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4 4 第第第第 第第第第 第第 第第第第 第第 第第第 49654043 第第第 49654047 第第第 49654058 第第第 49654111 第第第 49654112

第 4 章 蝕刻製程

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第 4 章 蝕刻製程. 班級:科管三乙 組員:林宗憲 49654043 王丹祈 49654047 吳清三 49654058 孟暐達 49654111 蔡銘鐘 49654112. 工作分配. 4.2.1~4.2.6 王丹祈 4.2.7~4.2.11 蔡銘鐘 4.3 林宗憲 PowerPoint 製作 孟暐達 報告修改及上台報告 吳清三. 4.2.1 蝕刻. 定義 : 藉由預先定義好的圖形把不要的區域去除,保留要留下的區域,將圖形轉移到所選定的基礎上其過程稱之為蝕刻。 - PowerPoint PPT Presentation

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  • 4 49654043 49654047 49654058 49654111 49654112

  • 4.2.1~4.2.6 4.2.7~4.2.11 4.3 PowerPoint

  • 4.2.1 :()()

  • 4.2.2 :(1)(2)(3)

  • (Chemical Machining CHM)(Chemical Etching)

  • 4.2.3 :()(Plasma Etching)(Physical Bomboard)(Active Radical)()(Chemical Reaction) (1) (Sputter Etching) (2) (Ion Beam Etching) (Plasma Etching) (Reactive Ion Etching RIE)

  • (etchant)(selectivity)(isotropic etching)(undercut)3.a(anisotropic etching)3.c(Radical)

  • (a).(b).(c).

  • 4.2.4 / :

    : ()

  • 4.2.5 : (PVD)(CVD)(Plasma)(Plasma)

  • 4.2.6 :

    :

    :

  • 4.2.7 :Optical Emission

  • 4.2.8

  • 4.2.9 ()

  • 4.2.10 (Profile)

  • 4.2.11 (Passivative Gas)(Under layer Selectivit)

  • 4.3

    (IC)IC;IC

  • 1121420

  • (Si)(Ge) (GaAs)

    1.2()

    ()

    ()

  • 1

  • RIE

  • (Micro loading Effect)