Upload
mansen3
View
8.407
Download
2
Embed Size (px)
DESCRIPTION
Fakultas Teknik Universitas Riau
Citation preview
Dasar Semikonduktor
Amir Hamzah, ST.MT
PROGRAM STUDI S1 TEKNIK ELEKTRO
UNIVERSITAS RIAU
Pendahuluan
• Komponen-komponen elektronika seperti dioda, transistor dan Integrated Circuit terbuat dari bahan semikonduktor.
• Topik bahasan:- struktur atom- semikonduktor, konduktor dan insulator.- ikatan kovalen- konduksi dalam semikonduktor.- dioda- bias dioda- karakteristik tegangan-arus dioda- model dioda
Struktur Atom
• Segala sesuatu benda terbuat dari atom-atom, dan semua atom terdiri dari elektron, proton dan neutron.
Atom
• Definisi AtomPartikel terkecil dari elemen yang tidak dapat dibagi lagi secara kimia.• Bagian-bagian atom:
Nukleus : - Proton (bermuatan positif)- Neutron (tidak bermuatan)
Elektron (bermuatan negatif)
Model atom Bohr
Atom
• Setiap atom memiliki jumlah elektron dan proton tertentu yang membedakannya dari atom elemen lainnya. Contoh, atom hidrogen memiliki satu proton dan satu elektron , atom helium memiliki dua proton dan dua neutron dalam nukleus serta dua elektron pada orbitnya.
Nomor Atom
• Semua elemen telah diatur dalam tabel periodik, sesuai dengan nomor atomnya.
• Nomor atom adalah sama dengan jumlah proton dalam nukleus, yang mana juga sama dengan jumlah elektron (seimbang).
• Contoh: hidrogen memiliki nomor atom 1 dan helium memiliki nomor atom 2.
Group → 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
↓ Period
11H
2He
23Li
4Be
5B
6C
7N
8O
9F
10Ne
311Na
12Mg
13Al
14Si
15P
16S
17Cl
18Ar
419K
20Ca
21Sc
22Ti
23V
24Cr
25Mn
26Fe
27Co
28Ni
29Cu
30Zn
31Ga
32Ge
33As
34Se
35Br
36Kr
537Rb
38Sr
39Y
40Zr
41Nb
42Mo
43Tc
44Ru
45Rh
46Pd
47Ag
48Cd
49In
50Sn
51Sb
52Te
53I
54Xe
655Cs
56Ba
* 72Hf
73Ta
74W
75Re
76Os
77Ir
78Pt
79Au
80Hg
81Tl
82Pb
83Bi
84Po
85At
86Rn
787Fr
88Ra
** 104Rf
105Db
106Sg
107Bh
108Hs
109Mt
110Ds
111Rg
112Uub
113Uut
114Uuq
115Uup
116Uuh
117Uus
118Uuo
* Lanthanides57La
58Ce
59Pr
60Nd
61Pm
62Sm
63Eu
64Gd
65Tb
66Dy
67Ho
68Er
69Tm
70Yb
71Lu
** Actinides89Ac
90Th
91Pa
92U
93Np
94Pu
95Am
96Cm
97Bk
98Cf
99Es
100Fm
101Md
102No
103Lr
Electron Shells dan Orbit
• Lintasan orbit elektron memiliki jarak tertentu dari nukleus.• Elektron yang dekat dengan nukleus memiliki energi yang
lebih kecil dibanding dengan elektron yang berada pada orbit yang lebih jauh.
• Tiap jarak tertentu (orbit) dari nukleus berhubungan dengan level energi tertentu. Dalam atom, orbit-orbit dikelompokkan dalam pita-pita energi yang disebut dengan shells.
• Shells ditandai dengan nomor 1, 2, 3 dan seterusnya. Dengan nomor 1 adalah yang terdekat dengan nukleus. (atau dalam referensi lain menggunakan huruf K, L, M dst).
Ilustrasi Pita Energi
Energi semakin besar pada orbit yang lebih jauh dari nukleus
Elektron Valensi
• Elektron-elektron yang berada di orbit terjauh dari nukleus memiliki energi yang lebih besar dan memiliki ikatan yang lebih kecil/lemah dibanding dengan elektron yang berada pada orbit yang dekat dengan nukleus (attraction force).
• Shell yang terluar disebut dengan shell valensi, dan elektronnya disebut dengan elektron valensi.
