Memoria Dram

DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.

Concepto

Descripción de la memoria DRAM

Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

Funcionamiento

La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador.

Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son visibles a simple vista.

CaracterísticasEs la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de

memoria, más datos se pueden tener en ella y más aplicaciones pueden estar funcionando simultáneamente, y por supuesto a

mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan buscar los datos continuamente en el

disco duro, el cual es muchísimo más lento.

Tipos La memoria RAM dinámica puede ser de diferentes tipos de acuerdo con su tecnología de fabricación: FPM, EDO, SDRAM, BEDO y más recientemente RDRAM.

FPM (Fast Page Mode)Su nombre procede del modo en que

transfiere los datos, llamado paginamiento rápido. Es la memoria normal, y era el tipo de memoria más popular hasta hace aproximadamente

dos años. Era el tipo de memoria normal en los ordenadores 386, 486 y

los primeros Pentium y llego a alcanzar velocidades de hasta 60 nanosegundos (ns). Se presentaba en módulos SIMM (Single In-line Memory Modulo)de 30

contactos (16 bits) para los 386 y 486 y en módulos de 72 contactos (32 bits)

para las últimas placas 486 y las placas para Pentium.

EDO (Extended Data Output)A diferencia de la memoria FPM

que sólo podía acceder a un solo byte (una instrucción o valor) de

información de cada vez, la memoria EDO permite mover un

bloque completo de memoria a la caché interna del procesador para un acceso más rápido.

Permite alcanzar velocidades de hasta 45 ns, suficiente para los ordenadores Pentium, Pentium Pro, y los primeros Pentium II

que demandan mayor velocidad de proceso. Su compatibilidad es muy alta y su precio muy bajo, lo que la ha convertido en la opción más popular aún hoy en día. Se presenta en módulos SIMMde 72

contactos (32 bits) y módulos DIMM (Dual In-line Memory

Modules)de 168 contactos (64 bits)

SDRAM (Synchronous DRAM)Es un tipo síncrono de memoria, que, lógicamente, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera. La memoria EDO está pensada para funcionar a una velocidad máxima de BUS de 66 Mhz (la máxima velocidad de bus de los procesador de Intel y el doble de la del BUS PCI), llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz en los módulos de 45 y 50ns, aunque con cierta inestabilidad.

BEDO (Burst Extended Data Output)Fue diseñada originalmente para soportar mayores

velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador

en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no

suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria.

RDRAM (Direct Rambus DRAM)

Es un tipo de memoria de 64 bits que puede producir ráfagas de 2ns y puede

alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con

picos de 1,6 GB/s. Es el complemento ideal para las

tarjetas gráficas AGP. El problema de este tipo de

memoria es que los fabricantes, a diferencia de la DDR RAM y la SLDRAM que son arquitecturas abiertas,

deben pagar derechos a Intel.

Memoria SDR 512 Pc 133 $ 69 99 6 cuotas de $ 1411

$ 62 30 6 cuotas de $ 12 56

$ 144 96 6 cuotas de $ 29 23

Dual ChannelDual Channel es una

tecnología para memorias que incrementa el

rendimiento de estas al permitir el acceso simultáneo a dos

módulos distintos de memoria. Esto se

consigue mediante un segundo controlador de

memoria en el NorthBrigde.

Uno de los casos en los que más se nota este incremento en el rendimiento es cuando tenemos una tarjeta gráfica integrada en placa base que utilice la memoria RAM como memoria de vídeo. Con la tecnología Dual Channel la gráfica puede acceder a un módulo de memoria mientras el sistema accede al otro, pero en general vamos a notar un incremento en el rendimiento en todas aquellas aplicaciones que hagan un alto uso de la memoria.

Para que la memoria pueda funcionar en Dual Channel, la placa base debe soportarlo y además debemos tener dos módulos de memoria exactamente iguales (Frecuencia, Latencias y Fabricante). Si los módulos no son exactamente iguales no funcionará el Dual channel, e incluso se pueden dañar los módulos de memoria.