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TBJ DISPOSITIVO ELECTRONICOS 2016
Transistor Bipolar
Tipos de Transistores
BIPOLARES
DE
JUNTURA
NPN
PNP
EFECTO DE
CAMPO
FET
UNIรN
METAL-OXIDO-
SEMICONDUCTOR
MOS
CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
TRANSISTORES
* FET : Field Effect Transistor
Definiciรณn Cualitativa
โข Dispositivo Semiconductor de 3 terminales
โข Funciรณn en el circuito:
Amplificar Corriente
Fuente de Corriente
Llave Electrรณnica
โข Tipos de Transistores:
NPN
PNP
โข Sรญmbolos que lo representan en el Circuito
El transistor es un dispositivo de 3 terminales con los siguientes nombres:
Base (B), Colector (C) y Emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con el
terminal que tiene la flecha en el grรกfico de transistor.
El transistor es un Amplificador de Corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una corriente por el terminal de Base (IB), entregarรก por el
terminal de Colector (IC), una corriente mayor en un factor que se llama
ganancia de corriente en emisor comรบn (b) - IC = b IB
El factor ฮฒ (Beta) es un parรกmetro del transistor.
Definiciรณn
Convenciones V-I
โขCorrientes positivas cuando entran al dispositivo
โขTensiones indicadas por subรญndices
IC
IB
IE
VBE
VCB
VCE
+
+
+_
_
_
Emisor
Base
Colector
Emisor
Base
Colector
P
N
N
Emisor
Base
Colector
Estructura Fรญsica
Estructura Fรญsica
Emisor Base Colector
P NN+ NDCNABNDE
WCWE WB
E
B
C
Concentraciรณn de portadores
B
E C
nn0E โ NDE pp0 โ NABnn0C โ NDC
๐ฉ๐ง๐จ๐ โ๐ง๐ข
๐
๐๐๐
๐ง๐ฉ๐จ โ๐ง๐ข
๐
๐๐๐
๐ฉ๐ง๐จ๐ โ๐ง๐ข
๐
๐๐๐
Zonas de Operaciรณn
Juntura B-E Juntura B-C Zona de Operaciรณn
Directa Inversa Activa Directa
Directa Directa Saturaciรณn
Inversa Inversa Corte
Inversa Directa Activa Inversa
VBC
VBE
Saturaciรณn
Activa Directa
Activa Inversa
Corte
Emisor
Base
Colector
+
-
VBE
IB
IB = f(VBE, VCE) Caracterรญstica de entrada
Transistor NPN
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.
Caracterรญsticas V-I de Base
๐๐ต๐ธ
๐ผ๐
Zona de
saturaciรณnZona de corte
IC=bยทIB
VCE (V)
IC (mA) VBE
+
-
+
-
VCE
VBE
IB
IC
Caracterรญsticas V-I de ColectorTransistor NPN
Modelo para Zona Activa Directa
Parรกmetros Is y b
IC = IS e
VBEUTIB =
ICฮฒ
Modelo de Eber & Moll
B
C
E
Caracterรญsticas del Modelo de Eber & Moll
Parรกmetros
IS
bF
bR
Determinados por la
fabricaciรณn
Validez del modelo
Todos los modos de operaciรณn
Funcionamiento del modelo
Generador de corriente entre
Colector โ Emisor controlado por
VBC y VBE
MODELO UTILIZADO POR LOS SIMULADORES
Limitaciones del Modelo
โข No contempla Mรกximas Tensiones, Corrientes y Potencia(Zona de Operaciรณn Segura SOAR)
IC-MAX Corriente mรกxima de colector
VCE-MAX Tensiรณn mรกxima CE
PMAX Potencia mรกxima
ICMAX
PMAX
VCE-MAX
SOAR
รrea de operaciรณn segura
(Safety Operation Area)
IC
VCE
B
C
E
โขNo representa la variaciรณn de la corriente
IC con la tensiรณn VCE
(Modulaciรณn del ancho de la base)
VCE (V)
IC (mA)
VBE
IC
VCE
VBE
โข No representa la dependencia del valor de b con la corriente IC.
โข No contempla la dependencia de b con la temperatura
โข No contempla los Efectos Capacitivos de las junturas que afecta al funcionamiento en altas frecuencias
โข Capacidades de juntura CJC (Colector โBase) CjE (Emisor โ Base)
โข Capacidades de difusiรณn CDC (Colector โ Base) CDE (Emisor โ Base)
rB
rC
rE
โข La tecnologรญa de fabricaciรณn de los TBJ introduce Resistencias Parรกsitas en serie con los terminales
โข Base (rB),
โข Colector (rC)
โข Emisor ( rE).
