TRANSISTOR PHÂN TỬ

1

12/13 TS. Trần Tiến Phức 1

TRANSISTOR PHÂN TỬ VÕNG BENZENE LIÊN KẾT 1-4 VỚI CÁC NGUYÊN TỐ

THUỘC NHÓM HALOGEN

C6H4F2, C6H4Cl2, C6H4Br2, C6H4I2,

TRẦN TIẾN PHỨC


TRANSISTOR PHÂN TỬVÕNG BENZENE LIÊN KẾT 1-4 VỚI CÁC NGUYÊN TỐ

THUỘC NHÓM HALOGEN

(C6H4F2, C6H4Cl2, C6H4Br2, C6H4I2)

TRẦN TIẾN PHỨC

2


NỘI DUNG

1. Tổng quan

a) Linh kiện điện tử nanô

b) Linh kiện điện tử phân tử

2. Cơ sở lý thuyết của transistor phân tử

3. Các tham số của vật liệu làm kênh dẫn

4. Thuật toán tính dòng IDS

5. Các kết quả

6. Phần mềm và chƣơng trình mô phỏng

a) CAChe

b) Mô phỏng transistor phân tử trong MATLAB


Năng lƣợng chuyển mạch và

kích thƣớc linh kiện giảm theo thời gian

3

Semiconductor manufacturing processes

10µm – 1971


3 µm – 1975

1.5 µm – 1982

1 µm – 1985

800 nm – 1989

600 nm – 1994

350 nm – 1995

250 nm – 1997

180 nm – 1999

130 nm – 2002

90 nm – 2004

65 nm – 2006

45 nm – 2008

32 nm – 2010

22 nm – 2012

14 nm – 2014

10 nm – est. 2015

7 nm – est. 2017

5 nm – est. 2019


Emerging research devices – demonstrated and projected parameters

Parameters are used: Proj.- Projected (2020), Demo – Demonstrated (2005). Op. Temp.– Operational

Temperature; RT- Room Temperature. (link)

Du bao phat trien linh kien dien tu.doc

4

Technology

• In 2005, Toshiba demonstrated 15 nm gate length and 10 nm fin width using a

sidewall spacer process It has been suggested that for the 16 nm node, a logic

transistor would have a gate length of about 5 nm

• In December 2007, Toshiba demonstrated a prototype memory unit that uses

15 nanometer thin lines.

• In December 2009, National Nano Device Laboratories, owned by

the Taiwanese government, produced a 16 nm SRAM chip

• In September 2011, Hynix announced the development of 15 nm NAND cells

• In December 2012, Samsung Electronics taped out a 14 nm chip.[15]

• In September 2013, Intel demonstrated an Ultrabook laptop

that uses a 14 nm Broadwell CPU and CEO said "[CPU] will

be shipping by the end of this year."[16] However, he later

announced that due to yield problem he called a “defect

density issue”, shipment will be delayed until Q1 2014.[17]



Motivation

Our enthusiasm for Nano-technology stems from its potential value in addressing Deep Space technology needs: Autonomous navigation and

maneuvering,

Miniature in-situ sensors,

Radiation and temperature tolerant electronics.

Nano-technology will provide essential computing and sensing capabilities.

Distributed Sensors

Penetrators

Integrated

Inflatable

Sailcraft

Miniaturized-

Rovers

Minaturized-

Spacecraft

Hydrobot

Atmospheric

Probes

Landing on Small Bodies

http://en.wikipedia.org/wiki/Toshiba

http://en.wikipedia.org/wiki/Fin_(extended_surface)

http://en.wikipedia.org/wiki/Taiwan

http://en.wikipedia.org/wiki/SK_Hynix

http://en.wikipedia.org/wiki/Samsung

http://en.wikipedia.org/wiki/14_nanometer

http://en.wikipedia.org/wiki/Intel



5


Phân loại linh kiện điện tử nanô

Linh kieän ñieän töû nanoâ

Giaûm kích thöôùc linh kieän baùn daãn khoái Linh kieän ñieän töû nanoâ hieäu öùng löôïng töû

