Upload
-
View
782
Download
2
Embed Size (px)
Citation preview
Нанотехнологическое общество России и развитие новых технологий - НАНОТЕХНОЛОГИЯ
Проф. Виктор Александрович Быков, Генеральный директор группы компаний «НТ-МДТ» Президент НОР, Москва, Зеленоград
Развитие
4,5млрд. лет
570млн.-230млн.
палеозой
3,5 млрд.-530 млн.
Архей - протерозой
100 10 0 -10 -100 -1000 -10тыс. -100тыс. -1млн. -10млн. -100млн. -1млрд. -10млрд.
230 млн.-67млн.
мезозой
От 67млн. -
кайнозой
20 млн.-12млн.
От 3,5млн.
Техническа
я
цивилизац
ия
Вакуумная электроника - Радиолампы
10 с
м
ЭВМ «СТРЕЛА», 1953 год, 6200 ламп, 60 тыс.
полупроводниковых диодов, 2000 трехадресных команд
в сек., 150 кВт, 300 кв.м.
Первый транзистор Шокли, Братейн, Бардин, 1947
13 м
м
1959 год, Старт полупроводниковой
микроэлектроники -первые
микросхемы
Нанотехнология &
Сканирующая Зондовая Микроскопия История Второй этап развития НТ –
Прямая манипуляция атомами
При помощи СЗМ, СЗМ в науке
Нано Эра,
СЗМ в индустрии
Как основные
Метрологичекие
Прибоы. От
Сенсоров к
Терабитным ЗУ,
Мультимода и
Многозондовые
Устройства,
Нанороботы -> НТ
От кантилеверов к матричным
Микромеханическим механизмам
Конструкции&Методы Применения СЗМ Первый этап развития НТ
Эволюция
в КМОП
Революция
в КМОП Экзотика
Классическая
физика
Классическая
Физика с
квантовыми
поправками
Квантовая
Механика
Ширина
Затвора LG
НАНОТЕХНОЛОГИЯ в электронике:
размеры менее 100 нм
65 нм
45 нм
32 нм
22 нм
16 нм
11 нм
8 нм
Продвижение
ICPCNanonet-Beijing C.
Claeys
9
time
Front End silicide
Transistor scaling
>=130
L = 3 5 n m
S iG e
L = 3 5 n mL = 3 5 n m
S iG e
strain
USJ
90 - 65 - 45
Strain, USJ
NiSi
25 nm
NiSi
25 nm
FUSI
HfO 2
high -k
metal gate
45 - 32
High - k, Metal Gate
FinFET
32 - 22 - 16
Non-planar devices
FinFET
A c tiv e A re a
G a te F ie ldS p a c e rs
A c tiv e A re a
G a te F ie ldS p a c e rs
A c tiv e A re a
G a te F ie ldS p a c e rs
Ge/IIIV
16 and beyond
nanowires
graphene
New process modules New materials New device concepts
ICPCNanonet-Beijing
C. Claeys
10
Multi-gate Structures
22nm: The “Device” revolution FinFET Device
Bulk FF
10
SOI FF
poly-Si
NiSi
Fin
50 nm
ICPCNanonet-Beijing
C. Claeys
11
Introduction of New Materials
11 Elements
Source: Terrence McManus, Intel
15 Elements
>60 Elements
NEW MATERIALS IN SILICON TECHNOLOGY
Типовая микросхема CS50 • 0.1микрона КМОП
• 1.5 V
• 26 фотолитографий
• Al разводка, W затворы
• 6 слоев разводки
• W локальные
межсоединения
• Монокристаллическая
подложка
• CoSi2, with silicide block
• Shallow Trench Isolation
• Single Poly
• Прецизионные
резисторы
Лаборатория анализа поверхности
Нанотрубка (sp2)
Основные аллотропные формы углерода
Графит (sp2)
ГЦК-углерод (sp0)
Алмаз (sp3)
Карбин (sp1)
Графен (sp2) Фулерен (sp2)
UTD’s Nanotech Institute Approach: Dry Self-Assembly
CNT Yarns and Sheets Science
Vol. 306, 2004 and Vol. 309, 2005
Strong Macro Scale CNT material!