Emisor
Base
Colector
P
N
N
Corte Transversal de un TBJ NPN
P
N+
N
BaseColector Emisor
Elementos parรกsitos
P
N+
N
BaseColector Emisor
P
N+
N
BaseColector Emisor
N
Principio de Funcionamiento del Transistor Bipolar
P N N P
Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el de dos diodos en
serie: el funcionamiento de la primera uniรณn no afecta al de la segunda
N PP
Principio de Funcionamiento del Transistor Bipolar
N PP
Principio de Funcionamiento del Transistor Bipolar
N PP
Principio de Funcionamiento del Transistor Bipolar
N PP
El terminal de base actรบa como terminal de control manejando una fracciรณn
de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
Emisor
Base
Colector
Transistor PNP
Principio de Funcionamiento del Transistor Bipolar
P NN
Transistor NPN
Principio de Funcionamiento del Transistor Bipolar
VBE VCB
WB
E
B
C
VCBVBE
0 x
P NN+
IEn
IEpIrB
๐ผ๐ธ = ๐ผ๐ธ๐ + ๐ผ๐ธ๐ ๐ผ๐ถ = ๐ผ๐ธ๐ โ ๐ผ๐๐ต๐ผ๐ต = ๐ผ๐ธ๐ + ๐ผ๐๐ต
IEIC
IB
๐ฝ =๐ผ๐ถ๐ผ๐ต
๐ฝ =๐ผ๐ธ๐ โ ๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐ + ๐ผ๐๐ต
๐ผ =๐ผ๐ถ๐ผ๐ธ
๐ผ =๐ผ๐ธ๐ โ ๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐ + ๐ผ๐ธ๐๐ผ =
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐ + ๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐ โ ๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐
Desplazamiento de portadores en Zona Activa Directa
๐ผ =๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐ + ๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐ โ ๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐
๐ถ๐๐๐๐๐๐๐ก๐ ๐๐ ๐๐๐๐๐ก๐๐๐๐๐ ๐๐ ๐๐ ๐๐ข๐๐ก๐ข๐๐ ๐ต โ ๐ธ
๐ถ๐๐๐๐๐๐๐ก๐ ๐ก๐๐ก๐๐ ๐๐ ๐๐ ๐๐ข๐๐ก๐ข๐๐ ๐ต โ ๐ธ
๐ถ๐๐๐๐๐๐๐ก๐ ๐๐ ๐๐๐๐๐ก๐๐๐๐๐ ๐๐ข๐ ๐๐๐๐๐ ๐ ๐๐ ๐๐ข๐๐ก๐ข๐๐ ๐ต โ ๐ถ
๐ถ๐๐๐๐๐๐๐ก๐ ๐๐ ๐๐๐๐๐ก๐๐๐๐๐ ๐๐ข๐ ๐๐๐ ๐ ๐๐๐ ๐๐ ๐๐ข๐๐ก๐ข๐๐ ๐ต โ ๐ธ
ฮณE โ Eficiencia de
inyecciรณn