Linh kieän ñieän töû phaân töû

Linh kieän ñieän töû nguyeân töûLinh kieän lai micro-nanoââ

Transistor ñôn ñieän töû (SET)Chaám löôïng töû(QD) Linh kieän ñöôøng haàm coäng höôûng

Ñioât ñöôøng haàm coäng höôûng (RTD) Transistor ñöôøng haàm coäng höôûng (RTT)

Linh kieän ñieän töû nanoâ baùn daãn


Mô phỏng nanoFET

2D trên trang webhttps://www.nanohub.org

Tại Hội nghị Vật lý

Việt-Đức ở Nha Trang

tháng 3 năm 2008 có

báo cáo của Vu Ngoc

Tuoc và Dragica K.

Vasileska

về mô phỏng 3D với

cấu trúc tƣơng tự(Top down)

Nghiên cứu giảm kích thƣớc bán dẫn khối

6


Ở thang nano, tham số năng lƣợng phụ

thuộc số nguyên tử trong khối vật liệu

Khối Si đƣờng kính 6 Ao chứa 47

nguyên tử.

LUMO = -7,89 eV; HOMO = -8,41eV

Độ rộng vùng cấm: 0,52 eV

Khối Si đƣờng kính 7 Ao chứa 83

nguyên tử.

LUMO = -8,56 eV; HOMO = -8,60eV

Độ rộng vùng cấm: 0,03 eV


HIỆU ỨNG ĐƢỜNG HẦM TRONG CHO DÂY PHÂN TỬ

Các nghiên cứu của J.M.Tour vào những năm 1990

7


Design for a memory cell built from

molecular electronic devicesGreg Y. Tseng và James C. Ellenbogen công bố trên http://www.mitre.org/technology/nanotech vào năm 1999

Dây phân tử để truyền tín hiệu. Các vòng benzene kết hợp với nhóm chức SH hay CH tạo nên transistor và RTD


Công trình của nhóm tác giả công bố trên

tạp chí IEEE năm 2002

• Kênh dẫn là phân

tử phenyl dithiol

(PDT) C6H4S2

• Phƣơng pháp:

NEGF (the Non-

Equilibrium

Green’s Function)

Luận án tiến sĩ 2003

Cong thuc phan tu 6 chat.doc






Damle_IEEE (kem theo thu cua S Datta).pdf

Luan An Tien si 2003.pdf

8



9



10


Phác thảo transistor trƣờng có kích thƣớc ở

thang nanômét trong nghiên cứu nàyKênh dẫn là phân tử hay dây phân tử có

mức năng lƣợng phân thành ba vùng.

Vùng hóa trị, (còn gọi là vùng đầy). Mức

năng lƣợng cao nhất trong vùng hóa trị

viết tắt là HOMO (Highest Occupied

Molecular Orbital).

Vùng cấm có độ rộng đủ để các hiệu ứng

nhiệt và tác động nhiễu không thể làm

điện tử dễ dàng vƣợt qua.

Vùng dẫn ở trạng thái ban đầu chƣa có

điện tử chiếm nên các mức năng lƣợng

còn trống (còn gọi là vùng trống). Mức

năng lƣợng thấp nhất trong vùng dẫn

viết tắt là LUMO (Lowest Unoccupied

Molecular Orbital).


TRẠNG THÁI CÂN BẰNG BAN ĐẦU CỦA HỆ

• Mức thế điện hóa của hai điện cực D và S ở vào khoảng

giữa của vùng cấm. VD = 0 nên thế điện hóa µ1 = µ2 = µ

TkE

EfB/exp1

10

11


TÍNH CHẤT DẪN ĐIỆN QUA KÊNH PHÂN TỬ

Hạ hệ mức năng lƣợng

xuống hay nâng mức

Fermi lên

Nâng hệ mức năng

lƣợng lên hay hạ

mức Fermi xuống


PHÂN TÍCH ĐỊNH TÍNH DÕNG ĐIỆN TRÊN MỘT

MỨC NĂNG LƢỢNG TÍNH CHO MỘT SPIN

Nguồn nuôi VD ≠ 0 tạo nên sự chênh lệch mức thế điện hóa

ở hai điện cực D và S là µ1 - µ2 = qVD. Thế cổng UG ≠ 0 làm

dịch chuyển vùng dẫn hay vùng hóa trị của kênh phân tử đi

vào khoảng có sự chênh lệch thế điện hóa µ1 và µ2 thì dòng

IDS của mạch ngoài đƣợc tạo thành.