Quartz Tube
furnace
C2H2
He
Substrate
Catalytic Thermal CVD
Conditions
Temp.: 680˚C
C2H2: 30 sccm
He: 550 sccm
Atmospheric pressure
Catalyst Fe layer ~5 nm
Glass or Si
Sheet Fabrication from MWNT Forest
CNT Forest Sheet
Physics
Multi Walled Carbon Nanotubes:
High work function 5.3 eV, high s
~ 300 Simens
MWNT Cross-sectional view
SEM of oriented forests
MWNT: SWNT’s nested within each other.
Typically: 10-25nm,
intertube distance ~ 1.7nm
About 1/3 are conducting and only these tubes contribute to electronic and thermal properties. Most tubes are semi-metals
Free standing MWCNT sheet is strong to support a ladybug
July 2006 issue
NASA goal: 1000 W/kg of solar power
for space exploration Make a transparent flexible lightweight photovoltaic cell by using a Transparent carbon nanotube sheet on NASA thermal blanket. Combined with other solar cells in a Tandem
Carbon nanotube sheet
NASA developed Thermal blanket
To next devices e.g. inorganic Si or CIGS solar cell
1971, First STM - “Topografer”
R. Young, J. Ward and F. Scire 1982, H. Rohrer и G. Binnig with first atomic resolution
design STM, Nobel Prize 1986
Сканирующая зондовая микроскопия
Сканирующая туннельная
микроскопия (проводящие
материалы)
Оптическая
сканирующая
микроскопия
ближнего поля
Твердотельным зондом «ощупывается» поверхность и определяются характеристики при этом взаимодействии (ток,
притяжение или отталкивание, деформации, температура и т.п.)
Атомно-силовая
микроскопия
1979 – 1990 г.г. – Пьезосканер – «Трипод»
Держатель зонда
Y1
X1
X2
Y2
Z
X1
Y1
Y2
Зонд
Фланец для крепления сканера
Пьезокерамическая трубка
0,5 ÷ 1мм
Пьезотрубка для сканера СЗМ
Туннельный микроскоп НТ-МДТ, 1992 - 1993 г.
NanoEducator
NanoEducator +
Soft Windows XP, Mac OS
NanoEducator MFM
Учебный СЗМ
NanoEducator
Оборудование для образовательного процесса
Кантилевер НАНОЭДЬЮКАТОРА
Восстановление зонда Универсальный зондовый датчик выполнен восстанавливаемым – при износе или повреждении кончика зонда, изготавливаемого из вольфрамовой проволоки, он может быть снова заострѐн путѐм травления, для этого в комплект комплекса входит устройство травления. Такое решение резко уменьшает эксплуатационные расходы. Для получения острого зонда нужна только капля слабощелочного раствора (мыльной воды) и кусочек вольфрамовой проволоки.
Триподный сканер Наноэдьюкатора-1
Программное обеспечение/ программа обработки и анализа
изображений
Программа обработки и анализа изображений позволяет:
- представлять данные в 2D/3D с различными вариантами искусственной подсветки
- проводить статистическую обработку
- использовать 5 видов фильтрации, включая градиентную, сглаживающую, Фурье и пр.
- преобразование изображений, включая планаризацию и построение сечений
Нанолитография
Помимо получения изображения, прибор позволяет проводить
модификацию поверхности, в частности, силовую литографию –
формирование рисунка по заданному растровому шаблону
путѐм «чеканки» остриѐм зонда.
