74
TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) BMTS, 2012 - 13 Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc., Fellow IMAPS Vysoké Učení Technické v Brně, FEKT, ÚMEL e-mail: [email protected]

TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

TLUSTÉ VRSTVY(Thick Films)

(2)

BMTS, 2012 - 13

Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc., Fellow IMAPS

Vysoké Učení Technické v Brně, FEKT, ÚMELe-mail: [email protected]

Page 2: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 3: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Úvod Miniaturizacehardware

Mikroelektronika Konstrukční (assembly)

substraty(DPS, keram.)

Obvodová Funkční Diskrétní prvky

Optoelektronika Konstrukční prvky

Polovodičové IO Vrstvové IO Mikrovlnná Moduly …MCM

Monolitické TV(Tenkévrstvy)

Akustoelektronika Pouzdra

Na izolačních podložkách

TLV …..

LTCC

Bioelektronika COIC, BGA, CSP

CMOS, BiCMOS, CCD, BiCMOS ….

polymerní Kvantováelektronikaatd.

MEMS, …

atd.

Page 4: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlusté vrstvy - úvod

TLV jsou vytvářeny nanášením funkčních materiálů ve formě pasty na keramické substráty aditivním způsobem.

Charakteristickým znakem tlustovrstvové technologie používané v elektronice pro realizaci vodivých, odporových a dielektrických vrstev je amorfní struktura vytvořená nevakuovými depozičními metodami (nejčastěji sítotiskem), a následným výpalem při teplotě kolem 850C.

Tloušťky vrstev po výpalu se pohybují řádově v desítkách m, tedy přibližně o dva řády více než je tomu u tenkých vrstev.

Page 5: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlustovrstvové struktury

Page 6: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlustovrstvové hybridní integrované obvody

Page 7: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlusté vrstvy - TLV Tlusté vrstvy jsou založeny na fyzikálních a chemických jevech z

oblasti elektrotechniky, pro jejichž využívání jsou aplikovány materiálové směsi nabízené jejich výrobci ve formě past (tixotropní pasty … DuPont, ESL, Hereaus …). Tyto pasty mohou být vodivé, odporové nebo dielektrické a lze s nimi vytvořit tlustovrstvové (TLV) nebo tenkovrstvové (TV) pasivní sítě.

Pod pojmem TLV/TV hybridní integrované obvody (HIO) jsou obecně chápány elektrické obvody (pasivní i aktivní sítě) vytvořené TLV/TV technologií, doplněné polovodičovými součástkami. Jsou-li polovodiče ve formě čipů, jedná se o klasický TLV HIO, naopak jsou-li ve formě SMD součástek, jedná se o povrchově montovaný HIO.

Takové obvody se skládají z elektrických prvků a mají většinou jednoznačný elektrický model.

Naproti tomu obvody, ve kterých je využit takový děj (fyzikální, chemický,…), při němž je signál šířen jinou cestou než elektrickou, jsou obecně řazeny do oblasti nekonvenčních aplikací tlustých vrstev. Pole nekonvenčních aplikací se v současnosti velmi rychle rozšiřuje a vyvíjí .

Page 8: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlusté vrstvy - využití

Mezi nejčastější využití tlustých vrstev vedle realizace výkonových či mikrovlnných obvodů patří nekonvenční aplikace, kam lze v současnosti zahrnout oblast optických displejů, topných elementů, solárních článků, antén pro čipové karty, vysokonapěťové izolace, rychlých tlustovrstvových pojistek, vysokoteplotních supravodičů, piezoreproduktorů a hlavně senzorů, včetně biosenzorů.

Page 9: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 10: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlusté vrstvy - pasty Materiály používané v elektronice pro vytváření

pasivních sítí jsou dodávány ve formě past (Inks) s definovanou viskozitou.

Tlustovrstvové pasty představují heterogenní termodynamický systém, tj. systém s více složkami o různých chemických a fyzikálních vlastnostech s odděleným povrchovým rozhraním.

Vyznačují se tixotropními vlastnostmi, což znamená, že jejich viskozita se mění v závislosti na mechanickém tlaku

Page 11: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Příprava past

Pasty jsou připravovány z práškových materiálů mícháním a roztíráním (rozpracováním) těchto komponent s pojivem (např. terpineol), které dodá příslušné pastě potřebnou viskozitu.

Materiálové kompozice jsou připravené ve formě práškových frit, pokud možno s co nejdefinovanějším tvarem jednotlivých částic (o průměru 5 m) tak, aby byly zaručeny jak dobré tiskové vlastnosti, tak také homogenita pasty při jejím nanášení a následném výpalu.