12


CỰC TÍNH CỦA THẾ CỔNG UG

Thế cổng dƣơng, mức fermi dịch chuyển lên, thứ tự vận chuyển điện tích nhƣ hình a).

Thế cổng âm, mức fermi dịch chuyển xuống, thứ tự vận chuyển điện tích nhƣ hình b).


KÊNH DẪN CẢM ỨNG LOẠI N CÓ PHÂN CỰC DƢƠNG

Hình 1.34: Phaân cöïc cho MOSFET keânh caûm öùng loaïi n trong maïch khueách ñaïi

13


SO SÁNH NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CÁC LOẠI

TRANSISTOR

T. LƢỠNG CỰC

Dòng khuyếch tán

FET

Độ rộng kênh dẫn

MOSFET

Mật độ điện tích

T. PHÂN TỬ

Điều khiển số mức năng lƣợng trong vùng có sự chênh lệch thế điện hóa giữa D và S


DÕNG ĐIỆN QUA MỖI TIẾP XÖC

• Có N điện tử ở trong kênh với

trạng thái dừng (ổn định dừng):

10

1

1/exp1

1

Ef

TkEEf

B

20

2

2/exp1

1

Ef

TkEEf

B

Nfq

I 11

1

Nfq

I 22

2

14


ĐỊNH LƢỢNG DÕNG ĐIỆN TRÊN MỘT MỨC

NĂNG LƢỢNG TÍNH CHO MỘT SPIN

• Tính dòng điện theo chiều quy ƣớc và xét tại một trạng

thái dừng (ổn định) thì I1 = - I2 hay I1 + I2 = 0. Ta suy ra:

21

2211

ffN

21

21

2121 ff

qIII

• Chỉ có những mức năng lƣợng lân cận ε một vài giá trị kBT

và ở vào khoảng giữa thế điện hóa µ1 và µ2 có f1() ≠ f2()

là đóng góp vào quá trình tạo nên dòng điện IDS mà thôi.


MỨC NĂNG LƢỢNG ĐƢỢC MỞ RỘNG

• Do hệ gồm nhiều nguyên tử nên trạng thái năng lƣợng đƣợc

mở rộng thành một dải có mật độ là D(E) (Density Of States

– DOS). Tính cho cả hai spin trên mức năng lƣợng

22

2/

2/2

EED

Cc EEWLmED 2

Kênh phân tử có kích thƣớc cụ thể

Với:

LR /21

21

15


SƠ ĐỒ TƢƠNG ĐƢƠNG VỀ ĐIỆN


NĂNG LƢỢNG ĐIỆN THẾ CỦA KÊNH DẪN

Về mặt điện học ta có thể coi

kênh phân tử nhƣ một điểm

thì năng lƣợng điện thế của

nó chính là tổng của thế

Laplace UL và cộng thêm một

số hạng tỉ lệ dẫn đến từ sự

thay đổi số điện tử: NC

qUU

E

L 2

D

E

DG

E

GL qV

C

CqV

C

CU

16


SỐ ĐIỆN TỬ N VÀ DÕNG ĐIỆN I CHO MỘT

MỨC NĂNG LƢỢNG CÓ TÍNH ĐẾN HIỆU ỨNG

MỞ RỘNG

21

2211d

EfEfUEEDN

EfEfUEEDq

I 21

21

21d


MỐI QUAN HỆ TỔNG QUÁT

17


DÕNG ĐIỆN CHO NHIỀU MỨC NĂNG LƢỢNG

CÓ TÍNH ĐẾN HIỆU ỨNG MỞ RỘNG

• Kênh dẫn của transistor nanô có cấu trúc và tƣơng tác gồm

nhiều nguyên tử, vùng dẫn chứa nhiều mức năng lƣợng là

một phƣơng trình rất phức tạp. (Đầy đủ lý thuyết)

