S)0514-130 SOT1135 1200 - 1400 130 50 18 50 Pulsed RF

3.7.3.3 Sバンドレーダー向けLDMOSトランジスタ

Function Type Packagefrange PL ηD

Gp @VDSModeofoperation

MHz W % dB V

driver BLS6G2731-6G SOT975C 2700 - 3100 6 33 15 32 PULSED RF; class ABdriver BLS6G3135-20 SOT608A 3100 - 3500 20 45 15.5 32 PULSED RF; class ABdriver BLS6G3135S-20 SOT608B 3100 - 3500 20 45 15.5 32 PULSED RF; class ABfinal BLS6G2731-120 SOT502A 2700 - 3100 120 48 13.5 32 PULSED RF; class ABfinal BLS6G2731S-120 SOT502B 2700 - 3100 120 48 13.5 32 PULSED RF; class ABfinal BLS6G2933S-130 SOT922-1 2900 - 3300 130 47 12.5 32 PULSED RF; class ABfinal BLS6G3135-120 SOT502A 3100 - 3500 120 43 11 32 PULSED RF; class ABfinal BLS6G3135S-120 SOT502B 3100 - 3500 120 43 11 32 PULSED RF; class ABfinal BLS7G2933P-200 pallet 2900 - 3300 200 45 11 32 PULSED RF; class ABfinal BLS7G2731P-200 pallet 2700 - 3100 200 45 11 32 PULSED RF; class ABfinal BLS6G2731S-130 SOT922 2700 - 3100 130 49 13 32 Pulsed RFfinal BLS7G2729-300P SOT539A 2700-2900 300 50 15 32 Pulsed RFfinal BLS7G2729S-300P SOT539B 2700-2900 300 50 15 32 Pulsed RF

B L S 6 G 2731 S -120 Goption: gullwing shaped leads

P1dB powerS: earless packageP: pallet

frequency band (in 100MHz; here: 2700-3100)G: standard LDMOS (<=28V)H: high voltage LDMOS (50V)

LDMOS technology generationA: avionics frequency band operationL: L-Band frequency operationS: S-Band frequency operation

L: high frequency power transistorB: semiconductor die made of Si

Page 86: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

85NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

3.8.1 高速ADC

Type DescriptionSupplyVoltage

(V)

PowerDissipation

(mW)

SFDR(dBc)

SNR(dBFS)

DigitalInterface Package

ADC1613D series Dual 16-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with serial interface 1.8 / 3.3 445 93 73.2 JESD204A HVQFN56 8x8ADC1610S series Single 16-bit ADC up to 65/80/105/125Msps 1.8 / 3.3 350 93 73.2 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1415S series Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with input buffer 1.8 / 3.3/5 550 91 73.2 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1413D series * Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with serial interface 1.8 / 3.3 445 91 73.2 JESD204A HVQFN56 8x8ADC1412D series Dual 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps 1.8 / 3.3 350 91 73.2 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN64 9x9ADC1410S series Single 14-bit ADC up to 65/80/105/125Msps 1.8 / 3.3 350 91 73.2 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1215S series Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with input buffer 1.8 / 3.3/5 550 91 70.7 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1213D series Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with serial interface 1.8 / 3.3 445 91 70.7 JESD204A HVQFN56 8x8ADC1212D series * Dual 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps 1.8 / 3.3 350 91 70.7 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN64 9x9ADC1210S series Single 12-bit ADC up to 65/80/105/125Msps 1.8 / 3.3 350 91 70.7 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1207S080 Single 12-bit ADC 80 Msps 5 840 90 71 parallel LVCMOS HTQFN48 7x7ADC1206S series Single 12-bit ADC 40/50/70 Msps 3.3 / 5.0 550 72 64 parallel CMOS and TTL QFP44ADC1115S125 Single 11-bit ADC up to 125Msps with input buffer 1.8 / 3.3/5 790 90 66.7 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1113D125 Dual 11-bit ADC up to 125Msps with serial interface 1.8 / 3.3 635 90 66.7 JESD204A HVQFN56 8x8ADC1015S series Single 10-bit ADC up to 65/80/105/125Msps with input buffer 1.8 / 3.3/5 550 91 61.7 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1010S series Single 10-bit ADC up to 125Msps 1.8 / 3.3 350 91 61.7 LVCMOS and LVDS/DRR HVQFN40 6x6ADC1006S series Single 10-bit ADC 50/70 Msps 3.3 / 5.0 550 71 59 parallel CMOS and TTL QFP44

3.8.2 高速DAC

Type DescriptionSupplyVoltage

(V)

PowerDissipation

(mW)

SFDR(dBc)

Interpolation Package

DAC1408D series * Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps 1.8 / 3.3 850 77 2x, 4x, 8x HVQFN64 9x9DAC1405D series Dual 14-bit DAC up to 650/750 Msps 1.8 / 3.3 550 77 2x, 4x, 8x HTQFP100 14x14DAC1403D160 Dual 14-bit DAC 160 Msps 3.3 210 80 2x HTQFP80 12x12DAC1401D125 Dual 14-bit DAC 125 Msps 3.3 105 88 - LQFP48DAC1208D series Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps 1.8 / 3.3 850 77 2x, 4x, 8x HVQFN64 9x9DAC1205D series Dual 12-bit DAC up to 650/750 Msps 1.8 / 3.3 550 80 2x, 4x, 8x HTQFP100 14x14DAC1203D160 Dual 12-bit DAC 160 Msps 3.3 210 77 2x HTQFP80 12x12DAC1201D125 Dual 12-bit DAC 125 Msps 3.3 105 65 - LQFP48DAC1008D series Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps 1.8 / 3.3 850 77 2x, 4x, 8x HVQFN64 9x9DAC1005D series Dual 10-bit DAC up to 650/750 Msps 1.8 / 3.3 550 77 2x, 4x, 8x HTQFP100 14x14DAC1003D160 Dual 10-bit DAC 160 Msps 3.3 210 80 2x HTQFP80 12x12DAC1001D125 Dual 10-bit DAC 125 Msps 3.3 105 65 - LQFP48

* = 3.1新製品でステータスをご確認ください。このタイプは現時点では大量生産用にリリースされていません。赤の太字 = 新製品の推奨製品

3.8 高速データコンバータ

アナログパフォーマンス、電力の最適化、使用の簡素化は、通信に使用される高速データコンバータにおける継続的な課題となっています。長年、NXPは水面下で自社向けにデータコンバータを開発してきました。今、この高速データコンバータはあらゆる市場向けに開放されました。業界初のJEDEC JESD204Aのシリアルデータ・インターフェースを含む3つの異なるインターフェースを持った競争力のあるADCおよびDACの幅広いポートフォリオをご覧ください。

Page 87: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

86 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

4. 設計サポート本章では、WebリンクまたはNXP営業所 / 正規販売代理店への参照を示すことにより、設計サポート情報および資料を容易に検索できます。

4.1 Sパラメータ

Sパラメータは、特定の条件 (電圧や電流など) に合わせたデバイス動作のシミュレーションを支援します。

広帯域トランジスタ、FET、およびMMICまず、製品品番をクリックして、NXPセミコンダクターズWebページの対応する製品情報にジャンプします。次に、製品情報ページをスクロールしてSパラメータを探します。

WidebandtransistorsBF67 BFG540W BFR93AWBFG135 BFG541 BFS17BFG198 BFG590 BFS17ABFG21W BFG591 BFS17WBFG25A/X BFG93A BFS25ABFG31 BFG94 BFS505BFG35 BFG97 BFS520BFG310/XR BFM505 BFS540BFG310W/XR BFM520 BFT25BFG325/XR BFQ149 BFT25ABFG325W/XR BFQ18A BFT92BFG403W BFQ19 BFT92WBFG410W BFQ67 BFT93BFG424F BFQ67W BFT93WBFG424W BFR106 BFU725F/N1BFG425W BFR505 BRF505TBFG480W BFR520 PBR941BFG505 BFR540 PBR951BFG520 BFR92A PRF947BFG520W BFR92AW PRF949BFG540 BFR93A PRF957

FETsBF1211 BF1212 BF511BF1211R BF1212R BF513BF1211WR BF1212WR BF862

MMICsBGA2001 BGM1012 BGA6489BGA2003 BGM1013 BGA6589BGA2711 BGM1014 BGA2800 BGA2748 BGM2011 BGA2801 BGA2771 BGA2715 BGA2815 BGA2776 BGA2716 BGA2816 BGA2709 BGA2717 BGA2850 BGU7003 BGA2011 BGA2865 BGA2712 BGA2012 BGA2866 BGM1011 BGA6289

4.2 シミュレーションモデル

4.2.1 Spiceモデル

モデルは、最適な性能を実現頂くために有効で、その性能に影響を与える外部部品を特定するのに役立ちます。

広帯域トランジスタ、FET、およびバリキャップ・ダイオードまず、タイプ番号をクリックして、NXPセミコンダクターズWebページの対応する製品情報にジャンプします。次に、製品情報ページをスクロールしてSpiceモデルを探します。

WidebandtransistorsBFG10 BFG505 BFG92A/X BFR93AWBFG10/X BFG505/X BFG93A BFS17BFG10W/X BFG505W/X BFG94 BFS17ABFG135 BFG520 BFG97 BFS17WBFG198 BFG520/X BFM505 BFS25ABFG21W BFG520/XR BFM520 BFS505BFG25A/X BFG520W BFQ149 BFS520BFG25AW/X BFG520W/X BFQ18A BFS540BFG31 BFG540 BFQ19 BFT25ABFG310/XR BFG540/X BFQ540 BFT92BFG310W/XR BFG540/XR BFQ67 BFT92WBFG325/XR BFG540W BFQ67W BFT93BFG325W/XR BFG540W/X BFR106 BFT93WBFG35 BFG540W/XR BFR505 PBR941BFG403W BFG541 BFR505T PBR951BFG410W BFG590 BFR520 PRF947BFG424F BFG590/X BFR540 PRF949BFG424W BFG591 BFR92A PRF957BFG425W BFG67 BFR92AWBFG480W BFG67/X BFR93A

FETsBF862 BF908 BF909 BF998BF904

VaricapdiodesBB145B BB156 BB201 BB208-02BB149 BB179 BB202BB149A BB179B BB207

RF設計を最新のRF EDAソフトウェアで能率化 NXPのハイパフォーマンスRF小信号製品の設計キット 。NXPでは、業界標準のRF Electronic Design Automation (EDA) ソフトウェアをサポートするRF小信号ポートフォリオ を提供しています。Ansoft Designer RF、AWR Microwave OfficeおよびAgilent Advanced Design System (ADS) のEDAソフトウェアをサポートしており、インストールマニュアルはNXPウェブサイト (www.nxp.com/models) よりご確認いただけます。シミュレーションを実行することで設計状態を予測できるRF EDAソフトウェアにより、設計エンジニアは設計サイクルを減らすことができ、リスクを低減、RFアプリケーションに最適なRFコンポーネントを選択できるようになります。

Page 88: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

87NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

4.2.2 RFパワーデバイス・シミュレーションモデル

設計を簡単にするために、NXPでは、完全に物理ベースの電熱モデルをほとんどのRFパワートランジスタに対して提供しています。これらのモデルは、Agilent社のAdvanced Design System (ADS)® およびApplied Wave Research (AWR) 社のMicrowave Office (MWO)® で使用できます。製品毎に開発された新モデルは、物理ベースモデルの第一人者NXP Researchが開発したクラス最高のRFLDMOSモデルをベースとしています。このコンセプトでは、幅広い導電条件において最も信頼できるシミュレーション結果が得られています。標準モデルは DC、AC、Sパラメータ (小信号)、ハーモニックバランス (大信号) および時間領域シュミレーションを完全サポートします。NXP RFパワーモデルなら、設計者は複雑なPAシステムのパフォーマンスを開発プロセスの早期段階で評価できます。現在ご利用いただけるモデルには、必要なライブラリとドキュメントが付属し、これらはNXPウェブサイトでダウンロードしていただけます。

ProductTypeADS

ModelMWOModel

ProductTypeADS

ModelMWOModel

BLF369 Y N BLF6G27(S)-45 Y YBLF3G21-6 Y N BLF6G27(LS)-135 Y NBLF571 Y Y BLF6G27(LS)-75 Y NBLF573(S) Y Y BLF6G38-10(G) Y NBLF574 Y Y BLF6G38(LS)-100 Y NBLF578 Y Y BLF6G38(LS)-50 Y YBLF645 Y N BLF6G38(S)-25 Y YBLF6G10(LS)-135RN N Y BLF7G22L(S)-130 Y NBLF6G10L(S)-260PRN Y N BLF871(S) Y NBLF6G10(S)-45 Y Y BLF878 Y NBLF6G20-45 Y Y BLF881(S) Y NBLF6G20(LS)-180RN Y N BLF888 Y NBLF6G20(S)-230PRN Y N BLL6H0514-25 Y NBLF6G20S-45 Y Y BLL6H1214-500 Y NBLF6G21-10G Y N BLM6G22-30 Y NBLF6G22(LS)-180RN Y N BLS6G3135(S)-120 Y NBLF6G27-10(G) Y N BLS6G3135(S)-20 Y N

4.3 アプリケーション・ノート

http://www.nxp.com/products/all_appnotes/

アプリケーションノートについては、本マニュアルの第1章をご覧ください。各アプリケーションについては、推奨されるアプリケーションノートを提供しており、Web上で入手できる場合はリンクを示してあります (インタラクティブリンクつき)。または、お近くのNXP営業所または正規代理店にお問い合わせください (最終章:「連絡先とWebリンク」をご覧ください)。

4.4 デモボード

BGA2001デモボード

4.4.1 IC, MMICおよびSiGe:Cトランジスタ・デモボード

RF小信号のデモボードは、お近くのNXP営業所または正規販売代理店 (最終章の「Webリンクと連絡先」をご覧ください) から入手できます (数に限りがあります)。

RFsmallsignaldemoboardsBFU725F/N1 BGA2776 BGM1011 TFF11096HN BGA2001 BGA2800 BGM1012 TFF11101HN BGA2003 BGA2801 BGM1013 TFF11105HN BGA2011 BGA2815 BGM1014 TFF11110HN BGA2012 BGA2816 BGU7003 TFF11115HN BGA2031 BGA2850 BGU7005 TFF11121HN BGA2709 BGA2865 TFF1003HN TFF11126HN BGA2711 BGA2866 TFF11070HN TFF11132HN BGA2712 BGA6289 TFF11073HN TFF11139HN BGA2714 BGA6489 TFF11077HN TFF11145HN BGA2715 BGA6589 TFF11080HN TFF11152HNBGA2716 BGA6589 TFF11084HN BGA2748 BGA7024 TFF11088HN BGA2771 BGA7124 TFF11092HN

BGU7005デモボード BGA7124デモボード

4.4.2 RFパワートランジスタ・デモボード

デモボードは、お近くのNXP営業所または正規販売代理店 (最終章の「Webリンクと連絡先」をご覧ください) から入手できます (数に限りがあります)。

Page 89: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

88 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

4.4.3 高速コンバータ・デモボード

高速コンバータのデモボードは、お近くのNXP営業所または正規販売代理店 (最終章の「Webリンクと連絡先」をご覧ください) から入手できます (数に限りがあります)。

ADCデモボード DACデモボードType TypeADC1006S series DAC1001D125ADC1010S series DAC1003D160ADC1015S series DAC1005D seriesADC1113D125 DAC1201D125ADC1115S125 DAC1203D160ADC1206S series DAC1401D125ADC1207S080 DAC1403D160ADC1210S series DAC1405D seriesADC1212D series DAC1205D seriesADC1213D series DAC1408D seriesADC1215S series DAC1208D seriesADC1410S series DAC1008D seriesADC1412D seriesADC1413D series

NXPの販売代理店によっては異なるバージョンを取り扱っています。

ADC1415S seriesADC1610S seriesADC1613D series

4.5 開発中の製品サンプル

開発中の製品サンプルについては、お近くのNXP営業所または正規販売代理店にお問い合わせください (最終章の「Webリンクと連絡先」をご覧ください)。RF開発チームより開発中の最新版を注文できます。

4.6 リリース済の製品サンプル

リリースされているすべての製品については、サンプルの在庫があります。オンライン・サンプル・ストアへのリンクは、NXPのWebサイトwww.nxp.comにあります。

4.7 データシート

リリースされているすべての製品については、NXPセミコンダクターズのWebページにデータシートが用意されています。本書の第1章または第2章にある製品品番をクリックすると、NXPセミコンダクターズのWebページにある製品情報ページにジャンプします。

4.8 技術サポート

アプリケーションエンジニアによるサポートが必要な場合には、お近くのNXP営業所または正規販売代理店にお問い合わせください (最終章の「Webリンクと連絡先」をご覧ください)。お客様のご要望をRF開発チームにお伝えいたします。