Page 12: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

TLV pasty a reologie (1)…slavné zvolání starořeckého filozofa Herakleita „Panta rhei!“, neboli „Vše plyne“.

Řecké slovo rhein znamená téci a rheologie/reologie je tedy nauka o toku a plynutí, přesněji řečeno, je to věda o časově závislých tokových a deformačních procesech v různých materiálech.

Předmětem nauky o toku neboli rheologie jsou různé kapaliny, ale i mnoho dalších materiálů, které tvoří přechod mezi pevnými látkami a kapalinami.

Za určitých okolností totiž všechny materiály tečou. Sem patří především čas. Ve starozákonním zpěvu prorokyně Debory se vyskytuje verš „skály tekly před Hospodinem“. Podle tohoto Debořina zpěvu bylo v rheologii zavedeno takzvané Debořino číslo

trel je relaxační doba daného materiálu, která charakterizuje rychlost molekulárních přeskupení. (je velice krátká pro tekutou vodu a velmi dlouhá pro tvrdou žulu)

tobs je doba pozorování.

Čím menší je Debořino číslo, tím tekutější se jeví daný materiál. (Pokud je pozorovací doba nekonečně dlouhá, tečou i skály. A také naopak, na samém počátku podmořské exploze se i voda může jevit jako velmi tvrdý a tuhý materiál).

Page 13: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlustovrstvové pasty – reologie (2)

Reologie - vědní obor mechaniky spojitých prostředí

Zkoumá a modeluje deformační vlastnosti látek(deformace ε, napětí σ)

Hookova hmota

(Newtonova hmota)Euklidova hmota Pascalova hmota

Page 14: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

TLV pasty a reologie (3)

Středoškolská fyzika zná dva zákony, které jsou základem veškeré mechaniky. Jsou to:

Newtonův zákon viskózního toku, který definuje viskozitu

Hookův zákon o deformaci tuhých těles.

Page 15: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

TLV pasty a reologie (4) Zatímco Newtonův zákon viskózního toku je základem mechaniky kapalin, na

opačné straně mechaniky materiálů je Hookův zákon deformace tuhých těles. Když jej Robert Hooke experimentálně objevil, dlouho se trápil pochybnostmi a nejprve zveřejnil v roce 1676 tajuplný anagram „ceiiinosssttuv“, o němž prohlásil, že skrývá skutečnou teorii pružnosti.

Teprve o tři roky později uveřejnil úplný článek, v němž prozradil, že záhadný nápis lze přepsat do latinského výroku „Ut tesion sic vis“ neboli „Jaké protažení, taková síla“. Při tahovém zatížení je mechanické napětí σ přímo úměrné deformaci ε neboli

Ϭ se nazývá prostě napětím, ε relativním prodloužením a konstanta E Youngovým modulem pružnosti (modulem pružnosti v tahu). Grafem takového vztahu je přímka a její směrnice je tentokrát Youngův modul pružnosti E (odpor ideálně hookeovského tělesa proti deformaci závisí na její velikosti, ale vůbec nezávisí na rychlosti).

Page 16: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

TLV pasty a reologie (5) Newtonův zákon: proudí-li kapalina trubkou nebo kanálem, není její rychlost

stejná po celém průřezu. U stěny je kapalina klidnější, ale směrem ke středu je proud stále prudší. Pozorování toku řeky přivedlo Isaaka Newtona na myšlenku, že uvnitř kapaliny existuje tření, které přenáší pohyb od jedné její vrstvy ke druhé. Mírou tohoto tření a zároveň charakteristikou dané kapaliny je viskozita.

V jednoduchém případě (Newtonovské kapaliny – voda) existuje přímá úměra mezi smykovou rychlostí γ a smykovým napětím σ. Konstanta úměrnosti mezi těmito dvěma veličinami je právě viskozita η:

Daleko běžnější jsou kapaliny ne-newtonovské, které mění viskozitu v závislosti na tlaku a čase. Ty se nazývají tixotropní (tlusté vrstvy), které mění viskozitu v závislosti na tlaku.