13 Nanoeducator Next
Новые возможности:
- Атомарное разрешение в режимах СТМ/АСМ
- Высокочастотное сканирование (до 40 Гц на строку);
- Возможность работы с кантилеверами с реализацией
полномасштабного СЗМ;
- Современный дизайн
Наноэдьюкатор-2
3D емкостные датчики нижнего трубчатого сканера
35 Nanoeducator 2
New design and properties
Powerful Digital Controller
STM&Resonant Type AFM Head + Laser Control
AFM Head and Optical Microscope
Atomic Resolutions in STM/AFM Modes
Metrological 3D 100x100x10 microns Scanner
As Windows and Mac OS SW
36 Nanoeducator 2
Human Erythrocytes 37×37 microns Test Structure 70×70 microns
37 Nanoeducator 2
Atomic stapes on High Oriented Pyrolytic Graphite
800×800 nm Imprinting on In Surfaces 70×70 microns
38 Nanoeducator 2, СТМ мода, HOPG
Атомно-силовая микроскопия
Схема Майера и Амера
Сканирующий зондовый микроскоп НТ-МДТ, 1994 - 1995 г.
Солвер-Р4
Христовер Гербер предложил работать
осцилирующим кантилевером, 1992, которую
президент Digital Instruments Dr. Vergil Ellings
назвал Теппинг модой
Амплитуда
1-20 нм
Cantilevers
NT-MDT поликремниевые кантилеверы
Ultra sharp AFM probe and DNA Images
SEM of Ultra Sharp AFM Tip
High Resolution AFM Image of DNA poly(dG)–poly(dG)–poly(dC)
(Dmitry Klinov1, Benjamin Dwir1, Eli Kapon1, Natalia Borovok,
Tatiana Molotsky and Alexander Kotlyar - Nanotechnology 18 (2007)
The Configuration for the Vacuum Condition
Electrochemical measurements Configuration
The Configuration for Capacitance Microscopy, Spraiding resistance and High Resolution Measurements
Liquid Cell Measurements Configuration
STM Measurements Configuration
Magnetic Properties Measurements Configuration
Многофункциональные метрологические СЗМ ИНТЕГРА-Аура
Метрологические измерения с емкостными датчиками регистрации перемещений сканера и АТОМНОЕ РАЗРЕШЕНИЕ
Высокоориентированный графит 4x4 nm
МСМ: ИНТЕГРА Аура
30nm
Работа с внешним магнитным полем:
горизонтальное до +/- 0,2Т,
вертикальное до +/- 0,02 Т
Нагревание образца до 300 0С
с точностью поддержания температуры 0,05 0С
31Oe 82Oe
346Oe 205Oe
149Oe
281Oe
Domain structure of the inhomogeneous film of yttrium iron garnet
Measurements in variable external magnetic field
Технология «слепых» - глаза НАНОМИРА
P9 – 2009 version of NT-MDT SPM controller,
Fast scanning: Smart scanning algorithm, 40 Hz
частота сканирования 15 Hz
1 – вакуумная камера;
2 – шкаф электроники;
3 – турбомолекулярный
насос;
4 – виброизолирующий
стол;
5 – видеомикроскоп;
6 – форвакуумный
насос;
7 – система
охлаждения;
8 – термостат
ВНЕШНИЙ ВИД СЗМ
High Vacuum Solver SPM System
H up to 0,2T Vacuum up to 10-8
torr
40 Mb HDD magnetization can be visualized in phase
imaging mode in air (left)
as well as in vacuum (5x10-7 Torr) at 113K (right).
Obviously, that quantitative
analysis at 113K can be performed much more accurately
Ph
ase
co
ntr
ast =
10
gra
d
Ph
ase
co
ntr
ast =
1 g
rad
MFM – HDD of low density
Surface of non-doped GaAs was pre-charged by lithography treatment.
Kelvin Probe Microscopy Imaging mode in vacuum (5x10-7 Torr) at 113K
shows distinct line differences in surface potential
Kelvin Probe Microscopy Imaging
Электростатическая Силовая Микроскопия или Метод зонда
Кельвина
Схема измерения электрического
взаимодействия зонда с образцом
Зависимость, амплитуды колебаний зонда от постоянного
напряжения
Распределение потенциала на поверхности
графита
Проводящие зонды Проводящие покрытия
для кремниевых зондов
серии “Golden”:
ПЭМ изображение иглы,
покрытой Pt
(толщина покрытия 10 нм).