Ionization
• Ketika atom menyerap energi, misal: panas atau cahaya, energi elektron akan naik. Elektron valensi menerima energi yang lebih dan menjadi semakin lemah ikatannya terhadap nukleus dibanding dengan elektron terdalam, sehingga elektron akan semakin mudah meloncat (lepas).
• Proses lepasnya elektron valensi disebut dengan ionization, yang mengakibatkan atom lebih bermuatan positif atau disebut dengan ion positif.
• Contoh: sebuah atom hidrogen H. Bila atom hidrogen netral terlepas elektron valensinya maka menjadi ion positif, dengan simbol H+. Elektron valensi yang lepas disebut dengan elektron bebas. Ketika elektron bebas habis energi dan jatuh ke shell terluar suatu atom hidrogen netral, maka atom tersebut menjadi bermuatan negatif dan disebut dengan ion negatif dengan simbol H-.
Jumlah Eletron Tiap Shell
• Jumlah elektron maksimum (Ne) pada tiap shell dari atom dapat dihitung dengan persamaan:
• Dimana n adalah nomor shell.• Shell 1
• Shell 2
• dst
22nNe
Semikonduktor, Konduktor dan Insulator.
Konduktor: Bahan yang dapat dengan mudah mengalirkan arus
listrik. Memiliki elektron terluar/valensi kurang dari 4, sehingga
mudah lepas ikatannya. Konduktor terbaik adalah bahan single-element (elektron
valensi satu), seperti tembaga, perak, emas dan alumunium.
Insulator: Bahan yang tidak dapat mengalirkan arus listrik. Elektron terluar /valensi memiliki ikatan yang kuat. Memiliki atom terluar/valensi lebih dari 4. Contoh: glass, mica
Semikonduktor Bahan yang tidak konduktor dan tidak isolator tetapi
bersifat antara keduanya. Mudah dipengaruhi oleh temperatur dan cahaya. Kebanyakan memiliki atom terluar/valensi sama dengan 4
dengan kekuatan rata-rata. Contoh: silicon, germanium, carbon
Energy Bands
Perbandingan atom semikonduktor dan atom konduktor
Silicon dan Germanium
Silikon umum digunakan sebagai bahan untuk dioda, transistor, IC dll.Germanium memiliki elektron valensi pada shell ke empat, memiliki level energi yang lebih besar dari silikon, dan membutuhkan energi yang sedikit untuk lepas.Germanium lebih tidak stabil pada temperatur tinggi.
Ikatan Kovalen
• Ikatan kimia dibentuk dengan satu atau lebih elektron-elektron yang berbagi, terutama pasangan dari elektron-elektron, antara atom-atom.
• Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik.
• Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.
Ikatan Kovalen
Konduksi pada Semikonduktor
• Diagram pita energi dari sebuah unexcited atom dalam kristal silikon. Tidak ada elektron dalam pita konduksi.
• Kondisi ini terjadi hanya pada temperatur absolut 00 kelvin.
Electrons dan Holes
• Pembentukan pasangan elektron-hole dalam kristal silikon. Elektron dalam pita konduksi adalah elektron bebas.
• Saat elektron melompat ke pita konduksi, tempat yang ditinggalkan elektron tersebut disebut dengan hole.
• Rekombinasi terjadi bila elektron pada pita konduksi habis energi dan jatuh ke hole di pita valensi.
Aliran Elektron dan Hole
• Bila tegangan diberilan pada antara bagian silikon, maka panas akan membangkitkan elektron-elektron bebas dalam pita konduksi, yang bebas bergerak secara acak dalam struktur kristal.
• Pergerakan elektron-elektron bebas ini disebut dengan aliran elektron.
Aliran elektron
Aliran hole
Semikonduktor tipe N dan tipe P
• Konduktivitas bahan silikon dan germanium dapat ditingkatkan dengan mengatur penambahan impurities ke bahan semikonduktor interinsic (pure). Proses ini disebut dengan doping.
• Proses doping meningkatkan jumlah aliran pembawa (elektron atau holes)
• Dua kategori impurities adalah tipe-n dan tipe-p.
Semikonduktor tipe N
• Untuk meningkatkan jumlah elektron-elektron pita konduksi dalam silikon intrinsic, ditambahkan dengan atom impurities pentavalen, yaitu atom dengan elektron valensi lima, seperti arsenic (As), phosphorus (P), bismuth (Bi) dan antimony (Sb).