σ

Page 17: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlustovrstvové pasty - složení

Tři základní složky:

Funkční (určuje charakter pasty – drahé kovy u vodivých past, dielektrické materiály u dielektrických past,oxidy u odporových past)

Tavivová (nízkotavná skla pro vytvoření vazby na substrát)

Pojivová (organické materiály – např. terpineoil – pro dosažení potřebné viskozity, při sintraci se odpaří)

Page 18: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

TLV pastykovová frita (prášek)

Page 19: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 20: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Způsob nanášení viskózních materiálů

Nanášení tlustých vrstev se v mikroelektronice provádí následujícími způsoby:

sítotiskem šablonovým tiskem popisem (writing) přímé způsoby (jehlou, hrotem, dispenzerem)

Page 21: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Princip sítotisku

Page 22: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Průběh viskozity v procesu sítotisku

Nejnižší viskozity dosahují pasty při nanášení stěrkou v okamžiku odskoku síta (bod C), kdy dochází k přenosu pasty na substrát.

Page 23: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Ruční sítotisk

Automatický sítotisk

Page 24: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Pracoviště sítotiskuElectro Science LaboratoryDuPontHeraeusTanaka, Senju, Sumitomo Metal Japan……CLEC Group, Jiangyin Mengyou Electric …

Page 25: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Faktory působící v průběhu sítotisku

Page 26: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Síta Tabulka :Parametry polyesterových sít používaných pro nanášení pájecích past

Počet ok naPrůměr vlákna

Tloušťka síta Světlost oka Světlost síta Teoret. objem

protlač. pasty

(palec/cm) (cm2) (m) (m) (m) (%) (m3/oko)

35/14 196 220 410 500 48,2 197,5 →

Pájecí pasty

60/24 576 145 265 275 42,8 113,5

80/32 1024 100 170 200 44,5 75,5

100/40 1600 80 130 167 45,7 59,5

130/51 2600 70 116 120 38,7 45 Tlusté

vrstvy

160/62 3844 64 112 92 32,2 38

205/81 6560 48 82 72 34 28

240/95 9025 48 67 50 22,7 19,5

305/120 14400 34 57 44 27,9 16

Page 27: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Parametry síta

Tkaná síta, které jsou vyráběny z nerezové oceli, nebo pomocí polymerních materiálů.

Ao … světlost síta

Page 28: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Parametry síta a tloušťka čáry

bmin - minimální hodnota tloušťky čáry

d - průměr vlákna w - šířka okat - tloušťka síta

wdb 2min

Page 29: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Pružnost a protažení síta

Page 30: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Osnova síta a šablona

Přímá (emulze) Nepřímá (fólie)

Síto se pak opatří vrstvou světlocitlivé emulze s tloušťkou 25μm, která uzavře všechny jeho otvory. Ovrstvené síto se osvětlí přes fotomatrici ultrafialovým světlem a neosvětlené části emulze se vyplaví ve vodě. Šablona zhotovena popisovaným způsobem se nazývá přímou sítotiskovou šablonou. U nepřímých sítotiskových šablon se používá místo maskovací emulze šablonových filmů, u kterých je světlocitlivá emulze na pomocném plastovém nosiči. Motiv tištěného obrazce je zhotoven předem a pak přenesen na síťku.

Page 31: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Příklad síta se šablonou

Page 32: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Šablonový tiskŠablonový tisk je svou základní podstatou obdobou sítotisku. Rozdíl je

v provedení šablony, jejíž motiv určený k tisku je vytvořen v pevném (tuhém) materiálu, kterým často bývá ocelová nebo bronzová planžeta (např. CuSn6).

Šablona se přikládá kontaktně přímo na substrát, takže hodnota odtrhu o po celou dobu tisku rovna nule (viz obr.). Vlastní odtrh šablony od substrátu (anglicky „snap-off“) je pak proveden mechanickým pohybem, zpravidla stolu tiskového stroje, až po ukončení pohybu stěrky a tedy po nanesení pasty do volného prostoru (motivu) v šabloně. Po odtrhu je pasta příslušného tvaru odpovídajícího nanášenému motivu přenesena na substrát.

Je zřejmé, že tištěné motivy musí být natolik uzavřené plochy aby nebyla narušena tuhost šablony. Rychlost odtrhu musí být dostatečná proto, aby se šablona dobře oddělila od nanesené pasty a aby zůstal zachován nanesený obrazec (~ 10 mm/s ). Tři postupné základní kroky při šablonovém tisku jsou znázorněny na obr

Page 33: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Šablonový tisk

Šablonový tisk je metoda nanášení podobná sítotisku, rozdíl je v tom, že namísto síta je použita do rámu upnutá kovová šablona s vytvořeným motivem (leptáním nebo laserem). Šablona je přiložena přímo na substrát a její odskok je proveden po nanesení pasty do volných prostorů celoplošně. Tento způsob tisku je vhodný pro nanášení souvislých ploch, nikoliv však dlouhých a složitých čar. Proto se používá k vytváření kontaktních plošek a k nanášení pájecích past.