Đại lƣợng Thay thế

Mức năng lƣợng ε Ma trận Hamilton [H]

Năng lƣợng 1,2 Ma trận mở rộng [Γ1,2 (E)]

Mật độ trạng thái 2πD(E) Hàm phổ [A(E)]

Giá trị 2π n(E) Hàm tƣơng quan [Gn(E)]

Điện thế U Ma trận điện thế tự tƣơng tích [U]

Số điện tử N Ma trận mật độ [ρ] = ∫(D(E)/2π[Gn(E)]

Các nhóm nghiên cứu trên thế giới đang tìm cách giải phƣơng trình này


Vòng benzene liên kết 1-4 với các nguyên tố

có 3 cặp liên kết ghép đôi với Au về hai phía

Cac bai giang cua S Datta den 4-07.doc

18


PHÂN TỬ VÕNG BENZENE VÀ CÁC DẠNG

LIÊN KẾT VỚI NGUYÊN TỐ NHÓM HALOGEN


Xác định các tham số của phân tử bằng

CAChe-V 7.5.0.85.

19


Kiểm tra điều kiện 3 cặp liên kết gép

đôi về mỗi phía


Liên kết với các nguyên tử Vàng

(chiếu ngang)

20


Liên kết với các nguyên tử Vàng (chiếu đứng)


Liên kết với các nguyên tử Vàng (chiếu xiên)

21


Đo kích thƣớc phân tử theo lựcVan der Waals


Vùng cấm và mức thế điện hóa nếu sử

dụng Vàng làm điện cực S và D

• LUMO -0.332eV

μ của Vàng trong transistor

vào khoảng - 4.8eV đến

-5.3eV

• HOMO -9.870eV

22


Xác định vùng dẫn

Đầy

Trống

0eV


LUMO và HOMO

Vùng hóa trị

Vùng dẫn

23


Mật độ mức năng lƣợng trong vùng dẫn

(mật độ LUMO)


Số mức năng lƣợng trong mỗi dải

của vùng dẫn

24


Tham số của phân tử cần thiết để tính IDS


Kênh phân tử C6H4O2 VÀ C6H4S2 phân cực âm,

bốn kênh phân tử còn lại phân cực dƣơng

25


Công thức cấu tạo, mức năng lƣợng, công thức phân tử của vật liệu làm kênh dẫn

UG < 0

UG > 0


Dải dẫn và số mức năng lƣợng trong vùng

dẫn ảnh hƣởng đến chất lƣợng transistor

• Số mức năng lƣợng trong vùng dẫn càng nhiều và dải dẫn rộng làm

đặc trƣng bảo hòa ở thế cao, nguồn nuôi transistor lớn, dễ bị đánh

thủng do điện trƣờng ở kích thƣớc linh kiện nhỏ. “Bad transistor”

COURSE02-Supriyo Datta-good-bad.pdf

26


Điểm khác biệt

• Trong bán dẫn khối

Đƣờng đặc trƣng I-V

của transistor trƣờng

đƣợc mô tả bằng các

phƣơng trình khác

nhau ở phần có độ dốc

lớn và phần gần bão

hòa. Các phƣơng trình

này có thể đƣợc suy ra

bằng phƣơng pháp

khớp phím hàm từ đồ

thị thực nghiệm.

• Ở transistor phân tử

Thực nghiệm đang ở thì

tƣơng lai. Về mặt lý

thuyết, đƣờng đặc

trƣng đƣợc vẽ lên từ

việc nối các điểm của

kết quả giải một

phƣơng trình tính dòng

IDS ứng với các tham số

kích thƣớc, nhiệt độ,

điện thế VG và VD xác

định.