Semikonduktor tipe P
• Untuk meningkatkan jumlah holes dalam silikon intrinsic, ditambahkan dengan atom impurities trivalen, yaitu atom dengan elektron valensi tiga, seperti boron (B), indium (In), dan gallium (Ga)
Dioda
• Dioda: komponen semikonduktor dengan satu junction pn yang mengalirkan arus pada satu arah saja.
• Fungsi: dioda hanya mengalirkan pada satu arah dan memblok arus pada arah yang berlawanan.
• Tanda panah dari simbol rangkaian memperlihatkan arah arus yang dapat mengalir.
P N
Pn junction
(a) Struktur dasar dioda
(b) Simbol skematik dioda
Anode Cathode
Formasi pn-junction
• pn junctions dibentuk dengan menggabungkan bahan semikonduktor tipe p dan tipe n.
Formasi wilayah Deplesi Daerah-n
Kehilangan elektron bebas saat penghamburan keseberang pn-junction .
Hasil : membentuk sebuah lapisan +ve dekat junction. Daerah-p
Kehilangan holes sebagai gabungan elektron dan holes. Hasil: membentuk lapisan -ve dekat junction.
• Dua lapisan +ve dan –ve membentuk daerah deplesi.
Barrier Potential
• Dalam depletion region banyak terdapat muatan positif dan muatan negatif, yang terletak pada sisi berlawanan di junction pn.
• Gaya antara muatan yang berlawanan membentuk “medan gaya” yang disebut medan elektrik (lihat gambar)
• Untuk memindahkan elektron-elektron melintasi barrier medan listrik depletion region, dibutuhkan energi eksternal.
• Besar tegangan yang dibutuhkan untuk dapat menggerakkan elektron-elektron tersebut sama dengan potensial pada medan listriknya.
• Beda potensial tersebut dinamakan barrier potential.
• Tegangan barrier pada junction pn bergantung pada beberapa faktor, yaitu jenis material semikonduktor, jumlah doping, dan temperatur.
• Tipikal tegangan barrier adalah 0,7 V untuk silikon dan 0,3 V untuk germanium pada temperatur 25 0C.
Bias Dioda
• Pembahasan sebelumnya: tidak ada elektron yang bergerak melintasi junction pn pada kondisi seimbang.
• Definisi Bias secara umum: penggunaan tegangan dc untuk memperoleh kerja tertentu pada sebuah komponen elektronika.
• Terdapat dua bias:1. forward bias2. reverse bias
1. forward bias
• Forward bias adalah kondisi yang meyebabkan arus mengalir melalui junction pn dioda.
2. reverse bias
• Reverse bias adalah kondisi yang meyebabkan arus tidak mengalir melalui junction pn dioda.
Karakteristik Tegangan-Arus Dioda
• Karakteristik V-I untuk forward bias.
Karakteristik Tegangan-Arus Dioda
• Karakteristik V-I untuk forward bias.
Titik a; kondisi zero-bias
Titik b; kondisi tegangan forward kurang dari tegangan barrier 0,7 V.
Titik c; kondisi tegangan forward aproksimasi sama dengan tegangan barrier.
Karakteristik Tegangan-Arus Dioda
• Karakteristik V-I untuk reverse bias.
Bila tegangan reverse diberikan pada dioda, hanya arus reverse IR yang sangat kecil mengalir (diabaikan)
Bila tegangan bias dinaikkan, hingga mencapai suatu nilai dimana disebut VBR , arus reverse akan naik secara cepat.
Karakteristik Tegangan-Arus Dioda• Kurva karakteristik komplit.
Karakteristik Tegangan-Arus Dioda• Efek temperatur
Model Dioda
• Strutur dioda dan simbol
Hubungan forward bias
• Doida di bias maju bila terminal positif tegangan sumber dihubungkan ke anoda dan terminal negatif dihubungkan ke katoda.
Hubungan reverse bias
• Doida di bias mudur bila terminal positif tegangan sumber dihubungkan ke katoda dan terminal negatif dihubungkan ke anoda.
Model Dioda Ideal• Model ideal sebuah dioda adalah sebagai saklar sederhana.
Bila dioda di bias maju, maka dioda berkerja sebagai saklar tertutup (on). Bila dioda di bias mundur, maka dioda sebagai saklar terbuka (off). Potensial barrier, resistansi dinamik, dan arus reverse diabaikan.
Model dioda praktis
• Model praktis memasukkan tegangan barrier dalam model saklar ideal.
Model dioda komplit
• Model dioda komplit: memasukkan pengaruh tegangan barrier, resistansi dinamis (r’d) dan resistansi reverse internal (r’R)
Tipikal Dioda
SEKIAN