Page 34: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Chemické leptání šablon

Chemické leptáníŠablona se vytváří chemickým odleptáním plechu

z nerezové oceli, kdy se na plech nanáší obraz z chemicky odolné látky, která chrání místa, která nemají být odleptána. Tato metody vytváří šikmé hrany, které mohou způsobit zatékání past při velmi jemných strukturách i když jsou hrany otvoru hladké

Page 35: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Laserové řezání šablon Šablony se vytváří řezáním pomocí laserového paprsku do kovové

desky. Laser řeže otvory do kovové desky kontinuálně s lichoběžníkovými hrany (s proměnnou kuželovitostí). Tyto šablony jsou obecně drahé než chemicky leptané šablony. Vnitřní stěny mohou pomocí elektrolytickému leštění dosáhnout hladkého povrchu. Metoda je vhodná pro velmi přesné aplikace a pro waferový tisk.

Page 36: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Galvanoplastické šablony

Šablony vytvořené touto metodou jsou nejlepší pro velmi jemné struktury a waferový tisk. Proces se skládá z nanášení niklu na fotoaktivní plastovou vrstvu pokovováním, která se mění působením světla na požadovaný obraz šablony. Fotoaktivní vrstva je odstraněna, když je dosažena tloušťka niklové vrstvy dosáhne 25 (m. Šablona vytvořená touto metodou je 5-10x levnější než šablona vytvořená laserovým řezáním o stejném množství otvorů.

Page 37: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Návrh šablony

Tloušťka šablony t se volí podle rozměrů motivu

Kritický je minimální rozměr xmin čáry (vodiče)

Platí obecné pravidlo, že nejmenší rozměr pravoúhlého motivu musí být více než 0,66 tloušťky šablony, což lze vyjádřit vztahem:

Xmin : t = 1 : 1,5

Page 38: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Nanášení popisem (DirectWriting)Základní části zařízení: Plotter obsahující dávkovací jednotku (dispenser) a pohon

stolku (manipulátor) Řídící jednotka s řídícím software

CAD DATA

PLOTTER DRIVE UNIT

X,Y,Z AXISDISPENSING UNIT

Page 39: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Zařízení pro writing

Page 40: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 41: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Výpal – sintrace tlustých vrstev Po nanesení vrstvy na keramický substrát je nutné vrstvu aktivovat

tepelným sintrováním V jeho průběhu se vytváří spojení vrstvy se substrátem a na povrchu se

formuje aktivní struktura Vypálená vrstva je tvrdá a odolná vůči mechanickým i chemickým vlivům

Vypalovací teplotní profil:

1. sušení 70-150°C … 15-30 minut

2. zóna předehřívací 350°C

3. zóna vypalovací 850°C

4. zóna chladící

Page 42: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlustá vrstva na keramickém substrátu po výpalu

Page 43: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Struktura TLV vodiče po výpalu

Page 44: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Technologický postup vytváření tlustovrstvové struktury

Typický sled operací v procesu vytváření tlustovrstvové struktury je znázorněn na obrázku. Operace sítotisku a následného zasušení se může v případě nanášení více typů odporových past, nebo také při vytváření vícevrstvých struktur s dielektrikem několikrát opakovat.

Čištěnísubstrátu

Sítotisk a sušenívodivé vrstvy

Výpal vodivévrstvy

Trimováníodporové vrstvy

Sítotisk a sušeníodporové vrstvy

Výpal odporovévrstvy

Page 45: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 46: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

TLV materiályMateriály pro tlusté vrstvy jsou dodávány ve formě past. Svým složením se

pasty, jejichž viskozita má hodnotu pohybující se v rozsahu 50 až 80 Pas, skládají ze tří základních složek:

funkční tavivové Pojivové

Funkční složka určuje charakter pasty a je tvořena částicemi drahých kovů u vodivých materiálů nebo částicemi dielektrických a skelných frit u izolačních materiálů. U odporových materiálů je složení funkční složky závislé na použitém odporovém systému jehož základ může tvořit směs drahých kovů (např. PdAg) nebo oxidy (např. Ru2O). Velikost částic se pohybuje řádově v m a jejich velikost musí být dostatečně malá oproti velikosti ok síta.

