Upload
stash
View
24
Download
1
Embed Size (px)
DESCRIPTION
Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg… CODEC – telefónia EPROM – floating gate Mikroprocesszor, memóriák Gordon Moore Scale-down Áramkör-elmélet (kódolás, szűrés, etc.) Analogic „electronic grade” Team – tudományágak - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
Microelectronics 1
• Történelem• Planar techn.• Dinamikus – kapacitív tárolás• Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…• CODEC – telefónia• EPROM – floating gate• Mikroprocesszor, memóriák• Gordon Moore• Scale-down• Áramkör-elmélet (kódolás, szűrés, etc.)• Analogic• „electronic grade”• Team – tudományágak• „Intellectual property”, IP
Microelectronics 2
TGSDS VUU
TGSDS VUU
:ha
:ha
2
UUVUKI
2DS
DSTGSD
2TGSD VU
2
KI
DSDSTGSD UUVUKI
)( ///0
TUdbUTUsbUTUgbUd eeeII
csatorna
Drain
polysilicon gate
gate-oxid Gate
p-szubsztrát
Source
n+ n+
Rövidcsatornás „telítéses” üzem:
Küszöbfeszültség alatti működés:
Microelectronics 3
• Szubsztrát visszahatás
B
A CpT1
T2
ΔVth=0,5 Usb 1/2
Usb
Microelectronics 4
Drain
Gate Szubsztrát
Source
Cdb
Cgb
CsbCgs
Cgd
Parazita elemek
Microelectronics 5
• Latch-up
n-zseb
D
nMOS-tranzisztor
p+
G
p-szubsztrát
S
n+
pMOS-tranzisztor
G
S D
Latch-up
Microelectronics 6
Ugs’
Csb
Gate
Source Drain
Idb
Bulk (szubsztrát)
Cgb Cdb
Cgd
Cgs
rs rdgmUgs’
ri
rg
D1 D2
Microelectronics 7
• Vertikális tranzisztor
Gate
SourceDrain
Szubsztrát
Hordozó
n+
pn+
p
L
Microelectronics 8
• Silicon-on-Sapphire, SOS
n-adalékolt drain réteg
Csatorna a p-szubsztrátban
Nincsparazita
n-adalékolt source réteg
poliszilicium gate réteg
Gate oxidréteg
UG
US UD
Szigetelt hordozópl. zafír
Microelectronics 9
• Integrált bipoláris tranzisztor
KollektorEmitter Bázis
p-bázis
p-szubsztrát
n+-emitter
n-kollektor n+-kollektor eltemetett réteg
n+-kollektor hozzávezetés
Microelectronics 10
Tokozások MCM, szendvics-szerkezet (mikrohullámú összeköttetések)
1. VLSI chip
2. VLSI chip
3. VLSI chip
Kerámia hordozó
Tokozás
Microelectronics 11
• Kaszkád feszültségkapcsolt logika
(Cascade Voltage Switch Logic, CVSL)
VDD
T2 T1
T4 T3
Q Q
A A
Ellentétes (differenciális)vezérlés
Ha bemenetek=lebeg, akkor kapacitív tárolás)
VDD
T2 T1
T4 T3
Q Q
D D
CLK
Microelectronics 12
• Logikai családok
statikus CMOS
dinamikus CMOS (Domino)
transzfer gates
áramkapcsolt (CML)
kaszkád feszültség-kapcsolt (CVSL)
emittercsatolt (ECL)
BiCMOS
adiabatikus, retractile
Microelectronics 13
n n
p
p
Vcc
Y=A +B
C t
B
A
1. Statikus CMOS logika.
Vcc
Y=A.B
n
n
n
pELŐTÖLTÉS
B
A C ki
KIÉRTÉKELÉS
2. Dinamikus CMOS logika.
Logikai családok
M
T2
T1
A C2
VCC
C1D
E
F B
Y1
Y2
3. Több-kimenetű Dinamikus CMOS logika.
Microelectronics 14
p
p
n
n
Y=A B
A
A
B
R1
A UrefB Y=A . B
Vcc
R2
4. Transzfer-gates logika.
5. Emittercsatolt logika.
Microelectronics 15
n
pT1
Q1
n
nQ2
Ct
Vcc
T2
T3
T4
A
A
6. BiCMOS logika
Microelectronics 16
Vcc
p
A
Ct
A
n
CMOS alapinverter
A·B+C·D
D
A C
VDD
B URefURef
R1
7. Current Mode Logic, CML
Microelectronics 17
Microelectronics 18
Statikus RS-tároló.
