所属部署 電気工学科職名 准教授学位 博士（工学）専門分野 表面材料、表面吸着、電子分光クラブ顧問 バレーボール部（男子）

USEARCHUbe National College of Technology Seeds from Academic Research Challenge

電気工学科  > 碇　智徳

　碇　智徳（IKARI Tomonori）

【研究テーマ】

1. Si/6HSiC(0001)再構成表面における電子状態測定2. 銅フタロシアニン薄膜表面の電子状態および構造解析3. SiC表面分解法を用いたCNT成長におけるイオンビームの影響

【担当授業科目】電気材料、電気計測、電気回路、電気工学序論

【校務分掌】地域共同テクノ副センター長（H2725）、電気工学科5年担任（H24）、電気工学科4年担任（H23）、寮務主事補(H22)

【所属学会・協会等】応用物理学会、日本表面科学会、日本真空学会、日本高専学会、宇部高専T&B

【技術協力可能分野】半導体・金属材料表面上での異種原子吸着・脱離等の反応メカニズムの解明に取り組んでいる。

本研究室では、準安定原子誘起電子分光(MIES)装置と低速電子線回折(LEED)装置を所有している。MIESという手法は、物質の最

表面に非常に敏感な測定法であり、プローブ粒子のエネルギーが非常に低いことから最表面原子を傷つけることなく、局所的な電

子状態抽出が可能である。LEED装置では、周期的な表面構造を観察することができる。両装置により、表面構造と表面局所電子状

態の関係を明らかにできる。

【業績・実績リスト】

学術論文

1. 枝元太希, 早久和希, 岡野資睦, 坪井直也, 碇智徳, 中尾基, 内藤正路: "SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究", Journalof the Vacuum Society of Japan, Vol. 57, No. 5, pp. 144146 (2014).

2. 中山泰輔, 菅祐志, 長友和輝, 碇智徳, 内藤正路, 長井達三, 生地文也: "鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長", Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol. 57, No. 5, pp. 155158 (2014).

3. 瀬尾甲太郎, 高松草平, 近藤利紀, 碇智徳, 内藤正路: "SiC表面へのイオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成の制御", Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol. 57, No. 5, pp. 182184 (2014).

4. S. Krischok, A. Ulbrich, T. Ikari, V. Kempter, M. Marschewski, O. Höfft: "Surface structure of [XMIm]Tf2N ultrathin ionic liquidfilms probed by metastable He atoms and photoelectron spectroscopies (UPS and XPS)", Nuclear Instruments and Methods inPhysics Research B, Vol. 340, pp. 51–57 (2014).

5. M. Okano, D. Edamoto, K. Uchida, I. Omura, T. Ikari, M. Nakao, M. Naitoh: “Ionbeam irradiation effect in the growth processof graphene on silicon carbideoninsulator substrates”, Materials Science Forum, Vol. 778780, pp. 11701173 (2014)

6. M. Onoue, H. Okado, T. Ikari, M. Naitoh, T. Nagai, F. Shoji: "Fine structure analysis of spherical carbon particles produced ina methane plasma", Diamond & Related Materials, Vol. 2728, pp. 1013 (2012)

7. M. Naitoh, Y. Karayama, H. Ohaze and T. Ikari: "IonBeam Irradiation Effect on the Growth of Carbon Nanotubes in the SiC

Surface Decomposition Method", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 51, pp. 010201 (2012)8.  M. Naitoh, M. Okano, Y. Kitada, Y. Sasaki, Y. Okubo, D. Edamoto, M. Nakao, I. Omura, T. Ikari: "STM observation of

graphene formation using SiConinsulator substrates", Surface Review and Letters, Vol. 18, No. 5, pp. 163167 (2011)9.  北田祐介, 佐々木悠 祐, 大久保雄平, 碇智徳, 内藤正路, 中尾基: "SiC表面分解法を利用した絶縁基板上へのグラフェン形成に関する研究", 表面科学, Vol. 32, No. 7, pp.459460 (2011)

10.  辛山慶訓, 大櫨浩司, 山崎絢哉, 碇智徳, 山内貴志, 内藤正路: "イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究", 表面科学 Vol. 32, No. 7, pp.457458 (2011)

11.  M. Reinmöller, A. Ulbrich, T. Ikari, J. Preiß, O. Höfft, F. Endres, S. Krischok and W. J. D. Beenken: "TheoreticalReconstruction and Elementwise Analysis of Photoelectron Spectra for ImidazoliumBased Ionic Liquids", Physical ChemistryChemical Physics, Vol. 13, pp.19526 (2011)

12.  T. Ikari, A. Keppler, M. Reinmöller, W.J.D. Beenken, S. Krischok, M. Marschewski, W. MausFriedrichs, O. Höfft, F. Endres:"Surface electronic structure of imidazoliumbased ionic liquids studied by electron spectroscopy", eJournal of Surface Scienceand Nanotechnology, Vol. 8, pp. 241245 (2010)