4.9 新インタラクティブ・セレクション・ガイド

すべてのRF製品グループは、目指す設計に対して最適な製品を選択頂くためのpらメータ検索機能をご用意しております。(例:www.nxp.com/mmics)

Page 90: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

88 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Page 91: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

89NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

5. クロス・リファレンスおよび代替製品

NXPクロス・リファレンス: http://www.nxp.com/search/

NXP生産終了品: http://www.nxp.com/products/eol/

5.1 クロス・リファレンス: 他社製品に対応するNXP製品

製造品番 (アルファベット順)略語:

BSダイオード CATV PD CATV PPA CATV PPA/HG CATV RA FET Standard MMIC Varicap WB trs 1-4 WB trs 5-7

バンドスイッチ・ダイオードCATVパワーダブラー CATVプッシュ・プルアンプ高利得CATVプッシュ・プルアンプCATVリバースアンプ電界効果トランジスタ業界標準モノリシックマイクロ波集積回路バリキャップ・ダイオード広帯域トランジスタ第1〜4世代広帯域トランジスタ第5〜7世代

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

10500 Microsemi BLA6H0912-500 Microwave10502 Microsemi BLA6H0912-500 Microwave0910-150M Microsemi BLF871 Broadcast0910-300M Microsemi BLF878 Broadcast0910-60M Microsemi BLF878 Broadcast0912-45 Microsemi BLL6H0514-25 Microwave1011LD200 Microsemi BLA6G1011-200R Microwave1011LD300 Microsemi BLA6G1011-200R Microwave1015MP Microsemi BLL6H0514-25 Microwave1035MP Microsemi BLL6H0514-25 Microwave1214-30 Microsemi BLL6H0514-25 Microwave1214-32L Microsemi BLL6H0514-26 Microwave1SS314 Toshiba BA591 BS diode1SS356 Rohm BA591 BS diode1SS381 Toshiba BA277 BS diode1SS390 Rohm BA891 BS diode1SV172 Toshiba BAP50-04 PIN diode1SV214 Toshiba BB149 Varicap1SV214 Toshiba BB149A Varicap1SV215 Toshiba BB153 Varicap1SV228 Toshiba BB201 Varicap1SV231 Toshiba BB152 Varicap1SV232 Toshiba BB148 Varicap1SV233 Sanyo BAP70-03 PIN diode1SV234 Sanyo BAP64-04 PIN diode1SV239 Toshiba BB145B Varicap1SV241 Sanyo BAP64-02 PIN diode1SV246 Sanyo BAP64-04W PIN diode1SV247 Sanyo BAP70-02 PIN diode1SV248 Sanyo BAP50-02 PIN diode1SV249 Sanyo BAP50-04W PIN diode1SV250 Sanyo BAP50-03 PIN diode1SV251 Sanyo BAP50-04 PIN diode1SV252 Toshiba BAP50-04W PIN diode

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

1SV254 Toshiba BB179 Varicap1SV263 Sanyo BAP50-02 PIN diode1SV264 Sanyo BAP50-04W PIN diode1SV266 Sanyo BAP50-03 PIN diode1SV267 Sanyo BAP50-04 PIN diode1SV269 Toshiba BB148 Varicap1SV270 Toshiba BB156 Varicap1SV271 Toshiba BAP50-03 PIN diode1SV278 Toshiba BB179 Varicap1SV279 Toshiba BB179 Varicap1SV282 Toshiba BB178 Varicap1SV282 Toshiba BB187 Varicap1SV283 Toshiba BB178 Varicap1SV283 Toshiba BB187 Varicap1SV284 Toshiba BB156 Varicap1SV288 Toshiba BB152 Varicap1SV290 Toshiba BB182 Varicap1SV294 Sanyo BAP70-03 PIN diode1SV305 Toshiba BB202 Varicap1SV307 Toshiba BAP51-03 PIN diode1SV308 Toshiba BAP51-02 PIN diode1SV322 Toshiba BB202LX Varicap1T362 PEC BB149 Varicap1T362A PEC BB149A Varicap1T363A PEC BB153 Varicap1T368A PEC BB148 Varicap1T369 PEC BB152 Varicap1T379 PEC BB131 Varicap1T397 PEC BB152 Varicap1T399 PEC BB148 Varicap1T402 PEC BB179B Varicap1T403 PEC BB178 Varicap1T404A PEC BB187 Varicap1T405A PEC BB187 Varicap

Page 92: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

90 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

1T406 PEC BB182 Varicap1T408 PEC BB187 Varicap2729-125 Microsemi BLS6G2731-120 Microwave2729-170 Microsemi BLS6G2731-120 Microwave2731-100M Microsemi BLS6G2731-120 Microwave2931-150 Microsemi BLS6G2731-120 Microwave2F1G20DS RFHIC CGD1042H CATV PD2F1G20P RFHIC CGY1041 CATV PP2F1G22DS RFHIC CGD1042H CATV PD2F1G23P RFHIC CGY1043 CATV PP2F1G24DS RFHIC CGD1044H CATV PD2F722DS RFHIC BGD816L CATV PD2F8718P RFHIC BGY885A CATV PP2F8719DS RFHIC BGD812 CATV PD2F8720DS RFHIC BGD814 CATV PD2F8723P RFHIC BGY887 CATV PP2F8734P RFHIC CGY888C CATV PP2N3330 Standard J176 FET2N3331 Standard J176 FET2N4220 Standard BF245A FET2N4856 Standard BSR56 FET2N4857 Standard BSR57 FET2N4858 Standard BSR58 FET2N5114 Standard J174 FET2N5115 Standard J175 FET2N5116 Standard J175 FET2N5432 Standard J108 FET2N5433 Standard J108 FET2N5434 Standard J109 FET2N5457 Standard BF245A FET2N5458 Standard BF245A FET2N5459 Standard BF245B FET2N5653 Standard J112 FET2N5654 Standard J111 FET2SC4094 NEC BFG520/XR WB trs 1-42SC4095 NEC BFG520/XR WB trs 1-42SC4182 NEC BFS17W WB trs 1-42SC4184 NEC BFS17W WB trs 1-42SC4185 NEC BFS17W WB trs 1-42SC4186 NEC BFR92AW WB trs 1-42SC4226 NEC PRF957 WB trs 1-42SC4227 NEC BFQ67W WB trs 1-42SC4228 NEC BFS505 WB trs 1-42SC4247 Toshiba BFR92AW WB trs 1-42SC4248 Toshiba BFR92AW WB trs 1-42SC4315 Toshiba BFG520/XR WB trs 1-42SC4320 Toshiba BFG520/XR WB trs 1-42SC4321 Toshiba BFQ67W WB trs 1-42SC4325 Toshiba BFS505 WB trs 1-42SC4394 Toshiba PRF957 WB trs 1-42SC4536 NEC BFQ19 WB trs 1-42SC4537 Renesas BFR93AW WB trs 1-42SC4592 Renesas BFG520/XR WB trs 1-42SC4593 Renesas BFS520 WB trs 1-42SC4703 NEC BFQ19 WB trs 1-42SC4784 Renesas BFS505 WB trs 1-42SC4807 Renesas BFQ18A WB trs 1-42SC4842 Toshiba BFG540W/XR WB trs 1-42SC4899 Renesas BFS505 WB trs 1-42SC4900 Renesas BFG520/XR WB trs 1-42SC4901 Renesas BFS520 WB trs 1-42SC4988 Renesas BFQ540 WB trs 1-42SC5011 NEC BFG540W/XR WB trs 1-42SC5012 NEC BFG540W/XR WB trs 1-42SC5065 Toshiba PRF957 WB trs 1-42SC5085 Toshiba PRF957 WB trs 1-42SC5087 Toshiba BFG520/XR WB trs 1-42SC5088 Toshiba BFG540W/XR WB trs 1-42SC5090 Toshiba BFS520 WB trs 1-42SC5092 Toshiba BFG520/XR WB trs 1-42SC5095 Toshiba BFS505 WB trs 1-42SC5107 Toshiba BFS505 WB trs 1-42SC5463 Toshiba BFQ67W WB trs 1-42SC5593 Renesas BFG410W WB trs 5-72SC5594 Renesas BFG425W WB trs 5-72SC5623 Renesas BFG410W WB trs 5-7

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

2SC5624 Renesas BFG425W WB trs 5-72SC5631 Renesas BFQ540 WB trs 1-42SC6023 Sanyo BFG424W WB trs 5-72SJ105GR Standard J177 FET2SK163-K Renesas J113 FET2SK163-L Renesas J113 FET2SK163-M Renesas J113 FET2SK163-N Renesas J113 FET2SK210BL Renesas PMBFJ309 FET2SK370BL Renesas J109 FET2SK370GR Renesas J109 FET2SK370V Renesas J109 FET2SK381 Renesas J113 FET2SK43 Renesas J113 FET2SK435 Renesas J113 FET2SK508 Renesas PMBFJ308 FET3SK290 Renesas BF998WR FETBA592 Infineon BA591 BS diodeBA595 Infineon BAP51-03 PIN diodeBA595 Infineon BAP70-03 PIN diodeBA597 Infineon BAP70-03 PIN diodeBA885 Infineon BAP70-03 PIN diodeBA892 Infineon BA891 BS diodeBA892-02V Infineon BA277 PIN diodeBA892-02V Infineon BA891 PIN diodeBA892V-02V-GS08 Vishay BA891 PIN diodeBA895 Infineon BAP70-02 PIN diodeBAR14-1 Infineon BAP70-03 PIN diodeBAR15-1 Infineon BAP70-03 PIN diodeBAR16-1 Infineon BAP70-03 PIN diodeBAR17 Infineon BAP50-03 PIN diodeBAR50-02L Infineon BAP50LX PIN diodeBAR50-02V Infineon BAP50-02 PIN diodeBAR50-02V Infineon BAP50-03 PIN diodeBAR50-02V Infineon BAP50-05 PIN diodeBAR50-03W Infineon BAP70-02 PIN diodeBAR60 Infineon BAP50-03 PIN diodeBAR61 Infineon BAP50-03 PIN diodeBAR63 Infineon BAP63-03 PIN diodeBAR63-02L Infineon BAP63-02 PIN diodeBAR63-02L Infineon BAP63LX PIN diodeBAR63-02V Infineon BAP63-02 PIN diodeBAR63-02W Infineon BAP63-02 PIN diodeBAR63-03W Infineon BAP63-03 PIN diodeBAR63-05 Infineon BAP63-05W PIN diodeBAR63-05W Infineon BAP63-05W PIN diodeBAR63V-02V-GS08 Vishay BAP63-02 PIN diodeBAR63V-05W-GS08 Vishay BAP63-05W PIN diodeBAR64-02LRH Infineon BAP64LX PIN diodeBAR64-02V Infineon BAP64-02 PIN diodeBAR64-02W Infineon BAP64-02 PIN diodeBAR64-03W Infineon BAP64-03 PIN diodeBAR64-04 Infineon BAP64-04 PIN diodeBAR64-04W Infineon BAP64-04W PIN diodeBAR64-05 Infineon BAP64-05 PIN diodeBAR64-05W Infineon BAP64-05W PIN diodeBAR64-06 Infineon BAP64-06 PIN diodeBAR64-06W Infineon BAP64-06W PIN diodeBAR64V-02V-GS08 Vishay BAP64-02 PIN diodeBAR64V-04-GS08 Vishay BAP64-04 PIN diodeBAR64V-05-GS08 Vishay BAP64-05 PIN diodeBAR64V-06-GS08 Vishay BAP64-06 PIN diodeBAR64V-06W-GS08 Vishay BAP64-06W PIN diodeBAR65-02L Infineon BAP65LX PIN diodeBAR65-02V Infineon BAP65-02 PIN diodeBAR65-02W Infineon BAP65-02 PIN diodeBAR65-03W Infineon BAP65-03 PIN diodeBAR65V-02V-GS08 Vishay BAP65-02 PIN diodeBAR66 Infineon BAP1321-04 PIN diodeBAR67-02W Infineon BAP1321-02 PIN diodeBAR67-03W Infineon BAP1321-03 PIN diodeBAT18-04 Infineon BAT18 PIN diodeBB304C Renesas BF1201WR FETBB304M Renesas BF1201R FETBB305C Renesas BF1201WR FETBB305M Renesas BF1201R FET

Page 93: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

91NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

BB403M Renesas BF909R FETBB501C Renesas BF1202WR FETBB501M Renesas BF1202R FETBB502C Renesas BF1202WR FETBB502M Renesas BF1202R FETBB503C Renesas BF1202WR FETBB503M Renesas BF1202R FETBB535 Infineon BB149 VaricapBB545 Infineon BB149A VaricapBB555 Infineon BB179B VaricapBB565 Infineon BB179 VaricapBB601M Renesas BF1202 FETBB639 Infineon BB148 VaricapBB639 Infineon BB153 VaricapBB640 Infineon BB152 VaricapBB641 Infineon BB152 VaricapBB659 Infineon BB178 VaricapBB664 Infineon BB178 VaricapBB664 Infineon BB187 VaricapBB669 Infineon BB152 VaricapBB814 Infineon BB201 VaricapBB831 Infineon BB131 VaricapBB833 Infineon BB131 VaricapBB835 Infineon BB131 VaricapBBY58-02V Infineon BB202 VaricapBBY65 Infineon BB202 VaricapBF1005S Infineon BF1105 FETBF1009S Infineon BF1109 FETBF1009SW Infineon BF1109WR FETBF2030 Infineon BF1101 FETBF2030R Infineon BF1101R FETBF2030W Infineon BF1101WR FETBF244A Standard BF245A FETBF244B Standard BF245B FETBF244C Standard BF245C FETBF247A Standard J108 FETBF247B Standard J108 FETBF247C Standard J108 FETBF256A Standard BF245A FETBF256B Standard BF245B FETBF256C Standard BF245C FETBF770A Infineon BFR93A WB trs 1-4BF771 Infineon PBR951 WB trs 1-4BF771W Infineon BFS540 WB trs 1-4BF772 Infineon BFG540 WB trs 1-4BF775 Infineon BFR92A WB trs 1-4BF775A Infineon BFR92A WB trs 1-4BF775W Infineon BFR92AW WB trs 1-4BF851A Standard BF861A FETBF851B Standard BF861B FETBF851C Standard BF861C FETBF994S Vishay BF994S FETBF996S Vishay BF996S FETBF998 Infineon BF998 FETBF998 Vishay BF998 FETBF998-GS08 Vishay BF998 FETBF998R Vishay BF998R FETBF998R-GS08 Vishay BF998R FETBF998RW Vishay BF998WR FETBF998W Infineon BF998WR FETBFG135A Infineon BFG135 WB trs 1-4BFG193 Infineon BFG198 WB trs 1-4BFG194 Infineon BFG31 WB trs 1-4BFG196 Infineon BFG541 WB trs 1-4BFG19S Infineon BFG97 WB trs 1-4BFG235 Infineon BFG135 WB trs 1-4BFP180 Infineon BFG505/X WB trs 1-4BFP181 Infineon BFG67/X WB trs 1-4BFP181T-GS08 Vishay BFG67/X WB trs 1-4BFP182 Infineon BFG67/X WB trs 1-4BFP183 Infineon BFG520/X WB trs 1-4BFP183R Infineon BFG520/XR WB trs 1-4BFP183T-GS08 Vishay BFG520/X WB trs 1-4BFP183TW-GS08 Vishay BFG520W/X WB trs 1-4BFP193 Infineon BFG540/X WB trs 1-4BFP193W Infineon BFG540W/XR WB trs 1-4

