52
รรรร 2105-2005 รรรร ออออออออออออออออออออออออออออ รรรร รรร ออออออออออออออ รรรรรรรรรรรรรรรรรรรรรรรรรรรร..รรรรรรรรรร 2556 รรรรรร รรรร ออออออออออ รรรรรรรร 5 รรรรรรรรรร/รรร ออออออออออออ รรรร 5 รรรรรรร รรรรรรรรรร 5 รรรรรรรรรรรร/รรร 1. ออออออออออออออออออออออออออออออออออออ 2. อออออออออออออออออออออออออออออออออ 3. ออออออออออออออออออออ 4. ออออออออออออออออออออออ 5. ออออออออออออออออออออ รรรรรรรรรร รรรรรรรรรรรรออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออ อออออออออออออออออออ ออออออออออ (Bell Laboratories) ออออ อ.อ.1947 ออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออ ออออออออออออออออออออ อออออออออออออออออออออออออออออออออออออ ออออออ BJT (Bipolar Junction Transistor) ออออออออออออ (BJT) อออออออออออออออออออออออออออ ออออ อออออออออออออออออออออออออ อออออออออออออออออออออ ออออออออออออออออออออออออออออออออ อออออออออออออออออออออออ(Switching) ออออ ออออ-อออ ออออออ(Relay) ออออออออออออออออออออออออออออ ออออออออออออออออ ออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออ ออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออออ

Transistor

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

หัน�วิยท�� 5 ช��อเร��อง/งาน ทรานิซิ�ส์เตอุร� เวิลัา 5 ช��วิโมง ส�ปดาหั$ท�� 5หั�วิข%อเร��อง/งาน

1. โครงส์ร�างแล็ะส์�ญล็�กษณ์�ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�2. ค�ณ์ส์มบั�ต�การท"างานิขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�3. ว�ดทดส์อุบัทรานิซิ�ส์เตอุร�4. วงจรคอุมมอุนิทรานิซิ�ส์เตอุร�5. การไบัอุ�ส์ทรานิซิ�ส์เตอุร�

สาระส&าคั�ญทรานซิ�สเตอร$ชนิ�ดส์อุงรอุยต'อุถู)กค�นิพบัคร�+งแรกโดยคณ์ะท"างานิขอุงห�อุงปฏิ�บั�ต�การขอุงบัร�ษ�ท เบัล็เทเล็โฟนิ (Bell Laboratories) ในิป/ ค.ศ.1947  นิ�บัได�ว'าเป1นิการปล็�กโล็กขอุงว�ว�ฒนิาการการส์ร�างอุ�ปกรณ์�ส์ารก34งต�วนิ"า ทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ดส์อุงรอุยต'อุเร5ยกด�วยต�วย'อุว'า BJT (Bipolar Junction Transistor) ทรานิซิ�ส์เตอุร� (BJT)  ถู)กนิ"าไปใช�งานิอุย'างแพร'หล็าย เช'นิ วงจรขยายในิเคร64อุงร�บัว�ทย�แล็ะเคร64อุงร�บัโทรท�ศนิ� หร6อุนิ"าไปใช�ในิวงจรอุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�ท54ท"าหนิ�าท54เป1นิส์ว�ตซิ�(Switching) เช'นิ เป7ด-ป7ดร5เล็ย�(Relay) เพ64อุควบัค�มอุ�ปกรณ์�ไฟฟ8าอุ64นิๆ เป1นิต�นิค�ณ์ส์มบั�ต�ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ค6อุเอุากระแส์ส์'วนินิ�อุยควบัค�มการไหล็ขอุงกระแส์ส์'วนิมากด�งนิ�+นิในิการนิ"าทรานิซิ�ส์เตอุร�ไปใช�งานิจ"าเป1นิต�อุงศ3กษาท"าความเข�าใจเก54ยวก�บัค�ณ์ส์มบั�ต�พ6+นิฐานิขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ไม'ว'าจะเป1นิโครงส์ร�าง ส์�ญล็�กษณ์� แล็ะค�ณ์ส์มบั�ต�การท"างานิขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�

Page 2: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จุ�ดประสงคั$การเร�ยนร�%

เม64อุผู้)�เร5ยนิเร5ยนิจบัในิหนิ'วยแล็�วผู้)�เร5ยนิส์ามารถู1. บัอุกโครงส์ร�างแล็ะส์�ญล็�กษณ์�ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ได�2. อุธิ�บัายค�ณ์ส์มบั�ต�การท"างานิขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ได�3. ว�ดทดส์อุบัทรานิซิ�ส์เตอุร�ได�4. อุธิ�บัายค�ณ์ส์มบั�ต�วงจรคอุมมอุนิทรานิซิ�ส์เตอุร�ได�5. อุธิ�บัายการไบัอุ�ส์ทรานิซิ�ส์เตอุร�ได�6. นิ�กเร5ยนิม5ความส์นิใจใฝ่>ร) � แล็ะปฏิ�บั�ต�งานิด�วยความประณ์5ต

Page 3: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.1 โคัรงสร%างแลัะส�ญลั�กษณ์$ของทรานซิ�สเตอร$

ทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ดส์อุงรอุยต'อุหร6อุ BJT นิ5+ ประกอุบัไปด�วยส์ารก34งต�วนิ"าชนิ�ดพ5แล็ะเอุ�นิต'อุก�นิ โดยการเต�มส์ารเจ6อุปนิ (Doping) จ"านิวนิ 3 ช�+นิ ท"าให�เก�ดรอุยต'อุ(Junction) ข3+นิจ"านิวนิ 2 รอุยต'อุ ถู�าเราจะแบั'งชนิ�ดทรานิซิ�ส์เตอุร�ตามโครงส์ร�างเราส์ามารถูแบั'งได� 2 ชนิ�ด ค6อุ ชนิ�ดท54ม5ส์ารชนิ�ดเอุ�นิ 2 ช�+นิ หร6อุเร5ยกว'า ชนิ�ด NPN แล็ะชนิ�ดท54ม5ส์ารชนิ�ดพ5 2 ช�+นิเร5ยกว'า ชนิ�ด PNP โครงส์ร�างขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด NPN แส์ดงในิร)ปท54 5.1 (ก) แล็ะชนิ�ด PNP แส์ดงในิร)ปท54 5.1 (ข)

ร�ปท�� 5.1โครงส์ร�างแล็ะส์�ญล็�กษณ์�ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�

