Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
Témata předmětuTéma 1
•
Stejnosměrný zdroj a spotřebič
– elektrický obvod
•
Základní
vztahy v ss
elektrickém obvodu – proud, napětí, výkon, práce
•
Rezistor jako spotřebič
– Ohmův zákon, voltampérová
charakteristika
•
Stejnosměrný zdroj napětí
–
ideální, reálný (zatížený)
•
Kirchhofovy zákony
•
Přehled a vlastnosti stejnosměrných zdrojů
•
Charakteristiky zdrojů
včetně
elektronicky ovládaných –
stabilizované, s
omezením,
s
pojistkou
•
Zdroj proudu
Téma 2
•
Zdroj střídavého napětí, elektrovodná
síť, rizika síťového napájení, transformátor
•
Dioda – element propustný jen při jedné
polaritě
napětí
–
voltampérová
charakteristika
•
Diodový obvod jednocestného usměrňovače
•
Kondenzátor jako element pro vyhlazení
pulzujícího napětí
usměrňovače
Téma 3
•
Základní
vztahy pro ideální
kondenzátor –
kapacitor (náboj, proud, čas)
•
Přechodné
děje při nabíjení
a vybíjení
kapacitou
•
Superkapacitor jako stejnosměrný zdroj
Téma 4
•
Induktor jako setrvačný element –
základní
vztahy
•
Přechodné
děje na induktoru s rezistory
•
Elektronické
spínače – MOSFET
Téma 5
•
Obvody se spínači –
odporové, s kapacitory
•
Indukční
měniče napětí
•
Blokové
schéma spínaného zdroje
Téma 6
•
Logické
stavy a jejich reprezentace elektrickými signály,
•
Logické
členy, jmenovité
hodnoty a tolerance logických úrovní,
•
Kompatibilita, zatížitelnost, konflikty
•
Zpoždění
a hazardní
stavy
Téma 7
•
Elementární
logické
bloky,
•
Kombinační
‐
hradla, dekodéry,
•
Sekvenční
‐
klopné
obvody, registry, čítače, posuvné
registry
Téma 8
•
Paměti s adresovým výběrem obsahu
•
Permanentní
paměti ROM, PROM,…. Flash ‐
princip
•
Statické
a dynamické
paměti RAM –
princip
•
Další
možnosti přístupu k datům ‐
LIFO, FIFO
Téma 9
•
Paralelní
a sériová
data, asymetrický a diferenciální
signál
•
Sériová
linka –
vlastnosti dlouhého vedení,
•
Časové
parametry (bitová
rychlost),
•
Kódování
a zabezpečení
dat
Téma 10
•
Magnetický záznam na HD,
•
Principy optického záznamu CD a DVD
Téma 11
•
Motory a pohybové
mechanizmy
•
Kolektorové
a bezkolektorové
motory
•
Krokové
motory
•
Pohybové
mechanizmy v HD a CD mechanikách
Téma 12
•
Zobrazovací
principy – znakový, segmentový, rastrový
•
Zobrazení
barev
•
Svítivé
diody –
elektrické
a optické
vlastnosti
•
LCD
•
OLED
•
Plasma
Téma 13
•
Akustický vstup a výstup počítačů
•
Vzorkování
analogového signálu
•
Digitalizace –
princip A/D převodu
•
Principy D/A převodu
1. téma•
Elektrický obvod –
zdroj, spotřebič
•
Elektrické
napětí, proud, výkon•
Stejnosměrné
napětí
–
zdroje
•
Spotřebiče –
rezistory (Ohmův zákon)•
Zatížený reálný zdroj
•
Kirchhofovy zákony
I [A]
U [V]
IU
R =
IUP .