ฮฑT โ Factor de transporte
de base
๐ผ = ๐พ๐ธ๐ผ๐
๐ฝ =๐ผ
1 โ ๐ผ
๐ผ =๐ฝ
1 + ๐ฝ
ฮฒ alto โค ฮฑ โ 1
ฮฑ โ 1
๐พ๐ธ โ 1
๐ผ๐ โ 1
๐๐๐ธ 0
๐๐0๐ธ
๐๐0๐ถ
๐๐ 0
๐๐ 0 = ๐๐0๐๐๐ต๐ธ๐๐๐๐๐ธ 0 = ๐๐0๐ธ๐
๐๐ต๐ธ๐๐
๐๐ ๐๐ต = ๐๐0๐๐๐ต๐ถ๐๐ ๐๐ ๐๐ต โ 0
๐๐ ๐ฅ
๐๐๐ธ ๐ฅ
Concentraciones de portadores en Zona Activa Directa
๐๐ต๐ถ < 0
WE WB
E
B
C
VCBVBE
0 x
P NN+
๐๐0๐ธ
๐ผ๐ธ๐ = ๐๐ด๐ธ๐ท๐ ๐๐๐ ๐ฅ
๐๐ฅ๐ฅ=0
๐ผ๐ธ๐ = โ๐๐ด๐ธ๐ท๐ ๐๐๐๐ธ ๐ฅ
๐๐ฅ๐ฅ=0
๐๐๐ ๐ฅ
๐๐ฅ๐ฅ=0
= โ๐๐ 0
๐๐ต
๐๐๐๐ธ ๐ฅ
๐๐ฅ๐ฅ=0
=๐๐๐ธ 0
๐๐ธ
๐ผ๐ธ๐ = โ๐๐ด๐ธ๐ท๐
๐๐ 0
๐๐ต
๐ผ๐ธ๐ = โ๐๐ด๐ธ๐ท๐
๐๐๐ธ 0
๐๐ธ
Corrientes en Zona Activa Directa
WE
๐๐๐ธ 0๐๐0๐ถ
๐๐ 0
WB
E
B
C
VCBVBE
0 x
P NN+
๐ผ๐๐ต =๐๐ต
๐๐
๐๐ต โ Carga almacenada en base
๐๐ โ Tiempo de vida medio de electrones en base
๐๐ต =1
2๐๐ด๐ธ๐๐ต๐๐ 0
๐ผ๐๐ต = โ1
2
๐๐ด๐ธ๐๐ต
๐๐๐๐ 0
WB
E
B
C
VCBVBE
0 x
๐๐๐ธ 0
๐๐0๐ธ
๐๐0๐ถ
๐๐ 0
WE
P NN+
RELACION IC vs VBE
๐ผ๐ถ = ๐ผ๐ธ๐ โ ๐ผ๐๐ต
WB
E
B
C
VCBVBE
0 x
P NN+
IEn
IEpIrBIE
IC
IB
si IrB โช IEn ๐ผ๐ถ โ โ๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐ = โ๐๐ด๐ธ๐ท๐
๐๐ 0
๐๐ต
๐๐ 0 = ๐๐0๐๐๐ต๐ธ๐๐ ๐ผ๐ถ =
๐๐ด๐ธ๐ท๐๐๐0
๐๐ต๐
๐๐ต๐ธ๐๐
๐ผ๐ถ = ๐ผ๐๐๐๐ต๐ธ๐๐ ๐ผ๐ =
๐๐ด๐ธ๐ท๐๐๐0
๐๐ต
๐ฝ =๐ผ
1 โ ๐ผ๐ฝ =
1
1๐ผ
โ 1
๐ผ =๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐ + ๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐ โ ๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐
๐ผ =1
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐+ 1
1 โ๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐
๐พ๐ธ =1
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐+ 1
๐ผ๐ = 1 โ๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐
๐ผ = ๐พ๐ธ๐ผ๐
๐ผ๐ธ๐ = โ๐๐ด๐ธ๐ท๐
๐๐ 0
๐๐ต
๐ผ๐ธ๐ = โ๐๐ด๐ธ๐ท๐
๐๐๐ธ 0
๐๐ธ๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐=
๐ท๐๐๐0๐ธ๐๐ต
๐ท๐๐๐0๐๐ธ
๐ผ๐๐ต
๐ผ๐ธ๐=
๐๐ต2
2 ๐ท๐๐๐๐ผ๐๐ต =
1
2
๐๐ด๐ธ๐๐ต
๐๐๐๐ 0
Ganancia de Corriente ฮฒ
Si ๐ผ๐ โ 1
๐ผ โ ๐พ๐ธ ๐ฝ โ1
1๐พ๐ธ
โ 1
1
๐พ๐ธ= 1 +