13.  上村一平, 古賀光, 小島健志, 植田謙介, 碇智徳, 内藤正路, 西垣敏: "CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるBuffer層の影響に関する研究", 表面科学, Vol. 31, No. 10, pp.551553 (2010)

14.  A. Keppler, M. Himmerlich, T. Ikari, M. Marschewski, E. Pachomow, O. Höfft, W. MausFriedrichs, F. Endres and S.Krischok: "Changes of the nearsurface chemical composition of the [EMIm]Tf2N room temperature ionic liquid under theinfluence of irradiation", Physical Chemistry Chemical Physics, Vol. 13, pp. 1174–1181 (2011)

15.  T. Ikari, S. Tanaka, S. Nakamura, M. Naitoh, S. Nishigaki, F. Shoji: "Adsorption of cobalt phthalocyanine on a Si(100) surfacewith Biline structures as evaluated by scanning tunneling microscopy", Applied Surface Science, Vol. 256, pp. 1132–1135(2009)

16.  T. Ikari, H. Koga, K. Kojima, I. Uemura, H. Miyazaki, M. Naitoh, S. Nishigaki: "Influence of a Cr layer on the glass substrateon the growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition", Surface Review and Letters, Vol. 16, No. 5, pp. 761–765(2009)

17.  米久保喜彦, 上田大志, 山内貴志, 碇智徳, 内藤正路, 西垣敏, 大門秀朗, 生地文也: “SiC(0001)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究”, 表面科学, Vol. 29, No. 7, pp. 418420 (2008)

18.  田中圭介, 碇智徳, 内藤正路, 西垣敏, 生地文也: “SiC(0001)3×3 表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察”,Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol. 51, No. 3, pp. 124127 (2008)

19.  S. Nakamura, S. Kashirajima, Y. Johdai, Y. Yoshiwa, M. Naitoh, S. Nishigaki, Y. Shimizu, T. Ikari, F. Shoji: “An STMObservation of Adsorption of CuPc on the Si(100) Surface with Biline Structures”, Surface Review and Letters, Vol. 14, Issue05, pp. 957961 (2007)

20.  T. Ikari, T. Matsuoka, K. Murakami, T. Kawamoto, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Hydrogenassistedreduction of the Ni(110)(3×1)O surface studied by metastableinduced electron spectroscopy”, Surface Science, Vol. 601,Issue 18, 15, pp. 44184422 (2007)

21.  上代祐蔵, 吉岩由人, 塗木貴彦, 中村慎太郎, 碇智徳, 内藤正路, 西垣敏, 生地文也: “Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察”, 真空, Vol. 50, No. 3, pp. 196198 (2007)

22.  Y. Shirouzu, Y. Kaya, T. Okazaki, A. Watanabe, M. Naitoh, S. Nishigaki, T. Ikari and K. Yamada: “Adsorption and Reactionof Calcium at the Si(111) Surface Studied by MetastableInduced Electron Spectroscopy”, eJournal of Surface Science andNanotechnology, Vol. 5, No. 0, pp. 8993 (2007)

23.  T. Ikari, S. Arikado, K. Kameishi, H. Kawahara, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Oxidation of acesiumcovered Ni (110) surface studied by metastableinduced electron spectroscopy”, Applied Surface Science, Vol. 252,Issue 15, pp. 54245427 (2006)

24.  T. Ikari, K. Kameishi, S. Arikado, H. Kawahara, T. Matsuoka, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh and S. Nishigaki:“Surfacestructure dependent reaction of hydrogenassisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED”, eJournal of Surface Science and Nanotechnology, Vol. 4, pp. 14 (2006)

25.  T. Ikari, N. Uchino, S. Nishioka, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Influences of the incident He* velocityon metastable deexcitation processes at a Cscovered Si(100) surface”, Nuclear Instruments and Methods in PhysicsResearch Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 232, Issues 14, pp. 8893 (2005)

26.  T. Ikari, T. Kojima, K. Yamada, M. Naitoh and S. Nishigaki: “A metastableinduced electron spectroscopy study on theprocess of oxygen adsorption at a Ni(110) surface”, Applied Surface Science, Vol. 212213, pp. 579582 (2003)

27.  K. Yamada, T. Sugiman, I. Yokoh, T. Ikari, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Sodiumassisted nitrogen adsorption on Si(001)surfaces at room temperature studied by metastable deexcitation spectroscopy”, Surface Science, Vol. 507510, pp. 207212(2002)

28.  S. Nishigaki, T. Sugiman, T. Ikari, I. Yokoh, K. Yamada and M. Naitoh: “A metastableinduced electron spectroscopy study onthe promotion of nitridation by oxygen/alkali preadsorbates at Si(100) surfaces”, Nuclear Instruments and Methods in PhysicsResearch Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 193, Issues 14, pp. 460465 (2002)

紀要

1.  日高良和, 碇智徳, 天川勇二, 前川尚輝: “地域における科学教育の試み”, 宇部高専研究報告, No. 54, pp. 710 (2008)2.  K. Tachibana, T. Ikari, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Growth of ironsilicide thin layers on clean and hydrogenterminated

Si(100) surfaces studied by AES and LEED”, Proc. 5th RussiaJapan Seminar on Semiconductor Surfaces (2002)

国際会議発表

1.  K. Muraoka, T. Nakamura, K. Umeda, J. Ishii, M. Naitoh and T. Ikari: "Oxidation of cesium adsorbed SiC surface studied bymetastable atom induced electron spectroscopy", The 7th International Symposium on Surface Science, Shimane, Nov. 36(2014).