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

BFP196T-GS08 Vishay BFG540/X WB trs 1-4BFP196TR-GS08 Vishay BFG540/XR WB trs 1-4BFP196TRW-GS08 Vishay BFG540W/XR WB trs 1-4BFP196TW-GS08 Vishay BFG540W/X WB trs 1-4BFP196W Infineon BFG540W/XR WB trs 1-4BFP280 Infineon BFG505/X WB trs 1-4BFP405 Infineon BFG410W WB trs 5-7BFP420 Infineon BFG425W WB trs 5-7BFP450 Infineon BFG480W WB trs 5-7BFP67-GS08 Vishay BFG67/X WB trs 1-4BFP67R-GS08 Vishay BFG67/X WB trs 1-4BFP740 Infineon BFU725F WB trs 5-7BFP740F Infineon BFU725F WB trs 5-7BFP81 Infineon BFG92A/X WB trs 1-4BFP92A-GS08 Vishay BFG92A/X WB trs 1-4BFP93A Infineon BFG93A/X WB trs 1-4BFP93A-GS08 Vishay BFG93A/X WB trs 1-4BFQ193 Infineon BFQ540 WB trs 1-4BFQ19S Infineon BFQ19 WB trs 1-4BFQ67-GS08 Vishay BFQ67W WB trs 1-4BFR106 Infineon BFR106 WB trs 1-4BFR180 Infineon BFR505 WB trs 1-4BFR180W Infineon BFS505 WB trs 1-4BFR181 Infineon BFR520 WB trs 1-4BFR181T-GS08 Vishay BFR520 WB trs 1-4BFR181TW-GS08 Vishay BFS520 WB trs 1-4BFR181W Infineon BFS520 WB trs 1-4BFR182 Infineon PBR941 WB trs 1-4BFR182W Infineon PRF947 WB trs 1-4BFR183 Infineon PBR951 WB trs 1-4BFR183T-GS08 Vishay PBR951 WB trs 1-4BFR183TW-GS08 Vishay PRF957 WB trs 1-4BFR183W Infineon PRF957 WB trs 1-4BFR193 Infineon PBR951 WB trs 1-4BFR193TW-GS08 Vishay PRF957 WB trs 1-4BFR193W Infineon PRF957 WB trs 1-4BFR196T-GS08 Vishay BFR540 WB trs 1-4BFR196TW-GS08 Vishay BFS540 WB trs 1-4BFR35AP Infineon BFR92A WB trs 1-4BFR92AL Freescale BFR92A WB trs 1-4BFR92AW-GS08 Vishay BFR92AW WB trs 1-4BFR92P Infineon BFR92A WB trs 1-4BFR92W Infineon BFR92AW WB trs 1-4BFR93A Infineon BFR93A WB trs 1-4BFR93AL Freescale BFR93A WB trs 1-4BFR93AW Infineon BFR93AW WB trs 1-4BFR93AW-GS08 Vishay BFR93AW WB trs 1-4BFR93-GS08 Vishay BFR93A WB trs 1-4BFS17-GS08 Vishay BFS17 WB trs 1-4BFS17-GS08 Vishay BFS17A WB trs 1-4BFS17L Freescale BFS17 WB trs 1-4BFS17P Infineon BFS17A WB trs 1-4BFS17W Infineon BFS17W WB trs 1-4BFS17W-GS08 Vishay BFS17W WB trs 1-4BFS481 Infineon BFM505 WB trs 1-4BFS483 Infineon BFM520 WB trs 1-4BFT92 Infineon BFT92 WB trs 1-4BFT93 Infineon BFT93 WB trs 1-4BIC701C Renesas BF1105WR FETBIC701M Renesas BF1105R FETBIC702C Renesas BF1105WR FETBIC702M Renesas BF1105R FETBIC801M Renesas BF1105 FETBSR111 Standard PMBFJ111 FETBSR112 Standard PMBFJ112 FETBSR113 Standard PMBFJ113 FETBSR174 Standard PMBFJ174 FETBSR175 Standard PMBFJ175 FETBSR176 Standard PMBFJ176 FETBSR177 Standard PMBFJ177 FETCA901 Standard BGX885N CATV PPACA901A Standard BGX885N CATV PPACA922 Standard BGD885 CATV PD CA922A Standard BGD885 CATV PD CMY91 Infineon BGA2022 MMICCMY91 Infineon BGA2022 WB trs 1-4

Page 94: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

92 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

CXE1089Z RFMD BGA6489 MMICCXE1089Z RFMD BGA6589 MMICD5540185 Standard BGD502 CATV PD D7540185 Standard BGD702 CATV PD D7540200 Standard BGD704 CATV PD D8640185 Standard BGD802 CATV PD DME500 Microsemi BLAH0912-500 MicrowaveEC2C03C Sanyo BB145B VaricapF2046 POLYFET BLF542 BroadcastF2048 POLYFET BLF543 BroadcastF2247 POLYFET BLF522 BroadcastFSD273TA Skyworks BB148 VaricapFSD273TA Skyworks BB178 VaricapHBFP0405 Agilent BFG410W WB trs 5-7HBFP0420 Agilent BFG425W WB trs 5-7HBFP0450 Agilent BFG480W WB trs 5-7HSC277 Renesas BA277 BS diodeHSMP3800 Agilent BAP70-03 PIN diodeHSMP3802 Agilent BAP50-04 PIN diodeHSMP3804 Agilent BAP50-05 PIN diodeHSMP3810 Agilent BAP50-03 PIN diodeHSMP3814 Agilent BAP50-05 PIN diodeHSMP381B Agilent BAP50-03 PIN diodeHSMP381C Agilent BAP50-05 PIN diodeHSMP381F Agilent BAP64-05W PIN diodeHSMP3820 Agilent BAP1321-03 PIN diodeHSMP3822 Agilent BAP1321-04 PIN diodeHSMP3830 Agilent BAP64-03 PIN diodeHSMP3832 Agilent BAP64-04 PIN diodeHSMP3833 Agilent BAP64-06 PIN diodeHSMP3834 Agilent BAP64-05 PIN diodeHSMP3860 Agilent BAP50-03 PIN diodeHSMP3862 Agilent BAP50-04 PIN diodeHSMP3864 Agilent BAP50-05 PIN diodeHSMP386B Agilent BAP50-02 PIN diodeHSMP386E Agilent BAP50-04W PIN diodeHSMP386L Agilent BAP50-05W PIN diodeHSMP3880 Agilent BAP51-03 PIN diodeHSMP3890 Agilent BAP51-03 PIN diodeHSMP3892 Agilent BAP64-04 PIN diodeHSMP3894 Agilent BAP64-05 PIN diodeHSMP3895 Agilent BAP51-02 PIN diodeHSMP389B Agilent BAP51-02 PIN diodeHSMP389C Agilent BAP64-04 PIN diodeHSMP389F Agilent BAP51-05W PIN diodeHVB14S Renesas BAP50-04W PIN diodeHVC131 Renesas BAP65-02 PIN diodeHVC132 Renesas BAP51-02 PIN diodeHVC200A Renesas BB178 VaricapHVC200A Renesas BB187 VaricapHVC202A Renesas BB179 VaricapHVC202B Renesas BB179B VaricapHVC300A Renesas BB182 VaricapHVC300B Renesas BB182 VaricapHVC306A Renesas BB187 VaricapHVC306B Renesas BB187 VaricapHVC355B Renesas BB145B VaricapHVC359 Renesas BB202 VaricapHVC363A Renesas BB178 VaricapHVC376B Renesas BB198 VaricapHVC376B Renesas BB202 VaricapHVD132 Renesas BAP51-02 PIN diodeHVU131 Renesas BAP65-03 PIN diodeHVU132 Renesas BAP51-03 PIN diodeHVU202(A) Renesas BB149 VaricapHVU202(A) Renesas BB149A VaricapHVU300A Renesas BB152 VaricapHVU307 Renesas BB148 VaricapHVU315 Renesas BB148 VaricapHVU316 Renesas BB131 VaricapHVU363A Renesas BB148 VaricapHVU363A Renesas BB153 VaricapHVU363B Renesas BB148 VaricapIB0810M100 Integra BLF871 BroadcastIB0912L30 Integra BLA6H0514-25 MicrowaveIB0912L70 Integra BLA6H0514-25 Microwave

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

IB0912M210 Integra BLA6H0514-25 MicrowaveIB0912M500 Integra BLA6H0912-500 MicrowaveIB0912M600 Integra BLA6H0912-500 MicrowaveIB1011L15 Integra BLA6H0514-25 MicrowaveIB1011L220 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveIB1011L40 Integra BLA6H0514-25 MicrowaveIB1011L470 Integra BLA6H0912-500 MicrowaveIB1011M140 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveIB1011M190 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveIB1011M250 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveIB1011S190 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveIB1011S250 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveIB1012S10 Integra BLA6H0514-25 MicrowaveIB1012S20 Integra BLA6H0514-25 MicrowaveIB2729M5 Integra BLS6G2731-6G MicrowaveIB2729M90 Integra BLS6G2731-120 MicrowaveIB2731M110 Integra BLS6G2731-120 MicrowaveIB2731MH110 Integra BLS6G2731-120 MicrowaveIB2931MH155 Integra BLS6G2731-120 MicrowaveIB3134M100 Integra BLS6G3135S-120 MicrowaveIB3135MH100 Integra BLS6G3135S-120 MicrowaveIBP1214M700 Integra BLL6H1214-500 MicrowaveIBP1214M700 Integra BLL6H1214-500 MicrowaveIBP3135M150 Integra BLS6G3135S-120 MicrowaveIDM175CW300 Integra BLF278 BroadcastIDM500CW150 Integra BLF881 BroadcastIDM500CW200 Integra BLF888 BroadcastIDM500CW300 Integra BLF878 BroadcastIDM500CW80 Integra BLF871 BroadcastILD1011M15 Integra BLL6H0514-25 MicrowaveILD1011M150 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveILD1011M15HV Integra BLA6H0514-25 MicrowaveILD1011M160HV Integra BLA6G1011-200R MicrowaveILD1011M250 Integra BLA6G1011-200R MicrowaveILD1011M30 Integra BLA6H0514-25 MicrowaveILD1011M400 Integra BLA6H0912-500 MicrowaveILD1011M450HV Integra BLA6H0912-500 MicrowaveILD1011M550HV Integra BLA6H1011-600 MicrowaveILD1214M10 Integra BLL6H0514-25 MicrowaveILD2731M140 Integra BLS6G2731-120 MicrowaveILD3135M120 Integra BLS6G3135S-120 MicrowaveILP1214EL200 Integra BLS7G2933P-200 MicrowaveINA-51063 Agilent BGA2001 MMICJ270 Standard J177 FETJ308 Standard J108 FETJ309 Standard J109 FETJ310 Standard J110 FETJDP2S01E Toshiba BAP65-02 PIN diodeJDP2S01U Toshiba BAP65-03 PIN diodeJDP2S02AFS Toshiba BAP51-02 PIN diodeJDP2S02AS Toshiba BAP51-03 PIN diodeJDP2S02T Toshiba BAP63-02 PIN diodeJDP2S04E Toshiba BAP50-02 PIN diodeJDS2S03S Toshiba BA891 BS diodeJTDA150A Microsemi BLF177 BroadcastKP2310R Toko BAP64-04W PIN diodeKTK920BT KEC BF1108 FETKTK920T KEC BF1108R FETKV1835E Toko BB199 VaricapLC421 POLYFET BLF544 BroadcastMA2S077 Standard BA277 BS diodeMA2S357 Matsushita BB178 VaricapMA2S357 Matsushita BB187 VaricapMA2S372 Matsushita BB179 VaricapMA2S374 Matsushita BB182 VaricapMA2SV01 Renesas BB202 VaricapMA357 Matsushita BB153 VaricapMA366 Matsushita BB148 VaricapMA368 Matsushita BB131 VaricapMA372 Matsushita BB149 VaricapMA372 Matsushita BB149A VaricapMA4CP101A Matsushita BAP65-03 PIN diodeMA4P274-1141 Matsushita BAP51-03 PIN diodeMA4P275-1141 Matsushita BAP65-03 PIN diodeMA4P275CK-287 Matsushita BAP65-05 PIN diodeMA4P277-1141 Matsushita BAP70-03 PIN diode

Page 95: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

93NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

MA4P278-287 Matsushita BAP70-03 PIN diodeMA4P789-1141 Matsushita BAP1321-03 PIN diodeMA4P789ST-287 Matsushita BAP1321-04 PIN diodeMAX2659 Maxim BGU7005 MMICMC7712 NEC BGY785A CATV PPAMC7716 NEC BGY787 CATV PPAMC7722 NEC BGY785A CATV PPAMC7726 NEC BGY787 CATV PPAMC-7831 NEC BGY885A CATV PPMC-7831-HA NEC BGY1085A CATV PPMC-7832 NEC BGY887 CATV PPMC-7832-HA NEC CGY1041 CATV PPMC-7833 NEC BGY887B CATV PPMC-7836 NEC BGY887B CATV PPMC-7836 NEC CGY1047 CATV PPMC-7845 NEC BGD802 CATV PDMC-7846 NEC CGD942C CATV PDMC-7847 NEC CGD944C CATV PDMC7852 NEC BGY885A CATV PPAMC7866 NEC BGD816L CATV PD MC-7881 NEC BGD802 CATV PDMC-7882 NEC BGD814 CATV PDMC-7883 NEC CGD942C CATV PDMC-7884 NEC CGD944C CATV PDMC-7891 NEC CGD1042H CATV PDMC-7893 NEC CGD1042H CATV PDMC-7894 NEC CDG1044H CATV PDMC-7896 NEC CGD1044H CATV PDMCH4009 Sanyo BFG424F WB trs 5-7MD7P19130 Freescale BLF6G20LS-110 Base StationMD7P19130H Freescale BLF6G20LS-75 Base StationMD7P19130H (2) Freescale BLF6G20(LS)-180RN Base stationMDS400 Microsemi BLA6H0912-500 MicrowaveMDS800 Microsemi BLA6H1011-600 MicrowaveMHW10186N Freescale BGY1085A CATV PPMHW10236N Freescale CGY1043 CATV PPMHW10247AN Freescale CGD1044H CATV PD MHW10276N Freescale CGY1047 CATV PPMHW1224 Freescale BGY67 CATV RAMHW1244 Freescale BGY67A CATV RAMHW1253LA Freescale BGY67A CATV RAMHW1254L Freescale BGY68 CATV RAMHW1254LA Freescale BGY68 CATV RAMHW1304L Freescale BGY68 CATV RAMHW1304LA Freescale BGY68 CATV RAMHW1304LAN Freescale BGY68 CATV RAMHW1346 Freescale BGY67A CATV RAMHW1353LA Freescale BGY67A CATV RAMHW1354LA Freescale BGY68 CATV RAMHW5182A Freescale BGY585A CATV PPAMHW5185B Freescale BGD502 CATV PD MHW5222A Freescale BGY587 CATV PPAMHW5272A Freescale BGY587B CATV PPA/HGMHW5342A Freescale BGY588N CATV PPA/HGMHW5342T Freescale BGY588N CATV PPA/HGMHW6182 Freescale BGY585A CATV PPAMHW6182-6 Freescale BGY685A CATV PPAMHW6182T Freescale BGY585A CATV PPAMHW6185B Freescale BGD502 CATV PD MHW6185T Freescale BGD502 CATV PD MHW6205 Freescale BGD704 CATV PD MHW6222 Freescale BGY587 CATV PPAMHW6222B Freescale BGY687 CATV PPAMHW6222T Freescale BGY587 CATV PPAMHW6272 Freescale BGY587B CATV PPAMHW6272T Freescale BGY587B CATV PPAMHW6342 Freescale BGY588N CATV PPAMHW6342T Freescale BGY588N CATV PPAMHW7182B Freescale BGY785A CATV PPAMHW7182C Freescale BGY785A CATV PPAMHW7185C2 Freescale BGD712 CATV PD MHW7185CL Freescale BGD712 CATV PD MHW7205C Freescale BGD714 CATV PD MHW7205CL Freescale BGD714 CATV PD MHW7205CLN Freescale BGD714 CATV PD MHW7222 Freescale BGY787 CATV PPA