[ ]Ω
[W]
I [A]
U [V]
IU
R =
IUP .=
[ ]Ω
[W]
•
Vlastnosti reálného zdroje ELI‐MC_1.cir
(Dynamic DC)
•
ELI‐sli‐2012_1.pdf
1. Kirchhofův zákon –
simulace ELI-MC_3.Cir
(Dynamic DC)2. Kirchhofův zákon –
simulace
ELI-MC_4.Cir (Dynamic DC)
Zdroje stejnosměrného napětí
pro digitální
přístroje primární (nenabíjecí – baterie)sekundární (nabíjecí – akumulátory , superkapacitory)elektronické (usměrňovače, měniče napětí, fotovoltaika)
Primární
zdroje ‐
baterie
Typ baterie Napětí Rychlost samovybíjení Provozní
teplota
Uhlíko‐zinková,
zinko‐chloridová 1,5 V 80% kapacity za 3-4 roky -18°
až
55°C
Alkalická 1,5 V 80% kapacity za 5-7 let -18°
až
55°C
Lithiová 1,5-1,8 nebo 3,6 V 0.6% za rok; 7-15 let skladovací
doba -40°
až
60°C
Kapacita (AAA) Kapacita (AA) Kapacita (D)
Uhlíko‐zinková,
zinko‐chloridová 375-650 mWh 575-1250 mWh 3500-8000 mWh
Alkalická 1250 mWh 2800 mWh 14425 mWh
Lithiová 1275-1450 mWh 2400 mWh nevyrábí
se
http://michaelbluejay.com/batteries/
Nejběžnější
akumulátory
Typnapětí hustota energie výkon efektivita samovybíjení počet cyklů
(V) (Wh/kg) (Wh/L) (W/kg) (%) (%/měsíc) (za život)
Lead–acid (olověný)2,1 30-40 60-75 180 70%-92% 3%-4% 500-800
Nickel–cadmium (NiCd)1,2 40-60 50-150 150 70%-90% 20% 1500
Nickel–metal hydride (NiMH)
1,2 30-80 140-300 250-1000 66% 30% 500-1000
Lithium-ion (Li-ion)3,6 150-250 250-360 1800 99%+ 5%-10% 1200-10000
Lithium-ion polymer (LiPol)
3,7 130-200 300 3000+ 99.8% 5% 500~1000
http://en.wikipedia.org/wiki/Rechargeable_battery
http://en.wikipedia.org/wiki/File:Secondary_cell_energy_density.svg
Vztah objemu a hmotnosti k dosažitelné
ampérhodinové kapacitě
Přístroje
•
Voltmetr – připojujeme na svorky zdroje, má velký (nekonečný) odpor, změří vnitřní
napětí
zdroje•
Ampérmetr – připojujeme do série se
spotřebičem (nikdy ne na svorky zdroje), má malý (nulový) odpor, změří proud procházející
obvodem•
Wattmetr –
má
proudové
a napěťové
svorky,
které
se zapojují
jako V‐metr a A‐metr
Příklad
•
Voltmetr změřil napětí
na nezatížené
baterii 10V. Po připojení
spotřebiče s jmenovitým příkonem
10V/10W, pokleslo napětí
na svorkách baterie na 9,8V. Jaký je vnitřní
odpor baterie?
•
odpor spotřebiče •
R = 10Ω
•
proud spotřebičem •
I = 0,98A
•
odpor na kterém je 0,2V při proudu I = 0,98A•
Ri = 0,204Ω
•
ELI-MC_5.cir
Zajímavosti na závěr
•
Elektronicky řízené
zdroje napětíStabilizovaný zdroj
Zdroj s omezením proudu ‐ nastavitelným
Zdroj s proudovou pojistkou
•
Elektronicky řízený zdroj prouduOmezení napětí (dané napájecím zdrojem)
•
Nabíječky akumulátorů
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
2. téma•
Zdroj střídavého napětí, elektrovodná
síť, rizika
síťového napájení, transformátor
•
Dioda – element propustný jen při jedné polaritě
napětí
–
voltampérová
charakteristika
•
Diodový obvod jednocestného usměrňovače
•
Kondenzátor jako element pro vyhlazení pulzujícího napětí
usměrňovače
Střídavé
napětí
-
parametry• amplituda ve voltech Um [V]• kmitočet v hertzech f [Hz]• perioda v sekundách T [s]• kruhový kmitočet ω [rad/s]• efektivní
