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TRANSISTORES
AUTOR: Walter Siguas M.
Fototransistor:
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los
infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en
ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El
fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el
primero puede trabajar de 2 formas:
Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el
fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
FOTOTRANSITOR
Transistor uniunión: El transistor uniunión .-es un tipo de tiristor que contiene dos zonas
semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base
dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los
terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor,
en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del
parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o
factor intrínseco.
Transistor IGBT El transistor bipolar de puerta aislada es
un dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de
potencia.
Este dispositivo posee la características de
las señales de puerta de los transistores
efecto campo con la capacidad de alta
corriente y voltaje de baja saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT
es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las
del BJT.
Transistores de Efecto de Campo:
JFET:
También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma
más básica.
MESFET:
Transistores de efecto de campo metal semiconductor.
MOSFET:
Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos
componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una
dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio,
actuando como una puerta, un electrodo de metal.
CARACTERISTICAS