Page 4: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากร)ปท54 5.1 โครงส์ร�างแล็ะส์�ญล็�กษณ์�ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร� จากโครงส์ร�างขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ท"าให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�ม5ขาใช�งานิ 3 ขาด�งนิ5+ค6อุ 1.ขาอุ�ม�ตเตอุร� (Emitter : E) 2.ขาเบัส์ (Base : B) 3. ขาคอุล็เล็�กเตอุร� (Collector : C) โดยแต'ล็ะช�+นิขอุงส์ารก34งต�วนิ"าจะม5ปร�มาณ์หร6อุขนิาดขอุงส์ารไมเท'าก�นิ โดยช�+นิส์ารขอุงขาอุ�ม�ตเตอุร�จะม5ขนิาดกว�าง ขาเบัส์จะม5ขนิาดขอุงช�+นิแคบั แล็ะขาคอุล็เล็คเตอุร�จะแคบัแต'จะม5ช�+นิส์ารโด?ปท54ใหญ' ด�งร)ปท54 5.2 ภาพต�ดขวางเพาเวอุร�ทรานิซิ�ส์เตอุร�

ร�ปท�� 5.2 ภาพต�ดขวางเพาเวอุร�ทรานิซิ�ส์เตอุร�

Page 5: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.2 คั�ณ์สมบั�ต�การท&างานของทรานซิ�สเตอร$

เนิ64อุงจากทรานิซิ�ส์เตอุร�ม5ขาใช�งานิ 3 ขา การจ�ดวงจรจ'ายไฟให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร�ท"างานิ หร6อุท54เราเร5ยกว'าการไบัอุ�ส์ (Bias) นิ�+นิม5ความจ"าเป1นิจะต�อุงจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ให�ถู)กต�อุงเพ64อุให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�ท"างานิอุย'างม5ประส์�ทธิ�ภาพ แล็ะเส์ถู5ยรภาพ การจ�ดวงจรจ'ายไฟให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร�ท"างานินิ�+นิม5หล็�กการจ'ายด�งนิ5+

5.2.1 ขา E แล็ะขา B ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ต�อุงได�ร�บัการจ'ายไบัอุ�ส์ตรง (Forward Bias) เส์มอุ ด�งร)ปท54 5.3 การจ'ายไบัอุ�ส์ตรงให�ก�บัขาอุ�ม�ตเตอุร� เท5ยบัก�บัขาเบัส์

ร�ปท�� 5.3การจ'ายไบัอุ�ส์ตรงให�ก�บัขาอุ�ม�ตเตอุร� เท5ยบัก�บัขาเบัส์

Page 6: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.2.2 ขา C ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ต�อุงได�ร�บัการจ'ายไบัอุ�ส์กล็�บั (Reverse Bias) เส์มอุ ด�งร)ปท54 5.4การจ'ายไบัอุ�ส์กล็�บัให�ก�บัขาคอุล็เล็คเตอุร�

ข . การจ'ายไบัอุ�ส์กล็�บัให�ก�บัขาคอุล็เล็คเตอุร�ชนิ�ด PNPก . การจ'ายไบัอุ�ส์กล็�บัให�ก�บัขาคอุล็เล็คเตอุร�ชนิ�ด NPN

ร�ปท�� 5.4 การจ'ายไบัอุ�ส์กล็�บัให�ก�บัขาคอุล็เล็คเตอุร�

Page 7: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากการจ�ดวงจรการให�ไบัอุ�ส์ทรานิซิ�ส์เตอุร�ตามร)ปท54 5.3แล็ะ 5.4 ท5ล็ะส์'วนิ เม64อุนิ"ามาจ�ดวงจรรวมก�นิท�+งส์อุงส์'วนิจะได�ล็�กษณ์ะการจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ทรานิซิ�ส์เตอุร�ได�ด�งร)ปท54 5.5 ล็�กษณ์ะการจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร� ชนิ�ด NPN แล็ะ ร)ปท54 5.6 ล็�กษณ์ะการจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร� ชนิ�ด PNP

ร�ปท�� 5.5 ล็�กษณ์ะการจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร� ชนิ�ด NPN

Page 8: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ร�ปท�� 5.6 ล็�กษณ์ะการจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร� ชนิ�ด PNP

นิอุกจากการให�ไบัอุ�ส์ท54ถู)กต�อุงแก'ทรานิซิ�ส์เตอุร�แล็�ว การควบัค�มการไหล็ขอุงกระแส์ในิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�ก�เป1นิส์�4งส์"าค�ญ เพราะทรานิซิ�ส์เตอุร�เม64อุม5กระแส์ไหล็ผู้'านิต�วม�นิอุาจท"าให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�เก�ดความร�อุนิ ส์'งผู้ล็ให�ค'าความต�านิทานิภายในิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�ล็ดล็ง ท"าให�กระแส์ไหล็ผู้'านิต�วม�นิเพ�4มมากข3+นิ อุาจจะส์'งผู้ล็ให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�เส์5ยหายได�

Page 9: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.2.3 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ในิทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด PNP จากร)ปท54 5.7 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ในิทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด PNP เป1นิการไหล็ขอุงกระแส์โฮล็ (Hold Current) เพราะทรานิซิ�ส์เตอุร�เป1นิชนิ�ด PNP ซิ34งม5จ"านิวนิโฮล็ (+) มากกว'าจ"านิวนิอุ�เล็�กตรอุนิ(-) เม64อุขาคอุล็เล็คเตอุร� (ขา C) ได�ร�บัไบัอุ�ส์กล็�บัท"าให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�ท54ขาคอุล็เล็คเตอุร� ได�ร�บัศ�กด�Bไฟเป1นิล็บัส์)ง ท"าให�โฮล็ซิ34งป1นิประจ�บัวกว�4งเข�าหาประจ�ล็บัเป1นิจ"านิวนิมากจ3งแทนิท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์โฮล็ด�วยล็)กศรใหญ'ในิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�

ร�ปท�� 5.7 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ในิทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด PNP

Page 10: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.2.4 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ในิทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด NPN จากร)ปท54 5.8 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ในิทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด NPN เป1นิการไหล็ขอุงกระแส์อุ�เล็�กตรอุนิ (Electron Current) เพราะทรานิซิ�ส์เตอุร�เป1นิชนิ�ด NPN ท"าให�ม5จ"านิวนิอุ�เล็�กตรอุนิ (-) มากกว'าจ"านิวนิโฮล็(+) เม64อุขาคอุล็เล็คเตอุร� (ขา C) ได�ร�บัไบัอุ�ส์กล็�บัท"าให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�ท54ขาคอุล็เล็คเตอุร� ได�ร�บัศ�กด�Bไฟเป1นิบัวกส์)ง ท"าให�อุ�เล็�กตรอุนิซิ34งเป1นิประจ�ล็บัว�4งเข�าหาประจ�บัวกเป1นิจ"านิวนิมากจ3งแทนิท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์อุ�เล็�กตรอุนิด�วยล็)กศรใหญ'ในิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�

