Treball de Recerca powerpoint (versión final)

UN MUNDO PARALELO: La Nanotecnologa y el ITO

Autor: David Hurtado Martnez Tutor: Rafael Lamuedra Insituto: I.E.S. Badalona VII Curso: 2 Bachillerato B

GUINIntroduccin Objetivos Trabajo terico Trabajo experimental Conclusiones Valoracin personalUn mundo paralelo: la Nanotecnologa y el ITO

INTRODUCCIN

Eleccin del tema Ayuda interna: Rafael Lamuedra ( tutor ) Colaboracin de la UPC: - Ramn Alcubilla ( director CRNE ) - Germn Sez ( subdirector de promocin ) - Gma Lpez ( investigadora Sala Blanca )

Un mundo paralelo: la Nanotecnologa y el ITO

OBJETIVOS

Adentrarme en el mundo de la Nanotecnologa. Hacer un estudio a fondo del ITO. Tener una experiencia prctica. Elaborar un trabajo interdisciplinar.Un mundo paralelo: la Nanotecnologa y el ITO

TRABAJO TERICO

Qu es la Nanotecnologa ?


TRABAJO TERICO

Qu mejoras nos proporciona ?


1,000

1,100

1,200

100

200

300

400

500

600

700

800

900

0

U.S.A . Jap n Alem ania Fran cia Core a del Sur Reino Unido China Taiw an Austr alia Blgic a Italia Is rae l Holan da Cana d Irland a Suiz a Indon es ia Suec ia Finla ndia Aus tr ia Es pa a Mx ic o O tros

Presente y futuro

TRABAJO TERICO


TRABAJO TERICO

Qu es el ITO ( Indium-tin oxide ) ?


TRABAJO TERICO

Sistemas de fabricacin


TRABAJO TERICO

Aplicaciones


TRABAJO TERICO

Caracterstica: Transmitancia

I T = 100 I0


TRABAJO TERICO

Caracterstica: Resistividad

E = J 1 =

S =R l =R s tUn mundo paralelo: la Nanotecnologa y el ITO

TRABAJO TERICO

Caracterstica: grosor


TRABAJO EXPERIMENTAL

Instalaciones: Sala Blanca



Instalaciones: Sala de hornos



Instalaciones: Sala de fotolitografa



Instalaciones: Sala de caracterizacin



Instalaciones: Sala de deposicin



Etapa de deposicin: Preparacin Sputtering



Etapa de deposicin: Preparacin Sputtering



Etapa de deposicin: Sputtering



Etapa de caracterizacin: Resistencia de cuadro

V R= IMuestra1 2

V R=4 ' 53 IVoltaje Intensidad Resistencia de cuadro1'12 mV 6'8 mV 1 mA 1 mA 5'07 30'8 6 minutos 15 minutos

Tiempo de deposicin



Etapa de caracterizacin: Grosor



Etapa de caracterizacin: Resistividad

=R s tMuestra1 2

Tiempo de deposicin6 minutos 15 minutos

Resistencia de cuadro5'07 30'8

Grosor65 nm 265 nm

Resistividad3'03 10-7 m 8'16 10-6 m


CONCLUSIONES

Me he dado cuenta del poder que puede proporcionar la Nanotecnologa. El ITO, an en desarrollo, tiene la capacidad de mejorar muchas cosas ( energa y ocio, p.e. ). El tiempo de deposicin hace variar mucho las caractersticas del ITO. Hay que tener una gran paciencia en la investigacin con estos materiales.Un mundo paralelo: la Nanotecnologa y el ITO

VALORACIN PERSONAL

El 'Treball de Recerca' proporciona una buena experiencia y preparacin para futuros trabajos. Me ha gustado mucho el trabajo de laboratorio. Este trabajo ha augmentado mis ganas de estudiar en un futuro Nanotecnologa.Un mundo paralelo: la Nanotecnologa y el ITO

TURNO DE PREGUNTAS

?Un mundo paralelo: la Nanotecnologa y el ITO

Documents

Treball de Recerca powerpoint (versión final)