25
Memori

Tk306 111061-927-6

  • Upload
    suin01

  • View
    280

  • Download
    2

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: Tk306 111061-927-6

Memori

Page 2: Tk306 111061-927-6

Memori Flip-flop: memori 1-bit Register: memori n-bit, satu lokasi Memori: penyimpan data n-bit, m-

lokasi

Flip-flop Register

Memori m x n

4-bit

0

1

20 1 0 1

1 1 1 0

0 0 0 1

LSBMSB LSBMSB

m

n

Page 3: Tk306 111061-927-6
Page 4: Tk306 111061-927-6

RAM (Random Access Memory)

RAM Merupakan chip yang menyediakan fungsi penyimpanan data yang bersifat “dapat dibaca dan ditulisi”, dan sifat penyimpanannya sementara (jika catudayanya ditiadakan, isi RAM hilang)

Page 5: Tk306 111061-927-6

Static RAM (SRAM)

Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan flip-flop sehingga: (1) datanya relatif stabil/statis sehingga tidak diperlukan adanya rangkaian “refresh”, (2) lebih cepat, (3) kepadatan komponen rendah/kapasitas kecil, (4) mahal

Page 6: Tk306 111061-927-6

Sel SRAM

SQ

R

SELECT

INPUT

OUTPUT

RWSREAD/WRITE SELECT

MC

SELECT

INPUT

RWS

OUTPUT

MC: memory cell

SELECT (CS) RWS MODE

1 0 Write

1 1 Read

0 X INACTIVE

Page 7: Tk306 111061-927-6

MC MC MC MC

MC MC MC MC

MC MC MC MC

MC MC MC MC

DEKODER

0

1

2

3

A 1

A 0

1

0

IO 3 IO 2 IO 1 IO 0

RWS

CS

Organisasi SRAM: Bentuk 1

Page 8: Tk306 111061-927-6

Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 1

Pin Alamat

Pin Kontrol

Pin Data

RAM4x4-bit

I/O 0

I/O 1

A0

A1

RWS

CS

I/O 2

I/O 3

RWS=Read/Write Select

CS=Chip Select, ACTIVE-HIGH

Page 9: Tk306 111061-927-6

MC MC MC MC

MC MC MC MC

MC MC MC MC

MC MC MC MC

DEKODER

0

1

2

3

A 1

A 0

1

0

IO 3 IO 2 IO 1 IO 0

OE

CE

WE

Organisasi SRAM: Bentuk 2

Page 10: Tk306 111061-927-6

Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 2

Pin Alamat

Pin Kontrol

Pin Data

RAM4x4-bit

A0

A1

OE

CE

WE

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

WE=Write Enable

OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW

CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Page 11: Tk306 111061-927-6

Cara MP Membaca dan Menulisi RAMMisal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut:

Alamat Isi (Dalam Heksadesimal)

0 13

1 FF

2 C4

3 6D

4 FF

5 57

6 FF

7 FF

Page 12: Tk306 111061-927-6

Cara MP Membaca RAMMikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte:

1. Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 3 yakni A2A1A0=011 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I)

2. Mikroprosesor mengirim sinyal kontrol untuk mengaktifkan mode baca RAM (Tahap II)

3. Data akan ditempatkan pada bus data sehingga pada bus data terdapat data 6D (tahap 3)

1WEdan 0, OE 0, CE RAM8 byte

D0D1D2D3

A0A1

OE

CE

D4D5D6D7

A2

110

0

0

Tahap I

Tahap II

01101101

Tahap III

WE1

Page 13: Tk306 111061-927-6

Cara MP Menulisi RAMMikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2:

1. Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 4 yakni A2A1A0=100 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I)

2. Mikroprosesor menempatkan data A2 pada bus data (tahap II)

3. ikroprosesor mengirim sinyal kontrol untuk mengaktifkan mode tulis RAM (Tahap III)

0WEdan 1, OE 0, CE

RAM8 byte

D0D1D2D3

A0A1

OE

CE

D4D5D6D7

A2

001

1

0

Tahap I

Tahap III

10100010

Tahap II

WE0

Page 14: Tk306 111061-927-6

Contoh IC Static RAM Seri 6116

A0-A10 Address Inputs

I/O0-I/O7 Data Inputs/Outputs

/CE Active LOW Chip Enable

/OE Active LOW Output Enable

/WE Active LOW Write Enable

PIN NAMES

SRAM 2Kbyte

Page 15: Tk306 111061-927-6

Dynamic RAM (DRAM)

Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan kapasitor sehingga: (1) datanya tidak stabil/dinamis sehingga diperlukan rangkaian “refresh”, (2) lebih lambat, (3) kepadatan komponen tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah

Page 16: Tk306 111061-927-6

Sel DRAM

Page 17: Tk306 111061-927-6

Sel DRAM

C E L L AR R AY 4 x 4

Page 18: Tk306 111061-927-6

Organisasi DRAM

CELL ARRAY 4 x 4

Column addressdecoder

Row

add

ress

deco

der

Column addresslatch

A 2 A 3

A 0

A 1

Row

add

ress

lat

ch

R/WA 0/A 2

A 1/A 3

RAS

CAS

CS

Din

Dout

Inputbuffer

Outputbuffer

Page 19: Tk306 111061-927-6

Operasi Read DRAM

Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input

dekoder alamat baris. Dekoder alamat baris memilih baris data yang diinginkan yang akan

dikirim ke buffer out Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode read Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input

dekoder kolom. Pin ini selalu memberikan Output Enable, setiap sinyal CAS diberikan

Data akan ditempatkan pada .Dout RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya

Page 20: Tk306 111061-927-6

Op

eras

i Rea

d D

RA

M

Memori 20

Page 21: Tk306 111061-927-6

Operasi Write DRAM Data yang akan disimpan ditempatkan pada Din Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input

dekoder alamat baris. Dekoder alamat baris memilih lokasi baris yang akan ditempati data dari

buffer in Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode write Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input

dekoder kolom. Data akan ditempatkan pada alamat pada array sesuai yang diinginkan RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya

Page 22: Tk306 111061-927-6

Memori 22

DR

AM

1M

X 1

Page 23: Tk306 111061-927-6

DRAM 64K X 1-bit

Page 24: Tk306 111061-927-6

DRAM 64K X 8-bit

Memori

Page 25: Tk306 111061-927-6

KONEKSI DRAM DATA n-bit