ร�ปท�� 5.8 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ในิทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด NPN

Page 11: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ในิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�ท� +งกระแส์โฮล็ แล็ะกระแส์อุ�เล็�กตรอุนิโดยท�ศทางขอุงกระแส์โฮล็ไหล็จากข�+วบัวกขอุงแหล็'งจ'าย VBB ไหล็ผู้'านิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�ไปย�งข�+วล็บัขอุงแหล็'งจ'าย VCC ซิ34งจะส์วนิทางก�บักระแส์อุ�เล็�กตรอุนิท54ว�4งจากข�+วล็บัขอุงแหล็'งจ'าย VBB ไหล็ผู้'านิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�ไปย�งข�+วบัวกขอุงแหล็'งจ'าย VCC ถู3งแม�กระแส์ท�+งส์อุงจะว�4งส์วนิทางก�นิแต'ถู6อุว'ากระแส์ท54ไหล็ผู้'านิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร�ท� +งส์อุงชนิ�ดม5กระแส์เท'าก�นิ ทรานิซิ�ส์เตอุร�เม64อุท"างานิจะม5กระแส์ท54ไหล็ผู้'านิอุย)' 3 ค'าค6อุ1 )กระแส์เบัส์ (Base Current : IB ) ม5ค'าประมาณ์ 2 ถู3ง 5 % ขอุงกระแส์ท�+งหมด

2) กระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (Collector Current : IC ) ม5ค'าประมาณ์ 95 ถู3ง 98 % ขอุงกระแส์ท�+งหมด

3) กระแส์อุ�ม�ตเตอุร� (Emitter Current : IE ) ม5ค'าประมาณ์ 100 % ขอุงกระแส์ท�+งหมดค'ากระแส์ท�+ง 3 ค'าท54ไหล็ผู้'านิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร� ม5ความส์�มพ�นิธิ�ก�นิส์ามารถูเข5ยนิเป1นิส์มการได�ด�งนิ5+

เม64อุ IE = 100 % IC = 98 % แล็ะ IB = 2 %

IE = IC + IB 

IB = IE - IC 

IC = IE - IB

Page 12: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.3 การวิ�ดทดสอบัทรานซิ�สเตอร$

การว�ดด�วยม�เตอุร�แบับัเข�ม หล็�กการว�ดเหม6อุนิไดโอุด ค6อุ ว�ดการนิ"ากระแส์ขอุง ไดโอุดแต'ล็ะต�ว เนิ64อุงจากทรายซิ�ส์เตอุร�ม5 2 ประเภท ค6อุ NPN ,PNP ตามต�วอุย'างเป1นิแบับั NPN  5.31.การหาขา B แล็ะ ชนิ�ด ทรานิซิ�ส์เตอุร� 

5.3.1.1 เร�4มจากการต�+งย'านิการว�ดท54 x10 5.3.1.2 นิ"าส์ายม�เตอุร�จ�บัขาใดขาหนิ34งขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร� ไว� 5.3.1.3 ส์ายม�เตอุร�อุ5กเส์�นิ จ�บัว�ดส์อุงขาท54เหล็6อุ ท54ล็ะขา พร�อุมก�บัส์�งเกตค'าความ

ต�านิทานิ ท54ว�ดได�ว'า ต"4าหร6อุส์)ง เราพอุประมาณ์ค'าความต�านิทานิ เส์ม6อุนิเราว�ดไดโอุดท54ด5ว'า ประมาณ์เท'าไรได� เราส์นิใจความต�านิทานิต"4า 2 คร�+ง หากไม'ได�ล็อุงเปล็54ยนิ จ�บัขาอุ64นิๆท54เหล็6อุ 

5.3.1.4 ถู�า ส์ายว�ดส์5แดงจ�บัขา 1 แล็ะส์ายว�ดส์5ด"าจ�บั ขา 2,3 ม5 ความต�านิทานิต"4า แส์ดงว'า ขา1 เป1นิขา B ขา 2,3 เป1นิ C หร6อุ E (ต�อุงหาอุ5กคร�+ง) แล็ะทรานิซิ�ส์เตอุร� เป1นิชนิ�ด PNP 

5.3.1.5 ถู�า ส์ายว�ดส์5ด"าจ�บัท54 ขา 1 แล็ะ ส์ายแดง จ�บัท54ขา 2,3 ม5ความต�านิทานิต"4า แส์ดงว'า ขา 1 เป1นิขา B ขา 2,3 เป1นิ C หร6อุ E (ต�อุงหาอุ5คร�+งหนิ34ง) แล็ะทรานิซิ�ส์เตอุร�เป1นิชนิ�ด PNP การหาขา C แล็ะ E ท54เหล็6อุหล็�งจากเราร) �ขา B แล็ะ ชนิ�ดทรานิซิ�ส์เตอุร�แล็�ว 

Page 13: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.3.2.การหาขา E แล็ะ ขา C ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�5.3.2.1 ใช�ส์ายว�ดส์5ด"าจ�บัท54ขา 2 ส์5แดง จ�บัท54ขา 3 แล็ะจ�บัขา B Short ก�บัส์ายส์5ด"า

ท54จ�บัขา2 หร6อุใช�ปากค5บัก�ได� ส์�งเกตความต�านิทานิเปล็54ยนิเป1นิ ล็ดล็งเป1นิความต�านิทานิต"4าหร6อุไม' ถู�า ความต�านิทานิ ส์)งเหม6อุนิเด�ม ขาท54ส์ายส์5ด"าจ�บัอุย)' ขา 2 เป1นิขา E ส์'วนิขา 3 ท54เหล็6อุเป1นิ ขา C ให�กล็�บัส์ายม�เตอุร� ใหม'แล็�วท"าซิ"+า ถู�า ความต�านิทานิ ต"4า แส์ดงว'าขา 2 ท54ส์5ด"าจ�บัอุย)'เป1นิขา C ขาท54เหล็6อุเป1นิขา E 

5.3.2.2 หากการว�ดไม'เป1นิตามท54กล็'าวมา อุาจเป1นิไปได�ว'าโครงส์ร�างทรานิซิ�ส์เตอุร� เป1นิแบับัพ�เศษ เช'นิ ม5 R คร'อุม C-E หร6อุ คร'อุม BC หร6อุเป1นิทรานิซิ�ส์เตอุร�แบับั Darlington ต�อุงด) datasheet ประกอุบัด�วย หร6อุ อุาจเป1นิอุ�ปกรณ์�อุ64นิท54ไม'ใช'ทรานิซิ�ส์เตอุร� ให�ด)วงจรหร6อุ datasheet ประกอุบั 