2.  K. Matsuo, M. Suehiro, K. Shimose, F. Kaneko, J. Ishii, M. Naitoh and T. Ikari: "The study of the electronic structure at CuPcadsorbed Si(100) surface by Metastableatom Induced Electron Spectroscopy", The 7th International Symposium on SurfaceScience, Shimane, Nov. 36 (2014).

3.  N. Tsuboi, K. Hayahisa, J. Ishii, M. Okano, T. Ikari, M. Nakao and M. Naitoh: "A Study of the Formation Process of Grapheneon Silicon CarbideonInsulator Substrates", The 7th International Symposium on Surface Science, Shimane, Nov. 36 (2014).

4.  S. Krischok, A. Ulbrich, T. Ikari, V. Kempter, M. Marschewski, O. Höfft: “Interaction of Metastable He Atoms with IonicLiquids”, 20th International Workshop on Inelastic IonSurface Collisions, South Australia, Feb. 1621 (2014)

5.  K. Muraoka, Y. Kumai, Y. Suehiro, A. Morioka, M. Naitoh, T. Ikari: "Observation of the electronic structure of Si/6HSiC(0001)

reconstruction surfaces by metastable atom induced electron spectroscopy", The International Conference on Silicon Carbideand Related Materials 2013, Miyazaki, Sept. 29Oct. 4 (2013)

6.  M. Okano, D. Edamoto, K. Uchida, I. Omura, T. Ikari, M. Nakao, M. Naitoh: "Ionbeam irradiation effect in the growth processof graphene using SiConinsulator substrates", The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013,Miyazaki, Sept. 29Oct. 4 (2013)

7.  K. Seo, H. Takedo, M. Naitoh, T. Ikari: "Growth control of carbon nanotubes using ionbeam irradiation in the SiC surfacedecomposition method", The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013, Miyazaki, Sept. 29Oct.4 (2013)

8.  M. Onoue, H. Okado, T. Ikari, M. Naitoh, T. Nagai, F. Shoji: "Fine structure analysis of spherical carbon particlesproduced in amethane plasma", Dismond 2011 22nd European Conference on Diamond, GarmischPartenkirchen(Germany), Sep. 4 8(2011)

9.  A. Watanabe, T. Ikari, K. Yamada, S. Nishigaki: "Field emission properties of polycrystalline diamond films deposited on p‒type and n‒type silicon substrates", Dismond 2011 22nd European Conference on Diamond, GarmischPartenkirchen(Germany), Sep. 48 (2011)

10.  O. Höfft, M. Marschewski, E. Pachomow, T. Ikari, W. MausFriedrichs, M. Reinmöller, W.J.D. Beenken, A. Keppler, S.Krischok, F. Endres: "Investigations of growth of thin ionic liquid films on Au(111)/Mica", 27th European Conference onSurface Science, Groningen(Netherlands), Aug. 29Sep. 3 (2010)

11.  Angela Keppler, Tomonori Ikari, Oliver Höfft, Markus Reinmöller, Wichard J. D. Beenken, Frank Endres, and Stefan Krischok:"Changes of the surface electronic structure of [EMIm]Tf2N room temperature ionic liquid induced by copper ions", DPGSpring Meeting, Regensburg(Germany), Mar. 2126 (2010)

12.  Tomonori Ikari, Angela Keppler, Oliver Höfft, Markus Reinmöller, Wichard J. D. Beenken, Frank Endres, Stefan Krischok:"Surface electronic structure of imidazoliumbased ionic liquids studied by electron spectroscopy", 10th InternationalConference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Granada(Spain), Sep. 2125 (2009)

13.  Marcel Marschewski, Tomonori Ikari, Angela Keppler, Oliver Höfft, Markus Reinmöller, Wichard J. D. Beenken, WolfgangMausFriedrichs, Stefan Krischok, and Frank Endres: "Surface electronic structure of imidazoliumbased ionic liquid films onAu(111)/Mica", DPG Spring Meeting, Regensburg(Germany), Mar. 2126 (2010)

14.  A. Keppler, T. Ikari, O. Höfft, M. Reinmöller, W.J.D. Beenken, F. Endres, S. Krischok: "Influence of Copper on the SurfaceElectronic Structure of [EMIm]Tf2N", EUCHEM Conference on Molten Salts and Ionic Liquids 2010, Bamberg(Germany), Mar.1419 (2010)

