光刻机 / 紫外曝光机 (Mask Aligner) 匀胶机 / 旋涂仪 (Spin coater)

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Copyright©2014 by Midas System Co., Ltd. All Rights Reserved

光刻机 /紫外曝光机 (Mask Aligner)

匀胶机 / 旋涂仪 (Spin coater)

MIDAS Systems Co., Ltd.

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Copyright©2014 by Midas System Co., Ltd. All Rights Reserved -2-

槪要槪要介绍介绍

MIDAS SYSYEM 主要研发和生产光罩光刻机 / 紫外曝光机 (Mask Aligner) 和匀胶机 (Spin Coater) 设备。

应用领域涉及：半导体、平板显示、 MEMS 、生物元器件、纳米技术等

光刻机 / 紫外曝光机是我司在韩国首度研发和商品化的产品，目前在不懈地开发完善中，为企业垫定了坚实的技术基础。

产品遍及半导体研究和生产、平板显示研究和生产、 MEMS工序研究及MEMS应用商品生产、生物芯片研究及纳米技术研究领域。

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企业企业槪要槪要

公司名 Midas System Co.,Ltd

Lee Gon Cheol

1998. 10. 18

总经理

建立时间

589, Yongsan-dong, Yuseong-gu, Daejeon, Korea

地址

+82 42 930 7620

http://www.midas-system.com

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电话

网页

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企业历史企业历史

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组织图组织图

CEO

常务董事

韩国营销

国外营销

会计

人事、总务

采购

生产

顾客支持

营销部管理部技术总部

研究所设计

质量经营

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光刻机 /紫外曝光机是执行半导体显示屏等工艺中的光刻工艺系统 , 目的是在晶圆片上形成多种类物质的图案 .

具体体现的系统是在样品晶圆片上涂抹光刻胶后利用带图案的掩膜板 , 当光透过掩膜板照射到光刻胶上时，光刻胶会发生反应 . 之后进行显影和刻蚀最终得到想要图案 .

光刻机 /紫外曝光机是执行半导体显示屏等工艺中的光刻工艺系统 , 目的是在晶圆片上形成多种类物质的图案 .

具体体现的系统是在样品晶圆片上涂抹光刻胶后利用带图案的掩膜板 , 当光透过掩膜板照射到光刻胶上时，光刻胶会发生反应 . 之后进行显影和刻蚀最终得到想要图案 .

光刻机光刻机 // 紫外曝光机紫外曝光机

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手动对准

& 手动曝光

半自动对准

& 自动曝光

手动对准

& 自动曝光

型号型号光刻机光刻机 // 紫外曝光机紫外曝光机

MDA-400S MDA-60MS MDA-80SA/12SA

手动对准

& 手动曝光

MDA-400M

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技术规格技术规格光刻机光刻机 // 紫外曝光机紫外曝光机

MDA-400M MDA-400S MDA-60MSMDA-80SA/

12SA

基底 Up to 4” Substrate Up to 6” SubstrateUp to 6 / 8” Substrate

Up to 8 / 12” Substrate

光源功率 350W 350W 1 kW / 2 kW 2kW / 5kW

分辨率 1um (Thin PR@Si Wafer)

1um (Thin PR@Si Wafer)


1um ( Thin PR@Si Wafer )

对准精度 1um 1um 1um 1um

光束均匀性 ±3% ±3% ±5% ±5%

最大光束尺寸 4.25×4.25 inch 6.25×6.25 inch 8.25×8.25 inch10.25×10.25 inch

14.25×14.25 inch

光束强度 Max. 30mW/cm2 (365nm)

Max. 30mW/cm2 (365nm)



模型

项目

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全自动光刻机全自动光刻机 // 紫外曝光机紫外曝光机型号型号

全自动对准

& 自动曝光

全自动对准

& 自动曝光

MDA-40FA MDA-12FA

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技术规格技术规格光刻机光刻机 // 紫外曝光机紫外曝光机

MDA-40FA MDA-80FA MDA-12FA

基底 Up to 4” Substrate Up to 8” Substrate Up to 12” Substrate

光源功率 350W 2 kW 2 kW / 5 kW

分辨率 1um (Thin PR@Si Wafer)



对准精度 1um 1um 1um

光束均匀性 ±3% ±5% ±5%

最大光束尺寸 6.25×6.25 inch 10.25×10.25 inch 14.25×14.25 inch

光束强度 Max. 25mW/cm2 (365nm)



模型

项目

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简单的操作模式图像抓取和保存数据传输操作用个人电脑存储能力 : ≥ 100 Recipes 数据记录 : 历史管理全屏和分屏

半自动 : PC 控制

手动操作模式

设定 : 保养模式

软件软件光刻机光刻机 // 紫外曝光机紫外曝光机

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匀胶机是光刻工艺制作薄膜方法中使用最广泛的设备

在需要涂抹的样品表面滴上光刻胶 , 在离心力的作用下，样品表面旋涂，制作出均匀的薄膜 .

为了得到均匀的薄膜 , 根据光刻胶的粘稠度使用正确的配方旋涂 .(如许多步骤的转速与加速度设定 )

匀胶机是光刻工艺制作薄膜方法中使用最广泛的设备

在需要涂抹的样品表面滴上光刻胶 , 在离心力的作用下，样品表面旋涂，制作出均匀的薄膜 .

为了得到均匀的薄膜 , 根据光刻胶的粘稠度使用正确的配方旋涂 .(如许多步骤的转速与加速度设定 )

匀胶机匀胶机 // 旋涂仪旋涂仪

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型号型号匀胶机匀胶机 // 旋涂仪旋涂仪

手动匀胶

& 单片衬底

手动匀胶

& 单片衬底

手动匀胶

& 单片衬底

Spin-1200D/T Spin-3000D/A SPIN-3000T

大尺寸匀胶

& 定制

SPIN-5000A

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型号型号匀胶机匀胶机 // 旋涂仪旋涂仪

SPIN-

1200D/TSPIN-3000D SPIN-3000A SPIN-3000T SPIN-5000A

基底尺寸 Up to 4 ” Substrate

Up to 6” Substrate



大尺寸

卡盘旋转速度 Max. 7,000 rpm Max. 7,000 rpm Max. 7,000 rpm Max. 7,000 rpm Max. 5,000 rpm

增 / 减速率可调节 (0.1 sec step)

可调节 (0.1 sec step)




匀胶状态50 Steps /

20 recipes

50 Steps /

20 recipes

50 Steps /

10 recipes

50 Steps /

50 recipes

20 Steps /

20 recipes

碗腔尺寸 8” PP 12” STS 12” STS 12” STS 定制

选项自动滴胶器自动滴胶器

模型

项目

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光刻结果光刻结果

AZ 4620

THB151N

SU-8

bump

Stacked Chip

interposer

Board

n-Pad TCO

p-GaN

n-GaN

MQW

Actuator

Electrode forming process

Packaging process

MEMS process

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光刻结果光刻结果

FEOL + MOL

TSV Etch/Clean

TSV Seed/Fill

CMPTSV Process

Photolithography

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