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Constitución de un transistor BJT
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Universidad Politécnica de Chiapas Ing. Biomédica
Fundamentos de Electrónica Ing. Othoniel Hernández Ovando
Suchiapa, 14 de Febrero de 2012
Historia
• De 1904 a 1947, el bulbo fue el dispositivo electrónico
más usado.
• El 23 de Diciembre de 1947, Walter H. Brattain y Joseph
Bardeen crearon el primer transistor.
• El nuevo elemento era más pequeño y ligero, no se
calentaba y era mas eficiente.
Introducción
• Acrónimo de BJT (Bipolar Junction Transistor,
transistor bipolar de unión).
Transistor
Transfer
Resistor
La corriente circula entre dos
terminales esta controlada por una
señal aplicada al tercer terminal.
Bipolar
Los portadores tienen dos
polaridades: electrones y huecos.
Introducción
Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de
estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de
conmutación y procesado de señal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo más
empleado en Electrónica.
No existe desgaste por partes móviles.
Los transistores son dispositivos activos con
características altamente no lineales.
Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar
en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz
de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. (Transfer
Resistor).
Ventajas
Más pequeño y ligero
No se calienta
No disipa calor
Resistente
Consume menos potencia
Voltajes de operación bajos
Dispositivos de tres o más terminales
Usos: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Clasificación
En función de la situación de las uniones, existen dos
tipos:
NPN PNP
Constitución de un BJT
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos
diodos PN unidos en sentido opuesto (Emisor, Base y
Colector).
Constitución de un BJT
Polarización NPN
La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en
directa; y la Base-Colector en inversa. Así, por la unión
Base-Colector circula una corriente inversa.
Construcción Física - Real
Estructura más moderna:
Construcción Física - Real
Transistores de potencia:
Construcción Física - Real
Transistores de potencia:
Encapsulados
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