T1
n n
Q
C2
Q
n
pp
nC1
SETRESET
VCC
Brute force!!!
Microelectronics 19
CparazitaVcc
Y=A. B
n
n
n
p
B
A
C ki
Statikusinverter
A.B A.B
B
AC1
C2
D
C3
Y=A.B.D
DOMINO CMOS dinamikus, egyfázisú logika
VccVcc
Vcc
nMOS logika
DOMINO CMOS fokozatokösszekapcsolása statikus inverterrel
Microelectronics 20
• GHz-es CMOS logikák
időzítés – fázisjelek
deskew áramkörök
jel-regenerálás, átmeneti tárolók
(transzparens latch-ek)
differenciális jel-vezetés
Microelectronics 21
• Gyors beírású, a kimeneten megfogott D-tároló
Q
C1C2
VDD
D
T4
T2
VDD
T7
T5
T1
CLKM
CLK
CLK
CLK
T3 T6
QI1 I2 I3
Microelectronics 22
Memóriák
Microelectronics 23
VCC
p p
n n
n
word line
read writeread write
n
bit line bit line
6-tranzisztoros statikus tároló cella
Microelectronics 24
p p
n n
n nQ
Q
1
2V ref
senseamplifier
out
EEV-
V- EE
Read Word Line
Write Word Line
Read Bit LIne
ECL kiolvasású 6-tranzisztoros tároló cella
Microelectronics 25
• Duál-port RAM
VCC BL
1
BL
2
BL1BL
2
WL
1WL
2
Microelectronics 26
• Áramtükrös SRAM kiolvasó erősítő
T4
Bit Bit Oszlop szelektálás
T1 T2
T5
Adat ki
VDD
Φ
T3
T6
UG VDD, nincs áramΦ fázisjel nyitja T7-et, kiválasztjuk az oszlopot,ΔU feszültségek lépnek fel,T1, T2 az „erősítőre” kapcsol,T5 nyit, T6 zárva marad,UG →0, Adat ki = VDD,ui. T4 árama=0 kell legyen.
Ha fordítva, akkor T6 nyit,T4 zárva, ezért Adat ki =0, nincsmunkaellenállás!T5 zár, ezért UG=VDD.
végül Φ→0, T7 lezár,
T7
UG
+ΔU ΔU=0
T7
Microelectronics 27
Billenőkörös kiolvasó erősítők
T6
VDD
Memóriacellák
T10
Bit Bit
Φ
Oszlop szelektálás
T1 T2
T3 T4
VDD
Φ
T5
T7 T8
T9
X Y
Bit Bit
Oszlop
Φ
WL
T5 T6
T7 T8
T9
X Y
T3 T4
T1 T2
T11
Φ Φ
Adat kiAdat ki
a) b)
metastabil
Kis felhúzó áram
Földelés
Ittvezérel,nyitva, de I=0
VDD-10mV
Microelectronics 28
• ECL sordekóder
A0
URef
Q1
Q2
CL
VDD
ECL –MOS Translator
VDD
Microelectronics 29
• 3-tranzisztoros dinamikus (analóg) cella
CS
T3
Kimeneti vonal (invertált)
Read
T2
T1
Write
Bemeneti vonal
Analóg áramkörök: aritmetikához
Microelectronics 30
1-tranzisztoros dinamikus RAM cella
word line
bit line
read amplifier
CS CBL
SBL
SrefSBL CC
CUUU
)(
Microelectronics 31
p p
n n
Prech Prech
Vref V
ref
Vref
Prech
Strobe1
Strobe2Word line
Dummy
Word line
bitlinebitline
Cs
Dummy cell
C 1C 2
Dinamikus RAM cella kiolvasó erősítő
Microelectronics 32
C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8
Sor-cím Oszlop-cím
Burst kezdete
RAS
CAS
Clock
Cím
Adat
Latency
Szinkron DRAM ütemezése
Régi DRAM: aszinkron. Itt processzor tudja latency-t, és akkor olvas ki.