Pt TiN Au W2C
Проводящие
Сопротивление пленки, mkOhm*cm
Толщина пленки – 20-30 нм
Типовой радиус кривизны – 35 нм
10 100 25 2
Investigations of highly resistive materials, such as thin dielectric layers on semiconductors, DLC and piezo- films, conductive polymers, etc.
AFM (AU020NTF): Adjustment unit for low current measurements in
Spreading Resistance mode. Current range: -/+100pA. Noise is 30fA in
100Hz bandwidth.
Ultra-low current measurements
Topography and current pictures obtained on TiSi2 film grains of conducting phase. Voltage applied is 0.02V.
Сигнал на выходе контроллера: U = C(V) + const, где const это паразитная емкость
системы (~ 100 aF). Значения U1 = C(V1) + const и U2 = C(V2) + const можно определить в каждой точке
сканируемой поверхности и далее скомпенсировать с помощью программного
обеспечения. Таким образом, будет получена величина dC/dV. А также появится возможность построить кривые C-V и dC/dV-V.
Компенсация паразитной емкости
Определение различных типов проводимости
dC/dV
Point N C(V) vs V dC/dV vs V
1
2
3
Topography Phase imaging Force modulation
AFAM amplitude Young modulus
MPa
1200
400
800
Stripes of low and high density polyethylene with different elasticity. Scan size 47x47 um.
Stripes are excellently contrasted in AFAM but hardly visible in other methods
Contrast imaging of the local hardness distribution on soft and even HARD samples
Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM)
Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM)
Ferroelectric stripe domains on PZT (AFAM) Topography and Atomic Force Acoustic Microscopy(AFAM) images of PZT. Stripe ferroelectric domain structure are clearly visible on AFAM image due to the difference in local Young's moduli of domains of different polarization.
Sample courtesy of Prof. Walter Arnold, Fraunhofer Institute for Nondestructive Testing, Saarbruecken, Germany.
Измерение сил адгезии, 2-х компонентная ЛБ-пленка Адгезия Топография
21 год был дан старт ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ, Дон Эйглер стал первым человеком в истории Земли, кто при помощи СТМ двигал атомы и наблюдал это!
Dr. Don Eigler, 1989
СЗМ литография
Нанотранзистор, размер изображения
800×800 nm
Д.В. Щеглов, З.В.Квон, А.И. Торопов,
А.В.Латышев, ИФП СО РАН
Maoz, R., Frydman, E., Cohen, S., Sagiv, J. - J.
Adv. Mater. 2000, 12, 725 – 731.
СЗМ литография
Локальное анодное окисление, TiO2 на Ti Токовая литография, 512*512
точек, оксид Ti на Ti, сканеры с
емкостными датчиками на
системе ИНТЕГРА
ИНТЕГРА Томо: 3D-томография
АСМ модуль сканирует
поверхность для
получения изображения
силового контраста
высокого разрешения
Модуль
ультрамикротом
удаляет тонкий
слой, готовя
поверхность к
следующему АСМ
сканированию
По нескольким двухмерным АСМ
изображениям реконструируется
3D модель
Трехмерная реконструкция
Поперечный срез трехмерной сети
углеродных нанотрубок в полимерном
матриксе.
Слева отображение фазы, 2 х 2 мкм
Справа отображение сопротивления
растекания, 2 х 2 мкм
Трехмерная реконструкция распределения проводящих углеродных нанотрубок в
полимерном матриксе, сделанная
из серии двухмерных изображений (отображение растекания).
2 х 2 х 0,3 мкм.
Для построения модели
использовано 22 изображения,
расстояние между слоями - 12 нм.