15.  A. Keppler, T. Ikari, M. Marschewski, O. Höfft, M. Reinmöller, W.J.D. Beenken, T. Cremer, C. Kolbeck, F. Maier, F. Endres,H.P. Steinrück, S. Krischok: "Surface Electronic Valence Band Structure of Imidazolium Based Ionic Liquids", EUCHEMConference on Molten Salts and Ionic Liquids 2010, Bamberg(Germany), Mar. 1419 (2010)

16.  O. Höfft, M. Brettholle, N. Kulbe, A. Keppler, T. Ikari, S. Krischok and F. Endres: "Plasma Electrochemistry in Ionic Liquids"International Bunsen Discussion Meeting, Leipzig(Germany), Sep. 2730 (2009)

17.  Stefan Krischok, Wichard J.D. Beenken, Frank Endres, Oliver Höfft, Tomonori Ikari, Angela Keppler, Markus Reinmölle:"Influence of copper on the surface electronic structure of [EMIm] Tf2N", 3rd Congress on Ionic Liquids (Coil3),Cairns(Australia), May 31June 4 (2009)

18.  K. Nagamatsu, Y. Karayama, T. Yamauchi, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki, H. Okado, F. Shoji: “Influence of the Oxygen onthe Growth of Carbon Nanotubes by the SiC Surface Decomposition Method”, 4th Vacuum and Surface Sciences Conferenceof Asia and Australia (VASSCAA4), Matsue (Japan), Oct. 2831 (2008)

19.  H. Koga, K. Kojima, A. Nomura, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki: “Influence of Thickness of the Buffer Layer on the Growth ofthe Carbon Nanotubes by Chemical Vapor Deposition Method”, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia andAustralia (VASSCAA4), Matsue (Japan), Oct. 2831 (2008)

20.  S. Katsuki, Y. Yokoyama, T. Ikari, A. Watanabe, M. Naitoh, S. Nishigaki: “HydrogenAssisted Reduction of Oxidized Ni (110)Surfaces Studied by MetastableInduced Electron Spectroscopy”, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia andAustralia (VASSCAA4), Matsue (Japan), Oct. 2831 (2008)

21.  K. Kojima, M. Nakano, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki, F. Shoji: “Growth Control of Carbon Nanotubes on Silicon CarbideSurface by Surface Decomposition Method”, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA4), Matsue (Japan), Oct. 2831 (2008)

22.  T. Shimizu, Y. Kitada, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki, F. Shoji: “An STM observation of Adsorption of Cobalt phthalocyanineon the 6HSiC(0001) surfaces”, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA4), Matsue(Japan), Oct. 2831 (2008)

23.  S.Tanaka, S.Nakamura, T. Iga, R. Sato, T.Ikari, M.Naitoh, S.Nishigaki, F.Shoji: “A Study of Adsorption of CobaltPhthalocyanine on the Si(100) Surface with BiLine Structures by Scanning Tunneling Microscopy”, 4th Vacuum and SurfaceSciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA4), Matsue (Japan), Oct. 2831 (2008)

24.  M. Shimanuki, Y. Matsumoto, A. Nomura, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki, N. Toyama: “Formation of Carbon Nanotubes ona Polyimide Substrate by Chemical Vapor Deposition Method”, 9th International Conference on Atomically ControlledSurfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo (Japan), Nov. 1115 (2007)

25.  T. Ikari, K. Murakami, T. Kawamoto, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh and S. Nishigaki: “HydrogenAssisted Reduction ofOxidized Ni(110) Surfaces Studied by MetastableInduced Electron Spectroscopy”, 9th International Conference on AtomicallyControlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo (Japan), Nov. 1115 (2007)

26.  Y. Shirouzu, T. Ikari, N. Kaya, T. Okazaki, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh, S. Nishigaki: “Adsorption and reaction ofcalcium at the Si(111) surface studied by metastableinduced electron spectroscopy”, 7th RussiaJapan Seminar onSemiconductor Surfaces, Vladivostok (Russia), Sep. 1820 (2006)

27.  T. Ikari, T. Matsuoka, K. Murakami, T. Kawamoto, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh, S. Nishigaki: “Hydrogenassistedreduction of the Ni(110)(3×1)O surface studied by MIES and LEED”, 24th European Conference on Surface Science, Paris(France), Sep. 48 (2006)

28.  S. Kashirajima, Y. Johdai, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki and F. Shoji: “The study of the formation of CuPc adsorbed on theBLS/Si(100) surface by STM”, 24th European Conference on Surface Science, Paris (France), Sep. 48 (2006)

29.  T. Ikari, S. Arikado, K. Kameishi, H. Kawahara, T. Matsuoka, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh, S. Nishigaki: “Surfacestructure dependent reaction of Hydrogenassisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED”, InternationalSymposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS4), Saitama (Japan), Nov. 1417 (2005)