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

MHW7222A Freescale BGY787 CATV PPAMHW7222B Freescale BGY787 CATV PPAMHW7242A Freescale BGE787B CATV PPA/HGMHW7272A Freescale BGE787B CATV PPA/HGMHW7292 Freescale BGE787B CATV PPA/HGMHW7292A Freescale BGE787B CATV PPA/HGMHW7292AN Freescale BGE787B CATV PPA/HGMHW7342 Freescale BGE788 CATV PPA/HGMHW8142 Freescale BGY883 CATV PPAMHW8182B Freescale BGY885A CATV PPAMHW8182C Freescale BGY885A CATV PPAMHW8182CN Freescale BGY885A CATV PPMHW8185 Freescale BGD814 CATV PD MHW8185L Freescale BGD812 CATV PD MHW8188AN Freescale CGD942C CATV PD MHW8205 Freescale BGD814 CATV PD MHW820L Freescale BGD814 CATV PD MHW8222BN Freescale BGY887 CATV PPMHW8227A Freescale CGD942C CATV PD MHW8227AN Freescale CGD942C CATV PD MHW8247A Freescale CGD944C CATV PPAMHW8247AN Freescale CGD944C CATV PD MHW8292 Freescale BGY887B CATV PPAMHW8342 Freescale BGY888 CATV PPAMHW8342N Freescale CGY888C CATV PPMHW9146 Freescale BGY883 CATV PPAMHW9182B Freescale BGY1085A CATV PPAMHW9182C Freescale BGY1085A CATV PPAMHW9182CN Freescale BGY1085A CATV PPMHW9186 Freescale BGY885A CATV PPAMHW9186A Freescale BGY885A CATV PPAMHW9187N Freescale CGD942C CATV PD MHW9188AN Freescale CGD942C CATV PD MHW9188N Freescale CGD942C CATV PD MHW9227AN Freescale CGD942C CATV PD MHW9242A Freescale CGD1042 CATV PD MHW9247 Freescale CGD944C CATV PD MHW9247A Freescale CGD944C CATV PD MHW9247AN Freescale CGD944C CATV PD MHW9247N Freescale CGD944C CATV PDMHWJ5272A Freescale BGY587B CATV PPAMHWJ7185A Freescale BGD712 CATV PD MHWJ7205A Freescale BGD714 CATV PD MHWJ7292 Freescale BGE787B CATV PPA/HG MHWJ9182 Freescale BGY1085A CATV PPAMMBF4391 Freescale PMBF4391 FETMMBF4392 Freescale PMBF4392 FETMMBF4393 Freescale PMBF4393 FETMMBF4860 Freescale PMBFJ112 FETMMBF5484 Freescale BFR31 FETMMBFJ113 Freescale PMBFJ113 FETMMBFJ174 Freescale PMBFJ174 FETMMBFJ175 Freescale PMBFJ175 FETMMBFJ176 Freescale PMBFJ176 FETMMBFJ177 Freescale PMBFJ177 FETMMBFJ308 Freescale PMBFJ308 FETMMBFJ309 Freescale PMBFJ309 FETMMBFJ310 Freescale PMBFJ310 FETMMBFU310 Freescale PMBFJ310 FETMMBR5031L Freescale BFS17 WB trs 1-4MMBR5179L Freescale BFS17A WB trs 1-4MMBR571L Freescale PBR951 WB trs 1-4MMBR901L Freescale BFR92A WB trs 1-4MMBR911L Freescale BFR93A WB trs 1-4MMBR920L Freescale BFR93A WB trs 1-4MMBR931L Freescale BFT25A WB trs 1-4MMBR941BL Freescale PBR941 WB trs 1-4MMBR941L Freescale PBR941 WB trs 1-4MMBR951AL Freescale PBR951 WB trs 1-4MMBR951L Freescale PBR951 WB trs 1-4MMBV105GLT1 ONSemicond. BB156 VaricapMMBV109LT1 ONSemicond. BB148 VaricapMMG2001NT1 Freescale BGD816L CATV PD MMG2001T1 Freescale BGD816L CATV PD MPAL2731M15 Integra BLS6G2731-6G MicrowaveMPAL2731M30 Integra BLS6G2731-6G Microwave

Page 96: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

94 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

MPAL3035M15 Integra BLS6G2731-6G MicrowaveMPAL3035M30 Integra BLS6G2731-6G MicrowaveMPF102 Standard BF245A FETMPF970 Standard J174 FETMPF971 Standard J176 FETMRF10005 M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF1000MB M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF10031 M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF1004MB M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF10120 M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF10150 M/A- COM BLL6H0514-25 MicrowaveMRF10350 M/A- COM BLL6H0514-25 MicrowaveMRF10502 M/A- COM BLL6H0514-25 MicrowaveMRF1090MB M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF1150MA M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF1150MB M/A- COM BLA6H0912-500 MicrowaveMRF134 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF136 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF136Y M/A- COM BLF881 BroadcastMRF137 M/A- COM BLF881 BroadcastMRF140 M/A- COM BLF177 BroadcastMRF141 M/A- COM BLF177 BroadcastMRF141G M/A- COM BLF278 BroadcastMRF148A M/A- COM BLF175 BroadcastMRF150 M/A- COM BLF177 BroadcastMRF151 M/A- COM BLF177 BroadcastMRF151A M/A- COM BLF177 BroadcastMRF151G M/A- COM BLF278 BroadcastMRF154 M/A- COM BLF574 BroadcastMRF157 M/A- COM BLF574 BroadcastMRF158 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF160 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF166C M/A- COM BLF871 BroadcastMRF166W M/A- COM BLF881 BroadcastMRF171A M/A- COM BLF881 BroadcastMRF173 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF173CQ M/A- COM BLF871 BroadcastMRF174 M/A- COM BLF881 BroadcastMRF175GU M/A- COM BLF881 BroadcastMRF175GV M/A- COM BLF278 BroadcastMRF175LU M/A- COM BLF871 BroadcastMRF176GU M/A- COM BLF881 BroadcastMRF176GV M/A- COM BLF573S BroadcastMRF177 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF18030ALR3(1) Freescale BLF6G21-30 Base StationMRF18030ALR3(1) Freescale BLF6G20-45 Base StationMRF18030ALSR3(1) Freescale BLF6G21-30 Base StationMRF18030ALSR3(1) Freescale BLF6G20-45 Base StationMRF18030BLR3(1) Freescale BLF6G21-30 Base StationMRF18030BLR3(1) Freescale BLF6G20-45 Base StationMRF18030BLSR3(1) Freescale BLF6G21-30 Base StationMRF18030BLSR3(1) Freescale BLF6G20-45 Base StationMRF18060AL(2) Freescale BLC6G20-75 Base StationMRF18060BL(2) Freescale BLC6G20-75 Base StationMRF18085AL(2) Freescale BLC6G20-75 Base StationMRF18085BL (2) Freescale BLF7G20L(S)-300P Base stationMRF18085BL(2) Freescale BLC6G20-75 Base StationMRF18090AR3(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF18090B (2) Freescale BLF7G20L(S)-300P Base stationMRF18090B(2) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF19030L(2) Freescale BLF6G21-30 Base StationMRF19030L(2) Freescale BLF6G20-45 Base StationMRF19045L(2) Freescale BLF6G20-45 Base StationMRF19060L(2) Freescale BLF6G20-45 Base StationMRF19085LR3(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF19085LSR3(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF19090R3 (1) Freescale BLF7G20L(S)-300P Base stationMRF19090R3(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF19090SR3 (1) Freescale BLF7G20L(S)-300P Base stationMRF19090SR3(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF19125 (2) Freescale BLF6G20(LS)-110 Base stationMRF19125(2) Freescale BLF6G20-140 Base StationMRF21010LR1(1) Freescale BLF3G21-6 Base StationMRF21010LSR1(1) Freescale BLF3G21-6 Base StationMRF21030LR3(1) Freescale BLF6G22-30 Base StationMRF21030LSR3(1) Freescale BLF6G22-45 Base Station

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

MRF21045LR3(1) Freescale BLF6G22-45 Base StationMRF21045LSR3(1) Freescale BLF6G22-45 Base StationMRF21060L(2) Freescale BLF6G22-75 Base StationMRF21085L(2) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF21090(2) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF21120R6(1) Freescale BLF6G22-130 Base StationMRF21125(2) Freescale BLF6G22-130 Base StationMRF21125SR3(1) Freescale BLF6G22-130 Base StationMRF21180R6(1) Freescale BLF6G22-180 Base StationMRF275G M/A- COM BLF881 BroadcastMRF275L M/A- COM BLF871 BroadcastMRF281SR1(1) Freescale BLF6G21-6 Base StationMRF281ZR1(1) Freescale BLF6G21-6 Base StationMRF282SR1(1) Freescale BLF1822-10 Base StationMRF282ZR1(1) Freescale BLF1822-10 Base StationMRF284LR1(1) Freescale BLF3G21-30 Base StationMRF284LSR1(1) Freescale BLF3G21-30 Base StationMRF313 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF314 M/A- COM BLF881 BroadcastMRF316 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF317 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF321 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF323 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF327 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF372 (3) Freescale BLF881 Base stationMRF373ALR1 (2) Freescale BLF878 Base stationMRF374A (1) Freescale BLF881 Base stationMRF377H (2) Freescale BLF878 Base stationMRF377H(2) Freescale BLF872 BroadcastMRF392 M/A- COM BLF881 BroadcastMRF393 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF421 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF422 M/A- COM BLF177 BroadcastMRF426 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF428 M/A- COM BLF177 BroadcastMRF429 M/A- COM BLF177 BroadcastMRF448 M/A- COM BLF573S BroadcastMRF454 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF455 M/A- COM BLF871 BroadcastMRF577 Freescale PRF957 WB trs 1-4MRF5811L Freescale BFG93A/X WB trs 1-4MRF5P20180HR6(1) Freescale BLF6G20-180P Base StationMRF5P21045NR1 (1) Freescale BLD6G22L(S)-50 Base stationMRF5P21180HR6 (1) Freescale BLF6G22(LS)-180RN Base stationMRF5P21180HR6(1) Freescale BLF6G20-180P Base StationMRF5S19060N(2) Freescale BLF6G20-75 Base StationMRF5S19090HR3(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF5S19090HSR3(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF5S19100H (2) Freescale BLF7G20L(S)-140P Base stationMRF5S19100H(2) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF5S19130H (2) Freescale BLF6G20(LS)-110 Base stationMRF5S19130H(2) Freescale BLF6G20-140 Base StationMRF5S19150H (2) Freescale BLF6G20LS-140 Base stationMRF5S19150H(2) Freescale BLF6G22-150P Base StationMRF5S21045N (2) Freescale BLD6G22L(S)-50 Base stationMRF5S21045N(2) Freescale BLF1822-10 Base StationMRF5S21090HR3(1) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF5S21090HSR3(1) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF5S21100HR3(1) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF5S21100HSR3(1) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF5S21130HR3(1) Freescale BLF6G22-130 Base StationMRF5S21130HSR3(1) Freescale BLF6G22-130 Base StationMRF5S21150H(2) Freescale BLF6G22-150P Base StationMRF5S9150H (2) Freescale BLF6G10(LS)-160RN Base stationMRF6P18190HR6(1) Freescale BLF6G20-180P Base StationMRF6P21190HR6 (1) Freescale BLF7G22LS-130 Base stationMRF6P21190HR6(1) Freescale BLF6G20-180P Base StationMRF6P3300H (2) Freescale BLF888 Base stationMRF6P3300H(2) Freescale BLF878 BroadcastMRF6S18060N(2) Freescale BLF6G20-75 Base StationMRF6S18100N(2) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF6S18140H(2) Freescale BLF6G20-140 Base StationMRF6S19060N(2) Freescale BLF6G20-75 Base StationMRF6S19100H (2) Freescale BLF7G20L(S)-140P Base stationMRF6S19100H(2) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF6S19100N(2) Freescale BLF6G20-110 Base Station

Page 97: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

95NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

MRF6S19120H (2) Freescale BLF7G20L(S)-140P Base stationMRF6S19120H(2) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF6S19140H (2) Freescale BLF6G20LS-75 Base stationMRF6S19140H(2) Freescale BLF6G20-140 Base Station

MRF6S19200H (2) FreescaleBLF6G20-180PN, BLF7G20L(S)-200

Base station

MRF6S20010 Freescale BLM6G22-30 Base StationMRF6S20010 Freescale BLM6G22-30G Base StationMRF6S20010N (2) Freescale BLM6G22-30 Base stationMRF6S20010N(2) Freescale BLF6G21-6 Base StationMRF6S20010N(2) Freescale BLF1822-10 Base StationMRF6S21050L(2) Freescale BLF6G22-45 Base StationMRF6S21060N (2) Freescale BLF6G22LS-75 Base stationMRF6S21060N(2) Freescale BLF6G22-75 Base StationMRF6S21100H (2) Freescale BLF6G22LS-100 Base stationMRF6S21100H(2) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF6S21100N (2) Freescale BLF6G22LS-100 Base stationMRF6S21100N(2) Freescale BLF6G22-100 Base StationMRF6S21140H (2) Freescale BLF6G22L(S)-130 Base stationMRF6S21140H(2) Freescale BLF6G22-130 Base StationMRF6S21190H Freescale BLF6G22-180P Base StationMRF6S21190H Freescale BLF6G22-180PN Base StationMRF6S21190H (2) Freescale BLF7G22L(S)-200 Base stationMRF6S23100H (2) Freescale BLF7G27L(S)-75P Base stationMRF6S23100H (2) Freescale BLF7G27L(S)-75P Base stationMRF6S27015N Freescale BLF6G27-10 Base StationMRF6S27015N (2) Freescale BLF6G27-10(G) Base stationMRF6S27015N (2) Freescale BLF6G27-10(G) Base stationMRF6S27050HR3 Freescale BLF6G27-45 Base stationMRF6S27050HSR3 Freescale BLF6G27S-45 Base stationMRF6S27085H Freescale BLF6G27LS-135 Base StationMRF6S27085H (2) Freescale BLF7G27L(S)-140 Base stationMRF6S27085HR3 Freescale BLF6G27-135 Base stationMRF6S27085HS Freescale BLF6G27LS-75 Base StationMRF6S27085HSR3 Freescale BLF6G27LS-135 Base stationMRF6V2010N (2) Freescale BLF571 Base stationMRF6V2010N(2) Freescale BLF244 BroadcastMRF6V2010NBR1(18a) Freescale BLF872 BroadcastMRF6V2010NR1(18a) Freescale BLF871 BroadcastMRF6V2150N (2) Freescale BLF871 Base stationMRF6V2150N(2) Freescale BLF177 BroadcastMRF6V2150NBR1(18a) Freescale BLF882 BroadcastMRF6V2150NR1(18a) Freescale BLF881 BroadcastMRF6V2300N (2) Freescale BLF573S Base stationMRF6V2300N(2) Freescale BLF369 BroadcastMRF6V2300N(2) Freescale BLF378 BroadcastMRF6V4300N (2) Freescale BLF573S Base stationMRF6VP11KH (1) Freescale BLF578 Base stationMRF6VP21KH (1) Freescale BLF578 Base stationMRF6VP2600H (1) Freescale BLF871 Base stationMRF6VP2600HR6(18o) Freescale BLF881 BroadcastMRF6VP3450 Freescale BLF878 BroadcastMRF6VP3450H (4) Freescale BLF878 Base stationMRF6VP41KH (2) Freescale BLF578 Base station

MRF7S15100H (2) FreescaleBLF6G15L(S)-40BRN/BLF6G15L(S)-250PBRN

Base station

MRF7S18125AHS Freescale BLF6G20LS-140 Base StationMRF7S18170H (2) Freescale BLF7G20L(S)-200 Base stationMRF7S18170H(2) Freescale BLF6G22-180 Base StationMRF7S19080H (2) Freescale BLF6G20(LS)-110 Base stationMRF7S19080H(2) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF7S19080HS Freescale BLF6G20LS-75 Base StationMRF7S19100 Freescale BLF6G20LS-110 Base StationMRF7S19100N (2) Freescale BLF6G20LS-75 Base stationMRF7S19100N(2) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF7S19120N(1) Freescale BLF6G20-110 Base StationMRF7S19120NR1 (1) Freescale BLF6G20LS-140 Base station

MRF7S19170H (2) FreescaleBLF6G20-180PN, BLF7G20L(S)-200

Base station

MRF7S19170H(2) Freescale BLF6G20-180 Base Station"MRF7S19210HPTFA192401F" Freescale BLF6G20-230PRN Base StationMRF7S21080H (2) Freescale BLF6G22LS-100 Base stationMRF7S21110H (2) Freescale BLF6G22L(S)-130 Base stationMRF7S21110HS Freescale BLF6G22LS-100 Base StationMRF7S21150H (2) Freescale BLF7G22LS-130 Base station

