Оптоэлектронный генератор – первое практическое

устройство СВЧ-оптоэлектроники

ИСВЧПЭРАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники

Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

Директор ИСВЧПЭ РАН, П.П. Мальцевд.т.н., профессор

Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и

оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ)

Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) создана в 2007 году согласно Генеральному соглашению между МГТУ МИРЭА и ИСВЧПЭ РАН от 01 ноября 2007 года.

Заведующий лабораторией - д.т.н. Белкин Михаил Евсеевич.

Целью деятельности ОНИЛ СОУ является решение комплексных научных, производственных и учебных задач в области исследования, разработки, проектирования и опытного производства изделий СВЧ микро- и наноэлектроники, микро- и нанофотоники для перспективных телекоммуникационных и радиолокационных применений.

ИСВЧПЭРАН

Структурная схема оптоэлектронного генератора

(ОЭГ)

L. Maleki. Recent Progress in Opto-Electronic Oscillator. – Microwave Photonics International Topical Meeting, 12–14 Oct. 2005, p. 81–84.

ИСВЧПЭРАН

Структурная схема связанного оптоэлектронного генератора

(СОЭГ)

X. S. Yao, L. Maleki, L. Davis. Coupled opto-electronic oscillators. – Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium, 1998, p. 540.X. S. Yao, L. Davis, L. Maleki. Coupled opto-electronic oscillator for generating both RF signals and optical pulses. – Journal of Lightwave Technology, vol. 18, 2000, p.73.

ИСВЧПЭРАН

Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона

Патент на изобретение № 2436141. Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона. М.Е. Белкин, Л.М. Белкин. 17.05.2010

ИСВЧПЭРАН

Общий вид экспериментального образца оптоэлектронного генератора СВЧ диапазона,

разработанного в ОНИЛ СОУ

ИСВЧПЭРАН

Государственный контракт № 14.740.11.0136 «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц»

Сроки: 13.09.2010-15.11.2012 По ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг.

заказчик Минобрнауки России

Сравнение ОЭГ с серийно выпускаемыми изделиями известных зарубежных изготовителей МИС генераторов СВЧ

диапазона, как на базе генератора, управляемого напряжением, (ГУН) с варакторной перестройкой частоты,

так и на базе современного синтезатора частот

ИСВЧПЭРАН

Мощность генерации,

дБм

Полоса перестройки частоты, ГГц

Подавление побочных

мод в спектре, дБ

Уровень ЧМ-шумов при отстройке от несущей частоты:

10 кГц 100 кГц 1 МГц

СВЧ генератор HMC388LP4 4,9 3,15-3,4 7 -87 -105 -

СВЧ генератор CHV2270-98 14 12,6-12,8 - -60 -90 -113

Синтезатор частот ADF4350 5 2,2-4,4 13 -92 -111 -134

ОЭГ, разработанный в ОНИЛ СОУ 9,1 2,5-15 54 -125,4 -128,2 -137,4

ПОСТАНОВЛЕНИЕ ПРЕЗИДИУМА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

(№ 279 от 25 декабря 2012 года)

Согласовать следующие дополнительные Основные научные направления ИСВЧПЭ РАН:

- расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц;

ИСВЧПЭРАН

- исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц;- создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц.