Leccin 5

OTROS SEMICONDUCTORES DE POTENCIASistemas Electrnicos de Alimentacin 5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C EL IGBT DE POTENCIAMOSFETBipolar

G EAlta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)Menor capacidad de conmutacin (Bipolar) No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

EL IGBT DE POTENCIA

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (

35 mA 30 mA 40 mA

35 mA 30 mA 60 mA

70 mA 30 mA 60 mA

35 mA 30 mA 40 mA

TIRISTORES

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