5.3.2.3การทร�ก ขา B ด�วยไฟ DC ส์"าหร�บัทรานิซิ�ส์เตอุร�ขนิาดเล็�ก ต�+งม�เตอุร�ท54 X10 ถู�าต�+ง X1 ท"าให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�เส์5ยได� หร6อุ power transistor ควรต�+งท54 X1 หากต�+ง X10 ทรานิซิ�ส์เตอุร�ไม'ท"างานิ แล็ะว�ดไม'ได�ผู้ล็ ท54แนิ'นิอุนิ 

Page 14: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.3.3 การว�ดหาขาทรานิซิ�ส์เตอุร�ท54ต�วถู�งเป1นิโล็หะขาท54เช64อุมต'อุก�บัต�วถู�งเป1นิขา C นิ�+นิค6อุต�+งม�เตอุร�ท54 X10 นิ"าส์ายว�ดบัวกหร6อุล็บัก�ได�จ�บัต�วถู�งท54เป1นิโล็หะแล็ะนิ"าส์ายท54เหล็6อุไปจ�บัขาทรานิซิ�ส์เตอุร�ขาไหนิจ�บัแล็�วค'าความต�านิทานิข3+นิ 0 โอุห�มแส์ดงว'าเป1นิขาเด5ยวก�บัต�วถู�ง ขานิ�+นิเป1นิขา C ขาท54เหล็6อุเป1นิขา B ก�บั E

ร�ปท�� 5.9 ทรานิซิ�ส์เตอุร�ต�วถู�งโล็หะ

Page 15: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.4 วิงจุรคัอมมอนทรานซิ�สเตอร$

เนิ64อุงจากทรานิซิ�ส์เตอุร�ม5ขาใช�งานิ 3 ขาด�งนิ�+นิในิการจ�ดวงจรใช�งานิจะต�อุงม5ขาใดขาหนิ34งเป1นิขาร'วม (Common) ระหว'างอุ�นิพ�ตก�บัเอุาต�พ�ต ซิ34งในิการจ�ดวงจรขาร'วม หร6อุคอุมมอุนิขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร� ส์ามารถูแบั'งได� 3แบับั ค6อุ

5.4.1 วงจรเบัส์ร'วม หร6อุคอุมมอุนิเบัส์ (Common Base : CB)วงจรเบัส์ร'วม หร6อุคอุมมอุนิเบัส์ เป1นิวงจรท54ใช�ขา เบัส์ หร6อุขา B เป1นิขาร'วมระหว'างอุ�นิพ�ตก�บัเอุาต�พ�ต ด�งร)ปท545.10 วงจรคอุมมอุนิเบัส์เบั6+อุงต�นิ

ก.วงจรคอุมมอุนิเบัส์ชนิ�ด NPN

Page 16: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ข.วงจรคอุมมอุนิเบัส์ชนิ�ด PNP

ร�ปท�� 5.10 วงจรคอุมมอุนิเบัส์

จากวงจรคอุมมอุนิเบัส์ จะเห�นิว'าส์�ญญาณ์เข�าทางขาอุ�ม�ตเตอุร� (E) แล็ะส์�ญญาณ์จะถู)กส์'งอุอุกทางขาคอุล็เล็คเตอุร� (C) ซิ34งเป1นิขาเอุาต�พ�ตค�ณ์ส์มบั�ต�ขอุงวงจรคอุมมอุนิเบัส์ ส์ามารถูส์ร�ปได�ด�งนิ5+

Page 17: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

1. อุ�มพ5แดนิซิ�ทางด�านิอุ�นิพ�ต ( Zi : In put Impedance ) หร6อุค'าความต�านิทานิทางด�านิอุ�นิพ�ตขอุงวงจรต"4ามาก เนิ64อุงจากขา E ได�ร�บัการไบัอุ�ส์ตรงเม64อุเท5ยบัก�บัขา B ผู้ล็ท"าให�กระแส์ IE

ไหล็ได�มาก ซิ34งแส์ดงว'าค'าความต�านิทานิทางด�านิอุ�นิพ�ต (Zi) ม5ค'าต"4ามาก

2. อุ�มพ5แดนิซิ�ทางด�านิเอุาต�พ�ต ( Zo : Output Impedance ) หร6อุค'าความต�านิทานิทางด�านิเอุาต�พ�ตขอุงวงจรม5ค'าส์)งมาก เนิ64อุงจากขา C ได�ร�บัการไบัอุ�ส์กล็�บัเม64อุเท5ยบัก�บัขา B ผู้ล็ท"าให�กระแส์ IC ไหล็ได�นิ�อุย ซิ34งแส์ดงว'าค'าความต�านิทานิทางด�านิอุ�นิพ�ต (Zo) ม5ค'าส์)งมาก

3. เฟส์ (Phase) ขอุงส์�ญญาณ์อุ�นิพ�ต แล็ะเอุาต�พ�ตจะเหม6อุนิก�นินิ�+นิค6อุถู�าส์�ญญาณ์ป8อุนิเข�ามาทางอุ�นิพ�ตเป1นิบัวก ส์�ญญาณ์ท54อุอุกทางเอุาต�พ�ตก�จะเป1นิบัวกเช'นิก�นิเราร5ยกว'าส์�ญญาณ์อุ�นิเฟส์ก�นิ (In phase)

Page 18: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

4. อุ�ตราขยายทางด�านิกระแส์ (Current Gain : ) ซิ34งเข5ยนิแทนิด�วยอุ�กษรกร5ก ค6อุ ต�วอุ�ล็ฟ>า ( ) ซิ34งในิวงจรคอุมมอุนิเบัส์เราส์ามารถูหาอุ�ตราการขยายทางกระแส์ได�จากกระแส์ทางด�านิเอุาต�พ�ต (Io) ต'อุกระแส์ทางด�านิอุ�นิพ�ต (Ii)

ส์มการท54 5.1

ในิวงจรคอุมมอุนิเบัส์ ค'ากระแส์ IE = 1 หร6อุ 100 % ส์'วนิกระแส์ IC = 0.95 ถู3ง 0.98 หร6อุ 95 ถู3ง 98 % ด�งนิ�+นิในิวงจรคอุมมอุนิเบัส์จะเห�นิได�ว'าอุ�ตราขยายทางด�านิกระแส์ม5ค'าไม'เก�นิ 1เท'า

Page 19: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5. อุ�ตราการขยายแรงด�นิ (Voltage Gain: VG) หร6อุบัางคร�+งอุาจจะใช�ค"าว'าโวล็ท�เตจ แอุมปล็�ไฟเอุอุร� (Voltage Amplifier: AV) ค6อุเป1นิค'าอุ�ตราส์'วนิระหว'างแรงด�นิทางด�านิเอุาต�พ�ต (VO) ต'อุแรงด�นิอุ�นิพ�ต (Vi)

