TT8K11TCR : Transistors...ゲート総電荷量 Qg4 VDD ⋍ 15V - 2.5 ゲート･ソース間電荷量 Q gs4 I D = 3A - 0.8 - nC ゲート･ドレイン間電荷量 Q gd*4 V GS

TT8K11　　30V Nch + Nch Middle Power MOSFET 　　 Datasheet

ll外形図外形図

VDSS 30V TSST8 　　　　　　

RDS(on)(Max.) 71mΩ　

ID ±3A　　

PD 1.25W　　

　　　　　　　　　　　　

ll特長特長ll内部回路図内部回路図

1) 低オン抵抗2) 低電圧駆動(4V駆動)3) 小型面実装パッケージ(TSST8)で省スペース

ll包装仕様包装仕様

タイプ

包装形態Embossed

Tape

ll用途用途リールサイズ (mm) 180

スイッチングテープ幅 (mm) 8

基本発注単位(個) 3000

テーピングコード TR

標印 K11

ll絶対最大定格絶対最大定格 (Ta = 25°C)

Parameter Symbol Value Unit

ドレイン・ソース間電圧 VDSS 30 V

ドレイン電流 (直流) ID ±3 A

ドレイン電流 (パルス) ID,pulse*1 ±12 A

ゲート・ソース間電圧 VGSS ±20 V

全許容損失

トータルPD*2

1.25

W 素子 1.0

トータル PD*3 0.6

ジャンクション温度 Tj 150 ℃

保存温度 Tstg -55 ～ +150 ℃　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150730 - Rev.001 　　　　

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ll熱抵抗熱抵抗

Parameter SymbolValues

UnitMin. Typ. Max.

熱抵抗 (ジャンクション・外気間)

トータルRthJA*2

- - 100

℃/W 素子 - - 125

トータル RthJA*3 - - 208

ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C)

Parameter Symbol ConditionsValues

UnitMin. Typ. Max.

ドレイン・ソース降伏電圧

V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 30 - - V

ドレイン・ソース降伏電圧温度係数

ΔV(BR)DSS ID = 1mA- 34.15 - mV/℃

　 ΔTj 　 referenced to 25℃

ドレイン遮断電流 IDSS VDS = 30V, VGS = 0V - - 1 μA

ゲート漏れ電流 IGSS VDS = 0V, VGS = ±20V - - ±10 μA

ゲートしきい値電圧 VGS(th) VDS = 10V, ID = 1A 1.0 - 2.5 V

ゲートしきい値電圧温度係数

ΔVGS(th) ID = -1mA- -2.34 - mV/℃

　 ΔTj 　 referenced to 25℃

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)*4 VGS = 10V, ID = 3A - 51 71

mΩ VGS = 4.5V, ID = 3A - 67 94

VGS = 4V, ID = 3A - 78 109

順伝達アドミタンス |Yfs|*4 VDS = 10V, ID = 3A 2.0 - - S

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

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ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C)


UnitMin. Typ. Max.

入力容量 Ciss VGS = 0V - 140 -

pF出力容量 Coss VDS = 10V - 55 -

帰還容量 Crss f = 1MHz - 28 -

ターンオン遅延時間 td(on)*4 VDD ⋍ 15V,VGS = 4.5V - 5 -

ns上昇時間 tr*4 ID = 1.5A - 13 -

ターンオフ遅延時間 td(off)*4 RL = 10Ω - 20 -

下降時間 tf*4 RG = 10Ω - 3 -

llゲート電荷量特性ゲート電荷量特性 (Ta = 25°C)


UnitMin. Typ. Max.

ゲート総電荷量 Qg*4 VDD ⋍ 15V - 2.5 -

nCゲート･ソース間電荷量 Qgs*4 ID = 3A - 0.8 -

ゲート･ドレイン間電荷量 Qgd*4 VGS = 5V - 0.6 -

ll内部ダイオード特性内部ダイオード特性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C)


UnitMin. Typ. Max.

ソース電流(直流) IS Ta = 25℃

- - 0.8A

ソース電流(パルス) ISP*1 - - 12

順方向電圧 VSD*4 VGS = 0V, IS = 3A - - 1.2 V

*1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1%

*2 セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm)

*3 ガラエポ基板実装時 (20×20×0.8mm)

*4 パルス

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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ll電気的特性曲線電気的特性曲線

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Normalized Transient Thermal　　　　Resistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum Power　　　　dissipation

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II)

Fig.7 Breakdown Voltage vs.　　　　　Junction Temperature

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.9 Gate Threshold Voltage vs.　　　　　　Junction Temperature

Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. 　　　　　Drain Current

Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State　　　Resistance vs. Gate Source Voltage

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.13 Static Drain - Source On - State　　　Resistance vs. Junction Temperature

Fig.14 Static Drain - Source On - State　　　　　Resistance vs. Drain Current (I)

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.15 Static Drain - Source On - State　　　　　Resistance vs. Drain Current (II)

Fig.16 Static Drain - Source On - State　　　　　Resistance vs. Drain Current (IlI)

Fig.17 Static Drain - Source On - State　　　　　Resistance vs. Drain Current (IV)

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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Fig.18 Typical Capacitance vs.　　　　　　Drain - Source Voltage

Fig.19 Switching Characteristics

Fig.20 Dynamic Input Characteristics Fig.21 Source Current vs.　　　　　　Source Drain Voltage

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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ll測定回路図　測定回路図　

図 1-1 スイッチング時間測定回路図 1-2 スイッチング波形

図 2-1 ゲート電荷量測定回路図 2-2　ゲート電荷量波形

ll使用上の注意使用上の注意

本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には

必ず静電対策を講じてください。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


TT8K11 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet

ll外形寸法図外形寸法図

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


Datasheet

Part Number TT8K11Package TSST8Unit Quantity 3000Minimum Package Quantity 3000Packing Type TapingConstitution Materials List inquiryRoHS Yes

TT8K11 - Web PageDistribution Inventory

https://www.rohm.co.jp/products/transistors/mosfets/standard/tt8k11-product?utm_medium=pdf&utm_source=datasheethttps://www.rohm.co.jp/distribution/-/dinventory/TT8K11TCR/sample/0?utm_medium=pdf&utm_source=datasheethttps://www.rohm.co.jp/distribution/-/dinventory/TT8K11TCR/sample/0?utm_medium=pdf&utm_source=datasheet

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