Lƣu đồ thuật toán

tính IDS trong

Matlab

27


Các hằng số vật lý

q điện tích của điện tử 1,602 10-19 C

h hằng số Planck 6,626 10-34 J s

Ћ = h / 2π 1,055 10-34 J

o hằng số điện môi của chân không

8,854 10-12 F/m

G0 = q2 / h lƣợng tử độ dẫn

38,7 10-6 S

= 1 / (25,8 103 Ω)


Các tham số phân tử và điều kiện

ban đầu

1. Kích thƣớc dài của phân tử làm

kênh dẫn L

2. Kích thƣớc rộng của phân tử làm

kênh dẫn W

3. Thế cổng VG

4. Nhiệt độ T

(thông qua các Slider trong MATLAB)

28


Tính CG; CS; CD; D0; N0

CG theo biểu thức 2.1

t

WLCG

04

CS = CD = 0,05 CG

D0= mcWL/πħ2

N0=2*dE*sum(D.*f0); %Khi

biết dE thì phép tích phân thay

bằng phép lấy tổng trong

Matlab.


Tính thế Laplace của kênh dẫn

Khi các tham số đo kích thƣớc

phân tử đƣợc xác định ở một mức

lƣợng tử nào đó thì các tụ điện CS;

CD; CG và CE là hoàn toàn xác định.

Thế Laplace UL của kênh phân tử

là hàm của các biến VG và VD. UL

đƣợc tính theo biểu thức (1.34).

D

E

DG

E

GL qV

C

CqV

C

CU

29


Vòng lặp do sự bổ sung điện tử vào kênh dẫn

để nâng lên một mức năng lƣợng mới

while dU>1e-6

f1=1./(1+exp((E+UL+U+ep-mu1)./kT));

f2=1./(1+exp((E+UL+U+ep-mu2)./kT));

N(iV)=dE*sum(D.*((f1.*g1/g)+(f2.*g2/g)));

Unew=U0*(N(iV)-N0);

dU=abs(U-Unew);

U=U+0.1*(Unew-U);

end

NUNC

qUU

E

L 0

2


Giá trị dòng điện khi có số mức năng lƣợng ở

trong vùng chênh lệch thế điện hóa và mật độ

trạng thái xác định

I(iV)=dE*I0*(sum(D.*(f1-f2)))*g1*g2/g;

30


Họ đặc trƣng dòng – thế


Ảnh hƣởng của nhiệt độ lên đặc trƣng I-V

• Trong bán dẫn khối, hiệu

ứng nhiệt của các

transistor phụ thuộc dây

chuyền công nghệ và khó

đạt độ đồng nhất.

• Trong transistor phân tử,

vật liệu kênh dẫn có tính

đồng nhất cao nên hiệu

ứng nhiệt tuân theo quy

luật xác định. Đây là điểm

thuận lợi để thiết kế mạch

bù nhiệt trong các ứng

dụng cụ thể.

EfEfUEEDq

I 21

21

21d

TkE

EfB/exp1

10

31


Vật liệu kênh dẫn khác nhau


Hiệu ứng thay đổi kích thƣớc dài của kênh

phân tử ảnh hƣởng lên đặc trƣng I-V

• Kết quả đo kích thƣớcphân tử trong CAChe chothấy có sự lƣợng tử hóa.

• Sự lƣợng tử hóa kíchthƣớc dài của phân tử làmkênh dẫn không làm thayđổi đặc trƣng I-V.

• Phù hợp với Thuyết lƣợngtử: Độ dẫn cực đại trên mộtmức năng lƣợng là mộthằng số.

G0 = q2 / h = 38,7 10-6 S

= 1/(25,8 103 Ω)

0,8405; 0,8716; 0,9027; 0,9339;

0,9650; 0,9962; 1,0273 (Đơn vị nm)

32


Hiệu ứng thay đổi kích thƣớc rộng của

kênh phân tử

• Sự lƣợng tử hóa kích thƣớc

rộng của phân tử làm kênh

dẫn làm thay đổi giá trị đặc

trƣng I-V (đặc biệt là vùng

bão hòa).

• Thay đổi kích thƣớc rộng

không làm thay đổi dạng

đƣờng đặc trƣng nên

transistor vẫn có giá trị ứng

dụng.

