la estabilidad inducida la estabilidad inducida por la geometría y por la geometría y

portador de carga en portador de carga en nanodispositivos nanodispositivos

Casimir accionadosCasimir accionadosYosmar García PérezYosmar García Pérez

Temas Selectos de Física II Temas Selectos de Física II

Muchos de los dispositivos que usamos como teléfonos móviles y cámaras digitales requieren sistemas de funcionamiento que sean eficientes sin sacrificar el tamaño, sin embargo, estos dispositivos colapsarían y no serían posibles sin la física de pequeña escala en la que se presentan fenómenos diferentes.

En 1956 el físico ruso Evgeny Mikhailovich Lifshitz, y otros colaboradores, mostraron que en los materiales reales la fuerza de Casimir depende de las propiedades dieléctricas de las placas, es decir, si se cambia el material con el que están hechas las placas se tiene diferente intensidad de la fuerza de Casimir y ésta ya no depende solamente de constantes fundamentales como se tenía para placas conductoras perfectas.“La estabilidad de los micro y nano dispositivos electromecánicos es influenciada por la fuerza de Casimir como lo demostró el físico Fardad Michael Serry en 1995. Esta fuerza ocasiona fricción entre las placas y los hace inservibles“, comentó Esquivel.La fuerza de Casimir ha sido medida con gran precisión usando una variedad de técnicas como microscopía de fuerza atómica y la balanza de torsión.La estabilidad de los MEMS y NEMS presenta más complicaciones por la rugosidad de las superficies, e incluso en los dispositivos totalmente aterrizados, los potenciales residuales pueden añadir fuerzas parásitas extras. Estas han sido consideraciones importantes para la interpretación de la fuerza de Casimir en los experimentos.

“La estabilidad de los micro y nano dispositivos electromecánicos es influenciada por la fuerza de Casimir como lo demostró el físico Fardad Michael Serry en 1995. Esta fuerza ocasiona fricción entre las placas y los hace inservibles“

• En este trabajo se demuestra, que en Casimir nanodispositivos accionado, la concentración de portadores de carga de geometría y cambie la estabilidad y la tracción en condiciones que causan fricción estática. La estabilidad se analizó mediante el cálculo del diagrama de bifurcación del conmutador capacitivo como una función del espesor de la placa para Au y Si que muestra que los cálculos anteriores sobre la base de fórmula Lifshitz para semiespacios subestimar las condiciones de estabilidad. Teniendo en cuenta el efecto del tamaño, de recalcular el diagrama de bifurcación para diferentes metales y para el Si con diferentes concentraciones de portadores que muestran el cambio en las condiciones de estabilidad.