TRANSISTORES BJTTRANSISTORES BJTTRANSISTORES BJTTRANSISTORES BJT

KENEDY ZUÑIGAKENEDY ZUÑIGA

YERSON FIGUEROAYERSON FIGUEROA

DIEGO ALEXANDER DULCEDIEGO ALEXANDER DULCE

KENEDY ZUÑIGAKENEDY ZUÑIGA

YERSON FIGUEROAYERSON FIGUEROA

DIEGO ALEXANDER DULCEDIEGO ALEXANDER DULCE

INTRODUCCIONINTRODUCCIONINTRODUCCIONINTRODUCCION• En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban

válvulas de vació que consumían un par de watts válvulas de vació que consumían un par de watts por lo que el equipo requería una fuente de por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba cantidad alimentación voluminosa que generaba cantidad considerable de calor, dando como resultado un considerable de calor, dando como resultado un equipo anticuado y pesado.equipo anticuado y pesado.

• En 1951 shockley invento el primer transistor de En 1951 shockley invento el primer transistor de unión que significo un gran cambio en la industria,unión que significo un gran cambio en la industria,

los transistores son los que realizan en la mayoría los transistores son los que realizan en la mayoría de los circuitos la función de amplificación, control y de los circuitos la función de amplificación, control y estabilización de tensión etc.estabilización de tensión etc.

• En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban válvulas de vació que consumían un par de watts válvulas de vació que consumían un par de watts por lo que el equipo requería una fuente de por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba cantidad alimentación voluminosa que generaba cantidad considerable de calor, dando como resultado un considerable de calor, dando como resultado un equipo anticuado y pesado.equipo anticuado y pesado.

• En 1951 shockley invento el primer transistor de En 1951 shockley invento el primer transistor de unión que significo un gran cambio en la industria,unión que significo un gran cambio en la industria,

los transistores son los que realizan en la mayoría los transistores son los que realizan en la mayoría de los circuitos la función de amplificación, control y de los circuitos la función de amplificación, control y estabilización de tensión etc.estabilización de tensión etc.

DEFINICIONDEFINICIONDEFINICIONDEFINICION

• Fuente de corriente controlada por Fuente de corriente controlada por corriente, en donde la corriente de corriente, en donde la corriente de control es pequeña (en el orden de los control es pequeña (en el orden de los mA) y la corriente controlada es una mA) y la corriente controlada es una corriente 50, 100, 200, 1000, veces mas corriente 50, 100, 200, 1000, veces mas grande que la corriente de controlgrande que la corriente de control..

• Fuente de corriente controlada por Fuente de corriente controlada por corriente, en donde la corriente de corriente, en donde la corriente de control es pequeña (en el orden de los control es pequeña (en el orden de los mA) y la corriente controlada es una mA) y la corriente controlada es una corriente 50, 100, 200, 1000, veces mas corriente 50, 100, 200, 1000, veces mas grande que la corriente de controlgrande que la corriente de control..

ESTRUCTURA DEL ESTRUCTURA DEL TRANSISTORTRANSISTOR

ESTRUCTURA DEL ESTRUCTURA DEL TRANSISTORTRANSISTOR

• EMISOR: esta altamente impurificado y su EMISOR: esta altamente impurificado y su función consiste en emitir o inyectar función consiste en emitir o inyectar electrones en la base.electrones en la base.

• BASE: esta ligeramente impurificada y es BASE: esta ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector.que se dirigen hacia el colector.

• COLECTOR: el nivel de impurificación de COLECTOR: el nivel de impurificación de este es intermedio y recibe o capta los este es intermedio y recibe o capta los electrones provenientes de la baseelectrones provenientes de la base..

• EMISOR: esta altamente impurificado y su EMISOR: esta altamente impurificado y su función consiste en emitir o inyectar función consiste en emitir o inyectar electrones en la base.electrones en la base.

• BASE: esta ligeramente impurificada y es BASE: esta ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector.que se dirigen hacia el colector.

• COLECTOR: el nivel de impurificación de COLECTOR: el nivel de impurificación de este es intermedio y recibe o capta los este es intermedio y recibe o capta los electrones provenientes de la baseelectrones provenientes de la base..

ESTRUCTURAESTRUCTURAESTRUCTURAESTRUCTURANPNNPN COLECTOR

EMISOR

BASE

DIODO EMISOR Y COLECTOR: DIODO EMISOR Y COLECTOR: los transistores poseen 2 unioneslos transistores poseen 2 unionesBase emisor: similar aBase emisor: similar aBase colector: dos diodosBase colector: dos diodos

DIODO EMISOR Y COLECTOR: DIODO EMISOR Y COLECTOR: los transistores poseen 2 unioneslos transistores poseen 2 unionesBase emisor: similar aBase emisor: similar aBase colector: dos diodosBase colector: dos diodos

PNPPNP COLECTORCOLECTOR

EMISOREMISOR

BASEBASE

TRANSISTOR NO POLARIZADOTRANSISTOR NO POLARIZADOTRANSISTOR NO POLARIZADOTRANSISTOR NO POLARIZADO

ALFAALFAALFAALFA• En la mayor parte de los transistores mas del En la mayor parte de los transistores mas del

95% de los electrones inyectados por el 95% de los electrones inyectados por el emisor circulan hacia el colector, menos del emisor circulan hacia el colector, menos del 5% caen en los huecos de la base y fluyen 5% caen en los huecos de la base y fluyen hacia fuera.hacia fuera.