72 Ntegra Life
Automatic SPM + Highest Powers Optical Microscope
NTEGRA LIFE
Neural cells (in air) left: optical image right: AFM image Scan size 50×50 μm Mode: semicontact
Human hair (in air) left: optical image right: AFM image Scan size 50×100 μm
Mode: contact
74 Ntegra Life
Bacterium of Escherichia coli (in liquid);
область сканирования 4.5×4.5 мкм.
Рельеф образца (слева) и фазовый контраст
(справа)
SPM + Optical Microscopy
Fluorescent images (a, b) and AFM topography (c) of
an E. coli cluster imaged in air, on a poly-L-lysine
coated surface. An overlay of complementary
fluorescence and AFM images (d)
Images courtesy of Dr. L. Gurevich, Dr. P. Fojan,
J. S. Møller, L. H. Klausen, N. P. H. Knudsen,
Aalborg University, Denmark
NTEGRA Life
Scanning Thermal Microscopy (SThM)
SThM is an advanced SPM mode intended for simultaneous obtaining nanoscale thermal and topography images. NT-MDT’s SThM kit is able to visualize
temperature and thermal conductivity distribution at the sample surface. The SThM system hardware includes electronic controller, software, and probes.
SThM probe
Topography Scan size: 6 × 6 um
Thermal conductivity K [V/(m*K)] Area size: 6 × 6 um
Kit with SThM probes
Классическая наноиндентация:
воспроизводимость и симметрия
Множественные уколы демонстрируют высокую
воспроизводимость кривых (~1%) и дают
разброс ~5% при вычислении модуля Юнга.
Разброс 1,5%
при 100 измерениях
Измерения соответствуют
стандарту ISO 14577
Материал Твердость,
ГПа
Модуль Юнга,
ГПа
победит 16 790
диоксид
кремния 100
нм
4,8 45
поверхность
жесткого
диска 100 Гб
4,4 58
Indentation of the metallic material surface. Imagine option is necessary for studying the pile-ups surrounding the residual imprint
Conductivity map of the golden film on the silicon substrate
Topography of aluminium alloy D16 after indentation. The same probe is used for topography scanning and following indentation of the chosen areas
Elastic modulus map of the polycrystalline SIC
Nanointendation
NTEGRA Spectra: SPM + Optical confocal microscope /
Spectroscopy options: Raman, Luminescence
- NTEGRA-SPECTRA – Optical Schema
Модуль боковой подсветки
ТЕРС конфигурация
безапертурной головки
Реализация оптимальной ТЕРС
конфигурации для непрозрачных
образцов: разработка
дополнительной оптической
системы для засветки образца и
кантиливера сбоку (при этом, сбор
Рамановского сигнала идет сверху –
как в текущей конфигурации)
Микроскопия комбинационного рассеяния сверхвысокого разрешения
а) схематическое представление TERS-спектроскопии
б) зонд находится вблизи от пучка углеродных нанотрубок , при этом сигнал комбинационного рассеяния от них увеличивается на порядок
в) изображение пучка углеродных нанотрубок, полученное с помощью КР микроскопии
г) изображение того же пучка с применением TERS. Эффект локального усиления поля позволяет улучшить пространственное разрешение КР микроскопии, по крайней мере, в 4 раза
Данные получены в лаборатории Prof. Dr. G. de With , TUE, Голландия,
коллективом авторов Dr. S.Kharintsev, Dr. G. Hoffmann, Dr. J. Loos, a также П.Дорожкиным, НТ-МДТ
AFM image of carbon nanotube bundle
TERS image of the same bundle
Image courtesy: Jacon Jao, Renato Zenobi ETH Zurich, Switzerland; G. Hoffman, J. Loos, TUE, Eindhoven; and Pavel Dorozhkin, NT-MDT Russia
TERS with Silver coated cantilevers
Scan size: 2x3 micron
e) “Nano-Raman” (TERS) image of carbon nanotubes with corresponding line cross-
section f) showing 14 nm spatial resolution.