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐
1
๐พ๐ธโ 1 =
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐
๐ฝ โ๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐=
๐ท๐๐๐0๐๐ธ
๐ท๐๐๐0๐ธ๐๐ต
๐ฝ โ๐ท๐๐๐ธ๐๐0
๐ท๐๐๐ต๐๐0๐ธ
๐๐0 =๐๐
2
๐๐ด๐ต
๐๐0๐ธ =๐๐
2
๐๐ท๐ธ
๐ฝ โ๐ท๐๐๐ท๐ธ๐๐ธ
๐ท๐๐๐ด๐ต๐๐ต
๐ผ = ๐พ๐ธ๐ผ๐๐พ๐ธ =
1
๐ผ๐ธ๐
๐ผ๐ธ๐+ 1
0 WB
np(0)
np(x)
E
B
C
VBE VCB
NPN NDCNDE NA
pnE(0)
WEW1B
Modulaciรณn del ancho de la base
(Efecto EARLY)
IC = (1+VCE/VA) IS exp (VBE/UT)
37
b vs IC
IC(Q1)
1.0uA 10uA 100uA 1.0mA 10mA 100mA 1.0A
IC(Q1)/ IB(Q1)
50
100
150
200
250
ZONA IIIZONA IIZONA I
BETA
b =๐ผ๐ถ
๐ผ๐ต
IC ~ InE
IB = IpE + IrB
โข La corriente IrB es del orden de IpE por lo que no puede despreciarse
๐ฝ =๐ผ๐๐ธ
๐ผ๐๐ธ + ๐ผ๐๐ต
Zona I
IpE InE
Zona II
โข La corriente IrB puede despreciarse
Zona III
โข Inyeccion de alto nivel IC(Q1)
1.0uA 10uA 100uA 1.0mA 10mA 100mA 1.0A
IC(Q1)/ IB(Q1)
50
100
150
200
250
ZONA IIIZONA IIZONA I
BETA
IrB IpE InE b
1 mA 1 mA 100 mA 50
1 mA 10 mA 1000 mA 90
1 mA 100 mA 10000 uA 99
Tensiรณn de ruptura VCB
VCB
IC
IE=0
VCB0
VCB
ICIE
IE3
IE2
IE1
n
CBO
CB
V
VM
)(1
1
EC IMI ** Cuando llega a la ruptura ฮฑM >1
M: Factor de Multiplicaciรณn
VCBO: Parรกmetro del TBJ
Tensiรณn de ruptura VCE
VCE
IC
๐ผ๐ถ = ๐ฝ๐ผ๐ต ๐ฝ =๐ผ
1 โ ๐ผ๐ผ๐ถ =
๐ผ๐
1 โ ๐ผ๐๐ผ๐ต
๐ถ๐ข๐๐๐๐ ๐ผ๐ = 1 ๐ผ๐ถ โ โ
๐ผ๐ =๐ผ
1 โ๐๐ถ๐ต๐๐ถ๐ต0
๐ = 1 ๐ผ = 1 โ๐๐ถ๐ต
๐๐ถ๐ต0
๐
๐๐ถ๐ต
๐๐ถ๐ต0=
๐1 โ ๐ผ ๐๐ถ๐ต = ๐๐ถ๐ต0
๐1 โ ๐ผ ๐๐ถ๐ต โ ๐๐ถ๐ธ ๐๐ถ๐ธ = ๐๐ถ๐ต0
๐1 โ ๐ผ
๐๐ข๐๐ก๐๐๐๐๐๐ ๐ฆ ๐๐๐ฃ๐๐๐ ๐๐๐ ๐๐๐ข๐๐๐ ๐๐๐๐๐๐๐ ๐๐๐ ๐ถ
๐๐ถ๐ธ = ๐๐ถ๐ต0
๐ 1 โ ๐ผ
๐ผ
๐๐ถ๐ธ =๐๐ถ๐ต0
๐ ๐ฝ
๐ถ โ ๐
Cuanto mรกs grande sea el valor de b menor es la
ruptura VCEO
Colector
Base
Emisor
P
N
N+
VCE
Pn
Pn
n
Tensiรณn de ruptura VCE
Mรกximos Absolutos
42Dispositivos Electrรณnicos-FACET- 2011
43Dispositivos Electrรณnicos-FACET- 2011
44
45
46
47
IREFIC2 = I0
IC1
IB1 + IB2
IB2IB1
Fuente Espejo