napětí
Ueff [V]
T
Um
u
t
u(t)= Um sin(ωt + ϕ) ω=2πf T= 1/f
Efektivní
hodnota sinusového napětí
Uef je určena velikostí
fiktivního stejnosměrného napětí, které
by
na daném rezistoru rozptýlilo stejnou tepelnou energiijakou na něm rozptýlí
napětí
sinusové
Fázové
napětíUef = 230V
Sdružené
napětíUef = 400V
Elektrická
energie –
střídavý proud 50Hz
Distribuční
soustavaDomácnosti0,4 kV
-
230 V fázové, 400 V sdružené
Průmysl22 a 35 kV
Dálkový přenos elektrické
energie110 kV, 220 kV, 400 kV
Transformátor
• mění
napětí
v poměru počtu závitů
–
primár/sekundár
• galvanicky odděluje primární
a sekundární
obvod
trafo.cirTransient
DIODA
Voltampérová
charakteristika –
graf závislosti proudu procházejícího součástkou na přiloženémnapětí
VA charakteristika rezistoru a diody
R11k
V1D1
-10.00 -7.00 -5.00 -3.00 -1.00 1.00 3.00 5.00 7.00 10.00-10.00m
-5.00m
0.00m
5.00m
10.00m
15.00m
I(R1) (A)V(V1)
-10.00 -7.00 -5.00 -3.00 -1.00 1.00 3.00 5.00 7.00 10.00-10.00m
-5.00m
0.00m
5.00m
10.00m
15.00m
I(D1) (A)V(V1)
Micro-Cap 10 Evaluation VersionVAchar.cir
VAchar2.cirDC
VAchar.cirDC
Princip diody
Diodový obvod se střídavým napětím
Diodový obvod jednocestného usměrňovače
DIO.cirTransient
Dvojcestný usměrňovač
- Graetz
graetz.cirTransient
Kondenzátor
ELI-sli-2012_2.pdf
Zajímavosti na závěr
Typy kondenzátorů• vzduchové• keramické• svitkové• elektrolytické
Superkondenzátory
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
3. téma•
Základní
vztahy pro ideální
kondenzátor
–
kapacitor (náboj, proud, čas)
•
Přechodné
děje při nabíjení
a vybíjení kapacitoru
•
Kapacitory v obvodech se spínači
•
Nábojová
pumpa
Vztah mezi nábojem a obvodovými veličinami
Energie uložená
v kapacitoru
Kapacitor ekvivalentní
s paralelně
spojenými kapacitory
Kapacitor ekvivalentní
se sériově
spojenými kapacitory
Integrační
obvod
RC time constant.mht
RC-trans-1.cir
Flash player
Transient
Derivační
obvod
RC-trans-2.cirTransient
Kapacitor s přepínačem
Přepínaný kapacitor –
nábojová
pumpa
Násobič
napětí
Invertor napětí
Zajímavosti na závěr
• Integrované
nábojové
pumpy
• Kapacitní
zátěž
logických obvodů
• Vazební
obvody
Návod na simulaci vlastností
obvodů
RC-trans-1.cir a RC-trans-2.cir:Přesouvejte vodič, který připojuje zdroj V1, resp. V2Přesouvejte spoj, který zkratuje, resp. paralelně
připojuje C2
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
4. téma
•
Induktor jako setrvačný element – základní
vztahy
•
Přechodné
děje na induktoru
•
Obvody s induktory a spínači
•
Elektronické
spínače –
MOSFET
Jak vypadá
induktor –
indukční
cívka?
• vzduchová• s feritovým jádrem• se železným jádrem
Základní
vztahy pro induktor
! !
Obvody RL
Induktor se spínačem
SW_LR.cir
Spínače
mechanické - klávesnice
MOS FET
elektronické
moschar.cir
mossw1.cir
Zajímavosti na závěr• tyristor a triak
• solid state
relay
optická brána
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
5. téma
•
Malé
opakování
a doplňky
•
Kondenzátorové
měniče napětí
•
Indukční
měniče napětí
•
Spínané
zdroje
1.
Kirchhofův zákon
2.