30.  S. Kashirajima, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki, F. Shoji: “Adsorption of Ag+H and CuPc on the Si(100) surface with Bilinestructures studied by scanning tunneling”, RIVA5th Iberian Vacuum Meeting, Guimaraes (Portugal), Sep. 1821 (2005)

31.  Y. Yano, T. Ikari, Y. Jodai, M. Naitoh, S. Nishigaki, N. Toyama, F. Shoji: “Adsorption of hydrogen on the 6HSiC(0001)(2√3×2√13) surface studied by scanning tunneling microscopy”, RIVA5th Iberian Vacuum Meeting, Guimaraes (Portugal),

Sep. 1821 (2005)32.  T. Ikari, S. Arikado, K. Kameishi, H. Kawahara, K.Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Oxidation of a

cesiumcovered Ni(110) surface studied by a metastableinduced electron spectroscopy”, 13th International Congress on ThinFilms/ 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Stockholm (Sweden),Jun. 1923 (2005)

33.  T. Ikari, N. Uchino, S. Nishioka, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Influences of the incident He* velocityon the metastable deexcitation process at surfaces and the resultant electron spectra”, 15th International Workshop onInelastic Ion Surface Collisions, IseShima (Japan), Oct. 1722 (2004)

34.  K. Tachibana, T. Ikari, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Growth of ironsilicide thin layers on clean and hydrogenterminatedSi(100) surfaces studied by AES and LEED”, 5th RussiaJapan Seminar on Semiconductor Surfaces, Vladivostok (Russia),Sep. 1517 (2002)

35.  T. Ikari, T. Kojima, K. Yamada, M. Naitoh and S. Nishigaki: “A metastableinduced electron spectroscopy study on theprocess of oxygen adsorption at a Ni(110) surface”, 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, Marseilles(France), Jul. 812 (2002)

36.  S. Nishigaki, T. Sugiman, T. Ikari, I. Yokoh, K. Yamada and M. Naitoh: “A metastable deexcitation spectroscopy study on thepromotion of nitridation by oxygen/alkali preadsorbates at Si(100) surfaces”, 19th International Conference on Atomic Collisionin Solids, Paris (France), Jul. 29Aug. 3 (2001)

37.  K. Yamada, T. Sugiman, I. Yokoh, T. Ikari, M. Naitoh and S. Nishigaki: “Alkaliassisted nitridation of Si(001) surfaces studiedby metastable deexcitation spectroscopy”, 20th European Conference on Surface Science, Krakow (Poland), Sep. 47 (2001)

国内学会発表（過去５年間で代表的なもの）

1.  碇智徳: "グラフェン/SiC表面の酸化による電子状態変化", 第7回九大グラフェン研究会｢グラフェン研究の最前線｣, 九州大学,2015.2.10.

2.  村岡幸輔、梅田恭誠、中村拓人、石井純子、内藤正路、碇智徳: "Cs/グラファイト表面における電子状態の研究", 第55回真空に関する連合講演会(ASVSJ55), 大阪府立大学Isiteなんば, 2014.11.1820.

3.  松尾航平、金子福利、下瀬弘輝、末広真己、石井純子、内藤正路、碇智徳: "CuPc/Si表面における加熱温度変化に伴う電子状態の観測", 第55回真空に関する連合講演会(ASVSJ55), 大阪府立大学Isiteなんば, 2014.11.1820.

4.  曽我京平、高松草平、内田真仁、碇智徳、内藤正路 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究", 第55回真空に関する連合講演会(ASVSJ55), 大阪府立大学Isiteなんば, 2014.11.1820.

5.  首藤大輝、菅祐志、碇智徳、内藤正路、生地文也、長井達三: "鉛直柱状プラズマ法によるシリコン基板上へのナノダイヤモンド成長", 第55回真空に関する連合講演会(ASVSJ55), 大阪府立大学Isiteなんば, 2014.11.1820.

6.  石井純子、坪井直也、早久和希、岡野資睦、碇智徳、中尾基、内藤正路: "Si基板上3CSiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究", 第34回表面科学学術講演会, 島根県立産業交流会館(くにびきメッセ), 2014.11.68.

7.  菅祐志、首藤大輝、碇智徳、内藤正路、生地文也、長井達三: "鉛直柱状プラズマ法によるSi(100)上ナノダイヤモンドの合成",第34回表面科学学術講演会, 島根県立産業交流会館(くにびきメッセ), 2014.11.68.