0,6026; 0,6249; 0,6472; 0,6695

0,6918; 0,7142; 0,7365 (nanômét)


Giải thích ảnh hƣởng của kích thƣớc

kênh phân tử lên đặc trƣng I-V• Các trạng thái trên cùng một

mức năng lƣợng của kênhphân tử theo hƣớng trục DSphân bố nhƣ một tấm lƣới.

• Thay đổi kích thƣớc dàikhông làm thay đổi số trạngthái.

• Tăng kích thƣớc rộng sẽ làmtăng số trạng thái và ngƣợclại.

• Số trạng thái điện tử chiếmcó ý nghĩa quyết định giá trịdòng điện truyền qua theohƣớng trục DS

33


Giao diện chính


Kênh phân tử C6H4F2

34


Đề xuất thực nghiệm kiểm chứng


Đề xuất thực nghiệm kiểm chứng

UG = 0

35


KẾT LUẬN (1-2)

1. Tác giả đã thiết kế đƣợc các phân tử C6H4F2; C6H4Cl2;

C6H4Br2; C6H4I2 (chƣa có sẵn ở thƣ viện trong CAChe), tối

ƣu hóa cấu trúc, tính toán và xác định đƣợc các tham số

cần thiết: kích thƣớc, mức năng lƣợng … đáp ứng đầy đủ

việc chạy chƣơng trình tính dòng IDS trong MATLAB.

2. Tác giả đã thiết lập 02 kiểu định dạng file tính dòng IDS.

a. Định dạng *.m để tiện so sánh tham số của các

transistor khác nhau.

b. Định dạng *fig trong GUI của MATLAB để mô tả cấu

trúc transistor, đơn giản hóa và thực hiện nhanh chóng,

chính xác bƣớc nhập số liệu vào chƣơng trình tính

toán để khảo sát đặc trƣng I-V.


KẾT LUẬN (3)3. Thiết kế một giao diện đồ họa trong GUI của MATLAB để khảo

sát transistor rất thân thiện và trực quan. Có thể khảo sát các

transistor này thông qua tổ hợp chập của 5 yếu tố:

a. Vật liệu làm kênh dẫn tùy chọn từ các phân tử C6H4F2,

C6H4Cl2, C6H4Br2, C6H4I2 thông qua một Pop-up Menu.

b. Nhiệt độ thay đổi bởi sáu mức cách nhau 40 K trong khoảng

từ 193 K đến 393 K (– 80oC đến 120oC) thông qua Slider.

c. Thế cổng VG thay đổi bởi sáu mức cách nhau 0.1 V trong

khoảng từ 0 V đến 0,5 V thông qua Slider.

d. Kích thƣớc rộng W của phân tử thay đổi sáu mức theo đúng

nhƣ mức lƣợng tử hóa đo đƣợc từ mô phỏng hóa học

CAChe.

e. Kích thƣớc dài L của phân tử thay đổi sáu mức theo đúng

nhƣ mức lƣợng tử hóa đo đƣợc từ mô phỏng hóa học

CAChe.

36


KẾT LUẬN (4)4. Tác giả đã mô phỏng đƣợc loại Transistor kênh phân tử mới

a. Kênh phân tử là vòng benzene liên kết 1- 4 với các nguyên tố

thuộc nhóm Halogen. Đây là các vật liệu hóa học đã có bán trên

thị trƣờng.

b. Cấu trúc transistor có dạng tƣơng tự nhƣ của MOSFET ở bán

dẫn khối.

c. Kích thƣớc transistor khoảng 2 đến 3 nanômét.

d. Họ đặc trƣng I-V có dạng tƣơng tự nhƣ của MOSFET ở bán dẫn

khối.

e. Transistor hoạt động với thế cổng dƣơng nên dễ ứng dụng trong

mạch tích hợp, giảm đƣợc điện áp nguồn nuôi.

f. Dòng và thế trong mạch điện nhỏ (IDS 10-7 A; UDS 1V) nên

công suất tiêu tán thấp, cho phép tăng mật độ linh kiện trên một

chip đơn.


