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Transistores Bipolares de Junção
Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Santa Catarina Departamento Acadêmico de Eletrônica
Eletrônica I
Florianópolis, junho de 2013.
Prof. Clóvis Antônio Petry.
Bibliografia para esta aula
Transistores bipolares. 1. Caps. 6, 7 e 8 – Transistores bipolares (Malvino).
www.ProfessorPetry.com.br
Nesta aula
Sequência de conteúdos: 1. Introdução; 2. Construção dos transistores; 3. Operação dos transistores; 4. Configuração emissor comum; 5. Polarização; 6. Limites de operação; 7. Transistores Darlington; 8. Encapsulamento de transistores; 9. Principais características de catálogo; 10. Tipos de transistores.
Introdução
http://www.eletrica.ufpr.br/mehl/te040/historia_transistor.pdf
Histórico: • Diodo a válvula – 1904 por J. A. Fleming; • Triodo a válvula – 1906 por Lee De Forest; • Transistor – 1947 por Walter H. Brattain e John Bardeen. • Posteriormente: Mosfet, Igbt, Silicon Carbide, etc.
Amplificador com transistor bipolar.
Introdução
Oscilador controlado a cristal.
Introdução
Regulador de tensão com transistor bipolar.
Introdução
Construção do transistor
BJT – Transistor Bipolar de Junção: Lacunas e elétrons formam as correntes.
Construção do transistor
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/BjtFet/index.html
Construção do transistor
Operação do transistor
Relembrando os diodos:
0DV V=
Relembrando os diodos:
0DV V<
Operação do transistor
Operação do transistor
Relembrando os diodos:
0DV V>
Junção Base – emissor polarizada diretamente.
Transistor PNP:
Operação do transistor
Junção Base – coletor polarizada reversamente.
Transistor PNP:
Operação do transistor
Transistor PNP:
Correntes no transistor bipolar de junção.
Operação do transistor
Configuração emissor-comum
A seta do símbolo gráfico define o sentido da corrente de emissor (fluxo convencional) através do dispositivo.
PNP NPN
Na região ativa, a junção base-coletor é polarizada reversamente, enquanto a junção base-emissor é
polarizada diretamente.
Configuração emissor-comum
Aproximação linear das características de base:
0BEV V>
Configuração emissor-comum
E B CI I I= +
C EI Iα= ⋅
Ccc
B
II
β =
Ganho CC
Cca
B
II
β Δ=Δ
Ganho CA
Configuração emissor-comum
2,7 10825
Ccc
B
I mI
βµ
= = =
2 1
2 1
C C Cca
B B B
I I II I I
β Δ −= =Δ −
3,2 2,2 10030 20cam mβµ µ−= =−
Exemplo:
Configuração emissor-comum
http://hebergement.ac-poitiers.fr/l-cc-angouleme/coulomb-exos-phy/applets/transist_fonct/transist_fonct.htm
Configuração emissor-comum
Polarização
C BI Iβ= ⋅
( )1E BI Iβ= + ⋅
0,7BEV V≅
Polarização
Cmax CE CP V I= ⋅
CEO C CmaxI I I≤ ≤
CEsat CE CEmaxV V V≤ ≤
CE C CmaxV I P⋅ ≤
Transistores Darlington
1 2totalβ β β= ⋅
CB
total
IIβ
=
Encapsulamento de transistores
Características de catálogo
Exemplos:
BC548
2N3055
Tipos de transistores
Transistores de uso geral:
Tipos de transistores
Transistores de uso geral:
Pare
s co
mpl
emen
tare
s
Tipos de transistores
Transistores de uso geral:
Tipos de transistores
Transistores de média potência:
Transistores de média potência:
Tipos de transistores
Transistores SMD:
Tipos de transistores
Transistores SMD:
Tipos de transistores
Transistores SMD:
Tipos de transistores
Transistores de alta potência:
Tipos de transistores
Transistores de alta potência:
Tipos de transistores
Transistores de rádio freqüência:
Tipos de transistores
Transistores integrados:
Tipos de transistores
Tarefas
• Capítulo 6, 7 e 8 – Atividades para o estudante.
Referência de páginas e numeração para Malvino 4ª Edição.
Próxima aula
www.ProfessorPetry.com.br
Transistores bipolares de junção: 1. Características e testes.