• se dice que la corriente de colector es casi se dice que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor: Icigual a la corriente de emisor: Ic ≈ Ie ≈ Ie

esto se define : esto se define :

• En la mayor parte de los transistores mas del En la mayor parte de los transistores mas del 95% de los electrones inyectados por el 95% de los electrones inyectados por el emisor circulan hacia el colector, menos del emisor circulan hacia el colector, menos del 5% caen en los huecos de la base y fluyen 5% caen en los huecos de la base y fluyen hacia fuera.hacia fuera.

• se dice que la corriente de colector es casi se dice que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor: Icigual a la corriente de emisor: Ic ≈ Ie ≈ Ie

esto se define : esto se define :

α = Ic / Ie α = Ic / Ie

BETABETABETABETA

• De acuerdo con la definición de De acuerdo con la definición de transistor y al relacionar la Itransistor y al relacionar la ICC con I con IEE utilizando utilizando α, también puede relacionarse la IC con la IB, definiendo β como:

• De acuerdo con la definición de De acuerdo con la definición de transistor y al relacionar la Itransistor y al relacionar la ICC con I con IEE utilizando utilizando α, también puede relacionarse la IC con la IB, definiendo β como:

β = IC / IEβ = IC / IE

ANALISIS DCANALISIS DCANALISIS DCANALISIS DC

MALLA DE ENTRADAMALLA DE ENTRADA

JUNTURA BE POL DIRECTA

DIODO NORMAL CONDUCE

CONTROL DE IB CON RB

JUNTURA BE POL DIRECTA

DIODO NORMAL CONDUCE

CONTROL DE IB CON RB

IB = VBB – VBE

RB

IB = VBB – VBE

RB

VBB = VRB + VBEVBB = VRB + VBE

MALLA DE SALIDAMALLA DE SALIDAMALLA DE SALIDAMALLA DE SALIDA JUNTURA BC POL INVERSA Ic ≠ OA

IB CONTROLA A Ic

JUNTURA BC POL INVERSA Ic ≠ OA

IB CONTROLA A Ic

Ic = β * IBIc = β * IB

EN GENERAL:EN GENERAL:

VCE = VCB + VBEVCE = VCB + VBE

IE = Ic + IB IE = Ic + IB

Ic = β * IBIc = β * IB

CARACTERISTICAS DEL TRANSISTORCARACTERISTICAS DEL TRANSISTORCARACTERISTICAS DEL TRANSISTORCARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR

• CURVA DE COLECTOR:CURVA DE COLECTOR:• CURVA DE COLECTOR:CURVA DE COLECTOR:

REGIONES DEL TRANSISTORREGIONES DEL TRANSISTORREGIONES DEL TRANSISTORREGIONES DEL TRANSISTOR

• REGION ACTIVA.REGION ACTIVA.• características:características:• IIB B > 0 Y V> 0 Y VCECE no tan pequeño. no tan pequeño.• Juntura BE polarización directa y juntura CB Juntura BE polarización directa y juntura CB

polarizacion inverza.polarizacion inverza.• IIcc depende de la I depende de la IBB..• Opera como amplificador sin distorcion.Opera como amplificador sin distorcion.

• REGION ACTIVA.REGION ACTIVA.• características:características:• IIB B > 0 Y V> 0 Y VCECE no tan pequeño. no tan pequeño.• Juntura BE polarización directa y juntura CB Juntura BE polarización directa y juntura CB

polarizacion inverza.polarizacion inverza.• IIcc depende de la I depende de la IBB..• Opera como amplificador sin distorcion.Opera como amplificador sin distorcion.

REGION DE CORTEREGION DE CORTEREGION DE CORTEREGION DE CORTE

• Características: se da cuandoCaracterísticas: se da cuando• La ILa ICC iguala a la corriente de fuga. iguala a la corriente de fuga.• LA ILA IBB = 0 = 0• El voltaje VEl voltaje VCECE es máx. o V es máx. o VCECE es min. es min.• VVCE CE (CORTE) (CORTE) ≡ Vcc≡ Vcc• Juntura BE y juntura BC están en Juntura BE y juntura BC están en

polarización directa.polarización directa.• Transistor: como interruptor abierto.Transistor: como interruptor abierto.