ส์มการท54 5.2

6. อุ�ตราขยายทางด�านิก"าล็�ง (Power Gain: PG) เป1นิอุ�ตราการขยายท54เก�ดจากผู้ล็ค)ณ์ระหว'างอุ�ตราการขยายกระแส์( ) ก�บัอุ�ตราขยายทางด�านิแรงด�นิ(AV)

ส์มการท54 5.3

7. วงจรคอุมมอุนิเบัส์ม�กจะถู)กนิ"าไปใช�งานิเก54ยวก�บั วงจรขยายแรงด�นิ (Voltage Amplifier) วงจรก"าเนิ�ดความถู54 หร6อุวงจรอุอุส์ซิ�เล็เตอุร� (Oscillator) แล็ะวงจรแมตช�ช�4ง (Matching)

Page 20: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.4.2 วงจรคอุล็เล็คเตอุร�ร'วม หร6อุคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร� (Common Collector: CC)วงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร� หร6อุเร5ยกอุ5กอุย'างหนิ34งว'าวงจรอุ�ม�ตเตอุร�ตาม (Emitter Follower) เป1นิวงจรท54ใช�ขา C เป1นิขาร'วมระหว'างอุ�นิพ�ต ก�บัเอุาต�พ�ต ด�งร)ปท54 5.11 วงจรคอุมมอุนิคอุนิเล็คเตอุร�เบั6+อุงต�นิ

ก.วงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร�ชนิ�ด NPN

ข.วงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร�ชนิ�ด PNP

ร�ปท�� 5.11 วงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร�เบั6+อุงต�นิ

Page 21: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากร)ปวงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร�จะเห�นิว'าส์�ญญาณ์อุ�นิพ�ตถู)กป8อุนิเข�ามาทางขา B แล็ะเอุาต�พ�ตอุอุกทางขา E ซิ34งส์ามารถูส์ร�ปค�ณ์ส์มบั�ต�ขอุงวงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร�ได�ด�งนิ5+

1. อุ�มพ5แดนิซิ�ทางด�านิอุ�นิพ�ต ( Zi : In put Impedance ) หร6อุค'าความต�านิทานิทางด�านิอุ�นิพ�ตขอุงวงจรส์)งมาก เนิ64อุงจากขา B ได�ร�บัการไบัอุ�ส์กล็�บัเม64อุเท5ยบัก�บัขา C

2. อุ�มพ5แดนิซิ�ทางด�านิเอุาต�พ�ต ( Zo : Output Impedance ) หร6อุค'าความต�านิทานิทางด�านิเอุาต�พ�ตขอุงวงจรม5ค'าต"4า เนิ64อุงจากขา E ได�ร�บัการไบัอุ�ส์ตรงเม64อุเท5ยบัก�บัขา C ผู้ล็ท"าให�กระแส์ IE ไหล็ได�มาก ซิ34งแส์ดงว'าค'าความต�านิทานิทางด�านิอุ�นิพ�ต (Zo) ม5ค'าต"4า

3. เฟส์ (Phase) ขอุงส์�ญญาณ์อุ�นิพ�ต แล็ะเอุาต�พ�ตจะเหม6อุนิก�นินิ�+นิค6อุถู�าส์�ญญาณ์ป8อุนิเข�ามาทางอุ�นิพ�ตเป1นิบัวก ส์�ญญาณ์ท54อุอุกทางเอุาต�พ�ตก�จะเป1นิบัวก เช'นิก�นิเราร5ยกว'าส์�ญญาณ์อุ�นิเฟส์ก�นิ (In phase)

Page 22: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

4. อุ�ตราขยายทางด�านิกระแส์ (Current Gain : ) ซิ34งเข5ยนิแทนิด�วยอุ�กษรกร5ก ค6อุต�วแกรมม'า (Gramma : ) ซิ34งในิวงจรคอุมมอุนิเบัส์เราส์ามารถูหาอุ�ตราการขยายทางกระแส์ได�จากกระแส์ทางด�านิเอุาต�พ�ต (IO) ต'อุกระแส์ทางด�านิอุ�นิพ�ต (Ii)

ส์มการท54 5.4

Page 23: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5. อุ�ตราการขยายแรงด�นิ (Voltage Gain: VG) หร6อุบัางคร�+งอุาจจะใช�ค"าว'าโวล็ท�เตจ แอุมปล็�ไฟเอุอุร� (Voltage Amplifier : AV) ค6อุเป1นิค'าอุ�ตราส์'วนิระหว'างแรงด�นิทางด�านิเอุาต�พ�ต (VO) ต'อุแรงด�นิอุ�นิพ�ต (Vi)

ส์มการท54 5.5

6. อุ�ตราขยายทางด�านิก"าล็�ง (Power Gain : PG) เป1นิอุ�ตราการขยายท54เก�ดจากผู้ล็ค)ณ์ระหว'างอุ�ตราการขยายกระแส์ ก�บัอุ�ตราขยายทางด�านิแรงด�นิ(AV)

ส์มการท54 5.6

7. วงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร�ม�กจะถู)กนิ"าไปใช�งานิเก54ยวก�บั วงจรบั�ฟเฟอุร�(Buffer Circuit) แล็ะวงจรแมตช�ช�4ง(Matching)

Page 24: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.4.3 วิงจุรอ�ม�ตเตอร$ร�วิม หัร�อคัอมมอนอ�ม�ตเตอร$ (Common Emitter : CE)วงจรคอุมมอุนิอุ�ม�ตเตอุร� เป1นิวงจรท54ใช�ขาอุ�ม�ตเตอุร�หร6อุขา E เป1นิขารวมระหว'างอุ�นิพ�ต ก�บัเอุาต�พ�ต ด�งร)ปท54 5.12 วงจรคอุมมอุนิอุ�ม�ตเตอุร�เบั6+อุงต�นิ

ก.วงจรคอุมมอุนิอุ�ม�ตเตอุร�เตอุร�ชนิ�ด NPN

ข.วงจรคอุมมอุนิอุ�ม�ตเตอุร�เตอุร�ชนิ�ด PNP

ร�ปท�� 5.12 วงจรคอุมมอุนิอุ�ม�ตเตอุร�เบั6+อุงต�นิ

Page 25: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากวงจรจะเห�นิว'าส์�ญญาณ์อุ�นิพ�ตเข�าทางขา B แล็ะส์�ญญาณ์เอุาต�พ�ตอุอุกทางขา C โดยม5ขา E เป1นิขาร'วมระหว'างอุ�นิพ�ต ก�บัเอุาต�พ�ตซิ34งส์ามารถูส์ร�ปค�ณ์ส์มบั�ต�ขอุงวงจรคอุมมอุนิอุ�ม�ตเตอุร�ได�ด�งนิ5+

