The Water-Amorphous Silica Interface

  • Upload
    pmori92

  • View
    12

  • Download
    0

Embed Size (px)

DESCRIPTION

The Water-Amorphous Silica Interface

Citation preview

The water-amorphous silica interface: Analysis of the Stern layer and surface conduction

The water-amorphous silica interface: Analysis of the Stern layer and surface conductionHui Zhang, Ali A. Hassanali, Yun Kyung Shin, Chris Knight and Sherwin J. SingerEn este paper se investigo la validacin del modelo de Gouy Chapman Stern y el concepto de la capa dinmica de stern en un sistema de un slice amorfo. Este modelo dicta que1IntroduccinSe investig la validacin del modelo de Gouy-Chapman-Stern y el concepto de la capa dinmica de Stern en un sistema de slice amorfo.Cuando uno aplica un fenmeno electro cintico, el modelo dicta que en la superficie donde la hidrodinmica se estanca, las condiciones de contorno se deben considerar en la Stern layer.La conduccin en la superficie es sumamente importante en canales pequeos y tambin para bajas concentraciones de sal.Se postula que los iones en la capa inmvil tienen movilidad, esta capa se conoce como dynamic Stern layer.

Stern Layer

Aparece cuando una superficie est en contacto con un fluido1ra capa: superficie cargada, consta de iones absorbidos en la superficie 2da capa: son iones libres que se mueven en el fluido por la influencia de la atraccin elctrica. Capa difusiva (diffuse layer)Fluido inmvil desde la superficie hasta el plano de corteCapa interna (primera capa): Stern Layer o HelmholtzZona donde se adsorben los iones se llama Plano Interno de HelmholtzIones solvatados o iones libres se encuentran en la zona de Plano Externo de Helmholtz3Stern LayerAntes se saba que el flujo electro osmtico observado era generalmente menor a la cantidad esperada basa en la medicin de la carga de la superficie, es decir, el potencial electrocintico aparente de la superficie era menor a la diferencia de potencial entre la superficie del slido y la solucin.Esto se atribuy a una capa inmvil de especies unidas fuertemente a la superficie del slido Modelo Gouy-Chapman-Stern

Conduccin en la superficie y concepto de la capa dinmica de SternE: campo electrico aplicado paralelamente a las paredes del canalK: conductividad del seno del fluidoKsigma: conductividad de la superficieI: corriente total

En 1980 se estableci que la conductividad inica en la superficie est dada por la capa inmvil de la capa de Stern

5Simulacin y MtodosLa densidad de carga neta parte de cero, slo en una regin, menor a 1 nm de anchoSe usaron silanol groups que le dan a la superficie la carga negativaSimulacin de flujos electro osmticos se realizaron con densidades de cargas diferentes y cantidades de sal (Na+ y Cl-) diferentes ( tabla 1)

1. Esta regin suministra la fuerza impulsora para el flujo electro osmtico y controle las caractersticas del fluido en todo el ancho del canal2. En cada simulacin, los flujos de iones igualan al numero de grupos de silanol disociados

6Resultadosa. Density and flow velocity of water and ions

Simulacin A de la tabla 1.- 8 ns de coleccin de datos- lineas punteadas se ubicaron en el grafico para mostrar la region donde la velocidad del agua parece ser cero- problema: dificultad de obtener un numero promedio grande para velocidades de flujos relativamente pequeos en donde la densidad es baja como se ve en el caso del cloro- como la densidad del agua y sodio cerca de la superficie son mayores, se obtuvieron velocidades significativas- en las velocidades del agua y sodio se presentan picos en la superficie, esto se debe a que ingresaron a "bolsillos" de la superficie, sin embargo, estos son despreciables7Resultadosa. Density and flow velocity of water and ions

- Capa de agua es visible pero no pronunciada cerca de la superficie amorfa de silice- a medida que uno se acerca a la superficie, se observa que la densidad del agua cae desde su maximo a cero (cerca de la superficie)- Si hubiese una region inmovil en la superficie, no parece ser importante o por lo menos, no a 10A o ms desde la superficie.- El comportamiento dinamico del fluido es similar al de un fluido simple cerca a una superficie no cargada, como el modelo de Lennard Jones.- El punto en donde la velocidad del sodio es cercana a cero, en casi todos los casos, es cerca de donde la velocidad del agua es cero- en otras palabras, los iones no se mueven si el agua esta estancada, en desacuerdo con el modelo dinamico de Stern.8Resultadosb. Analysis of flow velocity using continuum theoryEl perfil de velocidad es muy sensible a la densidad de carga cerca de las paredes del slido.Se uso una viscosidad del agua de 0,891 cP a 298 K para los clculos.