For more information see: Chan K.L., Kazarian S.G., “Finding a needle in a chemical
haystack: tip-enhanced Raman scattering for studying carbon nanotubes mixtures”,
Nanotechnology 21, 445704 (2010).
SPM + Raman = TERS
3 layers?
Graphene flake #1 - point spectroscopy
633 nm laser
Confocal Raman map (2D band center of mass position). 1-, 2-, 3-, and 4- layered flakes can be easily distinguished by position of 2D peak when using a color palette scale.
The Product Line of NT-MDT Companies
Group
NANOFAB-100
NANOLABs
Minilab for Education in NANO
Accessories
Scanning probe microscopes
Width : 2,5mm
Устройство НАНОФАБ 100:
технология ФИП – рост 3-х мерных наноструктур
Осаждение W(CO)6 при давлении ~ 3*10-4 тор
Газо-фазное осаждение, стимулированное ионными и электронными пучками
Устройство НАНОФАБ 100: технология ФИП
C. Burkhardt et al., NMI Reutlingen, Germany
Technological
or analytical
modules Single Cluster
Multicluster system
Technology and analytic in one system
NanoFab: Cluster type equipment
with nanometer precision wafer repositional
system
NANOFAB 100: Transport module and ultrapresision stages
South
Federal
University
Taganrog,
Russia
NanoFab 100
NANOFAB-100, Kurchatov Institute, Russian National
Nanotechnology Laboratory (September 2009 г.)
NANOFAB 25, 2009,
St. Petersburg Polytechnical University
СЗМ платформы Нанофаб
1 – камера сканирующего зондового микроскопа; 2 – камера загрузки зондов;
3 – стол активной виброзащиты; 4 – откачной пост.
Камера СЗМ
1 – вакуумная камера; 2 – система регистрации отклонений кантилевера; 3 – лазер
Сверхвысокий вакуум,
Низкая температура (5К),
Добротность кантилевера - 50000
SPM + Synchrotron
• Crystal lattice
characterization
• Thin film heterostructure
• Small-dose doping and
impurity
R&D Stations on Synchrotron Zelenograd
Nanofab Work Station on SY Zelenograd
Технологические возможности НТК
Нанесение слоевАнализ поверхности Травление слоев
Локальное осаждение
и травление ФИП,
ФЕП, СЗМ
Лазерная
абляция
Плазмохими-
ческое
Магнетронное
напыление
Нанесение
резиста
V2O5, ZnO,
ItBaCuO,
Pb(TiZr)O3,
Al2O3, CeO,
Y2O3, AlN, MgO
SiO2, Si3N4,
polySiМеталлов 1) Для ионной
литографии
2) Для
электронной
литографии
Рост УНТ и
графеновых
слоев
ПлазмохимическоеЗондовая, ионная,
электронная микроскопии
1) Очистка
2) Утонение
3) Травление через маску
4) Удаление резиста
1) Осаждение W, Mg, Pt, C, Ni
2) Травление фтором
3) Формирование рисунка в
маскирующем слое
Формирование островков
катализатора для роста УНТ
(Ni, Fe, Co)
5) Формирование
наноразмерных объемных
структурФормирование слоев фото-
стимулированным
осаждением в т.ч.
жертвенных слоев
(GexSi1-xO2)+((GeySi1-y)3N4)
ОЖЕ, ВИМС, ЭСХА
+ СИ -> ФЭС, EXAFS, SAS
3) Для оптической
безмасковой
литографии
Безмасковое экспонирование
С возможностями создания
Наноструктур на пластинах
Диаметром до 200 мм
минимально возможный
элемент – 65 нм (вместе с НПО
«ПЛАТАН»)
СВЧ электроника на основе квазидвумерных материалов
Транзисторы на основе графена
Рис. Интегрированный комплементарный графеновый инвертор.