Microelectronics 33
BANK0
* *2K 256 16
sense amplifiers
I/O gating
DQM mask logic
columnaddress
latch
columnaddressbuffer
burstcounter
controllogic
CDrow
decoder
columndecoder
addressregister
rowaddressmultiplexer
refreshcounter
refreshcontroller
mode reg.commanddecoder
CKL
CKE
CS
WE
CAS
RAS
A0-A10
BA sense amplifiersI/O gating
DQM mask logic
datainput
register
data
registeroutput
D0-D15
DML, DMH
memory array
memory arrayBANK1
* *2K 256 16
rowaddress
latch
rowaddresslatch
rowdecoder
2
2048
2048
256x16
256x16
256
256
MUX
B
D
DL
L
CL
R
11
16 Mbit (1Mx16)
SDRAM
Microelectronics 34
• DDR (Double Data Rate)-RAM• EDO-RAM (kimeneti tároló, közben címek)• Beágyazott RAM-ok: dual oxide technique• RAMBUS• SAM• Video RAM
Microelectronics 35
Vezérlő gate
Source
Lebegő (floating) gate
Drain
Csatorna
UV-EPROM cella
Kapacitív osztó,Lavina-hatás(hot elektron)
Microelectronics 36
Klasszikus EEPROM cella
n+ n+
Control gate
S D
tunnel oxid
+12V
0 V +12V
+12V
WRITE ERASE READ
0 VURead
+5V
+5V
+
from gate
(Tunnelezés a drain-ről)
to gate
Kapcsolótranzisztor
Microelectronics 37
0 V
+12V
Törlés: minden source → +12V, electronok: vissza source-ba
Bit line
Word line
Közös föld
D
Sn+
S D
tunnel oxid
Word line
n+
Flash memória cella
Microelectronics 38
Drain Source
Control gate
n n
Forró elektronok
Alagút-hatás
S
D
+5V
GND
+12V
S
D
+12V
GND
GND
a/ b/ c/
Split-gate EEPROM cella
Microelectronics 39
• NOR-rendszerű Flash memória
2. Bit-vonal1. Bit-vonal
WL0
WL1
WL14
WL15
Közös source
Helyfoglalás
Write: source=0, BL=high,WL=+U
Erase: közös source =+U,WL= -U, BL=lebegegyszerre a blokk
Read: source=0, drain=R,WL=cím
Microelectronics 40
NAND-rendszerű Flash memória struktúraJó helykihasználás, lassú (soros)
Write (Tx): BLx szelektálás Source szelektálás, KS=0 BLx=0 WLx= ++U, a többi +U csatorna mindenütt, tunnel Tx
Erase: zseb=++U, összes WL=0 minden cella törlődik
Read (read-through, „cellákon át”): BL, KS szelektálás Source=0, BL= pull-up WL (nem Tx)=normál csatorna WLx=0, kiolvasás függ lebegő gate-től
Sor- dekóder
2. Bit-vonal
Bit-vonal szelektálás
Közös source szelektálás (KS)
1. Bit-vonal
WL0
WL1
WL14 (WLX)
WL15
Közös source
TX
(BLX)
Microelectronics 41
• Programozott kapcsolóFPGA, redundáns memória, A/D kalibrálás
T2
T1
S
D
A
B
UVez
Programozás
Közös lebegő gate
Kapcsoló
B
A
rds
Microelectronics 42
F
VSS
F2
1
F 1
VDD
A
A
A
F 1
VSS
fém
poly
poly
poly
polyfém
fém
fém
szóvonal
0
1A1
2
A2
A 0
A 0 A1A2
VSS
F 1
F 1
F2
F 1
VDD
VDD
szóvonal
Dinamikus sordekóder elrendezése
Microelectronics 43
8K x 9bitSRAM
TAG-RAM DATA-RAM
BANK
decoder
comparator
MISS
HIT
CPUdatabus
Main
Memory
9 bit
program counter
13
9
HIT / MISS
Cache-Tag memória struktúra
Microelectronics 44