9Resultadosb. Analysis of flow velocity using continuum theory

Se obtuvieron estos resultados ajustando el punto donde las condiciones de contorno se cumplen para los calculos en la teoria de continuidadLos circulos rojos, la velocidad, cerca de la superficie de silice, decrece lentamente a medida que se acerca a la superficie comparado con la ec de navier stokesPara obtener coincidencia con la simulacin, las condiciones de contorno de la ecuacion deben cambiar. Es decir, se debe resolver la ecuacion considerando la viscosidad cte y el fluido se debe considerar inmovil en la region cercana a la superficie aunq , el agua y los iones, sean aun moviles en los calculos.10

Resultadosb. Analysis of flow velocity using continuum theory11

Resultadosb. Analysis of flow velocity using continuum theoryMismo que en el graf 5 pero para otras concentraciones12Resultadosc. The dynamic Stern model and surface conductivity

Se aumento la carga usada, ya que es la unica condicion para la cual se desarrolla un capa inmovil.Aun asi no hay evidencia de que los iones son moviles en el solvente inmovilLa movilidad ionica, se muestra en la linea negra, no mantiene su valor del seno del fluido, sino que tiende a cero donde el fluido no es movilSin embargo, no se puede asegurar que hay movilidad de iones a traves de la capa de agua inmovil en las simulaciones dinamicas.13ConclusinFluido cercano a la superficie cargada no es inmvil, sin embargo, la viscosidad efectiva cerca de la superficie es mayor que en el seno del fluidoEsto lleva a que el perfil de velocidad se acerque a cero en la superficie gradualmenteTodos los resultados se pueden obtener mediante a la teora de continuidad asumiendo que la viscosidad aumenta cerca de la superficieExcepto en superficies con alta densidad de carga, el fluido que se ubica a 3 de la superficie, tiende a reducir su movilidadRegiones encerrada de las fig.5-7 se pueden considerar inmviles en la teora de continuidad, pero son regiones de alta densidad de cargaFinalmente, la simulacin no muestra evidencia de que los iones aumenten su movilidad relativa cerca de la superficiesin embargo, la simulacin exhibi que a conductividad de la superficie es similar a la de los experimentos, indicando que los efectos anteriormente atribuidos a la anomala de la superficie a travs de la capa inmvil de agua puede ser explicada sin la anomala de transporte cerca de la superficie.14Electrokinetic transport in a waterchloride nanofilm in contact with a silica surface with discontinuous charged patches

IntroduccinNanofluidica estudia estructuras con al menos una dimensin entre 1-100 nmLa rugosidad de la superficie, la orientacin molecular y la mojabilidad puede afectar de gran manera el tranporte del fluidoEl comportamiento de un lquido en contacto con un substrato slido ha sido objeto de muchas investigaciones.Transporte electrosmtico es fundamental para entender muchas aplicaciones de la nanotecnologaElectrosmosis en un mecanismo preciso, eficiente y escalable que permite manejar fluidos a micro y nano escalaPara controlar el movimiento del flujo electrosmotico se puede hacer uso de una superficie cargadaIntroduccinSistema estudiadoNano pelcula en contacto con una pared de slice con parches de carga discontinuaEl sistema no es elctricamente neutroModelado por simulaciones de MD

Objetivo del trabajo es analizar el efecto en el transporte electrocintico para cambios sistemticos en la electrosttica de una interface slida-lquida para el sistema descrito

MetodologaSistema molecularNEMD usando el package FASTTUBEDelgada pelcula de solucin acuosa de electrolitos en contacto con un substrato de slice amorfo cargado negativamenteSubstrato tiene pequeos parches cargados positivamenteTiene dos interfases

