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8/7/2019 Transistores bipolar
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orte opagem
Fraca Dopagem
Mdia Do a em
Com os diferentes nveis de dopagem de cada
cristal, as camadas de depleo tm larguras diferentes.
Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Elapenetra pouco na regio do emissor, bastante na base e
mdio na regio do coletor.
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A bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e
a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor. Os
eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se
na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente
eltrica alto nas duas junes
Os diodos emissor e coletor ficam reversamente
polarizado. A corrente eltrica circulando pequena
(corrente de fuga).
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o o co e or es reversamen e po ar za o e o
diodo emissordiretamente polarizado. A princpio espera-
se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta
corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece,
nos dois diodos as correntes so altas.
Se a tenso entre base e emissor (VBE) for maior que 0,7V,
muitos eltrons do emissor penetram na regio da base;
Os eltrons que a partir da base retornam a bateria VBE sochamados de corrente de recombinao. Ela pequena
porque a base pouco dopada;
,
base passam a juno base-coletor;
Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem
dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas) para
o coletor, mas no dos eltrons livres.
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Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo
penetrando na regio de coletor. L os eltrons livres so
atrados para o plo positivo da bateria VCB;
Re su m ind o, c o m a p olar iza o d ir e ta d o d io doemissor, in je tado uma a l t a cor ren te em d i reo
.c or r ent e , po r r ec om bi na o, r et o r na ao p l onegat ivo da bater ia VBE e o res tan te da c or ren tef lu i pa ra o co le to r e da pa ra o p lo pos i t i vo dabateria VCB.
Dependendo da condio de polarizao (direta ou
reversa) de cada uma das junes, so obtidos diferentes
modos de operao do transistor bipolar, conforme tabela
abaixo:
Modo Juno
Emissor/Base
Juno
Coletor/Base
Aplicaes
Eletrnica di ital
Automao
Ativo Direta Reversa Amplificadores
Saturao Direta Direta Eletrnica digitalAutomao
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IBICIE += Lei deKirchhoff
Muitas vezes o Beta (
CC
CCCC
1
=
IECC =
IB
ICCC =
ar me roALFA
Parmetro
BETA
Muitas vezes o
BETA chamado
de parmetro hFE
para o ganho da
corrente CC.
Se medirmos uma corrente do coletor de 5 mA e uma
corrente da base de 0,05 mA, determinar o BETA do
transistor.
EXEMPLO 1 (Soluo: LOUSA)
, .
transistores tm um BETA DE 1000
da ordem de 1000.
A folha de dados de um 2N3904 d um valor mnimo
de hFE de 100 e um hFE mximo de 300. Isto quer dizer que
OBSERVAO
.
Supondo um transistor com ALFA = 0,98, determinar
o parmetro hFE.
EXEMPLO 2 (Soluo: LOUSA)
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Na Figura abaixo, o lado negativo de cada fonte detenso est conectado ao emissor. Neste caso denomina-
se o circuito como montado em EMISSOR COMUM.
VS = IB.RS + VBE
VCC = IC.RC + VCE
Lei de K i rchhof f
Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para
todos os IB existe uma tenso VBE correspondente.
Naturalmente, esta curva semelhante curva do diodo.
Juno PN
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A partir de VCC e VS possvel obter diversosvalores de IC e VCE. A Figura mostra esta relao supondo
um IB fixo.
Regio de Corte
Regio de
Saturao
Regio Ativa
O grfico da Figura abaixo mostra curva IC x VCE
para vrios IBs. Habitualmente o grfico fornecido pelo
fabricante leva em considerao diversos IBs.
Determinar o Beta desse transistor.
EXEMPLO 3 (Soluo: LOUSA)
BC 548