Tavivová složka je tvořena skleněnou fritou, jejímž posláním je vytvoření vazby mezi funkční složkou a substrátem. Proto se používají pro tavivovou složku nízkotavná skla s teplotou měknutí již od 600C. V poslední době se používají stále více pasty s oxidovou vazbou vytvořenou přídavným kovem (např. 4% Cu do Au).Při výpalu musí dojít k měknutí, nikoli však k roztavení, aby vznikla nosná matrice pro funkční složku.

Pojivová složka obsažená v pastě zajišťuje její tiskové vlastnosti – viskozitu a tvoří ji organické látky jako např. terpineol, butyldiglykolacetát apod. Tato složka se v průběhu tepelného zpracování odpaří a nepodílí se na konečné funkčnosti vrstvy.

Page 47: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Materiály pro TLV - pastyMateriály ve formě sítotiskových past lze rozdělit do tří základních skupin: vodivé, odporové, Dielektrické, izolační a krycí, speciální.

- Pro vodivé pasty se používají jako funkční složka drahé kovy (Au, Pd, Pt, Ag), především pro svoji stálost a netečnost vůči vlivům prostředí. - Jako funkční složka odporových materiálů se používají různé směsi drahých kovů, které u některých systémů vytvářejí oxidy (např. RuO2). Hodnota odporu je nastavována poměrem vodivé (kovové) části a tavivové (skelné) složky.- U dielektrických past tvoří funkční složku materiály používané pro keramické kondenzátory (typ I nebo II ) a u izolačních past různé typy skelných frit.

Jako tlusté vrstvy mohou být nanášeny i další předem připravené funkční směsi. Tyto materiály řadíme do skupiny speciálních past, jako jsou např. termistorové, magnetické, luminiscenční, stínící a také pasty pro chemické senzory apod.

Page 48: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Funkce vodivých past:Vodivé pasty mají tyto základní funkce:1. Propojení součástek2. Zakončení rezistorů3. Jsou vhodné jako kontaktní plošky pro diskrétní součástky4. používají se jako elektrody tlustovrstvých kondenzátorů

Vlastnosti materiálu pro vodivé tlusté vrstvy:Jsou požadovány následující vlastnosti:1. Dobrá vodivost, 0,002 až 0,15 W/2. Dobrá adheze3. Musí poskytovat spolehlivý základ pro připojení drátového vodiče4. Pasta musí poskytovat dobrou eutektickou matrici pro spojení5. Pájitelnost s vysoce čistým spojem co se přechodového odporu týká6. Stabilní a neměnné vlastnosti během výrobního procesu7. Dobrá přesnost tisku a rozlišitelnost natištěných čar.8. Dobré tiskové vlastnosti bez roztečení pasty po tisku, tvorbě skvrn nebo

zvrásnění natištěné vrstvy9. Dlouhá životnost

Vodivé pasty

Page 49: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Vodivé pasty Vazební složka se skládá z nízko tavných skel která

spojují kovové částice vzájemně mezi sebou a zároveň zajišťují spojení pasty se základním substrátem.

Pojivová složka určuje tiskové vlastnosti materiálu. Zaujímá většinou kolem 12 až 25% hmotnosti vodivé pasty. Pojiva obsahují alkoholy, různé oleje a -terpineol.

Funkční složka obsahuje částice vodivého kovového materiálu menší než 5 m. Typicky zaujímá funkční složka 50 až 70% celkové hmotnosti pasty. Velikost, rozložení a tvar částic mají velký význam pro výsledné elektrické a fyzikální vlastnosti natištěné vrstvy.

Page 50: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Vodivé pasty – funkční složku vodivých past představují prášky drahých kovů, jejich směsi nebo slitiny (AgPd, AuPd, AuPt, Au). Přídavek druhého kovu upravuje vlastnosti vrstvy (snižuje celkovou rozpustnost v pájce případně omezuje el. migraci)

Základ pasty Zlato Palladium stříbro (Ag) Palladium zlato Platina zlato

Typický odpor(/ ) 0,005 0,03 0,05 0,05

Pájitelnost Ne Výborná Výborná Výborná

Kontaktovatelnost drátem Výborná Průměrná Dobrá Dobrá

Kontaktovatelnost tlakem Výborná Průměrná Dobrá Dobrá

Cena Vysoká Nízká Vysoká Vysoká

Materiál Nejvíce užívané oblasti

Zlato Všechny kromě 9, 13, 14

Palladium stříbro (Ag) Všechny kromě 9, 10, 11

Palladium zlato Všechny kromě 1, 10, 11, 14

Platina zlato Všechny kromě 1, 10, 11, 14

Kódy oblastí použití:1. mikrovlnné výčnělky 8. vrchní desky kapacitorů2. přívody rezistorů 9. kontakty pro spínače3. spodní část vodivých vrstev 10. drátové spoje4. vodivé vrstvy 11. tlakové spoje5. vícevrstvové vodiče 12. zemnící plochy6. křížení vodičů 13. pájecí místa7. spodní desky kapacitorů 14. velmi levné aplikace