• Características: se da cuandoCaracterísticas: se da cuando• La ILa ICC iguala a la corriente de fuga. iguala a la corriente de fuga.• LA ILA IBB = 0 = 0• El voltaje VEl voltaje VCECE es máx. o V es máx. o VCECE es min. es min.• VVCE CE (CORTE) (CORTE) ≡ Vcc≡ Vcc• Juntura BE y juntura BC están en Juntura BE y juntura BC están en

polarización directa.polarización directa.• Transistor: como interruptor abierto.Transistor: como interruptor abierto.

REGION DE SATURACIONREGION DE SATURACIONREGION DE SATURACIONREGION DE SATURACION

Características:Características: • VVCECE = 0.2= 0.2v.v.

• La IC es casi independiente de la IB La IC es casi independiente de la IB (IC = Vcc / Rc) (IC = Vcc / Rc)

• La juntura BE y CB están en polarización La juntura BE y CB están en polarización inversa.inversa.

• El transistor permite conducción máx.El transistor permite conducción máx.• Se comporta como un interruptor cerradoSe comporta como un interruptor cerrado• La ILa IB B = 4 IBsat= 4 IBsat

Características:Características: • VVCECE = 0.2= 0.2v.v.

• La IC es casi independiente de la IB La IC es casi independiente de la IB (IC = Vcc / Rc) (IC = Vcc / Rc)

• La juntura BE y CB están en polarización La juntura BE y CB están en polarización inversa.inversa.

• El transistor permite conducción máx.El transistor permite conducción máx.• Se comporta como un interruptor cerradoSe comporta como un interruptor cerrado• La ILa IB B = 4 IBsat= 4 IBsat

LINEAS DE CARGALINEAS DE CARGALINEAS DE CARGALINEAS DE CARGA

• Para dibujar la línea de carga se Para dibujar la línea de carga se necesita de dos puntos uno superior y necesita de dos puntos uno superior y el otro inferior ubicados en la familia de el otro inferior ubicados en la familia de curvas del transistor.curvas del transistor.

Ic = Vcc – VcIc = Vcc – VcEE

RcRc

• Punto superior: se supone que el Punto superior: se supone que el transistor esta en saturación:transistor esta en saturación:

VVCE = 0v Ic = Vcc /RcCE = 0v Ic = Vcc /Rc

• Para dibujar la línea de carga se Para dibujar la línea de carga se necesita de dos puntos uno superior y necesita de dos puntos uno superior y el otro inferior ubicados en la familia de el otro inferior ubicados en la familia de curvas del transistor.curvas del transistor.

Ic = Vcc – VcIc = Vcc – VcEE

RcRc

• Punto superior: se supone que el Punto superior: se supone que el transistor esta en saturación:transistor esta en saturación:

VVCE = 0v Ic = Vcc /RcCE = 0v Ic = Vcc /Rc

• Punto inferior: se supone que el Punto inferior: se supone que el transistor esta en corte.transistor esta en corte.

• VVCECE = Vcc Ic = 0 = Vcc Ic = 0

Punto Q: es el punto de operación o Punto Q: es el punto de operación o punto estático de operación del punto estático de operación del transistor, el punto Q ideal debe estar transistor, el punto Q ideal debe estar ubicado en la mitad de la recta de cargaubicado en la mitad de la recta de carga

• Punto inferior: se supone que el Punto inferior: se supone que el transistor esta en corte.transistor esta en corte.

• VVCECE = Vcc Ic = 0 = Vcc Ic = 0

Punto Q: es el punto de operación o Punto Q: es el punto de operación o punto estático de operación del punto estático de operación del transistor, el punto Q ideal debe estar transistor, el punto Q ideal debe estar ubicado en la mitad de la recta de cargaubicado en la mitad de la recta de carga

POLARIZACIONESPOLARIZACIONESPOLARIZACIONESPOLARIZACIONES

• BASE COMUN: BASE COMUN: • El terminal de base es compartido entre la El terminal de base es compartido entre la

señal de entrada y la señal de salida.señal de entrada y la señal de salida.• EMISOR COMUN: EMISOR COMUN: • el terminal del emisor es común entre la el terminal del emisor es común entre la

señal de entrada y la de salida.señal de entrada y la de salida.• COLECTOR COMUN:COLECTOR COMUN:• El colector es compartido entre la señal de El colector es compartido entre la señal de

entrada y la de salida, entrada y la de salida,

• BASE COMUN: BASE COMUN: • El terminal de base es compartido entre la El terminal de base es compartido entre la

señal de entrada y la señal de salida.señal de entrada y la señal de salida.• EMISOR COMUN: EMISOR COMUN: • el terminal del emisor es común entre la el terminal del emisor es común entre la

señal de entrada y la de salida.señal de entrada y la de salida.• COLECTOR COMUN:COLECTOR COMUN:• El colector es compartido entre la señal de El colector es compartido entre la señal de

entrada y la de salida, entrada y la de salida,