Kirchhofův zákon
Integrační
obvod RC a RL
Derivační
obvod RC a RL
Transformátor
Dioda
Usměrňovače
0.00m 20.00m 40.00m 60.00m 80.00m 100.00m-7.50
0.00
7.50
15.00
22.50
30.00
V(1) (V)T (Secs)
0.00m 20.00m 40.00m 60.00m 80.00m 100.00m-20.00
-10.00
0.00
10.00
20.00
30.00
v(2) (V)t (Secs)
Micro-Cap 10 Evaluation VersionDIO.cir
moschar.cir
mossw1.cir
Elektronické
spínače -
MOSFET
• tyristor a triak
• solid state relay
Kapacitor s přepínačem
Přepínaný kapacitor –
nábojová
pumpa
Násobič
napětí
Invertor napětí
Induktorové
měniče napětí
invertující
snižující
zvyšující
sw-dec.cir
sw-invert.cir
sw-inc.cir
PWM_sw_DC.cir
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
6. téma
•
Logické
stavy a jejich reprezentace elektrickými signály,
•
Logické
členy, jmenovité
hodnoty a tolerance logických úrovní,
•
Kompatibilita, zatížitelnost, konflikty
•
Zpoždění
a hazardní
stavy
Stavy ve dvouhodnotové
logice: 0/1, true/false, pravda/nepravda, …V binární
aritmetice: bity 0/1
1 (true)
0 (false)
Elektrické
parametry logických členů
Logické
členy kombinační
logiky
Pravdivostní
tabulka obecné
kombinační
funkce
Rovnice v Booleově
algebře
Úprava rovnice podle zákonů
Booleovy algebry -
minimalizace
Karnaughova
mapa
Rodiny logických obvodů
Kompatibilita
Technologie CMOS
Princip činnosti CMOS –
vliv frekvence taktování
Převodní
charakteristika a časové
zpoždění
CMOS2.cir
CMOS NAND
A
B
Y
A B Y0 0 11 0 10 1 11 1 0
+5V
0VCMOS3.cir
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2012/2013
7. téma
•
Elementární
logické
bloky,
•
Kombinační
‐
hradla, dekodéry,
•
Sekvenční
‐
klopné
obvody, registry, čítače, posuvné
registry
Kombinační
integrované
obvody
HradlaInvertory (Inverters)Hradlo –
negovaný součin (NAND Gates)
Hradlo –
logický součin (AND Gates)Hradlo –
negovaný součet (NOR Gates)
Hradlo –
logický součet (OR Gates)Sběrnicové
obvody (Buffers and Drivers)
Dekodéry a multiplexeryDekodér 1 z N (address decoder) Decoder1z10.cirMultiplexer a demultiplexer M na N MUX.cirAritmeticko-logické
členy
Binární
sčítačka (Binary Adder)Aritmeticko-logická
jednotka ALU (Arithmetic-logic Unit)
Registry (Latches, D-Type Latches) D-latch.cirKlopné
obvody typu D (D-Type Flip-Flops)
D-FF.cir
Posuvné
registry (Shift registres) shiftreg.CIRBinární
a dekadické
čítače (Binary Counters, Decade Counters)
D-FF-binar.cir
counter_sync.CIRJiné
klopné
obvody, např. J-K (J-K Flip-Flops, Other Flip-Flops)
Časovače (Monostable Multivibrators)
Sekvenční
integrované
obvody
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
8. téma•
Paměti s
adresovým výběrem obsahu
•
Permanentní
paměti ROM, PROM,…. Flash ‐
princip
•
Statické
a dynamické
paměti RAM – princip
•
Další
možnosti přístupu k datům ‐
LIFO, FIFO
Organizace paměti s adresovým výběrem
Dekodér
Multiplexer
Adresový dekodér Multiplexer
Read-Write MemoryNon-VolatileRead-Write
MemoryRead-Only Memory
EPROM
E2PROM
FLASH
RandomAccess
Non-RandomAccess
SRAM
DRAM
Mask-Programmed
Programmable (PROM)
FIFO
Shift Register
CAM
LIFO
ROMPermanentní
data (Non-volatile Data
= „nevyprchají“
po odpojení
napájení)
Uložení dat(Mask) ROMdata zapsána při výrobě čipu
PROM (programovatelná ROM)ROM s přepalovacími spojkami – nelze přeprogramovatEPROM smazatelná pomocí UV ozáření a znovu programovatelnáEEPROM elektronicky smazatelná a zapisovatelná
•
Zápis pomalejší
než
RAM•
Omezený počet zápisů
Flash Memory – nejpokročilejší EEPROM
Princip uložení
dat v permanentní
paměti
Permanentní
reprogramovatelné
paměti Floating-gate transistor (FAMOS)
Floating gate
Source
Substrate
Gate
Drain
n+ n+_p
tox
tox
Device cross-section Schematic symbol
G
S
D
RAM
•
Adresový (random = libovolný, nahodilý) zápis i čtení
dat•
Paměť
závislá
na napájení
(volatile data
= prchavá
data)
•
DRAM
(dynamická
paměť
RAM)–
Nízká
cena
–
Velká
hustota integrace–
Středně
rychlý přístup
•
SRAM
(statická
paměť
RAM)–
Rychlá
–
Snadné
ovládání–
Středně
drahá
Buňka statické
paměti RAM
Buňka dynamické
paměti RAM
Čtení
v paměti RAM
adresa
CE –
výběr čipu
OE –
uvolnění
výstupu
výstupní
data
Zápis do paměti RAM
adresa
CE –
výběr čipu
OE –
uvolnění
výstupu
vstupní
data
stav datových vodičů
WE –
zápisový impuls
ZZáásobnsobníík k ––
In 1234, Out 4321In 1234, Out 4321
LLast
IIn
FFirst
OOut FFirst
IIn
FFirst
OOut
Fronta Fronta ––
In 1234, Out 1234In 1234, Out 1234
Paměti se sériovým přístupem
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
9. téma
•
Paralelní
a sériová
data, asymetrický a diferenciální
signál,
•
Časové
parametry (bitová
rychlost),
•
Sériová
linka –
vlastnosti dlouhého vedení.