Page 51: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Odporové pastyOdporové pasty umožňují realizaci tlustých odporových vrstev typu cermetu, který je založen na kombinaci práškového vodivého pigmentu a skelné boritokřemičité frity. Požadované hodnoty odporu lze dosáhnout volbou koncentrace vodivých částic v heterogenním systému. S ní souvisí i uspořádání vodivých částic ve skelné matrici. Kvalita a reprodukovatelnost vlastností odporových vrstev závisí na dodržení technologických podmínek, především teploty (na ± 1ºC) a doby výpalu.

Typické vlastnosti odporových past

VlastnostJednotka Pd-Ag RuO2 Ruteničitany

Plošný odpor Rp Ω 10-105 1-107 10-107

Rozptyl odporu po výpalu % 30 10 10-25

Teplotní součinitel-55 až + 125ºC

K-1 300.10-6 300.10-6 50-250.10-6

Napěťový součinitel V-1 150.10-6 400.10-6 -19.10-6

Vypalovací teplota oC 850 980 850

Doba výpalu min 60 45 60

Page 52: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Typický průběh TKR

Požadavky:- Široký rozsah hodnot vrstvového odporu - Stabilita odporové hodnoty, zvláště při zvýšených teplotách - Nízký teplotní součinitel odporu (TCR) - Dobrá reprodukovatelnost parametrů na různých substrátech - Nízký napěťový součinitel odporu (VCR) - Nízký šum- Kompatibilita s vodivými pastami

Odporové pasty

Moderní odporové pasty jsou založeny na bázi kysličníků rhutenia, iridia a rhenia. Tyto kompozice jsou málo citlivé na změnu teploty v průběhu sintrace než tomu bylo u klasických cermetových past, a rovněž vykazují lepší hodnoty TCR a stability. Všeobecně TCR je závislé na hodnotě vrstvového odporu, kde nejpříznivější hodnoty jsou u 1kΩ/čtv. až 10kΩ/čtv. (viz obr.).

Page 53: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Odporové pasty 1ohm/ - 1Mohm/ / (Hereaus)Typical Fired Resistor Properties **):

R 8900 D Series R 8911 D R 8921 D R 8931 D R 8935 DL R 8935 DHN R 8941 DN R8951 D R 8961 DNResistivity 2) 10 ± 10% 100 ± 10% 1 k ± 10% 5 k ± 10% 5 k ± 10% 10 k ± 10% 100 k ± 10% 1 M ± 10%TKR 2) [ppm/K] ± 100 ± 100 ± 100 ± 100 ± 100 ± 100 ± 100 ± 100Short term overload Voltage 3) [V/mm]

7.5 26 78 - - 180 415 479Standard working voltage 4) [V/mm]

3 10 31 - - 72 165 192Maximum rated power dissipation 5) [mW/mm2]

910 1000 975 - - 650 280 37Quantech noise 6) [dB] -25 -19 - - -11 -1 -

(2 layers, printed with a 200 mesh steel screen; screen thickness and emulsion thickness combined was c.100 µm) Substrate: 96% alumina (Ceramtec, Rubalit 708 S). Printing: 200 mesh stainless steel screen with 30 μm emulsion, to a dried thickness of 25 ± 3 μm (resistivity £ 10 W: 22 ± 3 μm). Firing: 60 minute cycle (furnace entry to exit) to a peak temperature of 850 °C for 10 minutes. 2) Shipping specifications: Resistor geometry: 1.5 x 1.5 mm. Temperature coefficient of resistance: -55 °C to +25 °C and +25 °C

to +125 °C. 3) Short term overload voltage: Voltage required (5 seconds duration) to induce a resistance change of ± 0.1% in a 1 x 1 mm

resistor at 25 °C. 4) Standard working voltage: 0.4 x short term overload voltage. 5) Maximum rated power dissipation = (standard working voltage)/ resistance 6) Resistor geometry: 1 x 1 mm at power wattage of 0.1 W. 7) On request: Available down to 0.5 W / . **) Typical properties based on laboratory test methods. For optimum results all materials should be fired in a profiled furnace

supplied by dried,

Page 54: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Dielektrické pastyZákladní požadavky:

Vysoká elektrická pevnost (107 V/m) Dobrý izolační odpor (1022 ohm.m−2 ) Nízký ztrátový činitel (<0.001 pro křížení, pro C ještě

lepší)

Pro křížení malou permitivitu, pro C dobrou teplotní stabilitu (permitivita do několika desítek).

