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También llamado (Field-Effect Transistor  

o FET , ) es en realidad una familia detransistores que se basan en elcampo eléctrico para controlar la

conductividad de un "canal" en unmaterial semiconductor. Los FET pueden

plantearse como resistencias controladaspor diferencia de potencial.

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Tipo de transistores de efecto campo

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Los transistores de efecto campo según el método deaislamiento entre el canal y la puerta:El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect 

Transistor ) usa un aislante (normalmente SIO2).

El JFET ( Junction Field-Effect Transistor ) usa una

unión p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor ) substituye la unión PN del JFET con unabarrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor ),también denominado HFET (heterostructure FET ), labanda de material dopada con "huecos" forma elaislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.

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Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor )

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor ) es un

dispositivo para control de potencia. Soncomunmente usados cuando el rango de voltajedrenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos másutilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseñado paraotorgar una recuperación ultra rápida del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET queactúa como biosensor, usando una puerta fabricada

de moléculas de ADN de una cadena para detectarcadenas de ADN iguales

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PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión desumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unión estápolarizada inversamente, suponemos que la corriente de puertaes nula, con lo que podemos escribir:

Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)

Id=corriente de la pueta

Aid = tensiónVd=union polarizadaVg=union polarizada

Rd=radio de la puerta

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CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

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*Al variar la tensión entre drenador y surtidorvaria la intensidad de drenadorpermaneciendo constante la tensión entrepuerta y surtidor.*En la zona óhmica o lineal se observa comoal aumentar la tensión drenador surtidoraumenta la intensidad de drenador.

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CONCLUSIONESLos transistores FET realizan la función de

control de la corriente, común a todos lostransistores por ser característica básica,mediante una tensión aplicada en uno de susterminales.

Están construidos con una zona

semiconductora tipo P o N que une dos de sustres terminales.

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El comportamiento de los transistores deefecto de campo se caracteriza por sus curvas

características en las que se representa lacorriente que entra o sale por el Dren ador enfunción de la tensión aplicada entre éste y laFuente.

Se emplean en amplificadores de potencia así como en conmutación, haciendo la función deinterruptor, gracias a la baja resistencia

interna que poseen.