Paralelní
přenos dat
Sériový přenos dat
Paralelní
přenos s potvrzením (handshaking)
data
data připravena
data převzata
Principsériového přenosu dat
taktování
vysílače
taktování
přijímače ztráta synchronizace
Synchronizace při sériové
komunikaci
Asynchronní
sériový přenos
Synchronní
přenos s paralelně
vedeným taktováním
data vysílače
taktování
vysílače
data na vedení
taktování
na vedení
data přijímače
Sběrnice I2C
Sériový přenos s kódem pro identifikaci taktování
Signál na USB
NRZI kód = bit 0 generuje přechod, bit 1 nezmění
úroveň
Bit stuffing
= pokud se objeví
6krát bit 1, vloží
se neinformativní
bit 0
Dlouhé
bezeztrátové
homogenní
vedení
Model bezeztrátového vedení
Vlastnosti některých homogenních vedení
Koeficienty odrazu
vedeni.CIR
Nízký odpor zdroje –
vedení
naprázdno
Uspořádání
s korektním výstupem z vedení
–
přizpůsobené
vedení
Zajímavosti na závěr
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
10. téma
•
Magnetické
materiály
•
Magneticky měkké
–
transformátor
•
Magneticky tvrdé
‐
paměti
•
Magnetický záznam na HD
•
Principy optického záznamu CD a DVD
x
I
H
r
H= 2 rπI
Magnetické
pole v blízkosti vodiče s proudem
paramagnetické
Relativní
permeabilita
feromagnetické
(např. železo, nikl, kobalt)
diamagnetické
Materiály
Hysterezní
křivka
Transformátor –
magneticky měkký materiál
trafo.cir
Princip feritové
paměti –
pravoúhlá
smyčka
Matice feritové
paměti
Magnetický záznam dat – hard disk
MFM modulace:FM modulace
RLL modulace (modulace 2,7 RLL)
Jednotlivé
vzorky a jejich zakódování
jsou voleny tak, aby mezi dvěma impulsy byly minimálně
dvě
a maximálně
7 mezer.
Optický záznam –
CD, DVD
Čtení
záznamu
CD –
DVD mechanika
3
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
11. téma•
Motory a pohybové
mechanizmy
•
Kolektorové
a bezkolektorové
motory
•
Krokové
motory
•
Pohybové
mechanizmy v HD a CD mechanikách
Vznik napětí
na vodiči, který se pohybuje v magnetickém poli
Silové
působení
magnetického pole
Princip kolektorového motoru
Stejnosměrný kolektorový motor
Kolektorový motor na střídavý proud
Bezkolektorový motor
4-pole-bldc-motor031102.swf
Točivé
magnetické
pole
coils.swf
magnet_spinning.swf
3phase.swf
squirrel2.swf
Lineární
motory
linear1.swf
linear2.swf
Krokový motor s plným krokem
Krokový motor s půlkrokem
Řízení
krokového motoru
Bezkolektorový
motor -
větrák
Hallův jev
Sonda pro měření
proudu
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
12. téma•
Zobrazování
–
segmentové, rastrové
•
Zobrazení
barev
•
Svítivé
diody –
elektrické
a optické
vlastnosti
•
LCD
•
OLED
•
Plasma
Segmentový a rastrový obraz
Pixely
Dynamické
řízení
rastru
Sčítání
složek
R –
červená
(Red)G –
zelená
(Green)
B – modrá (Blue)
Odečítání
složek
C –
azurová
(Cyan);M –
purpurová
(Magenta);
Y –
žlutá
(Yellow);K –
černá
(Key)
Barevné
zdroje světla nebo filtry bílého světla
Barevný tisk a jinépozorování
v bílém světle
Zobrazení
barev
Aktivní
displejeFotoluminiscenční – plasmové (PDP)Elektroluminiscenční – svítivé diody (LED, OLED)Katodoluminiscenční – obrazovky (CRT, FED, VFD)
Pasivní