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

MRF7S21170 Freescale BLF6G22LS-100 Base StationMRF7S21170H (2) Freescale BLF6G22-180PN Base stationMRF7S21210H (2) Freescale BLF7G22L(S)-250P Base stationMRF7S27130H (2) Freescale BLF7G27L(S)-140 Base stationMRF7S38010H Freescale BLF6G38-10G Base StationMRF7S38010H (2) Freescale BLF6G38(S)-25 Base stationMRF7S38040H Freescale BLF6G38LS-50 Base StationMRF7S38040H (2) Freescale BLF6G38(LS)-50 Base stationMRF7S38040HR3 Freescale BLF6G28-50 Base stationMRF7S38040HSR3 Freescale BLF6G28LS-51 Base stationMRF8S18120H (2) Freescale BLF7G20L(S)-250P Base stationMRF9030L (2) Freescale BLF6G10(LS)-160RN Base stationMRF9030N (2) Freescale BLF6G10(LS)-160RN Base stationMRF9135L (2) Freescale BLF6G10(LS)-135RN Base stationMRF917 Freescale BFQ67W WB trs 1-4MRF9200L (2) Freescale BLF6G10L(S)-260PRN Base stationMRF9210R3 (1) Freescale BLF6G10L(S)-260PRN Base stationMRF927 Freescale BFS25A WB trs 1-4MRF9411L Freescale BFG520/X WB trs 1-4MRF947 Freescale BFS520 WB trs 1-4MRF947A Freescale PRF947 WB trs 1-4MRF9511L Freescale BFG540/X WB trs 1-4MRF957 Freescale PRF957 WB trs 1-4MRFE6P3300H Freescale BLF878 BroadcastMRFE6S9125N Freescale BLF6G10LS-135R Base StationMRFE6S9125N (2) Freescale BLF6G10(LS)-135RN Base stationMRFE6S9130H (2) Freescale BLF6G10(LS)-135RN Base stationMRFE6S9135H (2) Freescale BLF6G10(LS)-200RN Base stationMRFE6S9135HS Freescale BLF6G10LS-135R Base StationMRFE6S9160H (2) Freescale BLF6G10(LS)-160RN Base stationMRFE6S9201H (2) Freescale BLF6G10(LS)-200RN Base stationMRFE6S9205HS Freescale BLF6G10LS-200RN Base StationMS1003 Microsemi BLF645 BroadcastMS1004 Microsemi BLF888 BroadcastMS1007 Microsemi BLF871 BroadcastMS1008 Microsemi BLF871 BroadcastMS1011 Microsemi BLF888 BroadcastMS1051 Microsemi BLF871 BroadcastMS1076 Microsemi BLF888 BroadcastMS1078 Microsemi BLF871 BroadcastMS1079 Microsemi BLF888 BroadcastMS1204 Microsemi BLF645 BroadcastMS1277 Microsemi BLF888 BroadcastMS1278 Microsemi BLF888 BroadcastMS1279 Microsemi BLF888 BroadcastMS1280 Microsemi BLF888 BroadcastMS1329 Microsemi BLF878 BroadcastMS1453 Microsemi BLF881 BroadcastMS1503 Microsemi BLF871 BroadcastMS1506 Microsemi BLF881 BroadcastMS1507 Microsemi BLF881 BroadcastMS1509 Microsemi BLF871 BroadcastMS1511 Microsemi BLF878 BroadcastMS1533 Microsemi BLF645 BroadcastMS2001 Microsemi BLF6G22-45 BroadcastMS2003 Microsemi BLF6G22-45 BroadcastMS2003 Microsemi BLF6G22-45 BroadcastMS2005 Microsemi BLF6G22-45 BroadcastMS2010 Microsemi BLF6G22-45 BroadcastMS2176 Microsemi BLF878 BroadcastMS2200 Microsemi BLA6H0912-500 MicrowaveMS2207 Microsemi BLA6H0912-500 MicrowaveMS2210 Microsemi BLA6G1011-200R MicrowaveMS2215 Microsemi BLF177 BroadcastMS2267 Microsemi BLA6G1011-200R MicrowaveMS2321 Microsemi BLL6H0514-25 MicrowaveMS24221 Microsemi BLA6G1011-200R MicrowaveMS2441 Microsemi BLAH0912-500 MicrowaveMS2472 Microsemi BLAH0912-500 MicrowaveMS2473 Microsemi BLA6H1011-600 MicrowaveMS2553 Microsemi BLL6H0514-25 MicrowaveMS2575 Microsemi BLL6H0514-25 MicrowaveMS3024 Microsemi BLF6G22-45 BroadcastMSC1015MP Microsemi BLL6H0514-25 MicrowaveMSC1175M Microsemi BLA6G1011-200R MicrowaveMSC1400M Microsemi BLAH0912-500 Microwave

Page 98: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

96 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

MSC1450M Microsemi BLA6H0912-500 MicrowaveMT4S200T Toshiba BFG424W WB trs 5-7MT4S200U Toshiba BFG425W WB trs 5-7MT4S34U Toshiba BFG410W WB trs 5-7MV2109G ONSemicond. BB182LX VaricapMW6IC2240N (2) Freescale BLF6G22LS-75 Base stationMW6S004NT1 (1) Freescale BLF6G21-10G Base stationMW7IC2725GNR1 Freescale BLF6G27-10G Base stationMW7IC2725N Freescale BLF6G27-10G Base StationMW7IC2725N Infineon BLF6G27-10G Base StationMW7IC2725NB Freescale BLF6G27-10 Base stationMW7IC2725NR1 Freescale BLF6G27-10 Base stationMW7IC2750GNR1 Freescale BLF6G27LS-75 Base stationMW7IC2750N (3) Freescale BLF6G27(LS)-75 Base stationMW7IC2750NR1 Freescale BLF6G27-75 Base stationMW7IC3825GN Freescale BLF6G38S-25 Base stationMW7IC3825N Freescale BLF6G38-25 Base stationMW7IC3825N (3) Freescale BLF6G38(S)-25 Base stationMW7IC3825NB Freescale BLF6G38-25 Base stationMW7IC915N (1) Freescale BLF6G10L(S)-260PRN Base stationNESG3032M14 NEC BFU725F WB trs 5-7NESG3032M14 Infineon BFU725F WB trs 5-7PD55012-E ST BLF571 BroadcastPD55025-E ST BLF571 BroadcastPD55035-E ST BLF571 BroadcastPD57018-E ST BLL6H0514-25 MicrowavePD57030-E ST BLL6H0514-25 MicrowavePD57045-E ST BLL6H0514-25 MicrowavePD57060-E ST BLL6H0514-25 MicrowavePD57070-E ST BLL6H0514-25 MicrowavePD85015-E ST BLF571 BroadcastPD85025C ST BLF571 BroadcastPD85025-E ST BLF571 BroadcastPD85035C ST BLF571 BroadcastPD85035-E ST BLF571 BroadcastPRF134 POLYFET BLF242 BroadcastPRF134 Infineon BLF242 BroadcastPRF136 POLYFET BLF244 BroadcastPRF136 Infineon BLF244 BroadcastPRF947B Motorola PRF947 WB trs 1-4PRF947B Infineon PRF947 WB trs 1-4PTF 180101S - 10 W Infineon BLF6G20-40 Base StationPTF 191601E - 160 W Infineon BLF7G20L(S)-300P Base StationPTF 210101M - 10 W Infineon BLD6G22L(S)-50 Base StationPTF 210451E - 45 W Infineon BLF7G22L(S)-200 Base StationPTF 210451F - 45 W Infineon BLF7G22L(S)-200 Base StationPTF 240101S - 10 W Infineon BLF7G27L(S)-100 Base StationPTF041501E-150W Infineon BLF647 BroadcastPTF041501E-150W Infineon BLF647 BroadcastPTF041501F-150W Infineon BLF647 BroadcastPTF041501F-150W Infineon BLF647 BroadcastPTF080101M-10W Infineon BLF1043 Base StationPTF080101M-10W Infineon BLF1043 Base StationPTF080101S-10W Infineon BLF1043 Base StationPTF080101S-10W Infineon BLF1043 Base StationPTF081301E-130W Infineon BLF4G10-120 Base StationPTF081301E-130W Infineon BLF4G10-120 Base StationPTF081301F-130W Infineon BLF4G10-120 Base StationPTF081301F-130W Infineon BLF4G10-120 Base StationPTF082001E-200W Infineon BLF6G10-200 Base StationPTF082001E-200W Infineon BLF6G10-200 Base StationPTF180101 Freescale BLF6G21-10G Base StationPTF180101 Infineon BLF6G21-10G Base StationPTFA 142401EL - 240 W Infineon BLF6G15L(S)-250PBRN Base StationPTFA 142401FL - 240 W Infineon BLF6G15L(S)-250PBRN Base StationPTFA 180701E - 70 W Infineon BLF6G20(LS)-110 Base StationPTFA 180701F - 70 W Infineon BLF6G20(LS)-110 Base StationPTFA 181001E - 100 W Infineon BLF6G20(LS)-180RN Base StationPTFA 181001F - 100 W Infineon BLF6G20(LS)-180RN Base StationPTFA 181001GL - 100 W Infineon BLF6G20(LS)-180RN Base StationPTFA 191001E - 100 W Infineon BLF6G20(LS)-110 Base StationPTFA 191001F - 100 W Infineon BLF6G20(LS)-110 Base StationPTFA 192001E - 200 W Infineon BLF6G20-180PN Base StationPTFA 192001F - 200 W Infineon BLF6G20-180PN Base StationPTFA 192401E - 240 W Infineon BLF6G20-180PN Base StationPTFA 192401F - 240 W Infineon BLF6G20-180PN Base Station

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

PTFA 210301E - 30 W Infineon BLD6G22L(S)-50 Base StationPTFA 210701E - 70 W Infineon BLF6G22LS-75 Base StationPTFA 210701F - 70 W Infineon BLF6G22LS-75 Base StationPTFA 211001E - 100 W Infineon BLF6G22LS-100 Base StationPTFA 211801E - 180 W Infineon BLF7G22L(S)-250P Base StationPTFA 211801F - 180 W Infineon BLF7G22L(S)-250P Base StationPTFA 212001E - 200 W Infineon BLF6G22-180PN Base StationPTFA 212001F - 200 W Infineon BLF6G22-180PN Base StationPTFA 212002E - 200 W Infineon BLF7G22LS-130 Base StationPTFA 212401E - 240 W Infineon BLF6G22-180PN Base StationPTFA 212401F - 240 W Infineon BLF6G22-180PN Base StationPTFA 240451E - 45 W Infineon BLF7G27L(S)-100 Base StationPTFA 260451E - 45 W Infineon BLF6G27(LS)-75 Base StationPTFA 260851E - 85 W Infineon BLF6G27L(S)-45BN Base StationPTFA 260851F - 85 W Infineon BLF6G27(LS)-135 Base StationPTFA 261301E - 130 W Infineon BLF7G27L(S)-200P Base StationPTFA 261301F - 130 W Infineon BLF7G27L(S)-100 Base StationPTFA 261702E - 170 W Infineon BLF7G27L(S)-140 Base StationPTFA043002E-300W Infineon BLF878 BroadcastPTFA043002E-300W Infineon BLF878 BroadcastPTFA080551E-55W Infineon BLF6G10-45 Base StationPTFA080551F-55W Infineon BLF6G10-45 Base StationPTFA081501E-150W Infineon BLF6G10-160 Base StationPTFA081501F-150W Infineon BLF6G10-160 Base StationPTFA091201E-120W Infineon BLF4G10-120 Base StationPTFA091201F-120W Infineon BLF4G10-120 Base StationPTMA 210452EL - 45 W Infineon BLF6G22(S)-45 Base StationPTMA 210452FL - 45 W Infineon BLF6G22(S)-45 Base StationPZFJ108 Standard J108 FETPZFJ109 Standard J109 FETPZFJ110 Standard J110 FETR0605250L Standard BGY66B CATV RAR0605300L Standard BGY68 CATV RAR2005240 Standard BGY67A CATV RARN142G Rohm BAP1321-03 PIN diodeRN142S Rohm BAP1321-02 PIN diodeRN242CS Rohm BAP51LX PIN diodeRN731V Rohm BAP50-03 PIN diodeRN739D Rohm BAP50-04 PIN diodeRN739F Rohm BAP50-04W PIN diodeS505T Vishay BF1101 FETS505TR Vishay BF1101R FETS505TRW Vishay BF1101WR FETS5540220 Standard BGY587 CATV PPAS595T Vishay BF1105 FETS595TR Vishay BF1105R FETS595TRW Vishay BF1105WR FETS7540185 Standard BGY785A CATV PPAS7540215 Standard BGY787 CATV PPAS8740190 Standard BGD812 CATV PD S8740220 Standard BGD814 CATV PD S8740230 Standard BGD816L CATV PD S949T Vishay BF1109 FETS949TR Vishay BF1109R FETS949TRW Vishay BF1109WR FETS974T Vishay BF1109 FETS974T-GS08 Vishay BF1109 FETS974TR Vishay BF1109R FETS974TR-GS08 Vishay BF1109R FETS974TRW Vishay BF1109WR FETS974TRW-GS08 Vishay BF1109WR FETSA701 POLYFET BLF145 BroadcastSA701 POLYFET BLF245 BroadcastSA741 POLYFET BLF175 BroadcastSD1018 Microsemi BLF881 BroadcastSD1018-06 Microsemi BLF881 BroadcastSD1019-05 Microsemi BLF645 BroadcastSD1422 Microsemi BLF871 BroadcastSD1485 Microsemi BLF888 BroadcastSD56120 ST BLF871 BroadcastSD56120M ST BLF881 BroadcastSD57030 ST BLL6H0514-25 MicrowaveSD57030-01 ST BLL6H0514-25 MicrowaveSD57120 ST BLF578 BroadcastSD702 POLYFET BLF246B BroadcastSDV701Q AUK BB179 Varicap

Page 99: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

97NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

SDV704Q AUK BB178 VaricapSDV705Q AUK BB182 VaricapSE701 POLYFET BLF245B BroadcastSGA8343Z Sirenza BFG425W WB trs 5-7SK701 POLYFET BLF544B BroadcastSK701 POLYFET BLF545 BroadcastSK702 POLYFET BLF546 BroadcastSM341 POLYFET BLF177 BroadcastSM704 POLYFET BLF147 BroadcastSM704 POLYFET BLF246 BroadcastSMP1302-004 Skyworks BAP50-05 PIN diodeSMP1302-005 Skyworks BAP50-04 PIN diodeSMP1302-011 Skyworks BAP50-03 PIN diodeSMP1302-074 Skyworks BAP50-05W PIN diodeSMP1302-075 Skyworks BAP50-04W PIN diodeSMP1302-079 Skyworks BAP50-02 PIN diodeSMP1304-001 Skyworks BAP70-03 PIN diodeSMP1304-011 Skyworks BAP70-03 PIN diodeSMP1307-001 Skyworks BAP70-03 PIN diodeSMP1307-011 Skyworks BAP70-03 PIN diodeSMP1320-004 Skyworks BAP65-05 PIN diodeSMP1320-011 Skyworks BAP65-03 PIN diodeSMP1320-074 Skyworks BAP65-05W PIN diodeSMP1321-001 Skyworks BAP1321-03 PIN diodeSMP1321-005 Skyworks BAP1321-04 PIN diodeSMP1321-011 Skyworks BAP1321-03 PIN diodeSMP1321-075 Skyworks BAP1321-04 PIN diodeSMP1321-079 Skyworks BAP1321-02 PIN diodeSMP1322-004 Skyworks BAP65-05 PIN diodeSMP1322-011 Skyworks BAP65-03 PIN diodeSMP1322-074 Skyworks BAP65-05W PIN diodeSMP1322-079 Skyworks BAP65-02 PIN diodeSMP1340-011 Skyworks BAP63-03 PIN diodeSMP1340-079 Skyworks BAP63-02 PIN diodeSMP1352-011 Skyworks BAP64-03 PIN diodeSMP1352-079 Skyworks BAP64-02 PIN diodeSMV1235-004 Skyworks BB181 VaricapSMV1236-004 Skyworks BB156 VaricapSR341 POLYFET BLF378 BroadcastSR341 POLYFET BLF278 BroadcastSR401 POLYFET BLF248 BroadcastSR401 POLYFET BLF348 BroadcastSR401 POLYFET BLF368 BroadcastSR703 POLYFET BLF547 BroadcastSR704U POLYFET BLF548 BroadcastSST111 Standard PMBFJ111 FETSST112 Standard PMBFJ112 FETSST113 Standard PMBFJ113 FETSST174 Standard PMBFJ174 FETSST175 Standard PMBFJ175 FETSST176 Standard PMBFJ176 FETSST177 Standard PMBFJ177 FETSST201 Standard BFT46 FETSST202 Standard BFR31 FETSST203 Standard BFR30 FETSST308 Standard PMBFJ308 FETSST309 Standard PMBFJ309 FETSST310 Standard PMBFJ310 FETSST4391 Standard PMBF4391 FETSST4392 Standard PMBF4392 FETSST4393 Standard PMBF4393 FETSST4856 Standard BSR56 FETSST4857 Standard BSR57 FETSST4859 Standard BSR56 FETSST4860 Standard BSR57 FETSST4861 Standard BSR58 FET

