MITPaměti
Díl I
leosjuranek.cz/mit
Téma: Paměti Předmět: MIT Ročník: 3 Autor: Juránek Leoš Ing. Verze: 12.2010
Mikroprocesorová technika
2
Pojmy k zapamatování Funkce paměti, blokové schéma paměti; zapojení paměťové buňky pro jeden bitZákladní parametry paměti, kapacita, organizace.Rozdělení podle přístupu k datům (RAM, FIFO, LIFO).Rozdělení podle funkce (RWM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash EEPROM)Rozdělení podle použité technologie (bipolární a unipolární, statické, dynamické) Zvětšení kapacity paměti spojením více paměťových obvodů.
3
Vlastnosti pamětí Organizace
Kapacita
Rychlost
Přístup k datům
Energetická závislost
NEXT: ORGANIZACE PAMĚTI10
Co je to organizace paměti ?
Co je to šířka paměti ?
Kolik adres obsahuje paměť, která má počet adresových bitů 10.
NEXT: KAPACITA PAMĚTI
Organizace paměti
?
12
Kapacita pamětí Co je to kapacita paměti. V jakých jednotkách měříme kapacitu paměti. Jaké jsou větší jednotky kapacity. Jaký je vztah mezi organizací paměti a
kapacitou paměti. Seřaďte paměti podle kapacity?
256 x 4 bity
128 x 1 bit
1k x 1 bit
64 x 8 bitů
NEXT: RYCHLOST PAMĚTI13
?
Rychlost pamětí
Je čas, který uplyne od změny na vstupu čtení nebo zápisu do vystavení dat na výstupu nebo zapsání dat na nastavenou adresu.
NEXT: DĚLENÍ PAMĚTÍ PODLE PŘÍSTUPU K DATŮM14
Dělení podle přístupu k datům Paměť s libovolným přístupem
RAMData jsou přístupna na libovolné adrese. Nezáleží na předchozím čtení nebo zápisu.
RAM (Random Acces Memory - paměť s libovolným přístupem)
NEXT: PAMĚTI SE SÉRIOVÝM PŘÍSTUPEM15
Paměť se sériovým přístupem LIFO (Last In-First Out) Data zapsaná jako
poslední jsou čtena jako první.
LIFO se označuje jako zásobník.
FIFO (First In-First Out) Data zapsaná první jsou čtena jako první.
FIFO se označuje jako fronta.
Dělení podle přístupu k datům
NEXT: DĚLENÍ PODLE MOŽNOSTI ZÁPISU16
Energetická závislost
Paměť pro čtení a zápis RWM (závislé)
Paměť pouze pro čtení (nezávislé)
NEXT: PAMĚTI RWM17
Paměť RWM
Paměť pro čtení a zápis RWM(Read Write Memory)
Doba zápisu i čtení je přibližně stejná
Odpojením napětí se uložená informace ztrácí.
NEXT: RWM PODLE PAMĚŤOVÉHO PRVKU18
Dělení RWM podle paměťového prvku
Statická paměťPaměťovým prvkem je klopný obvod.
Bipolární
Paměť je rychlá, má malou kapacitu a velkou spotřebu.
CMOS
Paměť má malou spotřebu. Používá se pro uložení proměnného nastavení. Napájení je zálohování baterií.0
NEXT: PAMĚŤ ROM19
Dynamická paměťPaměť je pomalejší, mé velkou kapacitu a malou spotřebu.Paměťovým prvekem je kondenzátor. Paměť potřebuje doplňování náboje, cykly čtení a zápisu jsou prokládány cykly obnovy.
NEXT: PAMĚŤ ROM20
Dělení RWM podle paměťového prvku
Paměť ROM Paměť pouze pro čtení ROM (Read Only
Memory)
Doba zápisu je podstatně větší než doba čtení.
Odpojením napětí data zůstávají.
Používá se jako paměť
NEXT: DĚLENÍ PAMĚTÍ PODLE PAMĚŤOVÉHO PRVKU21
ROM – propojky realizované ve výrobě
PROM - tavné spojky ve struktuře paměti
EPROM - elektricky programovatelné opakovatelně (mažou se UV zářením) MOS tranzistor s indukovaným nábojem
EEPROM elektricky programovatelné opakovatelně (mažou se elektrickým signálem) MNOS tranzistor
Dělení ROM podle paměťového prvku
NEXT: BLOK PAMĚŤI22
Adresní prostor paměti 2M
počet adres = 221
Adresní prostor paměti 512K
počet adres = 219
Blok paměti
N 2N
10 1K
11 2K
12 4K
13 8K
14 16K
15 32K
16 64K
17 128K
18 256K
19 512K
20 1M
21 2M
22 4M
23 8M
24 16M24
Adresní prostor paměti 2M
21 20 19 18 17 16 15 14 13 . . . . . . 2 1
19 18 17 16 15 14 . . . . . . . 2 1
2M
512K bank0
19 18 17 16 15 14 . . . . . . . 2 1
19 18 17 16 15 14 . . . . . . . 2 1
19 18 17 16 15 14 . . . . . . . 2 1
512K bank1
512K bank2
512K bank3
0 0
0 1
1 0
1 1
Blok paměti
Mapa paměti 2M
ADRESA 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
8M 4M 2M 1M512K
256K
128K 64K 32K 16K 8K 4K 2K 1K
BANK0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 7 F F F F
BANK1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 8 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 F F F F F
BANK2 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 7 F F F F
BANK3 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 8 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 F F F F F
26
Blok paměti