UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIAFACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRICA Y ELECTRÓNICA

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

SIMULACIÓN DE UN TRANSISTOR 2N2222

Nombres y Apellidos: Ochoa Bolaños, Miguel AngelCódigo: 20111141F

Como introducción. se le muestra la representación gráfica del circuitos utilizado para la simulación del transistor 2N222. Este circuito ha sido realizado gracias al programa-simulador NI Multisim

R1 = 330ohmios : resistencia de carga.R2 = 500ohmios : resistencia de protección.Vin = 12v.Transistor 2N2222A.S1 = Switch 1.LED1 = Diodo.

INFORME DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS”

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*Empezamos colocando un amperímetro en serie para cada resistencia y un voltímetro en paralelo para medir la tensión colector-emisor Vce. (esto podría modificar los cálculos ya que cada indicador tiene su propia resistencia interna).

A simple vista vemos al diodo apagado, ya que el switch S1 está abierto, esto hace que no exista una corriente de base “IB” en el transistor, entonces tampoco existe una corriente de colector “IC”. Ahora cerraremos el switch.

Podemos apreciar que a la hora de cerrar el switch S1, el circuito se activó y se genera la corriente de base de 0.022A debido a esto es que se genera la corriente del colector de 0.026A y el circuito empieza a funcionar.Es necesario colocar una resistencia R2, ya que si no se colocara el transistor podría recibir mucha intensidad de corriente y esto puede ocasionar un mal funcionamiento del transistor incluso hasta podría llegar a quemarse.

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