displejeRefrakční a polarizační – kapalné krystaly (LCD)Reflexní – kapalné krystaly, elektroforéza,mikrozrcadla (LCD, e-papír, DMD)
Fyzikální
principy zobrazovačů
Peak Wave length (nm)
Dominant Wave length (nm)
Color
Name
Nominal Fwd Voltage (Vf @20ma)
Intensity (mcd) 5mm LEDs
Radiant Power mW/sr
IR 843 N/A Infrared 1.7 N/A 86mW@50mA 654 641 Ultra Red 1.9 1000mcd@20mA 13mW@20mA 640 625 HE Red 2.0 220mcd@20mA 1.8mW@20mA 634 624 Super E.Red 2.2 8000mcd@20mA 45mW@20mA 616 610 Super Orange 2.0 2000mcd@20mA 7mW@20mA 609 604 Orange 2.0 220mcd@20mA 0.7mW@20mA 598 593 Super Yellow 2.0 5000mcd@20mA 10mW@20mA 592 589 Super P.Yellow 2.3 4000mcd@20mA 8mW@20mA 582 584 Yellow 2.1 170mcd@20mA 0.3mW@20mA
3000K N/A Warm White 3.3 5500mcd@20mA 17mW@20mA 6000K N/A Pale White 3.3 5500mcd@20mA 17mW@20mA 8000K N/A Cool White 3.3 5800mcd@20mA 23mW@20mA
575 573 Super L.Green 2.0 1800mcd@20mA 3mW@20mA 563 569 HE Green 2.3 210mcd@20mA 0.03mW@20mA 563 564 Super P.Green 2.1 400mcd@20mA 0.6mW@20mA 557 560 Pure Green 2.2 140mcd@20mA 0.2mW@20mA 522 528 Aqua Green 3.4 15,000mcd@20mA 30mW@20mA 501 502 Blue Green 3.4 4300mcd@20mA 16mW@20mA 455 460 Super Blue 3.2 3000mcd@20mA 61mW@20mA 425 447 Ultra Blue 4.0 250mcd@20mA 5mW@20mA
uv 402 420 Ultra Violet 3.8 39mcd@20mA 53mW@20mA
Organické
LED -
OLED
katodatransportní
vrstva pro elektrony
emisní
vrstva (luminofor)
transportní
vrstva pro díryinjektor děranoda
Kapalný krystal
propouští
blokujeu
Řez zobrazovačem s kapalným krystalem
TFT
Zadní
osvětlení
pro LCD
Elektroluminiscenční
panel
Zářivka LED
Plasmový zobrazovač
Obrazovka
FED –
Field Emission Display
VFD –
Vacuum Fluorescent Display
E -
papír
bílý bod černý bod
kladněnabitépigmentovéčástice
záporněnabitépigmentovéčástice
Dataprojektor
Děkuji za pozornost
Elektrotechnika pro informatikyElektrotechnika pro informatiky
Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc.
2013/2014
13. téma
•
Frekvenční
charakteristiky – fázorová analýza
•
Akustický vstup a výstup počítačů
•
Vzorkování
analogového signálu
•
Digitalizace – princip A/D převodu
•
Principy D/A převodu
Setrvačné
obvody při sinusových signálech –
fázorová
analýza
IMPEDANCE
Fázorový
přenos –
obecný vztah
Fázorový
přenos –
frekvenční
charakteristikaintegrační
obvod
Bodeho
graf –
amplitudová
frekvenční
charakteristika (log/log)
AC-anal.cir
Fázorový
přenos –
fázová
charakteristika
Fázová
frekvenční
charakteristika (log/deg)
Derivační
obvod
Řetězec pro přenos a zpracování
digitalizovanéhoanalogového signálu počítačem
Vzorkování
spojitého signálu
Vzorkovací
teorém
Digitalizace
Kód se znaménkovým bitem Kód dvojkových doplňků
Kvantizace –
kvantizační
chyba
0 500 1000 1500 2000 2500 3000-2000
-1500
-1000
-500
0
500
1000
1500
2000
0 5 10 15 20 25 30 35-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
400
Kvantizační
chyba u signálu slova tři
load
tri1.datplot(tri1(1:length(tri1)));[l,q]=ginput(1);l=fix(l);x=tri1(l:l+30);plot(x,'b.-')hold onplot(128*round(x/128),'*r‚) hold off
Princip A/D a D/A převodu
aproximační
převodníky
D-A.cir A-D.cir
integrační
převodníky
PWM_D-A_A-D.cir
sigma-delta3.cir
Děkuji za pozornost