DIODA (Si)

[mA]

[p-µA]UDVγd

iD

U-I Karakteristika diode

⎟⎠⎞⎜

⎝⎛ −= 10 e TV

DU

DSD Ii η

qkTVT =

D

T

D

DD

D

DD

iV

didUr

iUR

⋅==

=

η

Pri T=300 0K

VT=25,9 mV

( ) 100

000 2TT

TDSDS ITI−

⋅=

( )CmV,

dTdUD

0522÷−=

UD

iD

Vγd UD

iD

Vγd+

APROKSIMACIJA DIODNE KARAKTERISTIKE

Karakteristika idealne diode Prva aproksimacija karakteristike diode

ri

1

APROKSIMACIJA DIODNE KARAKTERISTIKE

Vγd UD

iD

rd

Vγd+

ri

rd

Vγd+

Vγd UD

iD

[µA]

rd

1 rd

1

[mA]

Karakteristika idealne zener diode

Vz

Vγd UD

iD

Vz+Vγd

+

Diodni ograničavači

VU

VI

VR+VD

VR

VI

VR+VD VU

VR+VD

Prenosna karakteristika ograničavača

Ograničavač sa dva nivoa

Uspostavljač naponskog nivoa

τ = C*rd

τ = C*R

PREKIDAČKE KARAKTERISTIKE DIODEKapacitivnost spoja ili kapacitivnost prostornog tovara je diferencijalnog karaktera i zavisi od veličine napona inverzne polarizacije PN spoja.

Koncentracija nosilaca kod direktno polarisanog PN spoja

Lp i Ln - difuzione dužine(rastojanje od spoja na kome je višak koncentracije nosilaca opao na 1/e )

Lp2=Dpτp i Ln

2=Dnτn

Vremenske konstante τp i τnpredstavljaju srednje vreme rekombinacije ili vreme života manjinskih nosilaca

⎟⎠⎞⎜

⎝⎛ −= 10 e TV

DU

DSD Ii η

Koncentracija nosilaca kod inverzno polarisanog PN spoja

TDDSD VUzaIi 40 −≤−=

PREKIDAČKE KARAKTERISTIKE DIODE

PREKIDAČKE KARAKTERISTIKE DIODEPROCES UKLJUČIVANJA DIODE ( )

dtdQ

τQti p

P

PD +=

Jednačina kontrolnog tovara

2τp

PREKIDAČKE KARAKTERISTIKE DIODEPROCES ISKLJUČIVANJA DIODE

( )

( )

R

FRPS

FPP

p

P

PR

IIIlnτt

IτQdtdQ

τQti

−⋅=

⋅=

+=

0

tS - storage time (vreme nagomilavanja)