Manufacturertype Manufacturer NXPtype Productfamily

ST704 POLYFET BLF346 BroadcastST744 POLYFET BLF276 BroadcastST744 POLYFET BLF277 BroadcastSVC201SPA Sanyo BB187 VaricapTAN150 Microsemi BLF177 BroadcastTAN250A Microsemi BLA6G1011-200R MicrowaveTAN300 Microsemi BLA6G1011-200R MicrowaveTBB1016 Renesas BF1204 FETTCS450 Microsemi BLA6H0912-500 MicrowaveTCS800 Microsemi BLA6H1011-600 MicrowaveTMF3201J AUK BF1204 FETTMF3202Z AUK BF1202WR FETTMPF4091 Standard PMBF4391 FETTMPF4092 Standard PMBF4392 FETTMPF4093 Standard PMBF4393 FETTMPF4391 Standard PMBF4391 FETTMPF4392 Standard PMBF4392 FETTMPF4393 Standard PMBF4393 FETTMPFB246A Standard BSR56 FETTMPFB246B Standard BSR57 FETTMPFB246C Standard BSR58 FETTMPFJ111 Standard PMBFJ111 FETTMPFJ112 Standard PMBFJ112 FETTMPFJ113 Standard PMBFJ113 FETTMPFJ174 Standard PMBFJ174 FETTMPFJ175 Standard PMBFJ175 FETTMPFJ176 Standard PMBFJ176 FETTMPFJ177 Standard PMBFJ177 FETTPR400 Microsemi BLAH0912-500 MicrowaveTPR500 Microsemi BLA6H0912-501 MicrowaveTPR500A Microsemi BLA6H0912-502 MicrowaveTSDF54040 Vishay BF1102 FETTSDF54040-GS08 Vishay BF1102 FETTSDF54040X-GS08 Vishay BF1102 FETTSDF54040XR-GS08 Vishay BF1102R FETUF2805B M/A- COM BLF871 BroadcastUF28100H M/A- COM BLF871 BroadcastUF28100M M/A- COM BLF871 BroadcastUF28100V M/A- COM BLF871 BroadcastUF2810P M/A- COM BLF871 BroadcastUF28150J M/A- COM BLF881 BroadcastUF2815B M/A- COM BLF871 BroadcastUF2820P M/A- COM BLF871 BroadcastUF2820R M/A- COM BLF871 BroadcastUF2840G M/A- COM BLF881 BroadcastUF2840P M/A- COM BLF881 BroadcastUMIL100 Microsemi BLF871 BroadcastUMIL100A Microsemi BLF871 BroadcastUMIL60 Microsemi BLF878 BroadcastUMIL80 Microsemi BLF878 BroadcastuPC2709 NEC BGA2709 MMICuPC2711 NEC BGA2711 MMICuPC2712 NEC BGA2712 MMICuPC2745 NEC BGA2001 MMICuPC2746 NEC BGA2001 MMICuPC2748 NEC BGA2748 MMICuPC2771 NEC BGA2771 MMICuPC8112 NEC BGA2022 MMICUTV200 Microsemi BLF571 BroadcastUTV8100B Microsemi BLF645 BroadcastVAM80 Microsemi BLF878 BroadcastVMIL100 Microsemi BLF645 BroadcastVRF148A Microsemi BLF881 BroadcastVRF150 Microsemi BLF177 BroadcastVRF151 Microsemi BLF177 BroadcastVRF151G Microsemi BLF878 Broadcast

Page 100: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

98 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

NXPdiscontinuedtype ProductfamilyNXP ReplacementtypeNXP

BA277-01 BS diode BA277BA792 BS diode BA591BAP142L PIN diode BAP142LXBAP51-01 PIN diode BAP51LXBAP51L PIN diode BAP51LXBAP55L PIN diode BAP55LXBB132 Varicap BB152BB145 Varicap BB145BBB145B-01 Varicap BB145BBB151 Varicap BB135BB157 Varicap BB187BB178L Varicap BB178LXBB179BL Varicap BB179BLXBB179L Varicap BB179LXBB181L Varicap BB181LXBB182B Varicap BB182BB182L Varicap BB182LXBB187L Varicap BB187LXBB190 Varicap BB149BB202L Varicap BB202LXBB804 Varicap BB207BBY42 Varicap BBY40BF1203 FET BF1203BF689K WB trs BFS17BF763 WB trs BFS17BF851A FET BF861ABF851A FET BF861ABF851C FET BF861CBF851C FET BF861CBF992/01 FET BF992BFC505 WB trs BFM505BFC520 WB trs BFM520BFET505 WB trs BFM505BFET520 WB trs BFM520BFG17A WB trs BFS17ABFG197 WB trs BFG198BFG197/X WB trs BFG198BFG25AW/XR WB trs BFG25AW/XBFG410W/CA WB trs BFG410WBFG425W/CA WB trs BFG425WBFG425W/CA WB trs BFG425WBFG505/XR WB trs BFG505/XBFG505W/XR WB trs BFG505BFG520W/XR WB trs BFG520W/XBFG590/XR WB trs BFG590/XBFG590W WB trs BFG590BFG590W/XR WB trs BFG590BFG67/XR WB trs BFG67BFG92A WB trs BFG92A/XBFG92A/XR WB trs BFG92A/XBFG93A/XR WB trs BFG93A/XBFQ34/01 WB trs BFG35BFR92 WB trs BFR92ABFR92AR WB trs BFR92ABFR92AT WB trs BFR92AWBFR93 WB trs BFR92ABFR93AT WB trs BFR93AW

NXPdiscontinuedtype ProductfamilyNXP ReplacementtypeNXP

BFR93R WB trs BFR93ABFU510 WB trs BFU725F/N1BFU540 WB trs BFU725F/N1BGA2031 WB trs BGA2031/1BGD102/02 CATV BGD502BGD102/04 CATV BGD502BGD104 CATV BGD704BGD104/04 CATV BGD704BGD502/01 CATV BGD502BGD502/01 CATV BGD502BGD502/01 CATV BGD502BGD502/01 CATV BGD502BGD502/03 CATV BGD502BGD502/03 CATV BGD502BGD502/05 CATV BGD502BGD502/07 CATV BGD502BGD502/6M CATV BGD702BGD502/C7 CATV BGD502BGD502/R CATV BGD502BGD504 CATV BGD704BGD504/01 CATV BGD704BGD504/02 CATV BGD704BGD504/09 CATV BGD704BGD602 CATV BGD702BGD602/02 CATV BGD702BGD602/07 CATV BGD702BGD602/09 CATV BGD702BGD602/14 CATV BGD702BGD602D CATV BGD712BGD702D CATV BGD712BGD702D/08 CATV BGD712BGD704/01 CATV BGD704BGD704/07S CATV BGD704BGD704/S9 CATV BGD704BGD704N CATV BGD714BGD802/09 CATV BGD802BGD802N CATV BGD812BGD802N CATV BGD812BGD802N/07 CATV BGD812BGD802N/07 CATV BGD812BGD804N CATV BGD814BGD804N CATV BGD814BGD804N/02 CATV BGD814BGD804N/02 CATV BGD814BGD902 CATV BGD812BGD902/07 CATV BGD902BGD902L CATV BGD812BGD904 CATV BGD814BGD904/02 CATV BGD904BGD904/07 CATV BGD904BGD904L CATV BGD814BGD906 CATV CGD942CBGD906/02 CATV BGD906BGE847BO CATV BGO827BGE847BO CATV BGO827BGE847BO CATV BGO827BGE847BO/FC CATV BGO827/SC0

5.2 クロス・リファレンス: NXP生産終了品に対応する現行製品

製造中止品番 (アルファベット順) 略語: BSダイオード バンドスイッチ・ダイオードCATV 共聴アンテナ式テレビシステムFET 電界効果トランジスタVaricap バリキャップ・ダイオードWB trs 広帯域トランジスタOM 光モジュール

Page 101: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

99NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

NXPdiscontinuedtype ProductfamilyNXP ReplacementtypeNXP

BGE847BO/FC0 CATV BGO827/SC0BGE847BO/FC0 CATV BGO827/SC0BGE847BO/FC1 CATV BGO827/SC0BGE847BO/SC CATV BGO827/SC0BGE847BO/SC0 CATV BGO827/SC0BGE847BO/SC0 CATV BGO827/SC0BGE887BO CATV BGO827BGE887BO/FC CATV BGO827/SC0BGE887BO/FC1 CATV BGO827/SC0BGE887BO/SC CATV BGO827/SC0BGO847/01 CATV BGO847BGO847/01 CATV BGO847BGO847/FC0 CATV BGO827/SC0BGO847/FC0 CATV BGO827/SC0BGO847/FC01 CATV BGO827/SC0BGO847/FC01 CATV BGO827/SC0BGO847/SC0 CATV BGO827/SC0BGQ34/01 WB BFG35BGU2003 WB trs BGA2003BGX885/02 CATV BGX885NBGY1085A/07 CATV BGY1085ABGY584A CATV BGY585ABGY585A/01 CATV BGY585ABGY586 CATV BGY587BGY586/05 CATV BGY587BGY587/01 CATV BGY587BGY587/01 CATV BGY587BGY587/02 CATV BGY587BGY587/02 CATV BGY587BGY587/07 CATV BGY587BGY587/09 CATV BGY587BGY587B/01 CATV BGY587BBGY587B/02 CATV BGY587BBGY587B/09 CATV BGY587BBGY588 CATV BGY588NBGY588/04 CATV BGY588NBGY66B/04 CATV BGY66BBGY67/04 CATV BGY67BGY67/09 CATV BGY67BGY67/14 CATV BGY67BGY67/19 CATV BGY67BGY67A/04 CATV BGY67ABGY67A/14 CATV BGY67ABGY68/01 CATV BGY68BGY685A/07 CATV BGY685ABGY685AD CATV BGY785ABGY685AD CATV BGY785ABGY685AL CATV BGY785ABGY687/07 CATV BGY687BGY687/14 CATV BGY687BGY687B CATV BGE787B

NXPdiscontinuedtype ProductfamilyNXP ReplacementtypeNXP

BGY687B/02 CATV BGE787BBGY785A/07 CATV BGY785ABGY785A/09 CATV BGY785ABGY785AD CATV BGY785ABGY785AD/06 CATV BGY785ABGY785AD/8M CATV BGY885ABGY785AD/8M CATV BGY885ABGY787/02 CATV BGY787BGY787/07 CATV BGY787BGY787/09 CATV BGY787BGY847BO CATV BGO827BGY847BO/SC CATV BGO827/SC0BGY84A CATV BGY585ABGY84A/04 CATV BGY585ABGY84A/05 CATV BGY585ABGY85 CATV BGY585ABGY85A CATV BGY585ABGY85A/04 CATV BGY585ABGY85A/05 CATV BGY585ABGY85H/01 CATV BGY585ABGY86 CATV BGY587BGY86/05 CATV BGY587BGY87 CATV BGY587BGY87/J1 CATV BGY587BGY87B CATV BGY587BBGY88 CATV BGY588NBGY88/04 CATV BGY588NBGY88/04 CATV BGY588NBGY88/07 CATV BGY588NBGY887/02 CATV BGY887BGY887BO CATV BGO827BGY887BO/FC CATV BGO827/FC0BGY887BO/SC CATV BGO827/SC0CGD914 CATV CGD1042HCGY887A CATV CGY1043CGY887B CATV CGY1047GD923 CATV CGD942CON4520/09 CATV BGY687ON4520/2 CATV BGY687ON4594/M5 CATV BGY585AON4749 CATV BGY588NON4749 CATV BGY588NON4831-2 CATV BGY885AON4869 CATV BGY587ON4876 CATV BGY1085AON4890 CATV BGD712ON4890 CATV BGD712ON4990 CATV BGD885PMBT3640/AT WB trs BFS17PN4392 FET PMBF4392PN4393 FET PMBF4393

Page 102: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

100 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

6.1 パッケージあたりの梱包数量と関連注文コード

6. パッキングおよびパッケージ情報

Package PackagedimensionsLxWxH

Packingquantity

Product12NCending

Packingmethod

SOD323/SC-76 1.7x1.25x0.93,000 115 8 mm tape and reel10,000 135 8 mm tape and reel

SOD523/SC-79 1.2x0.8x0.6

3,000 115 8 mm tape and reel10,000 135 8 mm tape and reel8,000 315 2 mm pitch tape and reel20,000 335 2 mm pitch tape and reel

SOD882T 1.0x0.6x0.4 15,000 315 8 mm tape and reel

SOT23 2.9x1.3x0.93,000 215 8 mm tape and reel10,000 235 8 mm tape and reel

SOT54 4.6x3.9x5.1

5,000 112 bulk, delta pinning5,000 412 bulk, straight leads10,000 116 tape and reel, wide pitch10,000 126 tape ammopack, wide pitch

SOT89/SC-62 4.5x2.5x1.51,000 115 12 mm tape and reel4,000 135 12 mm tape and reel

SOT115 44.5x13.65x20.4 100 112 4 tray/box

SOT121B 28.45x28.45x7.27 20 112 blister, tray

SOT143(N/R) 2.9x1.3x0.93,000 215 8 mm tape and reel10,000 235 8 mm tape and reel

SOT223/SC-73 6.7x3.5x1.61,000 115 12 mm tape and reel4,000 135 12 mm tape and reel

SOT307 10x10x1.751,500 518 13" tape and reel dry pack96 551 1 tray dry pack480 557 5 tray dry pack

SOT323/SC-70 2.0x1.25x0.93,000 115 8 mm tape and reel10,000 135 8 mm tape and reel

SOT341 5.3x10.21,000 118 13'' tape and reel658 112 tube

SOT343(N/R) 2.0x1.25x0.93,000 115 8 mm tape and reel10,000 135 8 mm tape and reel

SOT343F 2.1x1.25x0.7 3,000 115 8 mm tape and reel

SOT360 6.5x4.4x0.9 2,500 118 16 mm tape and reel

SOT363/SC-88 2.0x1.25x0.93,000 115 8 mm tape and reel10,000 135 8 mm tape and reel

SOT401 5x5x1.42,000 118 13" tape and reel360 151 1 tray

SOT403 5.0x4.4x0.9 2,500 118 12 mm tape and reel

SOT416/SC-75 1.6x0.8x0.75 3,000 115 8 mm tape and reel

SOT467B 9.78x18.29x4.6760 112 blister, tray20 112 blister, tray

SOT467C 20.45x18.54x4.6760 112 blister, tray20 112 blister, tray

SOT502A 19.8x9.4x4.160 112 blister, tray300 135 reel

SOT502B 19.8x9.4x4.160 112 blister, tray100 118 reel

Page 103: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

101NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Package PackagedimensionsLxWxH

Packingquantity

Product12NCending

Packingmethod

SOT538A 5.1x4.1x2.6 160 112 blister, tray

SOT539A 31.25x9.4x4.6560 112 blister, tray300 135 reel

SOT540A 21.85x10.2x5.4 60 112 blister, tray

SOT608A 10.1x10.1x4.260 112 blister, tray60 112 blister, tray300 135 reel

SOT608B 10.1x10.1x4.260 112 blister, tray100 118 reel300 135 reel

SOT616 4.0x4.0x0.856,000 118 12 mm tape and reel1,500 115 8 mm tape and reel100 551 tray

SOT617 5x5x0.85 6,000 118 Tape and reel

SOT618 6x6x0.85

4,000 118 13" tape and reel1,000 515 7" tape and reel dry pack490 551 1 tray dry pack2,450 157 5 tray

SOT638 14x14x11,000 518 13" tape and reel dry pack90 551 1 tray dry pack450 557 5 tray dry pack

SOT666 1.6x1.2x0.7 4,000 115 8 mm tape and reel

SOT684 8x8x0.85

1,000 518 13" tape and reel dry pack260 151 1 tray260 551 1 tray dry pack1,300 157 5 tray dry pack

SOT724 8.7x3.9x1.47 2,500 118 16 mm tape and reel

SOT753 2.9x1.5x1.0 3,000 125 8 mm tape and reel

SOT778 6.0x6.0x0.85490 551 tray4,000 518 multiple trays

SOT822-1 15.9x11x3.6 180 127 tube

SOT834-1 15.9x11x3.15 180 127 tube

SOT886 1.45x1.0x0.5 5000 115 8 mm tape and reel

SOT891 1.0x1.0x0.5 5000 132 8 mm tape and reel

SOT908 3.0x3.0x0.85 6000 118 12 mm tape and reel

SOT922-1 17.4x9.4x3.88 60 112 blister, tray

SOT975B 6.5x6.5x3.3180 112 blister, tray100 118 Tape and reel

SOT975C 6.5x6.5x3.3180 112 blister, tray100 118 Tape and reel

SOT979A 31.25x10.2x5.3 60 112 blister, tray

SOT1110A 41.28x17.12x5.3660 112 blister, tray100 118 reel

SOT1121A 34.16x19.94x4.7560 112 blister, tray100 118 reel

SOT1121B 20.70x19.94x4.7560 112 blister,tray100 118 reel

SOT1130A 20.45x17.12x4.65 60 112 blister, tray

SOT1130B 9.91x17.12x4.65 60 112 blister, tray

SOT1135A 20.45x19.94x4.6560 112 blister, tray100 118 reel

Page 104: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

102 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Markingcode Type Package10% BAT18 SOT23 13% BB207 SOT23 20% BF545A SOT23 21% BF545B SOT23 22% BF545C SOT23 24% BF556A SOT23 25% BF556B SOT23 26% BF556C SOT23 28% BF861A SOT23 29% BF861B SOT23 30% BF861C SOT23 31% BFR505 SOT23 32% BFR520 SOT23 33% BFR540 SOT23 34% BFT25A SOT23 38% PMBFJ108 SOT23 39% PMBFJ109 SOT23 40% PMBFJ110 SOT23 41% PMBFJ111 SOT23 42% PMBFJ112 SOT23 47% PMBFJ113 SOT23 48% PMBFJ308 SOT23 49% PMBFJ309 SOT23 50% PMBFJ310 SOT23 1 BA277 SOD5232 BB182 SOD523 7 BA891 SOD523 8 BB178 SOD523 9 BB179 SOD523 %1W BAP51-05W SOT323 %3A BGA6289 SOT89 %4A BGA6489 SOT89 %5A BGA6589 SOT89 %6G PMBF4393 SOT23 %6J PMBF4391 SOT23 %6K BGA7024 SOT89%6K PMBF4392 SOT23 %6L BGA7027 SOT89%6S PMBFJ176 SOT23 %6W PMBFJ175 SOT23 %6X PMBFJ174 SOT23 %6Y PMBFJ177 SOT23 %AB BF1210 SOT363 %E7 BGA2800 SOT363%E8 BGA2801 SOT363%E9 BGA2815 SOT363%EA BGA2816 SOT363%EB BGA2850 SOT363%EC BGA2865 SOT363%ED BGA2866 SOT363%M1 BF908 SOT143 %M2 BF908R SOT143 %M3 BF909 SOT143 %M4 BF909R SOT143 %M5 BF909A SOT143 %M6 BF909AR SOT143

