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UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y DOPADOS PRESENTA EL TEMA : Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. Elaborado por : Avelardo J. Calcina M. Ingeniero de sistemas 1

Semiconductores hecho por avelardo

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Page 1: Semiconductores hecho por avelardo

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

SEMICONDUCTORES

INTRÍNSECOS Y DOPADOS

PRESENTA EL TEMA :

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M.

Elaborado por :

Avelardo J. Calcina M.

Ingeniero de sistemas

1

Page 2: Semiconductores hecho por avelardo

SEMICONDUCTOR ._es un elemento

que se comporta como un conductor o

como aislante dependiendo de diversos

factores, como por ejemplo el campo

eléctrico o magnético, la presión, la

radiación que le incide, o la temperatura

del ambiente en el que se encuentre.

LOS MATERIALES

SEMICONDUCTORES.

según su pureza, se clasifican de la

siguiente forma:

1. Intrínsecos

2. Extrínsecos

.

INTRODUCCIÓN

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 2

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1.1. CONCEPTO :En un cristal de

Silicio o Germanio que forma una

estructura tetraédrica similar a la

del carbono mediante enlaces

covalentes entre sus átomos, en la

figura representados en el plano

por simplicidad.

Fuente

:http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

1.SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 3

Page 4: Semiconductores hecho por avelardo

Las palabras “intrínsecos” se usa para describir cristales

semiconductores que contienen una concentración tan pequeña de

impurezas químicas, que no afectan sus características eléctricas.

Los semiconductores intrínsecos se caracterizan por la estructura

de banda que se muestran en las figuras 3.2 c y 3.2 d, en las que la

banda de valencia está separada de la de conducción, por un

intervalo de energía vacío relativamente pequeño.

Fuente :http://proton.ucting.udg.mx/materias/tecnologia/Conductores.htm

1.2. CARACTERÍSTICAS

Se cumple : n= p = n¡

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 4

Page 5: Semiconductores hecho por avelardo

FIG 3.2 Diagramas del nivel de energía de: a) un

conductor, b) Un aislador; c) un semiconductor

intrínseco a T = 0 y d) un semiconductor intrínseco a T >

0.

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 5

Page 6: Semiconductores hecho por avelardo

Esta compuesta solamente por

átomos de silicio (Si) que forman

una celosía. Como se puede

observar en la ilustración, los

átomos de silicio (que sólo poseen

cuatro electrones en la última órbita

o banda de valencia), se unen

formando enlaces covalente para

completar ocho electrones y crear

así un cuerpo sólido semiconductor.

En esas condiciones el cristal de

silicio se comportará igual que si

fuera un cuerpo aislante.

Fuente:http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm

1.2. ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 6

Page 7: Semiconductores hecho por avelardo

2.1. CONCEPTO :se denomina

dopaje al proceso intencional de

agregar impurezas en un

semiconductor extremadamente

puro (también referido como

intrínseco) con el fin de cambiar sus

propiedades eléctricas. Las

impurezas utilizadas dependen del

tipo de semiconductores a dopar. A

los semiconductores con dopajes

ligeros y moderados se los conoce

como extrínsecos.:http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

2.SEMICONDUCTOR DOPADO

Si aplicamos una tensión al cristal de silicio,

el positivo de la pila intentará atraer los

electrones y el negativo los huecos

favoreciendo así la aparición de una

corriente a través del circuito

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 7

Page 8: Semiconductores hecho por avelardo

El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos

de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de

impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al

semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de

semiconductores :

• Semiconductor tipo P

• Semiconductor tipo N

Fuente :http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.aspFuente imagen : http://www.google.com.pe/imgres?hl=es-419&biw=1366&bih=557&tbm=isch&tbnid=WB-

vFahXFElKFM:&imgrefurl=http://www.filmscanner.info/es/CCDSensoren.html&docid=twBzKiNezrgozM&imgurl=http://www.filmscanner.info/Bilder/CCD_01.gif

&w=600&h=322&ei=JdLEUvmNNouSkQfQ9oCYBQ&zoom=1&iact=hc&vpx=411&vpy=109&dur=4004&hovh=164&hovw=307&tx=230&ty=90&page=1&tbnh=

123&tbnw=237&start=0&ndsp=19&ved=1t:429,r:2,s:0,i:81

2.2. CARACTERÍSTICAS DE DOPAJE

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 8

Page 9: Semiconductores hecho por avelardo

2.2.1. SEMICONDUCTOR TIPO P

Si en una red cristalina de silicio

(átomos de silicio enlazados entre sí)

....

Enlace covalente de átomos de

germanio, obsérvese que cada átomo

comparte

cada uno de sus electrones con otros

cuatro átomos

Fuente: :

http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/tipo-P.asp

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 9

Page 10: Semiconductores hecho por avelardo

SI.... sustituimos uno de sus átomos (que como

sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior)

por un átomo de otro elemento que contenga

tres electrones en su capa exterior, resulta que

estos tres electrones llenarán los huecos que

dejaron los electrones del átomo de silicio, pero

como son cuatro, quedará un hueco por ocupar.

Ósea que ahora la sustitución de un átomo por

otros provoca la aparición de huecos en el cristal

de silicio. Por tanto ahora los "portadores

mayoritarios" serán los huecos y los electrones

los portadores minoritarios.

A esta red de silicio dopada con esta clase de

impurezas se le denomina "silicio tipo P"

SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO P

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 10

Page 11: Semiconductores hecho por avelardo

2.2.2. SEMICONDUCTOR TIPO N

Si en una red cristalina de silicio

(átomos de silicio enlazados entre sí)

....

Enlace covalente de átomos de

germanio, obsérvese que cada átomo

comparte cada uno de sus electrones

con otros cuatro átomos

Fuente

:http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/tipo-N.asp

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 11

Page 12: Semiconductores hecho por avelardo

SI.... .... sustituimos uno de sus átomos (que como

sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por

un átomo de otro elemento que contenga cinco

electrones en su capa exterior, resulta que cuatro

de esos electrones sirven para enlazarse con el

resto de los átomos de la red y el quinto queda

libre.

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de

impurezas se le denomina "Silicio tipo N"

En esta situación hay mayor número de electrones

que de huecos. Por ello a estos últimos se les

denomina "portadores minoritarios" y "portadores

mayoritarios" a los electrones

Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso

de dopado son el arsénico, el antimonio y el fósforo

SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO N

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 12

Page 13: Semiconductores hecho por avelardo

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

• A partir de la década de 1950, los dispositivos semiconductores -

conocidos también como dispositivos de estado sólido-

remplazaron los tubos electrónicos de la industria tradicional.

• Por la enorme reducción de tamaño,

• Menor consumo de energía y costo, acompañada de una mucho

mayor durabilidad y confiabilidad.

• los dispositivos semiconductores significaron un cambio

revolucionario en las telecomunicaciones, la computación, el

almacenamiento de información, etc.

• Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo

semiconductor más simple y fundamental es el diodo; todos los

demás dispositivos pueden entenderse en base a su

funcionamiento.

Autor :Ing Avelardo J . Calcina M. 13