Q1 Q2
IREF I01I03I02
QREF
Q1Q2 Q3
Fuente Espejo
IS1 = ISREF I01 = IREF
IS2 = 2 ISREF I02 = 2 IREF
IS3 = 4 ISREF I03 = 4 IREF
Fuente Espejo de 3 Transistores
IREF
IB1 IB2
IC2 = I0
Q1 Q2
Q3
V+
IB1+IB2
IB1 + IB2
ฮฒ
IC1
IREF = IC1 +IB1 + IB2
ฮฒ
IB1 = IB2 =IC1
ฮฒ
IREF = IC1 +2๐ผ๐ถ1
ฮฒ2
IREF = ๐ผ๐ถ1 1 +2
ฮฒ2
IC1 = IC2 = I0
IREF = ๐ผ0 1 +2
ฮฒ2
๐๐ =๐๐๐๐
๐ +๐๐๐
Fuente Espejo Desequilibrada
๐ผ๐ถ2 = ๐ผ๐2๐๐๐ต๐ธ2๐๐
๐ผ๐ถ1
๐ผ๐ถ2=
๐ผ๐1
๐ผ๐2๐
๐๐ต๐ธ1โ๐๐ต๐ธ2๐๐
๐1 โก ๐2
๐ผ๐1 โก ๐ผ๐2
๐ผ๐ถ1
๐ผ๐ถ2= ๐
๐๐ต๐ธ1โ๐๐ต๐ธ2๐๐
๐๐ต๐ธ1 โ ๐๐ต๐ธ2 = ๐ผ๐ถ2 ร ๐ Despreciando las corrientes
de base ๐ผ๐ ๐ธ๐น โ ๐ผ๐ถ1
๐ผ๐ ๐ธ๐น
๐ผ๐ถ2= ๐
๐ผ๐ถ2ร๐ ๐๐
R
IREF RC
VCC
+
VBE1
_
+VBE2
_+VR
_
IC2
๐ฐ๐น๐ฌ๐ญ = ๐ฐ๐ช๐๐๐ฐ๐ช๐ร๐น
๐ผ๐ป
๐ผ๐ถ1 = ๐ผ๐1๐๐๐ต๐ธ1๐๐
El Transistor como Amplificador
๐ผ๐ = ๐ผ๐ถ๐ + ๐๐
๐ผ๐ = ๐ผ๐ต๐ + ๐๐
๐๐๐ = ๐๐ต๐ธ๐ + ๐ฃ๐
๐ผ๐๐ผ๐
Circuito de Polarizaciรณn
๐ผ๐ถ = 1 +๐๐ถ๐ธ
๐๐ด๐ผ๐๐
๐๐ต๐ธ๐
๐๐
๐ธ
๐ต ๐ถ๐ผ๐
Cuando Vi es pequeรฑo puedo linealizar la exponencial
El diodo puedo reemplazarlo por un resistor (rฯ)
El valor del resistor se calcula como ๐๐ = ๐๐๐ต๐ธ
๐๐ผ๐ตCalculado en Q
๐๐ต๐ธ
๐ผ๐
๐๐ต๐ธ๐
๐ผ๐ต๐
Q
IC
VCE
ICp
VCEp
VBEp
Cuando Vi es pequeรฑo puedo linealizar la relaciรณn entre Ic y VBE
๐๐ถ = ๐ผ๐๐๐๐๐๐ ๐๐ = ๐๐๐ฃ๐ ๐๐ =
๐๐ผ๐ถ๐๐๐ต๐ธ
๐ถ๐๐๐๐ข๐๐๐๐ ๐๐ ๐
Modelo de Pequeรฑa Seรฑal configuraciรณn Emisor Comรบn
BEp
Cp ,
CEp
V I , ,
V CBOAS VVI b
+VCE
-
Ic=IC+ic
Ib=IB+ib
+vi
-VBE
bm O
BC
CE
B
CE
T
BE
A
S
CE
C
T
BE
A
CESC
Cp
A
C
CEO
rdI
dIc
dI
dV
dI
dVr
U
V
V
I
dV
dI
U
V
V
VII
I
V
dI
dVr
*
)exp(
)exp()1(
)exp(
)exp(
)exp(
T
BE
T
S
BE
B
T
BEsB
CP
T
VBEB
BE
T
CP
T
BE
T
S
VBEBE
Cm
U
V
U
I
dV
dI
U
VII
I
U
dI
dVr
U
I
U
V
U
I
dV
dIg
b
b
b
๐ผ๐๐ผ๐
Validez del Modelo
๐ผ๐ = ๐ผ๐๐๐๐ต๐ธ๐+๐ฃ๐
๐๐
๐ผ๐ = ๐ผ๐๐๐๐ต๐ธ๐
๐๐ โ ๐๐ฃ๐๐๐
๐ผ๐ = ๐ผ๐ถ๐ โ ๐๐ฃ๐๐๐
Si ๐ฃ๐
๐๐< 1 ๐
๐ฃ๐๐๐ = 1 +
๐ฃ๐
๐๐+
1
2
๐ฃ๐
๐๐
2
+1
3
๐ฃ๐
๐๐
3
+ โฏ โฏ
Si ๐ฃ๐
๐๐โช 1
๐๐ฃ๐๐๐ ~1 +