Markingcode Type Package%M7 BF904A SOT143 %M8 BF904AR SOT143 %M9 BSS83 SOT143 %MA BF991 SOT143 %MB BF992 SOT143 %MC BF904 SOT143 %MD BF904R SOT143 %ME BFG505 SOT143 %MF BFG520 SOT143 %MG BFG540 SOT143 %MH BFG590 SOT143 %MK BFG505/X SOT143%ML BFG520/X SOT143%MM BFG540/X SOT143%MN BFG590/X SOT143%MP BFG520/XR SOT143%MR BFG540/XR SOT143%MS BFG10 SOT143%MT BFG10/X SOT143%MU BFG25A/X SOT143%MV BFG67/X SOT143%MW BFG92A/X SOT143%MX BFG93A/X SOT143%MY BF1100 SOT143 %MZ BF1100R SOT143 1B% BGA2717 SOT363 1C% BAP50-05 SOT23 1N% BAP70-04W SOT323 2A% BF862 SOT23 2L BF1208 SOT666 2N BF1206F SOT666 2R BF1207F SOT666 4A BF1208D SOT666 4K% BAP64-04 SOT23 4L% BAP50-04 SOT23 4W% BAP64-04W SOT323 5K% BAP64-05 SOT23 5W% BAP64-05W SOT323 6F% BAP1321-04 SOT23 6K% BAP64-06 SOT23 6W% BAP50-04W SOT323 7K% BAP65-05 SOT23 8K% BAP70-05 SOT23 A1 BA591 SOD323 A1 BB208-02 SOD523 A1 BGA2001 SOT343 A1 BAP64Q SOT753A2 BAP70Q SOT753A2 BAT18 SOT23 A2 BB184 SOD523 A2 BB208-03 SOD323 A2% BGA2022 SOT363 A3 BAP64-03 SOD323 A3 BB198 SOD523 A3 BGA2003 SOT343 A3% BGA2031/1 SOT363

Markingcode Type PackageA5 BAP51-03 SOD323 A5% BGA2011 SOT363 A6% BGA2012 SOT363 A7% BFG310W/XR SOT343 A8 BAP50-03 SOD323 A8% BFG325W/XR SOT343 A8% PMBFJ620 SOT363 A9 BAP70-03 SOD323 AC BGU7005 SOT886B3 BGU7003 SOT891B6- BGA2715 SOT363 B6% BFU725F SOT343F B7% BGA2716 SOT363 BC% BFQ591 SOT89 BFG135 BFG135 SOT223 BFG198 BFG198 SOT223 BFG31 BFG31 SOT223 BFG35 BFG35 SOT223 BFG541 BFG541 SOT223 BFG591 BFG591 SOT223 BFG94 BFG94 SOT223 BFG97 BFG97 SOT223 BLT50 BLT50 SOT223 BLT70 BLT70 SOT223 BLT80 BLT80 SOT223 BLT81 BLT81 SOT223 C1% BGM1011 SOT363 C2% BGM1012 SOT363 C4% BGM1013 SOT363 C5% BGM1014 SOT363 D1 BFU610F SOT343FD2 BFU630F SOT343FD2 BAP63-03 SOD323 D3 BFU660F SOT343FD3 BAP65-03 SOD323 D4 BFU690F SOT343FD4% BFR30/B SOT23 D5 BFU710F SOT343FD6 BFU730F SOT343FD7 BFU760F SOT343FD8 BFU790F SOT343FE1% BFS17 SOT23 E1% BFS17/FD SOT23 E1% BFS17W SOT323 E2% BFS17A SOT23 E2% BGA2712 SOT363 E3% BGA2709 SOT363 E6% BFG17A SOT23FB BFQ19 SOT89 FF BFQ18A SOT89 FG BFQ149 SOT89 G2 BA278 SOD523 G2% BGA2711 SOT363 G3% BGA2748 SOT363 G4% BGA2771 SOT363 G5% BGA2776 SOT363

6.2 マーキング・コード一覧

マーキング・コードのオンライン検索:http://www.nxp.com/package/マーキング・コード (アルファベット順)

マーキングコードに‘%’が付与されている場合、このタイプはアセンブリ場所が複数あることを意味します。‘%’の代わりに、次のような コードも存在します:p =香港製t =マレーシア製W =中国製

Page 105: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

103NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

Markingcode Type PackageK1 BAP51-02 SOD523 K2 BAP51-05W SOD523 K4 BAP50-02 SOD523 K5 BAP63-02 SOD523 K6 BAP65-02 SOD523 K7 BAP1321-02 SOD523 K8 BAP70-02 SOD523 K9 BB199 SOD523 L1 BB202LX SOD882T L2 BAP51LX SOD882T L2 BB202 SOD523 L2% BF1203 SOT363 L3 BB178LX SOD882T L3% BF1204 SOT363 L4 BB179LX SOD882T L4% BF1205 SOT363 L5 BB179BLX SOD882T L6 BB181LX SOD882T L6% BF1206 SOT363 L7 BB182LX SOD882T L8 BB187LX SOD882T L9% BF1208 SOT363 LA BF1201WR SOT343 LA% BF1201 SOT143 LB% BF1201R SOT143 LD% BF1202 SOT143 LE BF1202WR SOT343 LE% BF1202R SOT143 LF% BF1211 SOT143 LG% BF1212 SOT143 LH% BF1211R SOT143 LK% BF1212R SOT143 M08 PMBFJ308 SOT23 M09 PMBFJ309 SOT23 M1% BFR30 SOT23 M10 PMBFJ310 SOT23 M2% BF1207 SOT363 M2% BFR31 SOT23 M3% BFT46 SOT23 M33 BF861A SOT23 M34 BF861B SOT23 M35 BF861C SOT23 M4% BF1215 SOT363M5% BF1216 SOT363M6% BF1205C SOT363 M65 BF545A SOT23 M66 BF545B SOT23 M67 BF545C SOT23 M7% BF1218 SOT363M84 BF556A SOT23 M85 BF556B SOT23 M86 BF556C SOT23 MB BF998WR SOT343 MC BF904WR SOT343 MD BF908WR SOT343

Markingcode Type PackageME BF909WR SOT343 MF BF1100WR SOT343 MG BF909AWR SOT343MG% BF994S SOT143MH BF904AWR SOT343MH% BF996S SOT143MK BF1211WR SOT343 ML BF1212WR SOT343 MO% BF998 SOT143 MO% BF998R SOT143 N BB181 SOD523N0 BFR505T SOT416N0% BFM505 SOT363 N0% BFS505 SOT323 N1 BFG505W/X SOT343N2 BFR520T SOT416N2% BFM520 SOT363N2% BFS520 SOT323N3 BFG520W SOT343 N4 BFG520W/X SOT343N4 BFQ540 SOT89 N4% BFS540 SOT323 N6% BFS25A SOT323 N7 BFG540W/X SOT343N8 BFG540W/XR SOT343N9 BFG540W SOT343 N9% BAP70AM SOT363 NA BF1105WR SOT343 NA% BF1105R SOT143 NB BF1109WR SOT343NB% BF1109R SOT143NC BF1101WR SOT343NC% BF1101R SOT143ND BFG424W SOT343 ND% BF1101 SOT143 NE BFG424F SOT343 NE% BF1105 SOT143 NF% BF1109 SOT143 NG% BF1108 SOT143 NH% BF1108R SOT143P08 PMBFJ108 SOT23P09 PMBFJ109 SOT23 P1 BFG21W SOT343P1 BB131 SOD323 P10 PMBFJ110 SOT23P11 PMBFJ111 SOT23 P12 PMBFJ112 SOT23P13 PMBFJ113 SOT23 P2% BFR92A SOT23 P2% BFR92AW SOT323 P3 BFG403W SOT343 P4 BFG410W SOT343 P5 BB135 SOD323P5 BFG425W SOT343 P6 BFG480W SOT343

Markingcode Type PackageP7 BB147 SOD523P8 BB148 SOD323P9 BB149 SOD323PB BB152 SOD323PC BB153 SOD323PE BB155 SOD323PF BB156 SOD323PL BB149A SOD323R2% BFR93A SOT23R2% BFR93AW SOT323R5 BFR93AR SOT23 R7% BFR106 SOT23 R8% BFG93A SOT143 S BAP64-02 SOD523 S1% BFG310/XR SOT143S2% BBY40 SOT23S2% BFG325/XR SOT143S3% BF1107 SOT23S6% BF510 SOT23 S7% BF511 SOT23 S8% BF512 SOT23 S9% BF513 SOT23 SB% BF1214 SOT363 SC% BGU7031             SOT363SC% BB201 SOT23 SD% BGU7032             SOT363SE% BGU7033             SOT363T5 BFG10W/X SOT343V1 BFG25AW/X SOT343V1% BFT25 SOT23 V10 BFT25A SOT23 V2% BFQ67 SOT23 V2% BFQ67W SOT323 V3% BFG67 SOT143 V4% BAP64-06W SOT323 V6% BAP65-05W SOT323 V8 BAP1321-03 SOD323VA BF1217WR          SOT343VB BF1118W             SOT343VC BF1118WR          SOT343VC% BF1118                  SOT143VD% BF1118R               SOT143W1 BF1102 SOT363W1% BFT92 SOT23 W1% BFT92W SOT323 W2% BF1102R SOT363W4% BAP50-05W SOT323 W6% BAP51-04W SOT323W7% BAP51-06W SOT323W9% BAP63-05W SOT323X BB187 SOD523 X1% BFT93 SOT23X1% BFT93W SOT323

Page 106: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

104 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

7. 略語

3-way 3つのディスクリート・トランジスタを使用したドハティ設計

AM 振幅変調ASIC 特定用途向け集積回路ASYM 非対称ドハティ設計 (メインおよびピークに異なる

デバイスを使用)BPF 帯域通過フィルタBUC ブロックアップコンバータCATV 共聴アンテナ式テレビCDMA 符号分割多重接続CMMB 中国マルチメディア・モバイル・ブロードキャスティ

ング CMOS 相補型金属酸化膜半導体CQS 顧客向け認定サンプルDAB デジタル・オーディオ・ブロードキャスティングDECT デジタルコードレス電話規格 (Digital Enhanced

Cordless Telecommunications)DiSEqC ダイセック方式 (Digital Satellite Equipment

Control)DSB デジタル・シグナル・プロセッサDVB デジタル・ビデオ・ブロードキャスティングEDGE GSM進化型高速データレートESD 静電気デバイスFET 電界効果トランジスタFM 周波数変調GaAs ヒ化ガリウムGaN 窒化ガリウムGen 世代GPS 衛星利用測位システムGSM 汎欧州デジタル移動電話方式HBT ヘテロ接合バイポーラトランジスタHDTV ハイビジョンテレビHF 短波 (3-30 MHz)HFC ファイバー同軸ハイブリッドHFET ヘテロ構造電界効果トランジスタHPA ハイパワーアンプHVQFN 熱的に拡張されたプラスチックの極薄クアッド・フ

ラット・リードレスパッケージIF 中間周波数ISM 産業科学医療用 (ISM) バンドLDMOS 横拡散金属酸化半導体LNA 低雑音アンプLNB 低雑音ブロックLO 局部発振器LPF 低域通過フィルタMESFET 金属半導体電界効果トランジスタMMIC モノリシックマイクロ波集積回路

MMPP プッシュプルトランジスタの半分を別々に使用したメインとピークデバイス

MPPM 同じプッシュプルトランジスタを使用したメインとピークデバイス

MoCA MoCA (Multimedia over Coax Alliance)MOSFET 金属オキサイド半導体電界効果トランジスタMPA ミディアムパワーアンプMRI 磁気共鳴画像装置NF 雑音指数NIM ネットワーク・インターフェース・モジュールNMR 核磁気共鳴PA パワーアンプPAR ピーク対平均電力比PEP 尖頭包絡線電力pHEMT 擬似格子整合高電子移動度トランジスタPLL 位相ロックループQUBiC 高品質BiCMOSRF 無線周波数RFS 供給開始RoHS 有害物質の使用制限指令 (RoHS指令)RX 受信機SARFT 国立ラジオ、映画、テレビ管理省SER シリアライザーSiGe:C シリコン・ゲルマニウム・炭素SMATV サテライト・マスター・アンテナTV (SMATV)SMD 表面実装型デバイスSPDT 単極双投SYM 対称ドハティ設計 (メインおよびピークに同一のデ

バイスを使用)TD-SCDMA 時分割同期符号分割多重接続 (中国規格)TCAS 航空機衝突防止システムTMA 搭設アンプTTFF Time to first fix (初期位置算出時間)TX 送信 (機)UHF 極超短波 (470-860MHz)UMTS ユニバーサル・モバイル・テレコミュニケーショ

ン・システムVCO 電圧制御発振器VGA 可変利得アンプVHF 超短波 (30-300MHz)VoIP ボイス オーバー インターネット プロトコルVSAT 超小型衛星通信地上局WCDMA 広帯域符号分割多重接続WiMAX ワイマックスWLAN 無線LAN

Page 107: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

105NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

8. 連絡先とwebリンク

正規代理店

アジア太平洋地域: http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific_dist

欧州 / アフリカ / 中東地域: http://www.nxp.com/profile/sales/europe_dist

北米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica_dist

南米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/southamerica_dist

NXP営業所

アジア太平洋地域: http://www.nxp.com/profile/sales/asia_pacific

欧州 / アフリカ / 中東地域: http://www.nxp.com/profile/sales/europe

北米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/northamerica

南米地域: http://www.nxp.com/profile/sales/southamerica

ウェブリンク

NXPセミコンダクターズ:http://www.nxp.com

NXP RFマニュアルWebページ: http://www.nxp.com/rfmanual

NXPバリキャップ: http://www.nxp.com/varicaps

NXP RF PINダイオード: http://www.nxp.com/pindiodes

NXP RFショットキー・ダイオード: http://www.nxp.com/rfschottkydiodes

NXP RF MMIC: http://www.nxp.com/mmics

NXP RF広帯域トランジスタ: http://www.nxp.com/rftransistors

NXP RFパワー&ベースステーション:http://www.nxp.com/rfpower

NXP RF FET: http://www.nxp.com/rffets

NXP RF CATV (電気信号および光信号): http://www.nxp.com/catv

NXP RFアプリケーション: http://www.nxp.com/rf

NXPアプリケーション・ノート: http://www.nxp.com/all_appnotes

NXPクロス・リファレンス: http://www.nxp.com/products/xref

NXPグリーン・パッケージ: http://www.nxp.com/green_roadmap

NXP生産終了品: http://www.nxp.com/products/eol

NXPクオリティ・ハンドブック: http://www.standardics.nxp.com/quality/handbook

NXP資料: http://www.nxp.com/products/discretes/documentation

NXPパッケージ: http://www.nxp.com/package

NXPの営業所と正規代理店: http://www.nxp.com/profile/sales

NXP高速コンバータ:http://www.nxp.com/dataconverters

お近くの正規代理店およびNXP営業所の探し方

Page 108: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

106 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

TypePortfoliochapter

ADC1006S series 3.8.1ADC1010S series 3.8.1ADC1015S series 3.8.1ADC1113D125 3.8.1ADC1115S125 3.8.1ADC1206S series 3.8.1ADC1207S080 3.8.1ADC1210S series 3.8.1ADC1212D series 3.8.1ADC1213D series 3.8.1ADC1215S series 3.8.1ADC1410S series 3.8.1ADC1412D series 3.8.1ADC1413D series 3.8.1ADC1415S series 3.8.1ADC1610S series 3.8.1ADC1613D series 3.8.1BA277 3.2.1BA591 3.2.1BA792 3.2.1BA891 3.2.1BAP1321-02 3.2.2BAP1321-03 3.2.2BAP1321-04 3.2.2BAP1321LX 3.2.2BAP142LX 3.2.2BAP50-02 3.2.2BAP50-03 3.2.2BAP50-04 3.2.2BAP50-04W 3.2.2BAP50-05 3.2.2BAP50-05W 3.2.2BAP50LX 3.2.2BAP51-02 3.2.2BAP51-03 3.2.2BAP51-04W 3.2.2BAP51-05W 3.2.2BAP51-06W 3.2.2BAP51LX 3.2.2BAP55LX 3.2.2BAP63-02 3.2.2BAP63-03 3.2.2BAP63-05W 3.2.2BAP63LX 3.2.2BAP64-02 3.2.2BAP64-03 3.2.2BAP64-04 3.2.2BAP64-04W 3.2.2BAP64-05 3.2.2BAP64-05W 3.2.2BAP64-06 3.2.2BAP64-06W 3.2.2BAP64LX 3.2.2BAP64Q 3.2.2BAP65-02 3.2.2BAP65-03 3.2.2BAP65-05 3.2.2BAP65-05W 3.2.2BAP65LX 3.2.2BAP70-02 3.2.2BAP70-03 3.2.2BAP70-04W 3.2.2BAP70-05 3.2.2BAP70AM 3.2.2BAP70Q 3.2.2BAT17 3.2.4BAT18 3.2.3BB131 3.2.1BB135 3.2.1BB145B 3.2.1BB148 3.2.1