(а) схематическое изображение инвертора. Три электрода нанесены
на монослой графена. Часть графенового листа между двумя левыми
электродами (окрашена красным) электрически отжигалась для
получения полевого транзистора n-типа. Другая часть листа графена
представляет собой транзистор p-типа. (b) Измеренные переходные
характеристики сформированного комплементарного графенового
инвертора. Вставка: СЭМ-изображение сформированного инвертора
и разводки.
Транзисторы на основе графена
IBM T.J. Watson Research Center, New York
Результаты: Созданы «top-gated» транзисторы. Частота увеличивается с уменьшением длины канала. Максимальная измеренная частота – 26ГГц при длине канала 150нм. Вывод: если производить графен с высокой подвижностью носителей заряда(20000см2/Вс ), то при длине затвора 50нм могут быть достигнуты частоты порядка 10 ТГЦ.
Транзисторы на основе графена
1. Кремниевая подложка (>10кОм см), Графен получен способом механического расщепления 2. Сток, исток: 1нм Ti – адгезионный слой, 50нм Pd – электроды 3. Подзатворный диэлектрик Al2O3(10нм) осажден при 250 0С посредством ALD. 4. Осажден слой Pd/Au толщиной10нм/50 нм
(b) Расстояние между электродами сток-исток 500нм Длина затвора – 360нм Ширина затвора, включая оба канала – 40мкм.
IBM T.J. Watson Research Center, New York
Транзисторы на основе графена
Полевой транзистор на основе эпитаксиально выращенных графеновых материалов HRL Laboratories в рамках программы CERA (Carbon Electronics for RF Application)
Параметры: - Ток в открытом состоянии при напряжении на стоке - Частота среза при длине затвора - Частота была получена при
Частотные характеристики будут улучшены при уменьшении длины затвора до 100нм
Преимущества конструкции: - предельно допустимый ток, - термическая проводимость, - малый управляющий потенциал.
Перенос графена на другие подложки после получения
Samsung, Korea
Рост из SiC
116
Графеновый
транзистор, с граничной
частотой 100 ГГц
Phaedon Avouris, Yu-Ming Lin и
коллеги в IBM's TJ Watson
Research Center в Нью-Йорке
начали изготовление полевых
транзисторов (FET), нагревая
подложку карбида кремния
(SiC) для создания
поверхностного слоя атомов
углерода в виде графена.
Параллельные электроды
истока и стока были затем
осаждены на него, оставляя
каналы открытого графена
между ними.
Дмитрий Струков, Константин Лихарев, 2005 г.
119
Нейроподобные аналогово-
цифровые
самоорганизующиеся сети и
интеллектуальные
вычислительные структуры,
созданные на основе
многоуровневой
мемристорной логики могут
быть эффективно
применены в авиационных
комплексах А-100, а также в
изделиях типа 411, 1К133,
Спинар-1ДМ, БПЛА «Типчак»
и в других перспективных
образцах ВВСТ.
Коммутационный
слой
БИС КМОП БМК
1-ый слой
наноразводки
2-ой слой
наноразводки
Элементы
многоуровневой
логики
Реконфигуриру
емая
вентильная
матрица
Области применения электрически
реконфигурируемых БИС на
мемристорах
Перспективы применения мемристоров
Схемотехнические
решения и
вольтамперные
характеристики
мемристоров
123
Характеристики мемристоров становятся повторяемыми, когда площадь
элементов становится менее 100х100 нм и если технологический процесс
формирования мемристоров проходит в сухой бескислородной атмосфере
125
Мемристоры + кремниевые БМК -> Нейроподобные системы
ICPCNanonet-Beijing
C. Claeys
127
ARTIFICIAL SYNAPSE = functional interface allowing bi-directional communication between a neuron and an integrated circuit = neurons-on-chip
NEURO-ELECTRONICS
ICPCNanonet-Beijing
C. Claeys
129
ARTIFICIAL SYNAPSE = functional interface allowing bi-directional communication between a neuron and an integrated circuit = neurons-on-chip
NEURO-ELECTRONICS
131 Nanoeducator 2
132 Nanoeducator 2, АСМ Головка
SOLVER platform
SPM SOLVER platform offers more than 40 measuring methods, which can be carried out in air as well as in controlled atmospheres and liquids.
