TÔ PHẠM HÀ TRIỀULÊ NGUYÊN TRƯỜNG SƠNNGUYỄN NGỌC SƠN
0
F R E Q = 5 0V A M P L = 1V O F F = 0
Q 3
d 4 6 8
R b
3 3 k
C 2
4 7 0 u
R 2
5 0 K
C 3
4 7 0 u
R 1
5 0 K
R 3
2 7 8
V 21 2 v d c
R f
4 4 KR K
1 0 K
0
U 1 A
TL 0 7 2 C N
3
2
84
1
+
-
V+
V-
O U T
D 1
F R 2 0 7
21
V
D 2
F R 2 0 7
21
C i
4 7 0 u
Q 2
b 5 6 2
0
00
R E 1
1
0
R E 2
1
R i
5 0
R L
1 5
0
Q 1
2 3 8 3
0
OP-AMP TL072CN
Sơ đồ chân
Transistor tầng lái sc2383
Transistor tầng khuếch đại công suất
D468 npn
B562-pnp
Diode FR207
ohmicq
hfehiehie 100
2
2.2523
mAohm
ICQICQ 501.2
2.62.5,632
mAhfe
icmibm
ARL
PiLmicm
825.1200
365.0
22
365.02
Sơ đồ tương đương ac bán kỳ dương
Sơ đồ tương đương ac bán kỳ âm
3'33
11.33
hfeRlhieR
IbhfeRib
2'223
11)2.3(2
hfeRlhieRDR
IbhfeRDRib
23 ibib Dòng ic ở 2 bán kỳ đối xứng
Xét Q1Bỏ qua ib2,ib3Rdc= R3Rac=R3//(hie2+Rl'hfe2) bỏ qua RdPhương trình đường tải 12-1.3=Rdc. ICQ1 +VCEQ1
ICQTU
33.3//3
7.10
RkR
Dòng Id=ICQ1,để diode đủ dẫn ta chọn dòng id=0.02A
02.033.3//3
7.10
RkR
R3=278 ohm
)0___()(6 IvV
áp hồi tiếp trên ngỏ ra tầng công suất là 6 V,áp tại ngõ vao V- của opam là
ta sẽ chọn RK,Rf sao cho V+-V->0.24
thì áp ra OPAMP sẽ là 6V
kRb 33125.02.0
65.06
vi=1V ,ta chọn R1=R2 sao cho R1//R2>>richọn R1=R2=50k =>vi
V+
V+
4.5
Rk
RfRk
v
vA
i
lmv
47.5. RLiLmvLm
v+ = v- = vi
chọn Rk=10k =>Rf=44k
các tụ bypasss được chọn sao cho trong khoãng âm tầng thì bị bypass, chon Ci=Ck=470u
)(2
1
RLREfCL
Chọn tầng số cắt thấp là 20 hz => CL=470u
VLm
ÁP NGÕ RA Q1
V
R 2
5 0 K
0
1 . 5 2 3 V
Q 3
d 4 6 8
Q 2
b 5 6 2
1 0 . 6 7 V
R 3
2 7 8
R E 2
1
R K
1 0 K
00
R b
3 3 k
C i
4 7 0 u
R 1
5 0 K
Q 1
2 3 8 3
7 0 6 . 4 m V
0
R f
4 4 K
0
C 3
4 7 0 u
1 0 . 2 0 V
1 2 . 0 0 V
F R E Q = 5 0V A M P L = 1V O F F = 0
R E 1
1D 2
F R 2 0 7
21
1 1 . 0 4 V
0
R i
5 0
V 21 2 v d c
0
C 2
4 7 0 u
0
1 0 . 6 7 V
R L
1 51 0 . 6 7 V
U 1 A
TL 0 7 2 C N
3
2
84
1
+
-
V+
V-
O U T
6 . 0 0 0 V
D 1
F R 2 0 7
21
1 0 . 6 7 V
ÁP NGÕ RA OPAMP