Cache memóriákHierarchikus memória-felépítés:
L1I, L1D utasítás és adat-memória
L2
L3
Main memory
Disc
L1 utasítás cache és fetch
utasítás queue Ugrás jóslás
Regiszter- és stack-kezelés
Elágazás regiszterek
Busz vezérlő és ECC
Egészszám regiszterek
Lebegőpontos regiszterek
Lebegő- pontos egység
Integer és multimédia egység
L1- adat cache
L3
cach
e
L2
cac
he
Elágazás egység
Microelectronics 45
A/D átalakítók
Microelectronics 46
R/2 +
8-bites flash A/D átalakító
0
0
1
1
Uref
R
R
R
R/2
ROM 256 8bit
D0 D7
higany
‘Thermometer’
Ube
XOR
+
+
+
Microelectronics 47
K1
Aláosztásos (subranging) A/D átalakító
Mintavétel éstartás
D/A
Ube
Flash konverter
Logika
Hibajelerősítő
Differencia-képző
Digitáliskimenet
Microelectronics 48
Telecom áramkörök
Microelectronics 49
1
16
1 16Ki
Be
Jel-utak kialakítása
Analóg átvitel:-Rotary-gépek- Crossbar- Mechanikus relék
- Elszigetelt tirisztorok
14. bemenet→2. kimenet
16x16-os kapcsoló-mátrix
Microelectronics 50
1
16
1
16
5
9
5
4
8
12
13
4
8
9
12
13
4x4
4x2 4x2
N1
1
16
1 16Kimenetek
Bemenetek
= 4
N2
=2
n=16
Kapcsoló-mátrix és felbontása2
1222
N
nNnNK
Egyidejűlegmax. nN2/N1
Microelectronics 51
Hibrid
Vett jel
Z0 lezáróellenállás
Adás
Csavart érpár
Áramirányok vételnél
Microelectronics 52
Control Data
S/H
REF DAC
Hold
Successive Approximation Register (SAR)
Control Register
MUX
InputRegister
GND VCC
Analóg ki
Analóg be
Keret szinkron
PCM Out Highway
CLK
Komp.
Kóder-dekóder (CODEC) áramkör
PCM In Highway
Microelectronics 53
8
21
6
54
3
7
Digitális bemenet
Analóg kimenet
Dinamika-expanzió exponenciális görbével
Microelectronics 54
ATM-hálózat kiépülése
Végpont Végpont
kérés
elfogadás
ATMkapcsoló
virtuális útvonal
A B
elfogadáselfogadás
elfogadás
kérés kérés
kérés
Használat előtt ki kell építeni a vonalat, minden csomag ezen, előzés nincs!VPI: azonos az úton, de sok VCI-t használ. Kis cella→ kis bufferek
Microelectronics 55
ATM packetGFC
VPI
VPI
VCIPT CLP
ADAT
FEJLÉC
bitek 8 7 6 5 4 3 2 1
1
2
3
4
5
6
53
byte-ok
.
.(48 Byte)
HEC
GFC (Generic Flow Control, Általános folyam vezérlő),VPI (Virtual Path identifier, Virtuális útvonal azonosító),VCI ( Virtual Channel Identifier, Virtuális csatorna azonosító), PT (Payload Type, Hasznos adat tipus), CLP (Cell Loss Priority, Cella elvesztés prioritás), HEC (Header Error Check, Fejléc hiba ellenőrzés).
Microelectronics 56
1. bemeneti memória
8. bemeneti memória
és
dual-port RAM
memóriakezelés
1. kimeneti memória
8. kimeneti memória
Kimeneti tárolók
és
bufferek
Bemenetitárolók
bufferek
8x4bemenet
Órajelek éskeretvezérlõk
8x4kimenet
12
32
12
32
Vezérlõ- jelek
vezérlőinterfész
8192 ATM cella
4
4
4
4
53byte SAM
prioritás
DRAM
frissítés
Ciklusidő = 26ns4-bites portra: 155 Mbit/s4 port összevonva.