KẾT LUẬN (5-6)

5. Trong bốn loại transistor đã xét, khả năng cung cấp công

suất lớn nhất thuộc về transistor sử dụng kênh phân tử

C6H4I2; thấp hơn tiếp theo là transistor sử dụng kênh phân

tử C6H4Br2; thấp nhất là transistor sử dụng kênh phân tử

C6H4Cl2.

6. Khảo sát hiệu ứng nhiệt cho thấy:

a. Khả năng ứng dụng các transistor này ở dải nhiệt độ

rộng hơn so với bán dẫn Si hiện nay.

b. Quy luật biến đổi nhiệt rõ ràng và chính xác nên dễ

thiết kế mạch bù nhiệt trong các ứng dụng cụ thể.

37


KẾT LUẬN (7)

7. Xét ảnh hƣởng của sự lƣợng tử hóa kích thƣớc kênh dẫn (chƣa

đƣợc đề cập tới ở các công trình nghiên cứu trƣớc đây).

a. Sự lƣợng tử hóa kích thƣớc rộng kênh phân tử làm thay đổi đƣờng đặc

trƣng vì nó làm thay đổi số trạng thái trên cùng một mức năng lƣợng

tham gia vào quá trình dẫn điện tạo nên dòng IDS.

b. Sự lƣợng tử hóa kích thƣớc dài kênh phân tử không làm thay đổi đƣờng

đặc trƣng vì số mức năng lƣợng dẫn điện tử tạo nên dòng IDS chạy dọc

theo hƣớng trục DS và số mức đó không thay đổi theo chiều dài kênh.

Kết quả này hoàn toàn phù hợp với Thuyết lƣợng tử: Độ dẫn cực đại trên

một mức năng lƣợng là một hằng số.

c. Tác giả đã đƣa ra mô hình lƣới trạng thái của một mức năng lƣợng để

giải thích ảnh hƣởng của kích thƣớc dài và rộng của kênh phân tử lên

đặc trƣng I-V.


NỘI DUNG LIÊN QUAN ĐẾN ĐỀ TÀI ĐÃ ĐƢỢC

CÔNG BỐ TẠI

• Seminar: Bộ môn Điện tử, khoa Điện tử Viễn thông

Viện Nghiên cứu và Ứng dụng Công nghệ Nha Trang

• Hội nghị khoa học:

Hội nghị Khoa học lần thứ 5, Trường Đại học KHTN Tp. HCM (2006)

Hội nghị Vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ 5, (Vũng Tàu 2007)

Hội nghị Vật lý Việt – Đức lần thứ 11 (VGS11 - 2008).

Hội nghị quốc tế về Khoa học vật liệu tiên tiến và Công nghệ nanô

(AMSN2008)

• Tạp chí:

Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ, ĐHQG Tp. HCM (2008)

Tạp chí Advances in Natural Sciences (2008)

Journal of Physics Conference series by IOP publisher, UK. (Search trên

Google với từ khóa: “Tran Tien Phuc”+”012055”)

38


NỘI DUNG BÁO CÁO1. Tổng quan

a) Linh kiện điện tử nanô

b) Linh kiện điện tử phân tử

2. Cơ sở lý thuyết của transistor phân tử

3. Tham số vật liệu

4. Thuật toán

5. Các kết quả

6. Phần mềm và chƣơng trình mô phỏng

a) CAChe Hyperlink

b) Mô phỏng transistor phân tử trong MATLAB Hyperlink

Công bố với thế giới


BV-26-7-08/BV-28-7-08/cache.exe

BV-26-7-08/BV-28-7-08/MATLAB R2007b.lnk

39

Quan tâm của NASA


Quan tâm của Harvad


40

Các nơi khác trên thế giới


Canada


41

Trung quốc


Các nhóm nghiên cứu khác

• Thay thế vật liệu làm điện cực [14]

• Nghiên cứu các loại transistor phân tử mới [28]

• Giới thiệu [6]


Thay Au = Pt.PDF

Trich dan 28- 1201.2043.pdf

..\E-2012\Lan toa Bai bao\Trich dan 6 9_926.pdf

Documents

TRANSISTOR PHÂN TỬ