1. อุ�มพ5แดนิซิ�ทางด�านิอุ�นิพ�ต ( Zi : In put Impedance ) หร6อุค'าความต�านิทานิทางด�านิอุ�นิพ�ตขอุงวงจรม5ค'าต"4า เนิ64อุงจากขา B ได�ร�บัการไบัอุ�ส์ตรงเม64อุเท5ยบัก�บัขา E

2. อุ�มพ5แดนิซิ�ทางด�านิเอุาต�พ�ต ( Zo : Output Impedance ) หร6อุค'าความต�านิทานิทางด�านิเอุาต�พ�ตขอุงวงจรม5ค'าส์)ง เนิ64อุงจากขา C ได�ร�บัการไบัอุ�ส์ตรงเม64อุเท5ยบัก�บัขา E

3. เฟส์ (Phase) ขอุงส์�ญญาณ์อุ�นิพ�ต แล็ะเอุาต�พ�ตจะต'างก�นิ 180 อุงศา นิ�+นิค6อุถู�าส์�ญญาณ์ป8อุนิเข�ามาทางอุ�นิพ�ตเป1นิบัวก ส์�ญญาณ์ท54อุอุกทางเอุาต�พ�ตก�จะเป1นิล็บั ถู�าส์�ญญาณ์ป8อุนิเข�ามาทางอุ�นิพ�ตเป1นิล็บั ส์�ญญาณ์ท54อุอุกทางเอุาต�พ�ตก�จะเป1นิบัวกเราเร5ยกว'าส์�ญญาณ์กล็�บัเฟส์ก�นิ (Out of Phase)

Page 26: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

4. อุ�ตราขยายทางด�านิกระแส์ (Current Gain : ) ซิ34งเข5ยนิแทนิด�วยอุ�กษรกร5ก ค6อุเบัต�า (Bata: ) แทนิซิ34งในิวงจรคอุมมอุนิอุ�ม�ตเตอุร� เราส์ามารถูหาอุ�ตราการขยายทางกระแส์ได�จากกระแส์ทางด�านิเอุาต�พ�ต (IO) ต'อุกระแส์ทางด�านิอุ�นิพ�ต (Ii)

ส์มการท54 5.7

Page 27: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5. อุ�ตราการขยายแรงด�นิ (Voltage Gain: VG) หร6อุบัางคร�+งอุาจจะใช�ค"าว'าโวล็ท�เตจ แอุมปล็�ไฟเอุอุร� (Voltage Amplifier: AV) ค6อุเป1นิค'าอุ�ตราส์'วนิระหว'างแรงด�นิทางด�านิเอุาต�พ�ต (VO) ต'อุแรงด�นิอุ�นิพ�ต (Vi)

6. อุ�ตราขยายทางด�านิก"าล็�ง (Power Gain : PG) เป1นิอุ�ตราการขยายท54เก�ดจากผู้ล็ค)ณ์ระหว'างอุ�ตราการขยายกระแส์ ( ) ก�บัอุ�ตราขยายทางด�านิแรงด�นิ(AV)

ส์มการท54 5.8

ส์มการท54 5.9

 7. วงจรคอุมมอุนิคอุล็เล็คเตอุร�ม�กจะถู)กนิ"าไปใช�งานิเก54ยวก�บั วงจรขยายเส์5ยง (Amplifier Circuit) แล็ะวงจรขยายส์�ญญาณ์

Page 28: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.5 การไบัอ�สทรานซิ�สเตอร$การจ�ดวงจรจ'ายไฟให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร�ท"างานิ หร6อุท54เราเร5ยกว'าการไบัอุ�ส์ (Bias) นิ�+นิม5ความจ"าเป1นิจะต�อุงจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ให�ถู)กต�อุงเพ64อุให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�ท"างานิอุย'างม5ประส์�ทธิ�ภาพ แล็ะเส์ถู5ยรภาพ การจ�ดวงจรไบัอุ�ส์ให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร�นิ�+นิม5ด�วยก�นิด�งนิ5+

5.5.1 วงจรไบัอุ�ส์คงท54 (Fixed Bias) วงจรไบัอุ�ส์คงท54 เป1นิการจ'ายไฟให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร�ตล็อุดเวล็า แล็ะคงท54ท"าให�ม5อุ�ณ์หภ)ม�ส์ะส์มเพ�4มข3+นิเร64อุยๆในิขณ์ะท54ทรานิซิ�ส์เตอุร�ท"างานิ ด�งร)ปท54 5.13 วงจรไบัอุ�ส์คงท54 (Fixed Bias)

ร�ปท�� 5.13 วงจรไบัอุ�ส์คงท54 (Fixed Bias)

Page 29: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากวงจรเป1นิการจ'ายไบัอุ�ส์คงท54ให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร�ชนิ�ด NPN โดยม5ต�วต�านิทานิ RB เป1นิต�วก"าหนิดกระแส์ไบัอุ�ส์ให�ก�บัขา B ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร� (IB) ซิ34งได�ร�บัไบัอุ�ส์ตรง (Forward Bias) จากแหล็'งจ'าย VCC ส์'วนิขา Cจะได�ร�บัแรงด�นิไบัอุ�ส์กล็�บั (Reverse Bias) จากแหล็'งจ'าย VCC การท"างานิขอุงวงจร เม64อุ RB เป1นิต�วต�านิทานิค'าคงท54จ3งก"าหนิดกระแส์แล็ะแรงด�นิไบัอุ�ส์ขา B คงท54 (Fixed Bias) แต'ค'าความต�านิทานิระหว'างรอุยต'อุขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�จะย�4งล็ดล็ง แต'การไบัอุ�ส์ท54ขา B ย�งคงท54 ส์'งผู้ล็ให� IB ม5กระแส์เพ�4มข3+นิ ผู้ล็ท"าให�กระแส์ IC เพ�4มข3+นิด�วยทรานิซิ�ส์เตอุร�จะท"างานิเช'นินิ5+ตล็อุดเวล็า ท"าให�ทรานิซิ�ส์เตอุร�มรอุ�ณ์หภ)ม�ส์)งข3+นิ ข�อุด5ขอุงวงจรไบัอุ�ส์คงท54 ค6อุ ประกอุบัวงจรง'ายเพราะใช�อุ�ปกรณ์�นิ�อุย ข�อุเส์5ย อุ�ณ์หภ)ม�ไม'คงท54 ท"าให�อุ�ตราขยายไม'แนิ'นิอุนิ