Spolehlivost TLV C je omezena a navíc měrná kapacita je nízká (typicky 2,500pF/cm2).

Page 55: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Dielektrické pasty

Z hlediska využití u MHIO je možné dielektrické pasty rozdělit do tří skupin. První skupinu tvoří pasty pro vytváření kapacitorů, druhou pro izolaci křížících se vodičů, a třetí pro krytí a pouzdření pasivních sítí, především rezistorů.

Základní materiály používané pro dielektrika kondenzátorů jsou odvozeny z materiálů používaných pro klasické keramické kondenzátory. Je to především stabilit, rutilit a negatit jež jsou charakterizovány nízkou hodnotou kapacity, nízkým ztrátovým činitelem a minimální teplotní závislostí.

Page 56: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Složení dielektrických pastV teplotním cyklu používaném při zpracování tlustých vrstev nelze použít teplotu nutnou pro sintraci těchto materiálů />1500˚C/ a proto jsou tyto smíchány v pastě s pojivou skelnou složkou vytvářející vazbu s nosnou podložkou. Pro takový systém keramika – sklo, platí pro stanovení výsledné permitivity Lichteneckerův vztah :

2211 log . log . V log V

kde V1,V2 jsou objemové části skelné a keramické složky ve výsledné vrstvě /V1+V 2 /,ε1 ,ε 2 jsou permitivity skelné a keramické složky.

Pro izolaci mezi křížícími se vodiči se používají materiály na bázi různých sklovin /εr=5-10, jejichž ztrátový činitel závisí na kmitočtu /0,01 – 0,005 pro stovky MHz/.

Vrstvy určené k ochranným účelům (krycí) jsou vytvořeny na bázi nízkotavných bezalkalických skel. Žádoucí je nízká permitivita a dobrá homogenita.

Page 57: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Vlastnosti izolačních past

ParametrJednotka Sklovina

jednoducháSklovina rekrystalizační

Sklo-keramika

Tloušťka vrstvy µm 37-50 37-50 37-50

Relativní permitivita εr(1kHz)

- 6-9 10-20 11

Ztrátový činitel tg δ1kHz

- 0,005 0,005 0,005

Činitel jakosti Q (1kHz) - 500 1000 -

Izolační odporměř.při napětí 100 V

Ω 1011 1011 1013

Elektrická pevnost Ed kVmm-1 8,5 11 20

Vypalovací teplota ˚C 875 850 850

Doba výpalu min 60 60 45

Page 58: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Speciální pasty

Termistorové Pro topná tělesa Pro zobrazovací prvky Feromagnetické Piezoelektrické

www.electroscience.com

Page 59: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 60: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Vrstvový odpor (Sheet resistance)

ARw

Rtw

lslR vv

1

kde R je hodnota odporu rezistoru [] je měrný odpor [.m]l je délka odporu [m]s je plocha průřezu odporu [m2]

w je šířka odporu [m]t je tloušťka odporu (vrstvy) [m]

Rv je vrstvový odpor ( )A je počet čtverců (vyjadřující poměr délky ku šířce)

Page 61: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tolerance procesu

Jak vyplývá z obrázků, tolerance vývodů je ±175 µm, v některých případech může být i méně (±125 µm). Při řízené technologii je to až ±75 µm.

Stejná tolerance platí pro kondenzátory, i když jejich návrh je odlišný.

Toleranční pole odpor - kontakty

Špatný návrh odpor –kontakty (odporová – vodivá pasta), nedostatečné přesahy

Dostatečné tolerance odpor - kontakty

Page 62: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Tlustovrstvový rezistor

Page 63: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Trimování (justování) odporů

Page 64: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Výkonové zatížení odporůVelikost plochy rezistoru je přímo úměrná jeho výkonovému zatížení P. Pro jeho výpočet vyjdeme ze vztahu pro stanovení plochy rezistoru

SR = P / P0

kde P je výkonové zatížení rezistoru [W]

P0 je měrné výkonové zatížení pro daný typ pasty a substrátu [W/mm2]

Úpravou a dosazením výrazu pro počet čtverců odporové vrstvy dostaneme pro šířku:

(nebo podobným způsobem pro výpočet délky rezistoru)

OR P

PS

APP

lPPw

OO

Page 65: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Navrhněte a nakreslete v minimální rozměrové konfiguraci tlustovrstvový rezistor R = 2k2 pastou 1 k Ω na čtverec pro výkonové zatížení P = 1 W, je-li na substrátu tloušťky 0,635mm jmenovité zatížení odporu Po = 200 m W / mm2.