MetodologaInteracciones del slice TTAMm model con modificaciones del modelo desarrollado por TsuneyukiSe describre utilzando el potencial de Coulomb y de Buckingham aumentando con un termino de 16-8 de potencial de Leonard Jones.Crisobalite cell para reproducir un substrate de slice amorfoAcoplado con un termostato de Berendsen Interacciones del Agua- Molculas de agua modeladas por SPC/E -Consiste en un potencial coulombico entre las cargas parciales del oxgeno e hidrgeno y un potencia 12-6 de Leonard Jones

MetodologaInteraccin slice-aguaPotencial de Buckingham y de Coulomb

Resultados y DiscusinMtodo de binning (0.2 nm)La densidad del cloruro y del agua se denotan como packing densityPacking Density del agua vs distancia X

Resultados y DiscusinPacking density del cloruro vs Distancia X

Resultados y DiscusinPacking density de agua vs Z

PatchesGapResultados y DiscusinPacking density de cloruro vs Z

GapPatchesResultados y DiscusinVelocidad de cloruro vs Z

Resultados y DiscusinVelocidad del cloruro vs Z

Resultados y DiscusinVelocidad del agua vs Z

Resultados y DiscusinVelocidad del agua vs Z

ConclusionesSistema con parches de carga positiva, atrae los iones hidratados de cloruroMientras mayor sea la densidad de carga del parche, mayor cantidad de iones cloruros son atrapados por esta superficie.Mientras mayor sea el campo elctrico aplicado al sistema, disminuye la cantidad de iones de cloruro en los parches A altas densidades de carga del parche, la concentracin de iones cloruro sobre ste, permanece casi constante a diferentes campos elctricos aplicadosEntonces, la competencia entre el campo elctrico aplicados y el generado por los parches, tiene un efecto importante en la determinacin de la cantidad de iones acumulados en los parchesLa acumulacin de iones en la parches cargados, provoca en una baja velocidad electrosmticaLa velocidad electrosmtica aumenta linealmente para mayores campos elctricos aplicadosElectrokinetic transport in silica nanochannels with asymetric surface charge

IntroduccinSistema modelado: nanocanal de slice amorfo con distribucin asimtrica de carga en la pared inferior (2 parches cargados) al cual se aplica un campo elctrico externoSimulacin MD (molecular dynamics)Debido al tamao del nanocanal, las interacciones que controlan el comportamiento del sistema son:Steric and hydration effects (1-2 nm)Van der Waalss (1-50 nm)Electrostatic (1-100 nm)Sistema modeladoNanocanal: 7 nm de profundidad y 34 nm de largo Solucin acuosa de KClDensidad de carga negativa en la pared:

2 Parches cargados

Parmetros de la SimulacinInteracciones de silice: TTAMm modelSilice cristalino para generar nanocanal de silice amorfoInteraccin pared de silice y molculas de agua: Modelada por el potencial de Buckingham y el de CoulombMolculas de agua modeladas por SPC/E model (20500)Iones de K+ y Cl- modelados como esferas cargadas de Leonard Jones (150) Duracin de la simulacin: 80nsCampo elctrico inducido: EF= 0.25 1 V/nmResultadosPerfil de velocidad de agua y perfil de densidad de iones para el sistema sin parches

Perfil de velocidad de agua para el sistema con parches

Perfil de densidad promedio para el caso EF=0.75 V/nm

Parche 1Parche 2GapPerfil de velocidad promedio para el caso EF=0.5 V/nm. Parche 1

Parche 15 nm Promedio canal

Perfil de velocidad promedio para el caso EF=0.5 V/nm. Parche 22 nm fuera y 2nm dentro parche 22 nm dentro y 2nm fuera parche 2Parche 2ConclusionesLa carga de los parches altera la concentracin de los iones K+ y Cl- localmente, lo que resulta en una velocidad de flujo negativa en esta zonaFlujos negativos (o Flow reversal) en los parches 1 y 2, modifica el perfil de velocidad promedio a lo lago del nanocanal de un perfil plug-flow a uno asimtrico La manipulacin local de la velocidad altera el perfil de velocidad promedio a lo largo del nanocanal y por lo tanto presenta un camino para controlar la velocidad