Обновление парка вакуумной техники

ООО «Лаборатория вакуумных технологий», Зеленоград

Вакуумные технологии в производстве ГИСТехнология производства интегральных схем (полупроводниковых, плёночных и гибридных) содержит процессы формирования полупроводниковых, металлических, диэлектрических и резистивных слоёв различной топологии. Топология формируется послойно на полупроводниковых, керамических или полимерных подложках. Формирование каждого слоя состоит из следующих этапов:

1) напыление слоя заданной толщины, 2) нанесение, экспонирование и проявление фоторезиста, 3) травление нанесённого слоя сквозь окна в фоторезисте, 4) удаление фоторезиста.

Вакуумные технологии в производстве ГИСНанесение проводящих и металлических слоёв производится различными видами вакуумного напыления на специализированном оборудовании. Советская промышленность выпускала несколько серий вакуумного технологического оборудования, наиболее распространённые в электронной промышленности серии УВН и Оратория.

Текущая ситуацияВ настоящее время на предприятиях сложилась следующая ситуация:1) Оборудование устарело и не удовлетворяет современным требованиям качества, надёжности,

безопасности.2) Устарелые технологии ограничивают возможности производства3) Оборудование многократно выработало свой ресурс4) Требуется высокая квалификация персонала для его эксплуатации, обслуживания и ремонта5) Высокий процент брака

Текущая ситуация

Следствием указанных обстоятельств являются высокие эксплуатационные расходы и стоимость производства изделий. При этом жесткие требования к технологии, заложенные в конструкторской документации на производимые изделия не позволяют использовать установки иностранного производства. В ряде случаев затруднено также внедрение установок, использующих новые технологические приёмы.

Термическое испарениеМагнетронное напылениеЭлектроннолучевое напылениеИонное травлениеПлазмохимическое осаждениеПлазмохимическое травление

Ника-2012 для замены установок серий УВН-71, УВН-70

Ника-2013 для замены установок серий УВН-73, 74, 75

Термическое испарениеМагнетронное напылениеЭлектроннолучевое напылениеИонное травлениеПлазмохимическое осаждениеПлазмохимическое травление

Ника-2015 для замены установок серий Оратория-9, ВУ-1А

Магнетронное напылениеИонное травлениеПлазмохимическое осаждениеПлазмохимическое травлениеНапыление жаропрочных и износостойких покрытий

Установки серии Ника предназначены для проведения широкого спектра технологических процессов в среде высокого вакуума: напыление металлов, полупроводников и диэлектриков, ионное и плазмохимическое травление. Эти установки обладают следующими преимуществами:1. Возможность полнофункциональной замены имеющегося оборудования с работой по технологии, заложенной в КД. Установки легко модифицируются под конкретную производственную или научно-исследовательскую задачу. 2. Серийность выпускаемого оборудования и модульность конструкции с возможностью быстрой замены узлов с случае их выхода из строя или истощения ресурса. Унификация посадочных размеров и схем подключения. Возможность быстрой поставки запасных частей и узлов.3. Полная автоматизация технологического процесса и вакуумной системы. Один человек Автоматическая диагностика неисправности. Удалённое управления с возможностью отладки технологии и диагностики.4. Низкий процент брака за счёт стабильности технологии5. Высокая производительность за счёт увеличения партии подложек, обрабатываемых за один раз (128 подложек 60х48 для Ника-2013) и снижении затрат времени на перегрузку.6. Компактность самих установок и их зоны обслуживания — на месте двух старых установок можно разместить три новые.

Технологии и задачи, реализуемые на установках «Ника»● Магнетронное напыление металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков,● Сверхскоростное магнетронное напыление металлов (Cu, Sn, In, Ag, Cr, Ni, Ti) ● Реактивное магнетронное напыление диэлектриков из металлических и

полупроводниковых мишеней: SiO2, Si3N4, TiO2, TiN, ITO, ZnO, Al2O3, AlN, MgO, Ta2O5, TaN и пр.;● Ионная и ионно-плазменная очистка подложек перед напылением, в том числе в

водородной или кислородной плазме или атомарном водороде;● Ионное и ионно-плазменное ассистирование при напылении различными способами;● Ионно-плазменные азотирование и нитроцементация;● Плазмохимическое осаждение диэлектриков;● Плазмохимическое травление материалов (SiO2, Si3N4, моноSi и поликремний, GaAs, GaN,

фоторезист, полиимид).