8.  碇智徳: "準安定原子誘起電子分光法によるSi/6HSiC(0001)表面構造変化に伴う最表面電子状態抽出", 第6回九大グラフェン研究会｢グラフェン研究の最前線｣, 九州大学, 2014.1.24

9.  金子福利、内海雄介、松尾航平、内藤正路、碇智徳: "準安定原子誘起電子分光法による銅フタロシアニンを吸着したSi(100)表面の電子状態の観測", 平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013.11.3012.1

10.  中山泰輔、長友和輝、内藤正路、碇智徳、長井達三、生地文也: "鉛直柱状プラズマ－基板間における球状カーボン微粒子の成長様式の解明", 平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013.11.3012.1

11.  早久和希、枝元太希、坪井直也、岡野資睦、碇智徳、内藤正路: "SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究", 2013年真空・表面科学合同講演会第33回表面科学学術講演会第54回真空に関する連合講演会, つくば国際会議場, 2013.11.2628

12.  高松草平、瀬尾甲太郎、近藤利紀、碇智徳、内藤正路: "イオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究", 2013年真空・表面科学合同講演会第33回表面科学学術講演会第54回真空に関する連合講演会, つくば国際会議場,2013.11.2628

13.  中山泰輔、菅祐志、長友和輝、碇智徳、内藤正路、生地文也、長井達三: "鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長", 2013年真空・表面科学合同講演会第33回表面科学学術講演会第54回真空に関する連合講演会, つくば国際会議場,2013.11.2628

14.  村岡幸輔、森岡明大、内藤正路、碇智徳: "MIESを用いた6HSiC(0001)表面構造変化に伴う最表面電子状態の観測", 平成25年度九州表面・真空研究会2013(兼第18回九州薄膜表面研究会), 福岡大学, 2013.6.15

15.  枝元太希、内田健太郎、岡野資睦、碇智徳、内藤正路、中尾基: "SOI基板を用いたSiC膜のグラフェン化におけるイオンビーム照射の影響に関する研究", 平成25年度九州表面・真空研究会2013(兼第18回九州薄膜表面研究会), 福岡大学, 2013.6.15

16.  枝元太希、内田健太郎、岡野資睦、内藤正路、中尾基、碇智徳: "SOI基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究", 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012.12.12

17.  瀬尾甲太郎、竹堂公貴、大櫨浩司、内藤正路、碇智徳: "SiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究", 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012.12.12

18.  川島智幸、金子福利、竹堂公貴、菊川祥吉、内藤正路、碇智徳: "熱CVD法を用いたAl及びNi金属膜によるCNT成長への影響",平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012.12.12

19.  内田健太郎、枝元太希、岡野資睦、内藤正路、中尾基、碇智徳: " Si基板上3CSiC薄膜を用いたグラフェン形成に関する研究",第32回表面科学学術講演会, 東北大学, 2012.11.2022

20.  中山泰輔、大久保雄平、飯倉泰成、碇智徳、内藤正路、長井達三、生地文也: "低温圧柱状プラズマを用いた球炭素の形成と構造解析", 第53回真空に関する連合講演会, 甲南大学, 2012.11.1416

21.  森岡明大、村岡幸輔、内藤正路、碇智徳: "準安定原子誘起電子分光法によるSi/6HSiC(0001)表面の電子状態抽出", 第53回真空に関する連合講演会, 甲南大学, 2012.11.1416

22.  内田健太郎、枝元太希、岡野資睦、内藤正路、中尾基、碇智徳: "Si基板上3CSiC薄膜のグラフェン形成過程に関するSTM研究", 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 2012.9.1114

23.  中山泰輔、森岡明大、碇智徳、渡邉晃彦、内藤正路: "MPCVD法によるダイヤモンド薄膜形成", 九州表面・真空研究会2012(兼)第20回九州薄膜表面研究会, 佐賀大学, 2012.6.9

24.  瀬尾甲太郎、竹堂公貴、植田謙介、内藤正路、碇智徳: "CVD 法によるSi基板上へのカーボンナノチュブ形成に関する研究",九州表面・真空研究会2012(兼)第20回九州薄膜表面研究会, 佐賀大学, 2012.6.9

25.  枝元太希、内田健太郎、岡野資睦、内藤正路、中尾基、碇智徳: " Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究", 九州表面・真空研究会2012(兼)第20回九州薄膜表面研究会, 佐賀大学, 2012.6.9

26.  内田健太郎、宮崎弘朗、梶原孝一、碇智徳、内藤正路: "一次元原子鎖形成Si(100)表面上のフラーレン吸着に関するSTM研究",第31回表面科学学術講演会, タワーホール船堀, 2011.12.1517

27.  岡野資睦、佐々木悠祐、大久保雄平、枝元太希、碇智徳、内藤正路、中尾基、大村一郎: "Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究とパワーデバイス用素子への可能性", 第31回表面科学学術講演会, タワーホール船堀, 2011.12.1517

28.  渡邉晃彦、中山泰輔、森岡明大、碇智徳、山田健二、西垣敏: "p型、n型シリコン基板上に形成した多結晶ダイヤモンド薄膜からの電界電子放出特性",平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 2011.11.2627

29.  山田健二、渡邉晃彦、碇智徳、小松啓志、赤坂大樹、斎藤秀俊、西垣敏: "多結晶ダイヤモンド薄膜の光電子分光", 2011年度日本物理学会北陸支部定例学術講演会, 福井大学, 2011.11.26