• Two measuring heads (STM, AFM)
• Fully automated
• Ergonomic design
• Mac OS® and Windows® compatible SPM
SOLVER NEXT the latest development
Proteins deposited on mica measured in buffer solution Scan size: 320 х 320 nm
MFM image of HDD surface Scan size: 12 х 12 um
Latex balls, Phase contrast Scan size: 2×2 um
R&D100 AWARD
Winner 2009
NTEGRA SPECTRA: Multimode SPM + Confocal microscopy +
Scanning 3D Raman and Luminescence Spectroscopy +TERS
NTEGRA Spectra
• Atomic Force Microscopy ( > 30 modes ) • Confocal Raman / Fluorescence / Rayleigh Imaging and Spectroscopy • SNOM / NSOM • TERS, TEFS, TERFS and scattering SNOM (s-SNOM)
Beta-carotine distribution in algal cells
Bright field image
50x50 µm
Confocal laser (Rayleigh) 50x50 µm
AFM topography map 50x50 µm
Confocal Raman map 25x25 µm
Confocal fluorescence map 25x25 µm
Разработки и сервис,
Руководитель Ан.Быков
НТИ, производство
Руководитель Котов В.В.
НТ-МДТ, Маркетинг
и продажи,
Руководитель А.Б.Шубин
Отдел продаж,
Руководитель С.Пушко
НТ-МДТ &
НТИ
Службы
обеспечения
НТ-МДТ & НТИ
Зеленоград
Быков Александр,
исп. Директор группы НТ-МДТ
NT-MDT Head Office,
Moscow, Russia
NT-MDT S&L Limerick, Ireland
NT-MDT America Santa Clara, USA
NT-MDT Shanghai Shanghai, China
NT-MDT Europe Eindhoven, NL
Distributors
Sales Representatives
Офисы группы NT-MDT
World Wide Distribution Net (46 countries)
Quantum Design
JapanIkebukuro,
Japan
Axess Tech S.a.r.l.,
Франция
Coherent Scientific Pty.
Ltd., Австралия K-Tek Nanotechnology
LLC, США
Surface GmbH,
Германия
S.E.C.
Scientific
Equipment
Co. LTD.,
Израиль
NanoEducator Labs in Russia
463 units
169 Education Labs in Russian Universities
NanoEducators labs Out of Russia
Рынок продукции NT-MDT
Поставки в 59 стран мира
По итогам 2010 года компания занимает 2-е место в мире
по объему рынка и первое по темпам роста
About the Company
• 20 years on the SPM market
• Over 3000 installations
in 59 countries
• 350 experts in HQ offices
• 46 Distributors worldwide
During the 20th century, Zelenograd became
the cradle of Russian microelectronics,
“Silicon Valley” of Russia.
NT-MDT Collaboration Projects NNI Nederlands Nano Initiatief
•Bionano interactions for biosensing
Prof. G.J.L. Wuite Physics of complex systems Vrije Universiteit Amsterdam
•Nanomolecular machines in cellular force-generation
Prof. dr. Marileen Dogterom (AMOLF)
FP7 Nanoimaging Tools for Organic Electronics
Nano-Imaging tools for organic electronics: towards integration of Scanning
Probe Microscopy, Raman Spectroscopy and Ellipsometry
Russian Nanotechnology Society
• Start in 2008;
• Situation for the Today: 1100 members (professors and Dr.Sci. 334, Ph.D. 335);
• RNS include: 22 divisions (Industrial comity, Student and Yang Scientist division and 17 division for the numbers of the directions;
• Subdivisions in 69 regions of Russia;
• Web Address: http://ntsr.info
Partners of NSR
http://www.asdn.net Nano Education
USA- Russia: Informal Education at the Internet
Nanotechnology Global Net
And We are VERY Interested in Cooperation
Thank you!