14
МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Кафедра: Электротехника Дисциплина: Основы теории цепей 210304.65 Радиоэлектронные системы (выпускающая кафедра МРТУС) Пояснительная записка к домашней работе (ДЗ №1) на тему: Элементы электрической цепи Руководитель: Гордиевич Л.А. Выполнил: ст. гр. Дата: Оценка:

эл тех лаб. 1

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: эл тех   лаб. 1

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждениевысшего профессионального образования

«Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

Кафедра: ЭлектротехникаДисциплина: Основы теории цепей210304.65 Радиоэлектронные системы (выпускающая кафедра МРТУС)

Пояснительная записка

к домашней работе (ДЗ №1)

на тему:

Элементы электрической цепи

Руководитель: Гордиевич Л.А.

Выполнил: ст. гр.

Дата:

Оценка:

Москва 2011

Page 2: эл тех   лаб. 1

Э1 Измерить напряжение идеального источника ЭДС.

Схема:

Мультиметр в режиме вольтметра показывает значение U = 12 В = Eист . ЧТД.

Э2 Измерить сопротивление R .

Схема:

Мультиметр в режиме измерения сопротивления показывает значение R = 100 Ом = Rрезистора . ЧТД.

Page 3: эл тех   лаб. 1

Э3 Измерить R Э для параллельного, последовательного и смешанного соединения R .

Схема последовательного соединения:

RЭ = R1 + R2 + R3

Схема параллельного соединения:

1RЭ

= 1R1

+ 1R2

+ 1R3

Page 4: эл тех   лаб. 1

Схема смешанного соединения:

RЭ=R3+R1∗R2

R1+R2

Page 5: эл тех   лаб. 1

Э4 Построение ВАХ сопротивления.

Схема:

0 20 40 60 80 100 1200

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

R, Ом

U, В

I, А

U=I*R

Page 6: эл тех   лаб. 1

Э5 Построение ВАХ реального источника ЭДС.

Схема холостого хода:

UИСТ = E

Схема короткого замыкания:

IКЗ=ERВН

0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.140

2

4

6

8

10

12

14

U, В

I, A

Page 7: эл тех   лаб. 1

Э6 Определение рабочей точки реального источника ЭДС при его работу на нагрузку.

Схема:

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200

0.020.040.060.08

0.10.120.140.160.18

0.2

U, В

I, A

Page 8: эл тех   лаб. 1

Э7 Анализ изменения положения рабочей точки при изменении E , R ВН, R Н

Изменение E:

0 5 10 15 20 250

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

U, В

I, A

Изменение RВН:

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

U, В

I, A

Изменение RН:

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

U, В

I, A

Page 9: эл тех   лаб. 1

Э8 Исследование реального источника тока

Схема:

Мультиметр в режиме вольтметра показывает значение U = 1000В = J*RВН=E. ЧТД.

Схема:

Мультиметр в режиме амперметра показывает значение IКЗ = J = E/RВН. ЧТД.

0 200 400 600 800 1000 12000

2

4

6

8

10

12

U, В

I, A

Page 10: эл тех   лаб. 1

Э9 Исследование поведения индуктивности и ёмкости на постоянном токе.

Схема для индуктивности:

Мультиметр в режиме вольтметра показывает значение близкое к нулю. Это значит, что сопротивление индуктивности равно 0. ЧТД.

Схема для ёмкости:

Мультиметр в режиме амперметра показывает значение близкое к нулю, что означает наличие разрыва в цепи, т.е. сопротивление ёмкости равно бесконечности. ЧТД.

Page 11: эл тех   лаб. 1

Э10 Построение делителя напряжения.

Схема:

I= ER1+R2

U 1=I∗R1 U 2=I∗R2 U 1+U 2=E

Page 12: эл тех   лаб. 1

Э11 Построение делителя тока.

Схема:

I 1=J∗R2

R1+R2

I 2=J∗R1

R1+R2