622Mbit/s32 bites portra:1,25Gbit/s
Osztott memóriás (shared memory) ATM switch
Microelectronics 57
Scrambler áramkör
SR SR SRSR
+
+Ube
Uki
XOR kapu
Shift Regiszter
Microelectronics 58
Kódoló áramkör
1-bitkésleltetés
1-bitkésleltetés MUX
Kódoltbitfolyam
XOR kapu
Kódolatlan bitfolyam
n
n+1
++
+
Microelectronics 59
Trellis kódolás sémája
1/00
1/10
0/10
1/11
0/00
0/010/11
S00
S01
S10S10
S01
S00
S11 S111/00
n-edik állapot (n+1) -edik állapot
Microelectronics 60
Viterbi kódoló sémájaTSRSBM
)BMPM,BMPMmin(PM jn
jn
in
in1n
Microelectronics 61
ACS (Add-Compare-Sum) blokksémája
Komparálás
Szelektálás
+inBM
inPM
+jnBM
jnPM
1nPM
1nd összeadó
Microelectronics 62
Dekódolás a Trellis rács alapján
42
42
32
X
222
322
2
S00
S01
S10
S11
2
0
1
4
2
1
X
X
X
22
22
22
32
32
42
42
42
22
22
22
22 X
X
X X
X
X
1 1 0 0 1 00
11 10 10 11 11 1101
11 11 10 01 11 1100
Adat
Szimbólum
Vett szimbólum
32
32
Microelectronics 63
Analóg Trellis dekódoló
Ube+
C1
21a
C2
21b
C3
12a
C4
12b
Vdd
UG1
UG2
U1+ U2
+
1
2
1a
1b
2a
2b
Microelectronics 64
Analóg Viterbi dekódoló
T15
2
T10UR
UR
pMOSáramtükör
nMOS áramtükör
NMOS áramtükör
Analóg tároló
Analóg tároló
UDD
UDD
UDD
UDD
I2
T1
T3
T7
T4
T6
T9
T5T8
I1
A A
T2
T13
1
2
T11
T12
1
T14
B
Microelectronics 65
Jelút kapcsoló
MUX
1
2
n
vezérlõ
dekóder
1
2
n
MUX
DE
dual-port RAM
bemeneticellák
kimeneticellák
útvonal
Microelectronics 66
Batcher-Banyan kapcsoló.
1
2
3
4
5
6
7
0
bemenetek kimenetek
1
2
3
4
5
6
7
0
TG
TG
TG
TG
a)
b)
be ki
Ukapcs
Ukapcs
c)
Microelectronics 67
MLT-3
1 0001 1 11 1 1
0
+1
-1
Bitfolyam
c)
NRZIb)
a)Kettes alapú
1 0 0 01 1 1
NRZ
Manchester
Különbségi Manchester
a)
b)
c)
Bitfolyam
Microelectronics 68
010 0 11 0
0
+1
-1
0 0
Invertált AMI
1Bitfolyam
BER =Hibásan vett bitek száma
Összes adott bitek számaAmplitúdó
IdőNévleges logikai
"0'
Névleges logikai "1'
Microelectronics 69
TDx/Rx
GND
TX
RX
Ütközés
Vcc GND
Koaxiáliskábel
átvivő határfelület
(DTE)Adatvégződés
Közegélérési egység(MAU)
Gazdagép
DC/DC átalakító
62 bit 2 bit 6 bájt 6 bájt 2 bájt 4 bájt
Előhang SFDForrás
Hossz Adat FCSCélállomáscíme címe
46-1500 bájt
Microelectronics 70
.
.
.
.
.