Page 30: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

เราส์ามารถูค"านิวณ์หาค'า กระแส์ IB กระแส์ IC แล็ะกระแส์ IE ท54ไหล็ผู้'านิวงจรไบัอุ�ส์แบับัคงท54ได�ด�งนิ5+ การค"านิวณ์หาค'ากระแส์เบัส์ (IB) โดยพ�จารณ์าท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ด�งร)ปท54 5.14 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์เบัส์ (IB) 

ร�ปท�� 5.14 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์เบัส์ (IB)

Page 31: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากวงจรร)ปท54 5.14 จะเห�นิว'ากระแส์เบัส์ (IB) จะก"าหนิดค'ากระแส์ด�วยความต�านิทานิ RB ซิ34งค"านิวณ์ได�จากส์มการท545.10

ส์มการท54 5.10

การค"านิวณ์หาค'ากระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (IC) จากค�ณ์ส์มบั�ต�ขอุง

ส์มการท54 5.11

จากส์มการท54 5.10 จะเห�นิว'ากระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (IC) จะเปล็54ยนิแปล็งตามค'าขอุงกระแส์เบัส์ (IB) การหาค'ากระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (IC) ส์)งส์�ดกรณ์5ไม'ทราบัค'า ส์ามารถูหาได�จากวงจรร)ปท54 5.14 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (IC) ส์)งส์�ดกรณ์5ไม'ทราบัค'า

Page 32: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ร�ปท�� 5.15 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (IC) ส์)งส์�ดกรณ์5ไม'ทราบัค'า

Page 33: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากร)ปท54 5.15 เราส์ามารถูหาค'ากระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (IC)ส์)งส์�ด(IC (Maximum) )หร6อุ(IC (Max) ) ได�จาก

ส์มการท545.12

จากส์มการท54 5.12 ในิความเป1นิจร�งแล็�วไม'ควรอุอุกแบับัวงจรไบัอุ�ส์แบับัค'าคงท54ให�ม5กระแส์ IC ส์)งส์�ด เนิ64อุงจากค'ากระแส์ IC ส์)งส์�ดนิ�+นิเป1นิกระแส์อุ�4มต�วขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร� (Saturation Current : IC(Sat) ) ซิ34งกระแส์อุ�4มต�วนิ5+จะส์'งผู้ล็ให�เก�ดการผู้�ดเพ5+ยนิขอุงส์�ญญาณ์ ด�งนิ�+นิในิการอุอุกแบับัวงจรต�อุงให�กระแส์ IC ต"4ากว'ากระแส์ IC(Sat) ก�จะท"าให�วงจรม5ประส์�ทธิ�ภาพส์)งส์�ดขอุงวงจร

Page 34: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากการค"านิวณ์หาค'ากระแส์ (IB) แล็ะค'ากระแส์ (IC) เราส์ามารถูหาค'ากระแส์ (IE) ได�จากความส์�มพ�นิธิ�ขอุงกระแส์ท�+งส์อุงด�งร)ปท54 5.16 ความส์�มพ�นิธิ�ขอุงกระแส์ (IB) แล็ะค'ากระแส์ (IC)

ร�ปท�� 5.16 ความส์�มพ�นิธิ�ขอุงกระแส์ (IB) แล็ะค'ากระแส์ (IC)

Page 35: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากส์มการ IB +IC = IE ส์ามารถูค"านิวณ์หากระแส์ (IE ) ได�จากความส์�มพ�นิธิ�ขอุง ได�ด�งนิ5+ จาก

ส์มการท54 5.13

เม64อุ

แทนิ BC II β ล็งในิส์มการท54 5.13 จะได�ว'า

ด�งนิ�+นิส์ามารถูหากระแส์ (IE) ได�จาก ส์มการท54 5.14

Page 36: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ต�วิอย�างการคั&านวิณ์ท�� 1 จากวงจรร)ปท54 5.17 จงหาค'ากระแส์ IB , IC แล็ะ IE

ร�ปท�� 5.17 ต�วอุย'างวงจรไบัอุ�ส์คงท54 (Fixed Bias)

Page 37: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.5.2 วิงจุรไบัอ�สต�วิเอง (Self Bias) วงจรไบัอุ�ส์ต�วเอุง หร6อุเซิล็ฟDไบัอุ�ส์ เป1นิการต'อุต�วต�านิทานิค'าคงท54ค'าหนิ34ง ต'อุก�บัแรงด�นิจากขาคอุล็เล็คเตอุร� (VC) ด�งร)ปท54 5.18 วงจรวงจรไบัอุ�ส์ต�วเอุง (Self Bias)

ร�ปท�� 5.18 วงจรวงจรไบัอุ�ส์ต�วเอุง (Self Bias)

Page 38: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากวงจรร)ปท545.18 วงจรวงจรไบัอุ�ส์ต�วเอุง (Self Bias) เม64อุม5กระแส์ IB ไหล็ผู้'านิทรานิซิ�ส์เตอุร�ก�จะเร�4มท"างานิ ม5กระแส์ IC ไหล็ผู้'านิทรานิซิ�ส์เตอุร�จะเก�ดความร�อุนิข3+นิในิต�ว ท"าให�บัร�เวณ์รอุยต'อุ ขา C แล็ะขา B ม5ค'าความต�านิทานิล็ดล็ง ท"าให�แรงด�นิ VC ล็ดล็งท"าให�แรงด�นิไบัอุ�ส์ท54ขา B ไม'คงท54 โดยเปล็54ยนิแปล็งค'าตามแรงด�นิ VC แต'เป1นิข�อุด5ขอุงวงจรไบัอุ�ส์แบับันิ5+เพราะจะเป1นิการช'วยปร�บัอุ�ณ์หภ)ม�ให�ก�บัทรานิซิ�ส์เตอุร� ท"าให�ล็ดการผู้�ดเพ5+ยนิขอุงส์�ญญาณ์ ส์'วนิข�อุเส์5ยก�ค6อุม5อุ�ตราการขยายต"4า เพราะม5การป8อุนิกล็�บัแบับัล็บัมาย�งด�านิอุ�นิพ�ตผู้'านิทางต�วต�านิทานิ RB เราเร5ยกเนิกท5ฟ ฟ/ดแบัค (Negative Feedback)

Page 39: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

การค"านิวณ์หาค'ากระแส์เบัส์ (IB) โดยพ�จารณ์าท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ด�งร)ปท54 5.19 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์เบัส์ (IB)

ร�ปท�� 5.19 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์เบัส์ (IB)ส์มการท54 5.15

Page 40: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ต�วิอย�างการคั&านวิณ์ท�� 2 จากวงจรร)ปท54 5.20 จงหาค'ากระแส์ IB , IC แล็ะ IE