TypePortfoliochapter

BB149 3.2.1BB149A 3.2.1BB152 3.2.1BB153 3.2.1BB156 3.2.1BB178 3.2.1BB178LX 3.2.1BB179 3.2.1BB179B 3.2.1BB179BLX 3.2.1BB179LX 3.2.1BB181 3.2.1BB181LX 3.2.1BB182 3.2.1BB182LX 3.2.1BB184 3.2.1BB184LX 3.2.1BB185LX 3.2.1BB187 3.2.1BB187LX 3.2.1BB189 3.2.1BB198 3.2.1BB199 3.2.1BB201 3.2.1BB202 3.2.1BB202LX 3.2.1BB207 3.2.1BB208-02 3.2.1BB208-03 3.2.1BBY40 3.2.1BF1100 3.5.2BF1100R 3.5.2BF1100WR 3.5.2BF1101 3.5.2BF1101R 3.5.2BF1101WR 3.5.2BF1102 3.5.2BF1105 3.5.2BF1105R 3.5.2BF1105WR 3.5.2BF1107 3.5.2BF1108 3.5.2BF1108R 3.5.2BF1109 3.5.2BF1109R 3.5.2BF1109WR 3.5.2BF1118 3.5.2.BF1118R 3.5.2.BF1118W 3.5.2.BF1118WR 3.5.2.BF1201 3.5.2BF1201R 3.5.2BF1201WR 3.5.2BF1202 3.5.2BF1202R 3.5.2BF1202WR 3.5.2BF1203 3.5.2BF1204 3.5.2BF1205 3.5.2BF1205C 3.5.2BF1206 3.5.2BF1206 3.5.2BF1207 3.5.2BF1208 3.5.2BF1208D 3.5.2BF1210 3.5.2BF1211 3.5.2BF1211R 3.5.2BF1211WR 3.5.2BF1212 3.5.2BF1212R 3.5.2

TypePortfoliochapter

BF1212WR 3.5.2BF1214 3.5.2BF1215 3.5.2.BF1216 3.5.2.BF1217 3.5.2.BF1218 3.5.2.BF245A 3.5.1BF245B 3.5.1BF245C 3.5.1BF5101) 3.5.1BF5111) 3.5.1BF5121) 3.5.1BF5131) 3.5.1BF545A 3.5.1BF545B 3.5.1BF545C 3.5.1BF556A 3.5.1BF556B 3.5.1BF556C 3.5.1BF861A 3.5.1BF861B 3.5.1BF861C 3.5.1BF862 3.5.1BF904 3.5.2BF904R 3.5.2BF904WR 3.5.2BF908 3.5.2BF908R 3.5.2BF908WR 3.5.2BF909 3.5.2BF909R 3.5.2BF909WR 3.5.2BF991 3.5.2BF992 3.5.2BF994S 3.5.2BF996S 3.5.2BF998 3.5.2BF998R 3.5.2BF998WR 3.5.2BFG10(X) 3.3.1BFG10W/X 3.3.1BFG135 3.3.1BFG198 3.3.1BFG21W 3.3.1BFG25A/X 3.3.1BFG25AW/X 3.3.1BFG31 3.3.1BFG310/XR 3.3.1BFG310W/XR 3.3.1BFG325/XR 3.3.1BFG325W/XR 3.3.1BFG35 3.3.1BFG403W 3.3.1BFG410W 3.3.1BFG424F 3.3.1BFG424W 3.3.1BFG425W 3.3.1BFG480W 3.3.1BFG505(/X) 3.3.1BFG505W/X 3.3.1BFG520(/X) 3.3.1BFG520W(/X) 3.3.1BFG540(/X) 3.3.1BFG540W(/X/XR) 3.3.1BFG541 3.3.1BFG590(/X) 3.3.1BFG591 3.3.1BFG67(/X) 3.3.1BFG92A(/X) 3.3.1BFG93A(/X) 3.3.1BFG94 3.3.1

TypePortfoliochapter

BFG97 3.3.1BFM505 3.3.1BFM520 3.3.1BFQ149 3.3.1BFQ18A 3.3.1BFQ19 3.3.1BFQ540 3.3.1BFQ591 3.3.1BFQ67 3.3.1BFQ67W 3.3.1BFR106 3.3.1BFR30 3.3.1BFR31 3.3.1BFR505 3.3.1BFR505T 3.3.1BFR520 3.3.1BFR520T 3.3.1BFR540 3.3.1BFR92A 3.3.1BFR92AW 3.3.1BFR93A(R) 3.3.1BFR93AW 3.3.1BFS17 3.3.1BFS17A 3.3.1BFS17W 3.3.1BFS25A 3.3.1BFS505 3.3.1BFS520 3.3.1BFS540 3.3.1BFT25 3.3.1BFT25A 3.3.1BFT46 3.3.1BFT92 3.3.1BFT92W 3.3.1BFT93 3.3.1BFT93W 3.3.1BFU610F 3.3.1BFU630F 3.3.1BFU660F 3.3.1BFU690F 3.3.1BFU710F 3.3.1BFU725F/N1 3.3.1BFU730F 3.3.1BFU760F 3.3.1BFU790F 3.3.1BGA2001 3.4.1BGA2003 3.4.1BGA2011 3.4.1BGA2012 3.4.1BGA2022 3.4.1BGA2031/1 3.4.1BGA2709 3.4.1BGA2711 3.4.1BGA2712 3.4.1BGA2714 3.4.1BGA2715 3.4.1BGA2716 3.4.1BGA2717 3.4.1BGA2748 3.4.1BGA2771 3.4.1BGA2776 3.4.1BGA2800 3.4.1BGA2801 3.4.1BGA2815 3.4.1BGA2816 3.4.1BGA2850 3.4.1BGA2865 3.4.1BGA2866 3.4.1BGA6289 3.4.1BGA6489 3.4.1BGA6589 3.4.1

9. 製品目録

Page 109: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

107NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

TypePortfoliochapter

BGA7024 3.4.1BGA7027 3.4.1BGA7030 3.4.1BGA7033 3.4.1BGA7124 3.4.1BGA7127 3.4.1BGA7202 3.4.1BGA7203 3.4.1BGA7204 3.4.1BGA7350 3.4.1BGA7351 3.4.1BGD502 3.6.3BGD702 3.6.3BGD702N 3.6.3BGD704 3.6.3BGD712 3.6.3BGD712C 3.6.3BGD714 3.6.3BGD802 3.6.3BGD804 3.6.3BGD812 3.6.3BGD814 3.6.3BGD816L 3.6.3BGD885 3.6.3BGE787B 3.6.2BGE788 3.6.2BGE788C 3.6.2BGE885 3.6.2BGM1011 3.4.1BGM1012 3.4.1BGM1013 3.4.1BGM1014 3.4.1BGO807 3.6.4BGO807/FC0 3.6.4BGO807/SC0 3.6.4BGO807C 3.6.4BGO807C/FC0 3.6.4BGO807C/SC0 3.6.4BGO807CE 3.6.4BGO827 3.6.4BGO827/SC0 3.6.4BGU7003 3.4.1BGU7005 3.4.1BGU7006 3.4.1BGU7007 3.4.1BGU7031 3.4.1BGU7032 3.4.1BGU7033 3.4.1BGY1085A 3.6.2BGY585A 3.6.2BGY587 3.6.2BGY587B 3.6.2BGY588C 3.6.2BGY588N 3.6.2BGY66B 3.6.1BGY67 3.6.1BGY67A 3.6.1BGY68 3.6.1BGY685A 3.6.2BGY687 3.6.2BGY785A 3.6.2BGY787 3.6.2BGY835C 3.6.2BGY883 3.6.2BGY885A 3.6.2BGY887 3.6.2BGY887B 3.6.2BGY888 3.6.2BLA6H0912-500 3.7.3BLA6H1011-600 3.7.3BLD6G21L-50 3.7.1

TypePortfoliochapter

BLD6G21LS-50 3.7.1BLD6G22L-50 3.7.1BLD6G22LS-50 3.7.1BLF571 3.7.2BLF573 3.7.2BLF573 3.7.2.1BLF573S 3.7.2BLF574 3.7.2BLF578 3.7.2BLF645 3.7.2BLF6G07L(S)-260PBM 3.7.1.1BLF6G10-135RN 3.7.1BLF6G10-160RN 3.7.1BLF6G10-200RN 3.7.1BLF6G10-45 3.7.1BLF6G10L(S)-260PRN 3.7.1.1BLF6G10L(S)-40BRN 3.7.1.1BLF6G10LS-135RN 3.7.1BLF6G10LS-160RN 3.7.1BLF6G10LS-200RN 3.7.1BLF6G10S-45 3.7.1BLF6G20-110 3.7.1BLF6G20-180PN 3.7.1BLF6G20-180RN 3.7.1BLF6G20-230PRN 3.7.1BLF6G20-40 3.7.1BLF6G20-45 3.7.1BLF6G20-75 3.7.1BLF6G20LS-110 3.7.1BLF6G20LS-140 3.7.1BLF6G20LS-180RN 3.7.1BLF6G20LS-75 3.7.1BLF6G20S-45 3.7.1BLF6G21-10G 3.7.1BLF6G22-180PN 3.7.1BLF6G22-180RN 3.7.1BLF6G22-45 3.7.1BLF6G22LS-100 3.7.1BLF6G22LS-130 3.7.1BLF6G22LS-180RN 3.7.1BLF6G22LS-75 3.7.1BLF6G22S-45 3.7.1BLF6G27-10 3.7.1BLF6G27-10G 3.7.1BLF6G27-135 3.7.1BLF6G27-45 3.7.1BLF6G27-75 3.7.1BLF6G27L(S)-45BN 3.7.1.4BLF6G27LS-135 3.7.1BLF6G27LS-75 3.7.1BLF6G27S-45 3.7.1BLF6G38-10 3.7.1BLF6G38-100 3.7.1BLF6G38-10G 3.7.1BLF6G38-25 3.7.1BLF6G38-50 3.7.1BLF6G38LS-100 3.7.1BLF6G38LS-50 3.7.1BLF6G38S-25 3.7.1BLF7G20L(S)-200 3.7.1.2BLF7G20L(S)-250P 3.7.1.2BLF7G20L(S)-300P 3.7.1.2BLF7G22L-130 3.7.1BLF7G22L(S)-250P 3.7.1.3BLF7G22LS-130 3.7.1BLF7G24L(S)-100(G) 3.7.1.4BLF7G27L-200P 3.7.1BLF7G27L(S)-100 3.7.1.4BLF7G27L(S)-140 3.7.1.4BLF7G27L(S)-75P 3.7.1.4BLF7G27LS-200P 3.7.1

TypePortfoliochapter

BLF871 3.7.2BLF871S 3.7.2BLF878 3.7.2BLF881 3.7.2BLF888 3.7.2BLF888A(S) 3.7.2BLL6H0514-25 3.7.3BLL6H1214-500 3.7.3BLM6G10-30 3.7.1BLM6G10-30G 3.7.1BLM6G22-30 3.7.1BLM6G22-30G 3.7.1BLS6G2731-120 3.7.3BLS6G2731-6G 3.7.3BLS6G2731S-120 3.7.3BLS6G2933P-200 3.7.3BLS6G2933S-130 3.7.3BLS6G3135-120 3.7.3BLS6G3135-20 3.7.3BLS6G3135S-120 3.7.3BLS6G3135S-20 3.7.3BLS7G2729-300P 3.7.3BLS7G2729S-300 3.7.3BLT50 3.3.1BLT70 3.3.1BLT80 3.3.1BLT81 3.3.1BSR56 3.5.1BSR57 3.5.1BSR58 3.5.1BSS83 3.5.2CGD1040Hi 3.6.3CGD1042H 3.6.3CGD1042Hi 3.6.3CGD1044H 3.6.3CGD1044Hi 3.6.3CGD1046Hi 3.6.3CGD914 3.6.3CGD923 3.6.3CGD942C 3.6.3CGD944C 3.6.3CGY1032 3.6.2CGY1041 3.6.2CGY1043 3.6.2CGY1049 3.6.2CGY887A 3.6.2CGY887B 3.6.2CGY888C 3.6.2DAC1001D125 3.8.2DAC1003D160 3.8.2DAC1005D series 3.8.2DAC1008D series 3.8.2DAC1201D125 3.8.2DAC1203D160 3.8.2DAC1205D series 3.8.2DAC1208D series 3.8.2DAC1401D125 3.8.2DAC1403D160 3.8.2DAC1405D series 3.8.2DAC1408D series 3.8.2J108 3.5.1J109 3.5.1J110 3.5.1J111 3.5.1J112 3.5.1J113 3.5.1J174 3.5.1J175 3.5.1J176 3.5.1J177 3.5.1OM7650 3.6.2

TypePortfoliochapter

OM7670 3.6.2PBR941 3.3.1PBR951 3.3.1PMBD353 3.2.4PMBD354 3.2.4PMBF4391 3.5.1PMBF4392 3.5.1PMBF4393 3.5.1PMBFJ108 3.5.1PMBFJ109 3.5.1PMBFJ110 3.5.1PMBFJ111 3.5.1PMBFJ112 3.5.1PMBFJ113 3.5.1PMBFJ174 3.5.1PMBFJ175 3.5.1PMBFJ176 3.5.1PMBFJ177 3.5.1PMBFJ308 3.5.1PMBFJ309 3.5.1PMBFJ310 3.5.1PMBFJ620 3.5.1PRF947 3.3.1PRF949 3.3.1PRF957 3.3.1TFF1003HN 3.4.2TFF1007HN 3.4.2TFF11070HN 3.4.2TFF11073HN 3.4.2TFF11077HN 3.4.2TFF11080HN 3.4.2TFF11084HN 3.4.2TFF11088HN 3.4.2TFF11092HN 3.4.2TFF11096HN 3.4.2TFF11101HN 3.4.2TFF11105HN 3.4.2TFF11110HN 3.4.2TFF11115HN 3.4.2TFF11121HN 3.4.2TFF11126HN 3.4.2TFF11132HN 3.4.2TFF11139HN 3.4.2TFF11145HN 3.4.2TFF11152HN 3.4.2

Page 110: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

108 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

メモ

Page 111: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

109NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

メモ

Page 112: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

110 NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

メモ

Page 113: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

111NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版

メモ

Page 114: RFマニュアル第14版 - NXP Semiconductors | … NXPセミコンダクターズRFマニュアル第14版 NXPのRFマニュアルで、RF設計がこれ までになく簡単に

RF製品用のアプリケーションおよび設計マニュアル2010年5月

© 2010 NXP B.V.

All rights reserved. 本文書の全部または一部の複製には、事前に著作権者からの書面による同意が必要です。本文書

に記載されている情報は、見積もりや契約の一部には含まれません。情報の正確さや信頼性には万全を期しておりま

す。また、情報は予告なく変更されることがあります。本文書の情報を用いた結果につきましては、一切の責任を負いか

ねます。本文書は、特許権あるいは他の工業的または知的所有権の使用ライセンスを提供するものでも、その提供を暗

示するものでもありません。

リリース日: 2010年5月

ドキュメント注文番号: 9397 750 16952

印刷: オランダ

RFマ

ニュアル第

14版

RFマニュアル第14版