30.  内田健太郎、宮崎弘朗、内藤正路、碇智徳: "走査トンネル顕微鏡によるBiナノワイヤ形成Si(100)表面上のフラーレン吸着・脱離に関する研究", 九州表面・真空研究会2011(兼)第19回九州薄膜表面研究会, 長崎大学, 2011.6.11

31.  大久保雄平、佐々木悠祐、内藤正路、中尾基、碇智徳: "走査トンネル顕微鏡による3CSiCの表面上グラフェン形成に関する研究", 九州表面・真空研究会2011(兼)第19回九州薄膜表面研究会, 長崎大学, 2011.6.11

32.  竹堂公貴、植田謙介、内藤正路、碇智徳、中尾基: "CVD法によるガラス基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究", 九州表面・真空研究会2011(兼)第19回九州薄膜表面研究会, 長崎大学, 2011.6.11

33.  尾上雅俊、大門秀朗、内藤正路、碇智徳、長井達三、生地文也: "低圧メタンプラズマにおける球状炭素粒子の微細構造と成長に関する研究", 九州表面・真空研究会2011(兼)第19回九州薄膜表面研究会, 長崎大学, 2011.6.11

34.  辛山慶訓、大櫨浩司、山内貴志、碇智徳、内藤正路、大門秀朗、西垣敏、生地文也: "イオンビーム照射によるSiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ生成", 九州表面・真空研究会2009(兼)第15回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」, 九州大学, 2010.6.12

35.  宮崎弘朗、内田健太郎、徐ユラ、碇智徳、内藤正路、西垣敏、生地文也: "Biナノワイヤ形成Si(100)表面への金属フタロシアニン及びC60吸着のSTM研究", 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 2010.9.1417

36.  北田祐介、佐々木悠佑、大久保雄平、碇智徳、内藤正路、中尾基、西垣敏: "走査トンネル顕微鏡による SiC 表面上のグラフェン形成過程に関する研究", 真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会, 第51回真空に関する連合講演会), 大阪大学, 2010.11.46

37.  植田謙介、上村一平、竹堂公貴、碇智徳、内藤正路、西垣敏、中尾基: "ガラス及びSi基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究", 真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会, 第51回真空に関する連合講演会), 大阪大学, 2010.11.46

38.  大櫨浩司、辛山慶訓、山崎絢也、今村裕鎮、碇智徳、山内貴志、内藤正路、西垣敏、生地文也: "イオンビーム照射によるSiC表面上カーボンナノチューブ生成制御に関する研究", 真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会, 第51回真空に関する連合講演会), 大阪大学, 2010.11.46

39.  佐々木悠祐、北田祐介、大久保雄平、碇智徳、内藤正路、中尾基、西垣敏: "走査トンネル顕微鏡による3CSiC表面のグラフェン形成過程に関する研究", 平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 2010.11.27

地域貢献

1.  宇部高専主催：宇部高専SEEDS&NEEDSシンポジウム2011「炭素材料表面における構造観察」, (講師)碇智徳, ホテル河長，2011.11.16

2.  【公開講座】宇部高専主催：平成22年度公開講座「小学生・中学生のためのものづくり教室動くおもちゃの製作」，（講師）日高良和，春山和男，碇智徳，中島翔太，横山正春，菊川祥吉，2010.7.24

3.  【夏休みサイエンススクエア】独立行政法人国立科学博物館主催：2010夏休みサイエンススクエア「プラバン・キーホルダーを作ろう」，（講師）光本真一，仙波伸也，碇智徳，横山正春，国立科学博物館，2010.7.318.1

4.  平成19年度大学Jr.サイエンス事業, 「ナノの世界を見てみよう!」, 日高良和, 仙波伸也, 高木英俊, 碇智徳, 中野陽一,2007.8.28

5.  新聞記事： やさしい先端技術講座｢次世代を担うナノ材料　～カーボンナノチューブ～｣, (執筆)碇智徳, 山口新聞, 掲載2007.2.5

6.  新聞記事： 学問のススメ｢表面上における原子の振る舞い｣, (執筆)碇智徳, 宇部日報, 掲載2006.10.4

学生支援

1.  平成26年度山口県大学高専バレーボール秋季大会(男子), (指導)碇智徳, 杉本憲司, 山口大学, 2014.1.252.  第50回中国地区高専体育大会(バレーボール男子), (指導)碇智徳, 杉本憲司, 呉市総合体育館（オークアリーナ）, 2014.7.463.  平成26年度春季山口県大学高専バレーボール春季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢治, 山口大学, 2014.6.214.  平成25年度山口県大学高専バレーボール秋季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢治, 山口大学, 2013.11.165.  第66全国高等学校バレーボール選手権大会山口県大会, (指導)碇智徳, 中村貢治, 下松工業高校, 2013.11.96.  第49回中国地区高専体育大会(バレーボール男子), (指導)碇智徳, 中村貢治, 鳥取県立米子産業体育館メインアリーナ, 2013.7.5