ร�ปท�� 5.20 ต�วอุย'างวงจรใช�งานิไบัอุ�ส์ต�วเอุง

ส์ามารถูหาค'า IB ได�จากส์มการท54 5.15

หาค'า IC ได�จากส์มการท54 5.11

หาค'า IE ไดจากส์มการ 5.13

Page 41: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.5.3 วิงจุรไบัอ�สแบับัเสถี�ยร (Stabilize Bias)วงจรไบัอุ�ส์แบับัเส์ถู5ยร บัางคร�+งอุาจจะเร5ยกว'าวงจรอุ�ม�ตเตอุร�ไบัอุ�ส์ (Emitter Stabilize Bias) วงจรม5ล็�กษณ์ะเช'นิเด5ยวก�บัวงจรไบัอุ�ส์แบับัคงท54เพ5ยงแต'เพ�4มต�วต�านิทานิ RE เพ64อุร�กษาเส์ถู5ยรภาพ (Stabilize) ขอุงวงจรให�ม� 4นิคงย�4งข3+นิเม64อุอุ�ณ์หภ)ม�ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�เปล็54ยนิแปล็งไป ด�งวงจรร)ปท544.21 วงจรไบัอุ�ส์แบับัเส์ถู5ยร (Stabilize Bias) ข�อุด5ขอุงวงจรไบัอุ�ส์แบับัเส์ถู5ยร ค6อุอุ�ณ์หภ)ม�คงท54 ท"าให�กระแส์ IC คงท54ด�วย เพ5ยงแต'ต�อุงต'อุต�วต�านิทานิเพ�4มข3+นิ

ร�ปท��5.21 วงจรไบัอุ�ส์แบับัเส์ถู5ยร (Stabilize Bias)

Page 42: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

การค"านิวณ์หาค'ากระแส์เบัส์ (IB) โดยพ�จารณ์าท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ด�งร)ปท545.21 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์เบัส์ (IB)

ร�ปท�� 5.21 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์เบัส์ (IB)

Page 43: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากวงจรร)ปท54 5.21 จะเห�นิว'ากระแส์เบัส์ (IB) ส์ามารถูค"านิวณ์ได�จากส์มการท54 5.16

ส์มการท54 5.16

ส์'วนิค'ากระแส์ IC ส์ามารถูค"านิวณ์ได�จากส์มการท54 5.11ส์'วนิกรณ์5การหาค'ากระแส์ส์)งส์�ด IC(Max) ส์ามารถูพ�จารณ์าได�จากกระแส์ท54ไหล็ผู้'านิขาC ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร�ด�งร)ปท54 5.22ท�ศทางการไหล็ขอุง IC

Page 44: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ร�ปท�� 5.22 ท�ศทางการไหล็ขอุงกระแส์ IC

Page 45: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากร)ปท54 5.22 เราส์ามารถูหาค'ากระแส์ IC ส์)งส์�ดขอุงวงจรหร6อุกระแส์อุ�4มต�วขอุงวงจรได�จากส์มการท545.17 ส์'วนิค'ากระแส์ IE ส์ามารถูหาได�จาก

ส์มการท54 5.17

Page 46: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ต�วิอย�างการคั&านวิณ์ท�� 3 จากวงจรร)ปท54 5.23 จงหาค'ากระแส์ IB , IC แล็ะ IE

ร�ปท�� 5.23 ต�วอุย'างวงจรใช�งานิไบัอุ�ส์แบับัเส์ถู5ยร

Page 47: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

5.5.4 วิงจุรไบัอ�สแบับัแบั�งแรงด�น (Voltage Divider Bias)วงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิถู6อุได�ว'าเป1นิวงจรไบัอุ�ส์ท54เส์ถู5ยรภาพท54ส์�ด โดยม5ต�วต�านิทานิ RB1 แล็ะ RB2 ต'อุในิล็�กษณ์ะแบั'งแรงด�นิ (Voltage Divider) โดย RB1 เป1นิต�วก"าหนิดแรงด�นิตกคร'อุมให�ก�บั RB2 ในิการจ'ายแรงด�นิไบัอุ�ส์ให�ก�บัขา B ขอุงทรานิซิ�ส์เตอุร� ด�งร)ปท54 5.23 วงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิ ส์'วนิต�วต�านิทานิ RE ช'วยเส์ถู5ยรภาพการไบัอุ�ส์ด5ข3+นิ นิ�+นิค6อุกระแส์คอุล็เล็คเตอุร� (IC) ไหล็ได�อุย'างต'อุเนิ64อุง โดยทรานิซิ�ส์เตอุร�ไม'เก�ดความเส์5ยหายเนิ64อุงจากความร�อุนิภายในิต�วทรานิซิ�ส์เตอุร� วงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นินิ�ยมนิ"าไปใช�งานิในิวงจรปร5ไมค� (Pre-mic) วงจรส์ว�ตช�4ง(Switching) แล็ะวงจรขยายเส์5ยงภาคเด5ยว (Amplifier) 

ร�ปท�� 5.23 วงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิ

Page 48: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

จากวงจรท54 5.23 วงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิ การค"านิวณ์หาค'ากระแส์ แล็ะแรงด�นิโดยประมาณ์ควรใช�หล็�กการค�ดจาก โดยถู�าหากค'า มากกว'าหร6อุเท'าก�บั

นิ�+นิหมายถู3งค'ากระแส์ แล็ะแรงด�นิท54ได�จากการค"านิวณ์ม5ค'าใกล็�เค5ยงก�บัวงจรใช�งานิจร�ง

ร�ปท�� 5.24 แรงด�นิ แล็ะกระแส์ขอุงวงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิ

Page 49: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

ต�วิอย�างท�� 4 การค"านิวณ์ค'าแรงด�นิ แล็ะกระแส์ขอุงวงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิโดยเง64อุนิไข ตามร)ปท54 5.25วงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิโดยเง64อุนิไข

ร�ปท�� 5.25 วงจรไบัอุ�ส์แบับัแบั'งแรงด�นิโดยเง64อุนิไข

ข�0นตอนการคั&านวิณ์

แส์ดงว'าค'าแรงด�นิแล็ะกระแส์ท54ค"านิวณ์จะใกล็�เค5ยงก�บัวงจรใช�งานิจร�ง ด�งนิ�+นิจ3งส์ามารถูค"านิวณ์หาค'าแรงด�นิ แล็ะกระแส์ต'อุไปได�

Page 50: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

Page 51: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม

Page 52: Transistor

รหั�ส 2105-2005 วิ�ชา อุ�ปกรณ์�อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�แล็ะวงจร สาขางาน อุ�เล็�กทรอุนิ�กส์�หัลั�กส�ตรประกาศน�ยบั�ตรวิ�ชาช�พ..พ�ทธศ�กราช 2556 ประเภทวิ�ชา อุ�ตส์าหกรรม