Elválasztótranszformátor
Kétszer sodrott érpár+ 1 közös ér
illesztő-tag
közösmódusúszűrőtekercs
közös(föld)vezeték
vonalkiegyenlítő
Bináris/MLT-3
MLT-3/Binárisvisszakód
oló
vett jel
adás-jel
GND"K"
Transceiver chip
kódoló és meghajtó
Microelectronics 71
RF szűrő
Frekvenciaosztó
Oszcillátor
Demodulátor, processzor
1. keverő
Tükörelnyomás
Csatorna kiválasztásFrekvenciaosztó
2. keverő
Antenna LNATükörelnyomás
IF szűrő IF szűrő
)sin()sin( szcbe nk
Microelectronics 72
LS
Csub2
Cox1
Csub1
Cox2
Rsub1
RS
Rsub2
Cf
a) b)
Microelectronics 73
GS
Smbe C
LgR
GSSG CLL )[(
1
L1
T1
T2
Ube+
VCC
L3
L2
LG
T1Ube
LS
CGS
a) b)
Microelectronics 74
Uszab
VCC
L1
L8 C2
T1
T2
Uki+
Ube+ Ube
_
Uki_
VCC
VCCVCC
T3
T4
T7T6
T5T8
L7
L4
L6
L5
L3
L2
C1
UrefUref
Microelectronics 75
VDD
V1
UG1
L2
T2
L1
T1
UC V2
C1=2pF
UG
VCC=2.5V
L1
L2
L3
C2
Rn
T1
T2
Uki
Ube
C1=2pF
UG
VCC=2.5V
L1
L2
L3
C2
Rn
T1
T2
Uki
Ube
Microelectronics 76
osztóOszc.
Csatorna kiválasztásosztó
Csatorna kiválasztásosztó
LNA
PA
Alapsávi processzálástól
QAM mod/demod.
Mixer
Microelectronics 77
VDDL1
ULO2
T5 T6 T7 T8
URF
C1 Igen
UIF,IUIF,Q
T1
T2T3
T4
Microelectronics 78
9. Analóg áramkörök
Microelectronics 79
Analóg MOS kapcsoló helyettesítőképe
Cg s
S DKrsd
Ube
Cg d
Cd bCs b
G
Ct
Uki
0 5VVT,n VT,p
nMOS
pMOS
rON
Ube
Microelectronics 80
9. Neurális áramkörök
Microelectronics 81
Ucontrol
US UD Utunnel
Lebegő gate Elektron injekció
Tunnelezés vissza
n+
poly
Microelectronics 82
Utunnel
Synapse11 Synapse12 Synapse13
UD
Isum
Ucontrol1 Ucontrol2 Ucontrol3
IS1IS2 IS3
(12-24V)
(0-5V)
(regulated)
T1 T2 T3
Microelectronics 83
yeNye2
yi
ye1
Wg2
Wi2Wi1
Wg1
WiN
WgN
WeNWe2We1
xNx1 x2
globális tiltó egység
N
jejgji
iijjejej
ywfy
ywxwfy
1
)(
Microelectronics 84
UG4
Vdd
Uin (j)
T1
VSSIj
UCOM
Uki (j)
pT2 T3
T4
VSS
p
T5UG5
SS
SSTG
jki V
VVUk
mIU 1
)(
212
44
)1()(2
2DSTGSD UVU
kI
21 )(2 COMTbej UVjUk
I
WTA áramkör
Microelectronics 85
Ucom
Ud(j)
T1
Ibe(j)
T2
Iki(j)
Ud(j+1)
T3
Ibe(j+1)
T4
Iki(j+1)
T5UG5
Icom
Microelectronics 86
U1 U3
U2
T1
U4
I1
U2
I2I4 I3
Io1
T2T3T4
Io2
Gilbert 4-negyedes analóg szorzó
2121 )UU(KI
2342 )UU(KI
2323 )UU(KI
2144 )UU(KI
)UU)(UU(K2II)II(II 24312o1o4321
Microelectronics 87
Rendszerszintű specifikáció
Regiszter-Transzfer szintű terv
Szintézis
Követelmények
Gyártási előírások
Microelectronics 88
Elképzelés
Specifikáció
Szimuláció
Viselkedés-szintű leírás
Logikai optimalizálás
Regiszter-szintű leírás
Layout tervezés
Tervezési szabály ellenőrzés
Elhelyezés és huzalozás
Layout extrakció
Szeletgyártás
Szerelés, tokozás, mérés
Behaviour level
RTL levelCella-könyvtár
Reuse
Place and Route
Design Rule Check
Silicon foundry
Microelectronics 89
• Nagy gyártók, élenjárás, technológiai kapcsolat• Tervező laborok Magyarország….• Logikai tervezés…CAD?• Áramkörelmélet• SOC: codevelopment, HW/SW• Cellakönyvtár: standard, vagy saját cella+reuse• Szinkron-aszinkron• Órajel szétosztás• Mikrohullám: induktivitás+tápvonal