TRANSISTORES

Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca

información de la ficha técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y un

MOSFET. Elabora una presentación en Power Point donde muestres la característica de cada

diodo.

Algunas páginas que puedes visitar

http://www.microelectronicash.com/

http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp

http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335

Publica tu presentación en:

www.slideshare.net

Luego, envía la dirección de tu publicación a tu profesor

Transistores• Curso : Física Electrónica

• Ciclo : IV

• Carrera : Ingeniería de Sistemas é informática

• Alumno : Miguel Angel Castillo Flores

• Profesor: Condori Zamora Kelly

2014

Transitares :

Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de ampliador

,oscilador , conmutador o rectificador . El termino» transistor »el la contralacion

en ingles de transfer resistor («resistencia de trasferencia»)actualmente se

encuentran en los estados en todo los aparatos electrónicos de uso diario

:televisión ,radios, computadoras cuarzo ,lámparas fluorescentes ,tomógrafos

,celulares teléfonos, etc.

Tipos Transistores

Transistor JFET:

El transistor JFET( juntion Field efectivo transistor , que se traduce como transistor de

efecto de campo )es un dispositivo electrónico activo unipolar.

Funcionamiento básico:

Tienen tres terminales ,denominas puertas (gate),drenador (drain)y fuente( source) la

puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlando por

tensión ,donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente

entre dren ador y fuente.

Característica:

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar .

La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuentes

(Vdd)y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (.Vgg)

Al hacer un barrido en corriente directa se obtienen las curvas características del

transistor JFET.

Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen

,nótese que se distinguen tres zonas importantes :l

• a zona óhmica

• la zona de corte

• la zona de saturación.

Transistor MOSFET:

Son las siglas de metal oxide semiconductor FIELD EFFECT TRANSITOR,

Consístete en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS es el

transistor mas utilizado en la industria microelectrica .la practica totalidad de los circuitos

integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.

Utilización:

Una transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el

que, mediante técnica de difusión de dopantes , se crean dos islas de tipo opuesto

separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por

una capa de conductor

Características :

Son dos características o tipo de transistores MOS:

1. MOSFET de canal N o NMOS.

2. MOSFET de cana P o PMOS.

A su vez estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement)o deflexión

(deplexion);en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí

únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de

enriquecimiento.

Transistor FET:

Tienen también tres terminales que son1. puerta (gate).2. Drenador (Drain ). 3. sumidero (sink).Que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Características :

Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.

- La figura muestra un esquema que ayudara a comprender el funcionamiento de un FET. en este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.

- La puerta esta polarizada negativamente respecto al a fuente ,por lo quela unión P N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe una capa decirla .

- Si el material de la puerta esta mas dopado que el de canal ,la mayor parte de la capa estará formada por el canal.

- Si al tensión de la puerta es cero y VDS-o las capas desiertas profundizar poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.

Transistor bipolar de union(BJT):

El transistor de unión bipolar (del ingles bipolar junction transistor es un

dispositivo eléctrico de estado solido consiste en dos unión es PN muy cercanas

entre si ,que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales

.la denominación de gracias al desplazamiento de portadores de dos electrones

polarizadas(huecos positivos y eléctricos negativos),y son de gran utilidad en

gran numero de aplicaciones :

Pero tienen cierto inconvenientes , entre ellos su impudencia de entrada bastante

baja.

Características :

Los transistores bipolares son los transistores mas conocidos y se usan generalmente en

eléctrica analógica aunque también en algunas aplicaciones de eléctrica digital ,como la

tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductores dopadas :

La región del emisor ,la región de la base y la región del colector ,estas regiones son

respectivamente

Tipo P

Tipo N

Tipo de trasmisor se unión bipolar

1. PNP .

2. NPN:

Transistor MESFET:

MESFET: significa transistor de efecto de campo de metal semiconductor es muy similar a un

JFET en la construcción terminología la diferencia es que en lugar de utilizar una unión PN

para una puerta una schottky(de metal semiconductor )unión se utiliza MESFET se construye

normalmente en las tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivacion

de alta calidad de la superficie.

Caracteristicas:

numerosas posibilidades de fabricación MESFET se han explorado para una amplia

variedad de sistema de semiconductores ,algunas de las principales áreas de

amplificación son:

Comunicaciones militares :

Como amplificador de ruido bajo extremo delantero de los receptores de microonda en

los dos militares de radar y dispositivos de comunicación

comercial opto eléctrica

Comunicaciones por satélite.

Como amplificador de potencia para la etapa de salida de los enlaces de microondas .

Como un oscilador de potencia.

Fuentes:

http://transistoresfetgoleoncom /dos htm http://www.unicrom .com/ fut_ transitores _MOSFET http://es wipedia org/wiki7transistor de uni%C3%83n bipolar http://www.unicrom.com/lut_transitores _MOSFET.asp