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TEMPORIZACIÓN DE MEMORIAS DRAM

BREVE EXPLICACIÓN.

Significa memoria dinámica de acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.

FuncionamientoLa celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades.

Memoria DDR

Tipos de memoria DRAM y su funcionamiento DDR: Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles

tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco eficaces.

Explicación

Partes que componen a un memoria DDR.Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.Chips: son módulos de memoria volátil.Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR.Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR.

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Velocidad de la DDR.

Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")

PC-2100 266 MHzPC-2700 333 MHzPC-3200 400 MHz

Tiempo de acceso de la memoria DDREs el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)

DDR PC2100 7.5 nsegDDR PC2700 6 nseg, DDR PC3200 5 nseg

Latencia de la memoria DDRCL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (Mega Hertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)DDR PC2100 2.5DDR PC2700 2.5DDR PC3200 2.5 hasta 4

Memoria DDR2

• Todos las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.

• Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

• Como sus antecesores, pueden estar o no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

• Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.

Características generales de la memoria DDR-2

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en Mega Hertz (MHz). En el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Velocidad de la memoria DDR-2


PC5300 667 MHz

PC6400 800 MHz

El tiempo de acceso de la memoria DDR-2Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):


DDR-2 PC5300 6 nseg

DDR-2 PC6400 5 nseg,

Latencia de las memorias DDR2CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)

DDR2 PC5300 4 y 5

DDR2 PC6400 4, 5 hasta 6

Memoria DDR3

Velocidad de la memoria DDR3La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en Mega Hertz (MHz). En el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:


DDR3 PC3-8500 1066 MHzDDR3 PC3-10600 1333 MHzDDR3 PC3-12800 1600 MHzDDR3 PC3-14900 1866 MHzDDR3 PC3-16000 2000 MHzDDR3 PC3-17000 2133 MHzDDR3 PC3-19400 2400 MHz

El tiempo de acceso de la memoria DDR-3Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):


DDR3 PC3-8500 7.5 nseg.DDR3 PC3-10666 6 nseg, DDR3 PC3-12800 5 nseg, DDR3 PC3-14900 ±4 nseg, DDR3 PC3-16000 ± No disponible nseg,

Latencia de la memoria DDR-3Tipo de memoria Latencias (CL)

DDR3 PC3-8500 6 hasta 8



DDR3 PC3-14900 11 hasta 13

DDR3 PC3-16000 9

Integrantes:*Camas López Itzel*Cruz Sánchez Mayra R.*Quiroga Gamboa Yarenis*Rodríguez Fuentes Itzel*Santos Reyes Erika

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