๐ฃ๐
๐๐
๐ผ๐ = ๐ผ๐ถ๐ โ 1 +๐ฃ๐
๐๐๐ผ๐ โ ๐ผ๐ถ๐ = ๐๐
๐๐ = ๐ผ๐ถ๐
๐ฃ๐
๐๐
๐๐๐ฃ๐
=๐ผ๐ถ๐
๐๐
๐๐ =๐ผ๐ถ๐
๐๐
๐๐ = 26๐๐ โ ๐ฃ๐~2.6 ๐๐
๐ผ๐ = ๐ผ๐ถ๐ + ๐๐
๐๐๐ = ๐๐ต๐ธ๐ + ๐ฃ๐
Capacitancias del Modelo
)exp()0( 0
Ut
Vnn
BEpp
cc iI
Ic
Concentraciรณn de Portadores
)exp()0( 0
Ut
viVnn
BEpp
hEiBE QQvV
TrรกnsitodeTiempoD
W
I
Q
v
qCCapacidadqv
QQvV
n
B
FC
E
i
hbhi
hEiBE
2
dNeutralida Corriente
2
*
*
mFb
mF
i
h
cFh
F
C
h
C
E
hE
gC
gv
q
iq
I
Q
I
Q
QQSi
Capacitancias del Modelo
Cฯ = CjBE + Cb
Capacidad de Juntura Base-Emisor
Capacidad de Difusiรณn Base-Emisor
CjBE =CjBE0
1โVBE
Vj0BE
Cb = ฯF ร gm
Cฮผ = CjBC
Capacidad de Juntura Base-Colector
CjBC =CjBC0
1โVBC
Vj0BC
Capacitancias del Modelo
Elementos parรกsitos
P
N+
N
BaseColector Emisor
P
N+
N
BaseColector Emisor
Resistencias y Capacitancias Parรกsitas
Modelo considerando efectos parasitos
Respuesta en Frecuencia del Transistor
Diagrama de alterna para la mediciรณn de
f T Frecuencia de Transiciรณn
Circuito Equivalente de pequeรฑa seรฑal
๐ ๐๐ โช ๐ ๐๐ข โ ๐๐ข๐๐๐ ๐๐๐ ๐๐๐๐๐๐๐ ๐ ๐๐ข ๐0 = ๐๐ ร ๐1
๐๐
๐1 = ๐๐ ร๐๐
1 + ๐๐๐๐ ๐ถ๐ + ๐ถ๐
๐0 = ๐๐ ร๐๐ร๐๐
1 + ๐๐๐๐ ๐ถ๐ + ๐ถ๐
๐ฝ ๐ =๐๐ร๐๐
1 + ๐๐๐๐ ๐ถ๐ + ๐ถ๐๐ฝ ๐ =
๐0 ๐
๐๐ ๐
๐ฝ ๐ =๐๐ร๐๐
1 + ๐๐๐๐ ๐ถ๐ + ๐ถ๐
Para altas frecuencias ๐๐๐ ๐ถ๐ + ๐ถ๐ โซ 1
๐ฝ ๐ =๐๐
๐ ๐ถ๐ + ๐ถ๐
Definimos la frecuencia de ganancia unidad ๐๐
A la frecuencia ๐ que ๐ฝ = 1
๐๐ =1
2๐
๐๐
๐ถ๐ + ๐ถ๐
๐๐ =๐๐
๐ถ๐ + ๐ถ๐
๐๐ =๐๐
๐ถ๐ + ๐ถ๐
๐๐ =๐๐
๐ถ๐ + ๐ถ๐๐ต๐ธ + ๐ถ๐
๐๐ =1
๐๐
๐๐ =๐ถ๐
๐๐+
๐ถ๐๐ต๐ธ
๐๐+
๐ถ๐
๐๐๐ถ๐ = ๐๐ ร ๐๐น
๐๐ = ๐๐น +๐ถ๐๐ต๐ธ
๐๐+
๐ถ๐
๐๐๐๐น =
๐๐2
2๐ท๐
๐๐ =๐๐
2
2๐ท๐+
๐ถ๐๐ต๐ธ
๐๐+
๐ถ๐
๐๐
Curva Tรญpica fT en funciรณn de Ic para un transistor npn de circuito integrado con un รกrea de 6 ฮผ2 en un proceso de alta velocidad.
71
Frecuencia de Ganancia Unidad
72
๐ฝ ๐ =๐๐
๐ ๐ถ๐ + ๐ถ๐
๐ฝ ๐๐ฝ =๐๐
๐๐ฝ ๐ถ๐ + ๐ถ๐
= ๐ฝ0
๐๐
๐ฝ0 ๐ถ๐ + ๐ถ๐
= ๐๐ฝ
๐๐
๐ฝ0= ๐๐ฝ
๐๐ = ๐๐ฅ ร ๐ฝ ๐๐๐ฅ