77.  平成25年度春季山口県大学高専バレーボール春季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢治, 山口大学, 2013.6.308.  第65中国高等学校バレーボール選手権大会山口県予選会, (指導)碇智徳, 中村貢治, 岩国高校, 2013.4.139.  平成24年度山口県大学高専バレーボール秋季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢治, 山口大学, 2013.1.1310.  第65全国高等学校バレーボール選手権大会山口県大会, (指導)碇智徳, 中村貢治, 南陽工業高校, 2012.11.1011.  第48回中国地区高専体育大会(バレーボール男子), (指導)碇智徳, 橋本基, キリンビバレッジ周南総合スポーツセンター(メイン

アリーナ), 2012.7.6812.  平成24年度春季山口県大学高専バレーボール春季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢治, 山口大学, 2012.7.113.  平成23年度山口県大学高専バレーボール秋季大会(男子), (指導)碇智徳, 橋本基, 山口大学, 2011.11.1914.  平成23年度春季山口県大学高専バレーボール春季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢司, 山口県立大学, 2011.6.1915.  第47回中国地区高専体育大会(バレーボール男子), (指導)碇智徳, 中村貢司, びんご運動公園健康スポーツセンター(メインアリ

ーナ), 2010.7.81016.  平成22年度山口県大学高専バレーボール春季大会(男子)，Bリーグ優勝，(指導)碇智徳，中村貢司，日立製作所笠戸事業所総務

部庶務グループ体育館，2010.6.1217.  第46回中国地区高専体育大会(バレーボール男子)，(指導)碇智徳，中村貢司，呉市総合体育館(オークアリーナ)，2010.7.2418.  全国高等学校バレーボール選手権大会，(指導)碇智徳，中村貢司，山口県立南陽工業高等学校，2010.11.1319.  平成22年度山口県大学高専バレーボール春季大会(男子)，(指導)碇智徳，中村貢司，山口大学第一体育館，2010.11.2120.  第44回中国地区高専体育大会(バレーボール男子), (指導)碇智徳, 玉城龍洋, 米子市民体育館, 2008.7.4621.  平成20年度山口県大学高専バレーボール春季大会(男子), (指導)碇智徳, 玉城龍洋, 中村貢司22.  平成19年度山口県大学高専バレーボール秋季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢司23.  第43回度中国地区高専体育大会(バレーボール男子), (指導)碇智徳, 中村貢司, 山口リフレッシュパーク, 2007.7.6824.  平成19年度山口県大学高専バレーボール春季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢司25.  平成18年度山口県大学高専バレーボール秋季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢司

26.  第42回中国地区高専体育大会(バレーボール男子), (指導)碇智徳, 中村貢司, 津山総合体育館, 2006.7.7927.  平成18年度山口県大学高専バレーボール春季大会(男子), (指導)碇智徳, 中村貢司

民間企業等からの共同・受託研究費

1.  【共同研究】平成26年度九州大学応用力学研究所応用力学共同研究拠点における共同利用・共同研究(特定研究), ｢SiC表面における酸化膜形成過程の解明｣, (代表)碇智徳, 2014年度

その他

1.  平成27年度九州表面・真空研究会2015 (兼 第20回九州薄膜表面研究会)運営委員, 2015年2.  平成26年度特別教育研究費, "He*スピン偏極度測定装置の製作", 碇智徳3.  平成26年度特別教育研究費, "３Dプリンタアイディアコンテストを通したPBL型教育の実践", (分担)碇智徳4.  平成25年度｢世界教育研究動向調査プログラム｣, TU IlmenauとTU Clausthalへ派遣, 2014年5.  日本真空学会役員, 20112013年6.  第55回真空に関する連合講演会プログラム委員, 20132014年7.  平成25年度特別教育研究費, "グラファイト表面におけるアルカリ金属吸着の研究", 碇智徳8.  第53回真空に関する連合講演会プログラム委員, 20112012年度9.  平成24年度特別教育研究費, “CuPc/Si表面における電子状態及び構造解析”, 碇智徳10.  平成23年度特別教育研究費, “6HSiC(0001)表面における電子状態抽出”, 碇智徳11.  平成22年度特別教育研究費, “カーボン系材料表面における構造及び電子状態抽出”, 碇智徳12.  平成20年度「国立高等専門学校機構在外研究員」, “The investigation of the structure of ionic liquid surfaces under

electrochemical conditions”, TU IlmenauとTU Clausthal, Feb.Oct. 200913.  平成20年度特別教育研究費, “飛行時間差法ヘリウム準安定原子誘起電子分光（ToFMIES）装置の開発”, 碇智徳14.  平成19年度特別教育研究費, “0/Ni(110)表面への水素曝露による酸化還元反応”, 碇智徳15.  平成18年度特別教育研究費, “環境半導体デバイス開発のための基礎研究”, 碇智徳

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