Zkouška správnosti navrženého odporu:

252,0

1 mmPPS

o

22 2,25 wmm

wlS .22,2 wS

Page 66: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 67: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Vrstvové kondenzátoryTopologie vrstvového kondenzátoru

Topologie interdigitálního kondenzátoru

C = ε . S / d ε … permitivita

S … plocha elektrod (mm2)

D … vzdálenost mezi elektrodami (mm)

Page 68: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Induktor (cívka)

Indukčnost ploché spirálové cívky:

N … počet závitů

R … střední průměr

D … šířka vodiče

Page 69: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Obsah Úvod – tlusté vrstvy Sítotiskové pasty Depozice past - sítotisk a síta

- šablonový tisk- popisem (writing)

Sintrace (výpal) tlustých vrstev Tlustovrstvové pasty Vrstvový odpor a návrh rezistorů Návrh kondenzátorů a cívek LTCC

Page 70: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

LTCC – Low Temperature Cofired CeramicNízkoteplotní souběžně vypalovaná keramická fólie)

Technologie LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic) nachází své uplatnění zejména v mikrovlnných aplikacích. Žádné jiné technologie nevykazují takovou rovnováhu mezi různými parametry, jako jsou nízké ztráty ve vodičích, přesné rozměry, cena, spolehlivost atd. Jedná se o technologii realizovanou na keramickém substrátu, jehož vlastnosti se mírně liší od vlastností klasických keramických materiálů. Charakteristické vlastnosti technologie LTCC lze shrnout do těchto bodů:

nízké dielektrické ztráty přesně definovaná relativní permitivita, neměnná s frekvencí přesné, stabilní rozměry výborný rozvod tepla možnost integrování pasivních prvků nízká cena

Page 71: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

LTCC – základní principNevakuová technologie využívající sítotisk a plastické keramické substráty pro realizaci pasivních sítí. Skládá se několik substrátů na sebe. Jednotlivé substráty se propojí s pomocí prokovených děr.

Výhody: nízké dielektrické ztráty, definovaná a stabilní relativní permitivita, dobrý odvod tepla malé rozměry a nízká cena

Page 72: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

LTCC – znázornění technologického procesu

Page 73: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

LTCC – technologický postup

Substrát LTCC můžeme charakterizovat jako vícevrstvý keramický substrát, který umožňuje na jednotlivé vrstvy integrování propojovacích vodivých sítí a pasivních prvků. Jednotlivé vrstvy substrátu mohou mít různou relativní permitivitu a díky tomu sloužit i jako dielektrikum pro integrované kapacitory. Řez substrátem LTCC s integrovanými rezistory a kapacitory je znázorněn na obr.

Page 74: TLUSTÉ VRSTVY (Thick Films) (2) - umel.feec.vutbr.czszend/vyuka/bmts/2012-02A-tlusté vrstvy(Bc... · Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substraty ... tentokrát Youngův

Kontrolní otázky1) Definujte tlustovrstvovou technologii a její komponenty2) Vysvětlete co je to rheologie a její souvislost s viskozitou – Newtonův a

Hookův zákon (definice)3) Popište složení sítotiskových past a jejich viskozitu4) Popište základní princip sítotisku, jeho parametry a faktory ovlivňující jakost

tisku5) Popište síta používaná v mikroelektronice a vysvětlete jejich základní

parametry6) Vysvětlete princip šablonového tisku a popište způsoby realizace šablon7) Vysvětlete co to jsou sítotiskové pasty a objasněte mechanizmus jejich

sintrace8) Popište odporové pasty a vypočtěte vztah pro určení vrstvového odporu9) Popište způsoby trimování odporů a vysvětlete dvě metody provedení10) Vysvětlete složení dielektrické pasty a Lichteneckerův vztah11) Vypočtěte výkonové zatížení tlustovrstvových odporů12) Popište realizaci vrstvových kondenzátorů a cívek, definujte výpočet jejich

jmenovité hodnoty13) Vysvětlete princip technologie LTCC a popište její význam